PL117682B1 - Method and element for regulation of gas laser radiation intensityovogo lagera - Google Patents

Method and element for regulation of gas laser radiation intensityovogo lagera

Info

Publication number
PL117682B1
PL117682B1 PL20950278A PL20950278A PL117682B1 PL 117682 B1 PL117682 B1 PL 117682B1 PL 20950278 A PL20950278 A PL 20950278A PL 20950278 A PL20950278 A PL 20950278A PL 117682 B1 PL117682 B1 PL 117682B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
laser radiation
gas laser
lagera
intensityovogo
regulation
Prior art date
Application number
PL20950278A
Other languages
English (en)
Other versions
PL209502A1 (pl
Inventor
Ryszard K Bauer
Andrzej Kowalczyk
Original Assignee
Univ Mikolaja Kopernika
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Univ Mikolaja Kopernika filed Critical Univ Mikolaja Kopernika
Priority to PL20950278A priority Critical patent/PL117682B1/pl
Publication of PL209502A1 publication Critical patent/PL209502A1/xx
Publication of PL117682B1 publication Critical patent/PL117682B1/pl

Links

Landscapes

  • Lasers (AREA)

Description

Opis patentowy opublikowano: 31.03.1983 'UJ. ' "WWW 117 682 Int. Cl.3 H01S 3/13 CZYTELNIA Urzedu fcsteritowego Twórcy wynalaoku: Ryszard Karol Bauer, Andrzej Antoni Kowalczyk Uprawniony z patentu: Uniwersytet Mikolaja Kopernika, Torun (Pol¬ ska) Sposób i element do stabilizacji natezenia promieniowania lasera gazowego t iPwcdmuoitem wynalazku jest spofcób i element do stabilizacji natezenia ptromicmtiioiwania lasera gazowego.Przyczyna braku stabilizacji natezenia promie- niowanica lasera gazowego jest fakt,, iz w poczatko- * wej faziie jego ¦wytedowaniiia zachodza fluktuacje czestosci elektronów. Lokalnie zwiekszana liczba elektronów powoduje podgrzanie gazu, a co za tym idzie miejscowe jego noa&aerzetnie. Z uwagi ma *to, ze pirawdopodob&enstwo jomdaafcji wzrasta ze zmndej- io szendem «.ie gestosci gazu* gestosc elektomow roisnie lawitnowo az do przebicia.•Znane dotychczas sposoby stabilizacji natezenia • proituemliowanc.a laiseira gaaowegia, polegaija na ogra¬ niczaniu pradu wyladowania oraz zmniejszeniu u fluktuacji warunków poczatkowych wyladowania przez wytworzenie, przed rozpoczeciem wyladowa¬ nia, duzej ilosci elektronów.Ograir:ilcz€ince pradu wyladowania uzyskuje sie stosujac elektrcde lub elektrody skladajace sie 20 z wielkiej liczby segmentów, naijczesciej szpilek, oddzielonych cd eiiisbie i polaczonych ze zródlem zasilania przez rezystory ograniczajace prad.Znacznie wieksza stabilizacje natezenia promie¬ niowania lasera gazowego uzyskuje sie stosujac 25 zmniejszenie fluktuacji warunków poczatkowych wyladowania. W tyim celu gaz poddalje sie joniza¬ cji: prom:en.iiowa2i):icm maditaofletowym wytworzonym przez uklad pomocniczego wyladowania iskrowego lub lampe kosnonciwa, za pomoca wyladowania 3& koronowego z ostrzy odpowiednio uksztaltowajoych elektrod, a takze wst^epnejjj© wywolanfta wylado¬ wania pofnaoicniozego potósdcpy eJLetobroda zaplonowa i fedana z glównych eWfctrod lub .para elektirod zaplonowych. Stosowany jest równiez «iie:o od¬ miemy sposób prejontacji, polegajacy **& wywo¬ laniu wyladowania wysokiej czestosci przez dola¬ czence do* elektrody zaplotoowej inapiecia zmiennego, podgrzewaniu katody, a takJZ2 zastosowaniu dziala elektronowego.Dla zwiekszenia wydajaioicii procesów fotojoni¬ zacji stasuje s&e doratozke gazu o niskim poten¬ cjale jonizacji.Niedogodnoscia stabilizacji natezenia promienio¬ wania polegajaca na. ograniczeniu pradu wylado¬ wania jest skompdikowana konstrukcja lasera i duze straty energii elektrycznej na doprowadzajacych' rezystorach. Natomiast ndiedogjodaiosaia innych do¬ tychczas znanych i stosowanych sposobów jest koniecznosc stosowiansa, utirudniilajacych konstrukcje Jasera;, dodatkowych ukladów pomocniczych oraz straty energii elektrycznej doprowadzonej do tych ukladów.Celem wyruaiazku- jest opracowanie prostego i skutecznego sposobu statodliiaacji natezenia pro¬ mieniowania i!mputawego 'Jasera gazowego, a za- gadcóeniem technicznym wymagajacym rozwiazania dla osiagniecia, tegb celuj, jest opraioowsinie sposobu modsilowaniia pola elektryczniego pomiedzy glów¬ nymi elektrodami lasera. 