PL112891B2 - Strain gauge - Google Patents

Strain gauge Download PDF

Info

Publication number
PL112891B2
PL112891B2 PL20872378A PL20872378A PL112891B2 PL 112891 B2 PL112891 B2 PL 112891B2 PL 20872378 A PL20872378 A PL 20872378A PL 20872378 A PL20872378 A PL 20872378A PL 112891 B2 PL112891 B2 PL 112891B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
liquid crystal
strain gauge
orientation
crystal layer
coated
Prior art date
Application number
PL20872378A
Other languages
English (en)
Other versions
PL208723A1 (pl
Inventor
Joanna Konwerskahrabowska
Original Assignee
Politechnika Warszawska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Warszawska filed Critical Politechnika Warszawska
Priority to PL20872378A priority Critical patent/PL112891B2/pl
Publication of PL208723A1 publication Critical patent/PL208723A1/pl
Publication of PL112891B2 publication Critical patent/PL112891B2/pl

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest czujnik tensometryczny do pomiaru naprezen na powkrzchni poddanej dzialaniu zmiennych sil.Znane sposoby pomiaru naprezen wystepujacych na powierzchniach modeli i konstrukcji rzeczywistych dokonywane sa za pomoca piezometrów lub tensome- trów. Pomiary dokonywane przy uzyciu tych czujników nie daja pelnego i ciaglego obrazu rzeczywistego roz¬ kladu sil dzialajacych na badana powierzchnie, oraz z powodu ich bezwladnosci, nie zapewniaja dostatecznej precyzji pomiaru sil szybko zmieniajacych sie w czasie.Wad tych pozbawiony jest czujnik tensometryczny wedlug wynalazku, który pozwala na obserwacje i ciagly pomiar naprezen powierzchniowych, powstajacych pod wplywem sil dzialajacych na badana powierzchnie. Czuj¬ nik ten umozliwia równiez obserwacje i pomiarnaprezen zmieniajacych sie w czasie oraz daje obraz rozkladu naprezen na calej badanej powierzchni, w przeciwien¬ stwie do czujników dotychczas stosowanych, które ze wzgledu na ich skonczone wymiary nie zapewniaja pok¬ rycia badanej powierzchni dostatecznie gesta siecia punktów pomiarowych.Czujnik tensometryczny wedlug wynalazku stanowi cienka warstwa cieklego krysztalu umieszczona pomie¬ dzy dwiema przezroczystymi foliami, np. z polietylenu powleczonymi od strony warstwy cieklego krysztalu sub¬ stancja sprzyjajaca jego orientacji, taka jak lecytyna.Czujnik taki mozna przymocowac do badanej powierz¬ chni, a w przypadku, gdy prowadzona jest ciagla obser¬ wacja wystepujacych naprezen, np. przy zaporach wodnych, warstwe cieklego krysztalu mozna nakladac bezposrednio na badana powierzchnie pokryta jedynie substancja sprzyjajacajego orientacji, taka jak lecytyna i tylko zewnterzna powierzchnie cieklego krysztalu zabez¬ piecza sie przezroczysta folia powleczona od strony war¬ stwy cieklego krysztalu substancja sprzyjajaca jego orientacji.Obserwacje i pomiar naprezen powierzchniowych pro¬ wadzi sie w swietle spolaryzowanym przechodzacymlub odbitym, w zaleznosci odjakosci badanego podloza. Pod * wplywem przylozonego naprezenia samorzutnie zorien¬ towane krysztaly reorientujasie wywolujac dwójlomnosc czujnika. Lokalna wartosc dwójlomnosci, objawiajaca sie powstawaniem prazków interferencyjnych jest pro¬ porcjonalna do dzialajacych sil.Powstajacy w sposób powyzej okreslony, obraz izo- chrom i izoklin mozna rejestrowac za pomoca aparatu fotograficznego a przy naprezeniach szybkozmiennych za pomoca aparatu filmowego.Wartosci bezwzgledne mierzonych naprezen mogabyc okreslane za pomoca odpowiedniego, wyskalowanego czujnika.Zastrzezenia patentowe 1. Czujnik tensometryczny, znamienny tya, ze sta¬ nowi go warstwa cieklego krysztalu umieszczona pomie-3 112891 4 dzy dwiema przezroczystymi foliami, powleczonymi od strony warstwy cieklego krysztalu substancjasprzyjajaca jego orientacji. 2. Czujnik tensometryczny, znamienny tym, ze sta¬ nowi go warstwa cieklego krysztalu naniesiona na badana powierzchnie, pokryta substancja sprzyjajaca jego orientacji, a z zewnetrznej strony zabezpieczona przezroczysta folia równiez powleczona od strony war¬ stwy cieklego krysztalu substancja sprzyjajaca jego orientacji.Prac. Poligr. UP PRL. Naklad 120 + 18 egz.Cena 45 zl PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Czujnik tensometryczny, znamienny tya, ze sta¬ nowi go warstwa cieklego krysztalu umieszczona pomie-3 112891 4 dzy dwiema przezroczystymi foliami, powleczonymi od strony warstwy cieklego krysztalu substancjasprzyjajaca jego orientacji.
  2. 2. Czujnik tensometryczny, znamienny tym, ze sta¬ nowi go warstwa cieklego krysztalu naniesiona na badana powierzchnie, pokryta substancja sprzyjajaca jego orientacji, a z zewnetrznej strony zabezpieczona przezroczysta folia równiez powleczona od strony war¬ stwy cieklego krysztalu substancja sprzyjajaca jego orientacji. Prac. Poligr. UP PRL. Naklad 120 + 18 egz. Cena 45 zl PL
PL20872378A 1978-07-29 1978-07-29 Strain gauge PL112891B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL20872378A PL112891B2 (en) 1978-07-29 1978-07-29 Strain gauge

