PL106950B1 - Sposob kontroli ziarnistosci zapisu w wielostanowej pamieci magnetycznej - Google Patents

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób kontroli ziarnistosci zapisu w wielostanowej pamieci ma¬ gnetycznej.Wielostanowa pamiec magnetyczna znajduje za¬ stosowanie w wielu dziedzinach techniki, a w szczególnosci w teleelektronice w urzadzeniach . automatycznej regulacji poziomu. W celu uzyska¬ nia odpowiedniej rozdzielnosci stanów namagneso¬ wania takiej pamieci wymagane jest kontrola ziarnistosci zapisu. Znane sa sposoby kontroli ziarnistosci zapisu bazujace na zjawisku zmiany szybkosci narastania pradu magnesujacego rdzen o prostokatnej petli histerezy. Wada tego sposo¬ bu kontroli ziarnistosci zapisu jest niejednoznacz¬ nosc jego kryterium, które zalezy od szybkosci .zmian pradu magnesujacego w czasie, to znaczy od jego drugiej pochodnej wzgledem czasu.Celem wynalazku jest sposób kontroli ziarni¬ stosci zapisu nie posiadajacy tej wady. Cel ten osiagnieto stosujac sposób zapisu polegajacy na tym, ze kryterium do odlaczenia napiecia zapisu, przylozonego do uzwojenia zapisu pamieci magne¬ tycznej ze zródla o stalej wydajnosci' napieciowej, jest zmiana znaku pierwszej pochodnej pradu magnesujacego, kontrolowanego za" pomoca detek¬ tora fazy, przy czym impedancja wejsciowa detek¬ tora fazy jest znacznie mniejsza od impedancji wejsciowej uzwojenia zapisu pamieci magnetycz¬ nej.Sposób kontroli ziarnistosci zapisu magnetyczne¬ go wedlug wynalazku zostanie blizej objasniony na podstawie stosowanego do realizacji tego spo¬ sobu ukladu, którego schemat funkcjonalny jest (przedstawiony ha rysunku. Praca ukladu jest na¬ stepujaca: impuls napieciowy Ui(t) wyzwala ze sterowanego zródla napieciowego U napiecie za¬ pisu E(t). Pod dzialaniem napiecia E jeniu zapisu pamieci magnetycznej UP narasta prad magnesujacy I(t).Po osiagnieciu przez prad I(t) wartosci odpowia¬ dajacej sile koercji rdzenia pamieci magnetycznej wystepuje gwaltowne zatrzymanie narastania tego pradu oraz zjawisko zmiany znaku jego pierwszej pochodnej wzgledem czasu. Zjawisko to jest wy¬ krywane przez detektor fazy DF, który wysyla impuls napiecia Uj(t), do zródla.U, powodujacy odlaczenie napiecia E(t) od uzwojenia UP i zakon¬ czenie procesu elementarnego zapisu. Pamiec ma¬ gnetyczna z kontrolowana ziarnistoscia wedlug wynalazku moze byc zrealizowana na tranisftlukso- rze, a nieniszczacy odczyt jej stanu w konwencjo¬ nalnie do tego celu stosowanych ukladach.Zastrzezenie patentowe Sposób kontroli ziarnistosci zapisu w wielosta¬ nowej pamieci magnetycznej, znamienny tym, ze 90 kryterium do odlaczenia napiecia zapisu (E), przy- 10 15 20 106950106950 laczonego do uzwojenia zapisu pamieci magne¬ tycznej (UP) ze zródla o stalej wydajnosci napie¬ ciowej (U), jest zmiana znaku pierwszej pochod¬ nej pradu magnesujacego (I), kontrolowana za pomoca detektora fazy (DF) polaczonego w sze¬ reg z uzwojeniem zapisu pamieci magnetycznej (UP), przy czym impedancja wejsciowa detektora fazy (DF) jest znacznie mniejsza od impedancji wejsciowej uzwojenia zapisu pamieci magnetycz¬ nej (UP).U2(i) U, |l| o u <1 E U) -r"L UP II*) DF Urzedu Fal^Rto-w^O' flWtl| Rzgi-zrwfr--' ej |; PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób kontroli ziarnistosci zapisu w wielosta¬ nowej pamieci magnetycznej, znamienny tym, ze 90 kryterium do odlaczenia napiecia zapisu (E), przy- 10 15 20 106950106950 laczonego do uzwojenia zapisu pamieci magne¬ tycznej (UP) ze zródla o stalej wydajnosci napie¬ ciowej (U), jest zmiana znaku pierwszej pochod¬ nej pradu magnesujacego (I), kontrolowana za pomoca detektora fazy (DF) polaczonego w sze¬ reg z uzwojeniem zapisu pamieci magnetycznej (UP), przy czym impedancja wejsciowa detektora fazy (DF) jest znacznie mniejsza od impedancji wejsciowej uzwojenia zapisu pamieci magnetycz¬ nej (UP). U2(i) U, |l| o u <1 E U) -r"L UP II*) DF Urzedu Fal^Rto-w^O' flWtl| Rzgi-zrwfr--' ej |; PL