117 682117 682 4 Nieoczekiwanie stwierdzana, ze stabilizacje na¬ tezenia promieniowania lalsara gazowego, uzyskuje s:ie w.cdlug wynalazku z 'bardzo dobrym skutkiem, umieszczajac pomiedzy glównymi elektrodami, po¬ nizej lub powyzej olbsziaru wyladowania, korzystnie równcHegle do celi optycznej lasera, element wyko¬ nany z materialu przewodzacego iprad lub dielek¬ tryka. Element wedlug wynaflazku posiada dowolny ksztalt, korzystnie walca, dostosowany do wymia¬ rów gfLówmych elektrod i kanalu laiserowego. Nie jest cm polaczony elektrycznie z zadnymi elementa¬ mi laz-scra.Sposób i element wedlug wynalazku odznacza sie niezwykla prostota wykonania, umozliwia uzyskanie wysokiej sitafciilooscd natezenia promieniowania na¬ wet "przy duzej czestosci impulsów oralz znikomej wielkosci zaklócen elektrycznych. Dodatkowa za¬ leta spooclbu wedlug wynalazku jest mozliwosc uzyskania akcja laisierow&j nawet iprzy niewielkim napieciu zasilania wynoszacym 5 kV otraz zwie¬ kszenie czestosci i energii wychodzacej wiazki pro-* macniowiania. iSposób wedlug wynalazku, nia ograniczajac jego zakresu, jest dokladnie wyjasniony w przykladzie wykonania uwidocznionym na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schematyczny przekrój poprze¬ czny lasera gazowego wraz z umiejscowionym ele¬ mentem, a fig. 2 widok z boku elementu.[Przyklad. Polrniiedzy glówne elektrody 1 i 2 subaMsekundowego laseTa azotowego, ponizej ob¬ szaru wyladowania 3 umieszcza sie element 4 równolegle ido osi optycznej 5 i przykleja do prze¬ kladki iiziolacyjineij 6.Elektrody glówne 1 ii 2 wykonane sa ze stali kwaacodpcirnej i posiadaja wymiary ,10X25X140 mm, a ich powierzchnie czynne zaokraglone sa promieniem 5 mm. Pomiedzy glównymi elektrodami 112 utworzena jest szczelina oi szerokosci 0,8 mm.Element 4 swymi wymiarami dostosowany jest do glównych elektrod 112 kanailu laserowego 7. Sta¬ nowi en szklany precik o srednicy 0 1,5 mm i dlugosci równej dlugosci glównych elektrod 1 i 2.Z glównymi elektrodami 1 i 2 polaczone sa górny¬ mi okladkami kcndentaitoiry 8 19 zasilanie wysokim naplecieni o wartosci 9—,10 kV.Kondensator 9 pclsiada przerwe iskrowa 10 zwie¬ rana wyzwataym wyladiowainiem na elektrodach 10 20 25 30 35 40 45 swiecy samochodowej 11. Zwarcie przeorwy iskro¬ wej 10 powoduje powstanie na kondensatorze 9 osicylacji napiecia. IFo czasie równym polowie okre¬ su oscylaoji nastepuje na kondensatorze 9 odwró¬ cenie polaryzacji. Powstala w wyniku tego róznica potencjalów na glównych elektrodach 1 i 2 jest dwukrotnie wieksza od napiecia zasilania. Wytwo¬ rzone pomiedzy glównymi elektrodami 1 i 2 wy¬ ladowanie jarzeniowe jest bardzo jednorodne wsku¬ tek umiesizczania w kanale laserowym 7 edemem- tu 4.Dzieki bardzo jednorodnemu wyladowaniu ja¬ rzeniowemu uzyskuje sie wzbudzenie powtarzalnej ilosci gazu, co w konsekwencji powoduje wysoka stabilnosc natezenia impulsów promieniowania la¬ serowego. Wychodzace promieniowanie tworzy wia¬ zke o wymiarach 15Xj3 mm o rozibiezniosci wzdluz wynoszacej 0,5° oraz w poprzek 04°. Maksymalna moc wiazki wynosi okolo 30 kW przy napieciu 15 kV i cisnieniu atmosferycznym oraz czestosci powtarzania 150 Hz. ¦ ¦ , ¦ Element wedlug wynalazku znacznie polepsza • jedmorcidnosc wyladowania lasera i umozliwia zwiekszenie jego czestosci promieniowania oraz o 30% energii wychodzacej wiazki.. StaPailnosc na¬ tezenia piromieniowania osiagnieta sposobem wedlug wynalazku wynosi ± i2|°/o. iSpiosólb wedlug wynalazku ma szerokie zastoso¬ wanie w laserach gazowych, od których wymaga sie wysokiej stabilnosci natezenia promieniowania, stosowanych zwlaszcza w spektroskopid przy wzbu¬ dzaniu substancji flucryzujacyichj, w spektroskopii atomowej, molekularnej ciala stalego, w badaniach plazmy i wyzwalaniu ultraszybkich iskrowników.Zastrzezenia pajtentoiwe (1, Sposób stabilizacji natezenia promieniowania lasera gazowego, znamienny tym, ze pomiedzy glównymi elektrodami (1) i (2), ponizej lub powy¬ zej obszaru wyladowania i(3)- umieszcza sie element (4), korzystnie równolegle do otsi optycznej (5). 2. Element do stabilizacji natezenia promienio¬ wania lasera gazowego!, znamienny iym, ze wyko¬ nany jest z materialu przewodzacego -prad lub di¬ elektryka ii posiada dowolny ksztalt, korzystnie walca, dostosowany do wymiarów glównych ele- trod (1) i (2) oraz kanalu laserowego (7), Fig.2 Fig.l 6 \1L LiZlOraf. Z-d Nr 2 — \Utó&|/afl 90 egz. A4 Cena 19% zl PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia pajtentoiwe (1, Sposób stabilizacji natezenia promieniowania lasera gazowego, znamienny tym, ze pomiedzy glównymi elektrodami (1) i (2), ponizej lub powy¬ zej obszaru wyladowania i(3)- umieszcza sie element (4), korzystnie równolegle do otsi optycznej (5).
2. Element do stabilizacji natezenia promienio¬ wania lasera gazowego!, znamienny iym, ze wyko¬ nany jest z materialu przewodzacego -prad lub di¬ elektryka ii posiada dowolny ksztalt, korzystnie walca, dostosowany do wymiarów glównych ele- trod (1) i (2) oraz kanalu laserowego (7), Fig.2 Fig.l 6 \1L LiZlOraf. Z-d Nr 2 — \Utó&|/afl 90 egz. A4 Cena 19% zl PL
PL20950278A 1978-09-08 1978-09-08 Method and element for regulation of gas laser radiation intensityovogo lagera PL117682B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL20950278A PL117682B1 (en) 1978-09-08 1978-09-08 Method and element for regulation of gas laser radiation intensityovogo lagera

