Przedmiotem wynalazku jest generator pólprzewodnikowy, stosowany zwlaszcza do wytwarzania pradu podkladu i kasowania w magne¬ tofonach.Stan techniki. Znane generatory pólprzewodnikowe dostarczajace sygnaly wielkiej czestotliwosci do glowicy nagrywajacej i kasujacej lub uniwersalnej, wykonywane sa przy pomocy pojedynczych albo przeciwstawnych tranzystorów, które wspólpracuja z obwodami rezonan¬ sowymi zlozonymi z transformatorów przeciwsobnyeh lub z elementów kondensatorowo-dlawikowych.Istota wynalazku. Cecha znamienna generatora pólprzewodnikowego, wykonanego zgodnie z wynalaz¬ kiem, jest to, ze przeciwstawne tranzystory sa bezpo¬ srednio ze soba polaczone kolektorami. Poza tym tran¬ zystory te sa pojemnosciowo sprzezone z szeregowym obwodem rezonansowym generatora za posrednictwem kondensatorów, które przylaczone sa do punktu po¬ laczenia elementów rezonansowych generatora i do obwodów baz tych tranzystorów przeciwstawnych.Generator opracowany wedlug wynalazku charak¬ teryzuje sie bardzo malymi znieksztalceniami, zwiaza¬ nymi z asymetria ukladu, a pochodzacymi od harmo¬ nicznych wytwarzanego sygnalu, szczególnie od po¬ ziomu jego drugiej harmonicznej.Wynikajace z powyzszych cech, lepsze parametry generatora przyczyniaja sie do znacznej poprawy jakosci sprzetu magnetofonowego. Z uwagi na wyeliminowanie drogiego transformatora przeciwsobnego i skompliko¬ wanego w budowie oraz w produkcji, opracowany generator jest prostszy w technologii wytwarzania i korzystniejszy pod wzgledem ekonomicznym w po¬ równaniu z dotychczas stosowanymi generatorami. 5 Objasnienie rysunku. Generator zgodny z wyna¬ lazkiem przedstawiony jest na rysunku w postaci sche¬ matu ideowego.Przyklad realizacji wynalazku. Istotnymi ele¬ mentami generatora pólprzewodnikowego, wykonanego 10 wedlug wynalazku, sa przeciwstawne tranzystory T, bezposrednio polaczone kolektorami, oraz wspólpracu¬ jacy z nimi szeregowy obwód rezonansowy, skladajacy sie z autotransformatora A i cewki kasujacej glowicy G.Obwody baz tranzystorów T sa polaczone poprzez 15 kondensatory sprzegajace z punktem polaczenia ele¬ mentów obwodu rezonansowego.Dzialanie opisanego powyzej generatora pólprze¬ wodnikowego polega na tym, ze przeciwstawne tran¬ zystory T pracuja w polaczeniu szeregowym dla pradu 20 stalego, natomiast w ukladzie równoleglym dla pradu zmiennego. Napiecie U zasila generator, który wytwarza prad I, sluzacy jako sygnal podkladu do glowicy ma¬ gnetofonowej. 25 Zastrzezeniepatentowe Generator pólprzewodnikowy, wykonany przy po¬ mocy tranzystorów przeciwstawnych, wspólpracujacych z rezonansowym obwodem pojemnosciowo-indukcyjnym, 30 znamienny tym, ze przeciwstawne tranzystory (T) 123 242123 242 maja bezposrednio ze soba polaczone kolektory, a ponad¬ to tranzystory (T) sa pojemnosciowo sprzezone z sze¬ regowym obwodem rezonansowym generatora, przy czym kondensatory sprzegajace wlaczone sa pomiedzy wspólnym punktem polaczenia elementów obwodu rezonansowego, a obwodami baz tranzystorów (T).LDD Z-d 2, A 117^400/184, n. 90+20 egz.Cena 100 zl PLThe subject of the invention is a semiconductor generator which is used in particular for the generation of a backing current and for erasing in magnetophones. State of the art. Known semiconductor generators supplying high frequency signals to a recording and erasing or universal head are made by single or opposing transistors which cooperate with resonant circuits composed of push-pull transformers or capacitor-choke elements. Summary of the invention. A characteristic feature of the semiconductor generator made according to the invention is that the opposing transistors are directly connected to each other by collectors. Moreover, these transistors are capacitively coupled to a series resonant circuit of the generator through capacitors that are connected to the connection point of the generator resonant elements and to the base circuits of these opposing transistors. The generator developed according to the invention is characterized by very low distortions, Due to the asymmetry of the system, and derived from the harmonics of the signal produced, especially from the level of its second harmonic. As a result of the above characteristics, the better parameters of the generator contribute to a significant improvement in the quality of the audio equipment. Due to the elimination of an expensive push-pull transformer which is complicated in construction and production, the developed generator is simpler in the production technology and more economically advantageous compared to the generators used so far. 5 Explanation of the drawing. A generator in accordance with the invention is shown in the drawing in the form of a schematic diagram. An embodiment of the invention. The essential elements of the semiconductor generator made in accordance with the invention are the opposing transistors T, directly connected by collectors, and a serial resonant circuit cooperating with them, consisting of an autotransformer A and a head G resetting coil. The base circuits of the transistors T are connected via capacitors interconnecting with the connection point of the resonant circuit elements. The operation of the above-described semiconductor generator is based on the fact that the opposing transistors T operate in series for direct current, and in a parallel configuration for alternating current. The voltage U supplies a generator which produces the current I which serves as the backing signal to the headphone. 25 Patent claim A semiconductor generator made by means of opposing transistors cooperating with a resonant capacitive-inductive circuit, characterized in that the opposing transistors (T) 123 242 123 242 have directly connected collectors and more than the transistors (T) are capacitively coupled to the generator resonant circuit in series, the coupling capacitors being connected between the common connection point of the resonant circuit elements and the base circuits of the transistors (T). LDD Zd 2, A 117 ^ 400/184, n. 90 + 20 copies. Price PLN 100 PL