PL114113B1 - Polishing agent for polishing elements of semiconductormaterials - Google Patents

Polishing agent for polishing elements of semiconductormaterials Download PDF

Info

Publication number
PL114113B1
PL114113B1 PL21333579A PL21333579A PL114113B1 PL 114113 B1 PL114113 B1 PL 114113B1 PL 21333579 A PL21333579 A PL 21333579A PL 21333579 A PL21333579 A PL 21333579A PL 114113 B1 PL114113 B1 PL 114113B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
polishing
weight
agent
amount
sodium
Prior art date
Application number
PL21333579A
Other languages
English (en)
Other versions
PL213335A1 (pl
Inventor
Elzbieta Otto
Waldemar Brzozowski
Original Assignee
Osrodek Naukowo Prod Materialo
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osrodek Naukowo Prod Materialo filed Critical Osrodek Naukowo Prod Materialo
Priority to PL21333579A priority Critical patent/PL114113B1/pl
Publication of PL213335A1 publication Critical patent/PL213335A1/pl
Publication of PL114113B1 publication Critical patent/PL114113B1/pl

Links

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest srodek polerski do polerowania elementów z materialów pólprzewod¬ nikowych. Srodek wedlug wynalazku znajduje szczególnie korzystne zastosowanie przy polerowa¬ niu plytek z materialów pólprzewodnikowych, ta¬ kich jak krzem, german, fosforek galu czy tez ar¬ senek galu.Stosowane do produkcji przyrzadów pólprzewod¬ nikowych plytki z materialów pólprzewodnikowych musza miec lustrzana powierzchnie i okreslona ge¬ ometrie, w tym glównie plaskorównoleglosc. Z tych wzgledów plytki sa szlifowane i polerowane. Pole¬ rowanie prowadzi sie metoda mechaniczno-chemi¬ czna, uzywajac jako srodka polerskiego zawiesiny mikroproszku alundowego w roztworach substan¬ cji chemicznych, najczesciej 30-procentowego roz¬ tworu wodnego nadtlenku wodoru.Mechanizm polerowania mechaniczno-chemiczne¬ go za pomoca roztworu z mikroproszkiem polega na reakcji roztworu chemicznego z polerowanym materialem. W wyniku reakcji, na powierzchni ply¬ tek tworza sie produkty gabczaste, które sa usu¬ wane przez tkanine polerska niosaca mikroproszek.Obecnosc mikroproszku w roztworze polerskim, aczkolwiek przydatna w polerowaniu, powoduje je¬ dnakze powstawanie na powierzchni plytek rys i mi- krorys. Ich wielkosc i glebokosc jest uzalezniona od twardosci obrabianych materialów. W przypad¬ ku materialów miekkich, takich jak arsenek galu, fosforek galu, german czy zwiazki A11 BVI, znane 10 15 25 30 roztwory polerskie z mikroproszkiem nie pozwa¬ laja w ogóle na uzyskanie powierzchni bez mikrorys.Stosuje sie wówczas polerowanie dwuetapowe.W pierwszym etapie plytki poleruje sie zawiesina mikroproszku, nastepnie stosuje sie bardzo powol¬ ne dopolerowywanie z uzyciem samego roztworu chemicznego, bez mikroproszku. Oprócz powyzsze¬ go, znane roztwory polerskie oparte glównie na per- hydrolu sa silnie agresywne i dzialaja niszczaco na urzadzenie.Celem wynalazku jest opracowanie skladu srod¬ ka polerskiego, który umozliwilby uzyskanie lus¬ trzanej powierzchni o wysokiej jakosci, bez wad me¬ chanicznych z operacji polerowania.Stwierdzono, ze dobry efekt polerowania mozna uzyskac bez stosowania mikroproszku alundowego.Wedlug wynalazku, srodek polerski sklada sie z pod¬ chlorynu sodu o zawartosci chloru aktywnego w ilosci wagowo 1—5%, chlorku sodu w ilosci wa¬ gowo 1—5%, jednozasadowego fosforanu sodu w ilo¬ sci wagowo 0,1—1%, dwuzasadowego fosforanu so¬ du w ilosci wagowo 0,5—3%, wodorotlenku sodu w ilosci wagowo 1—5% oraz wody do 100%, korzy¬ stnie dejonizowanej.Korzyscia techniczna z zastosowania srodka po¬ lerskiego wedlug wynalazku jest przede wszystkim mozliwosc polerowania zwlaszcza miekkich mate¬ rialów pólprzewodnikowych bez narazenia ich na zarysowanie polerowanej powierzchni. Dalsza ko¬ rzystna cecha wynalazku jest mozliwosc obróbki 1141133 114113 4 róznych materialów pólprzewodnikowych na tym samym urzadzeniu polerskim, bez koniecznosci my¬ cia ukladu dozujacego roztwór polerski i bez wy¬ miany tkaniny polerskiej. Stwierdzono ponadto, ze srodkiem wedlug wynalazku skraca sie czas pole¬ rowania 2—5-krotnie, w porównaniu z czasem po¬ lerowania roztworami z mikroproszkiem.Przyklad I. Sporzadzono srodek polerski o na¬ stepujacym skladzie: sodu podchloryn o zawartosci chloru aktywnego — 1% wag. eodu chlorek ^"',-V'l — 5% wag. softu fosforan jellnoaasadowy — 0,1% wag. sodu fosforan dwuzajsadowy — 0,5% wag. ^odu \yq$Qrotlenek'* — 5% wag. woda dejonizowana < do 100% l Srodka 'o" powyzszym skladzie zuzyto do polero¬ wania plytek monokrysztalu germanu. Polerowa¬ nie prowadzono tarcza polerska pokryta syntety¬ cznym zamszem, na która dozowano srodek polerski z wydajnoscia 0,2 l/min. Nacisk jednostkowy tar¬ czy wynosil 150 g/cm2. Polerowanie prowadzono az do uzyskania lustrzanej powierzchni, przy czym stwierdzono osiagniecie predkosci polerowania o- kolo 0,5 ^m/min. Wypolerowane plytki nie wyka¬ zywaly wad mechanicznych powierzchni.Przyklad II. Sporzadzono srodek polerski o nastepujacym skladzie: 10 20 — 5% wag. — 1% wag. — 0,1% wag. — 3% wag. — 1% wag. do 100% sodu podchloryn o zawartosci chloru aktywnego sodu chlorek sodu fosforan jednozasadowy sodu fosforan dwuzasadowy sodu wodorotlenek woda dejonizowana Srodka o powyzszym skladzie uzyto do polero¬ wania plytek monokrysztalu fosforku galu. Polero¬ wanie prowadzono tarcza polerska pokryta synte¬ tycznym zamszem, na która dozowano srodek po¬ lerski z wydajnoscia 0,2 l/min. Nacisk jednostkowy tarczy wynosil 150 g/cm*. Polerowanie prowadzono az do uzyskania lustrzanej powierzchni, przy czym stwierdzono osiagniecie predkosci Frolerowania oko¬ lo 2 jjim/min. Wypolerowane plytki nie wykazywa¬ ly wad mechanicznych powierzchni.Zastrzezenie patentowe Srodek polerski do polerowania elementów z ma¬ terialów pólprzewodnikowych, znamienny tym, ze sklada sie z podchlorynu sodu o zawartosci chloru aktywnego w ilosci wagowo 1—5%, chlorku sodu w ilosci wagowo 1—5%, jednozasadowego fosfora¬ nu sodu w ilosci wago,wo 0,1—1%, dwuzasadawego fosforanu solu w ilosci wagowo 0,5—3%, wodoro¬ tlenku sodu w ilosci wagowo 1—5% oraz wody do 100%, korzystnie dejonizowanej.ZGK, 0002/1110/82 — 100 szt.Cena zl 45,— PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Srodek polerski do polerowania elementów z ma¬ terialów pólprzewodnikowych, znamienny tym, ze sklada sie z podchlorynu sodu o zawartosci chloru aktywnego w ilosci wagowo 1—5%, chlorku sodu w ilosci wagowo 1—5%, jednozasadowego fosfora¬ nu sodu w ilosci wago,wo 0,1—1%, dwuzasadawego fosforanu solu w ilosci wagowo 0,5—3%, wodoro¬ tlenku sodu w ilosci wagowo 1—5% oraz wody do 100%, korzystnie dejonizowanej. ZGK, 0002/1110/82 — 100 szt. Cena zl 45,— PL
PL21333579A 1979-02-10 1979-02-10 Polishing agent for polishing elements of semiconductormaterials PL114113B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21333579A PL114113B1 (en) 1979-02-10 1979-02-10 Polishing agent for polishing elements of semiconductormaterials