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL20872378A PL112891B2 (en) 1978-07-29 1978-07-29 Strain gauge

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL208723A1 PL208723A1 (pl) 1979-05-21
PL112891B2 true PL112891B2 (en) 1980-11-29

Family

ID=19990808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL20872378A PL112891B2 (en) 1978-07-29 1978-07-29 Strain gauge

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL112891B2 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL208723A1 (pl) 1979-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Tomlin Optical reflection and transmission formulae for thin films
Post Moiré interferometry at VPI & SU
CN103454712B (zh) 基于像素的波片阵列及其制备方法
Matsukura et al. A new technique for rapid and non-destructive measurement of rock-surface moisture content; preliminary application to weathering studies of sandstone blocks
US3313204A (en) Photoelastic strain gauge with bult-in stress pattern
Barone et al. Polymer coating as a strain witness in thermoelasticity
PL112891B2 (en) Strain gauge
Wadsworth et al. Real-time observation of in-plane displacements of opaque surfaces
US6567174B1 (en) Optical accelerometer and its use to measure acceleration
US3158675A (en) Apparatus for measuring the thickness of thin transparent films
Dobson Measurement of the fine‐scale structure of the sea
De Angelis et al. A reflective grating interferometer for measuring the refractive index of liquids
JPS6435306A (en) Incidence angle determining method for refractive index and film thickness measurement
Asundi Deformation in adhesive joints using moiré interferometry
Peiponen et al. Optical coating inspection of pharmaceutical tablets by diffractive element
CA1333752C (en) Universal interferometric strain gauge
Klumpp et al. Shearograms with variable measurement sensitivity
US3096175A (en) Photoelastimetric apparatus for stress analysis
WAGNER et al. Full field visualization of surface and bulk acoustic waves using heterodyne holographic interferometry(Annual Summary Report, 1 Oct. 1987-30 Sep. 1988)
Barranger Two-dimensional surface strain measurement based on a variation of Yamaguchi's laser-speckle strain gauge
Flynn Dual-beam polariscope and framing camera for dynamic photoelasticity: A dual-beam polariscope for obtaining simultaneous normal and oblique-incidence views for separating principal stresses, and high-speed photographic equipment and techniques for recording dynamic photoelastic stress patterns at rates up to 106 frames/s are described
CN202562444U (zh) 一种利用多缝衍射法测量光学薄膜厚度的装置
Sankarasubramanian et al. Measurement of instrumental polarisation of the Kodaikanal tunnel tower telescope
Chiang A whole-field method for the measurement of two-dimensional state of stress in thin films: A technique is proposed whereby the two-dimensional state of stress in thin films can be determined quantitatively in a whole-field manner
Nishioka et al. Measurements of near-tip displacement fields, separated J integrals and separated energy release rates for interfacial cracks using phase-shifting Moire interferometry