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL20950278A PL117682B1 (en) 1978-09-08 1978-09-08 Method and element for regulation of gas laser radiation intensityovogo lagera

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL209502A1 PL209502A1 (pl) 1980-05-19
PL117682B1 true PL117682B1 (en) 1981-08-31

Family

ID=19991402

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL20950278A PL117682B1 (en) 1978-09-08 1978-09-08 Method and element for regulation of gas laser radiation intensityovogo lagera

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL117682B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL209502A1 (pl) 1980-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO136557B (pl)
US4105952A (en) High repetition rate pulsed laser discharge system
US4748635A (en) Apparatus and method for uniform ionization of high pressure gaseous media
Von Bergmann et al. Miniaturized atmospheric pressure nitrogen laser
Rapoport et al. KrF laser-triggered SF6 spark gap for low jitter timing
US3662284A (en) Double discharge laser
US3588740A (en) Pulsed gas ion laser
PL117682B1 (en) Method and element for regulation of gas laser radiation intensityovogo lagera
Nagata et al. A compact high-power nitrogen laser
US3848202A (en) Transverse excitation system for gas laser using three electrodes
Sasaki et al. Characteristics of interelectrode flashover in air with the existence of a weakly ionized plasma channel induced by a KrF laser (248 nm)
CA1067612A (en) Laser and its method of operation
US4240043A (en) Transverse-longitudinal sequential discharge excitation of high-pressure laser
Panchenko et al. Barrier-discharge-excited coaxial excilamps with the enhanced pulse energy
RU2007003C1 (ru) Газовый лазер
Sanz et al. Peaking capacitor in an incomplete corona surface discharge preionized TEA CO/sub 2/laser
US8792522B2 (en) Method and apparatus for synchronized starting of soft x-ray lasers
Tarasenko et al. Characteristics of a high-power nitrogen laser
Anvari The Characteristics of a 40 kV Multistage Spark Gap
Takahashi et al. Laser-induced breakdown characteristics of nonuniform dc corona discharge fields
Bochkov et al. Russian pseudospark switches: Condition and prospects
Tulip et al. High-repetition-rate TEA-laser discharge using integrated preionization and switching
CA1095634A (en) High voltage electric switch
Tarasenko et al. Pulsed nitrogen laser emitting at μ= 3371 Å
Shuaibov et al. The production of excimer molecules and excited atoms in a positive corona discharge in He/Xe (Kr)/SF6/CCl4 mixtures