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21333579A PL114113B1 (en) 1979-02-10 1979-02-10 Polishing agent for polishing elements of semiconductormaterials

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL213335A1 PL213335A1 (pl) 1979-10-22
PL114113B1 true PL114113B1 (en) 1981-01-31

Family

ID=19994484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL21333579A PL114113B1 (en) 1979-02-10 1979-02-10 Polishing agent for polishing elements of semiconductormaterials

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL114113B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL213335A1 (pl) 1979-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1044580A (en) Process for chemical-mechanical polishing of iii-v semiconductor materials
US3715842A (en) Silica polishing compositions having a reduced tendency to scratch silicon and germanium surfaces
JPS5550097A (en) Free flowing cleanser composition for polishing
US4475981A (en) Metal polishing composition and process
MY110381A (en) Improved compositions and methods for polishing
US4797231A (en) Multipurpose cleaning preparations for hard surfaces
US4645561A (en) Metal-polishing composition and process
IE39871L (en) Scouring compositions.
CA2022492C (en) Burnishing method and composition
US4022625A (en) Polishing composition and method of polishing
AU556492B2 (en) Liquid scourer
US4440745A (en) Abrasive compositions
US5143645A (en) Method for suppressing process dust emissions using a salt of a fatty acid as a foaming agent
US4064660A (en) Process for preparing haze free semiconductor surfaces and surfaces so made
CA1106143A (en) Method of making an amorphous silicon dioxide free of metal ions
NO176722C (no) Tört, granulært materiale for pussing av jernmaterialer, samt fremgangsmåte for pussing av jernmaterialer
PL114113B1 (en) Polishing agent for polishing elements of semiconductormaterials
NO171304B (no) Fremgangsmaate til overflatebehandling av metallgjenstander
US2936555A (en) Manufacture of plate glass
JPH0767666B2 (ja) 第▲iii▼−▲v▼族化合物半導体の研磨剤
JPH0370897B2 (pl)
TW201235428A (en) Metal-passivating CMP compositions and methods
GB855865A (en) Improvements in or relating to tumbling processes and abrasives for use therein
JPS6214485B2 (pl)
JPS6047908B2 (ja) ヒ化ガリウムの研摩方法