PL101900B1 - A method of obtaining chemical compounds from materials nondestroying ferroelectric - Google Patents
A method of obtaining chemical compounds from materials nondestroying ferroelectric Download PDFInfo
- Publication number
- PL101900B1 PL101900B1 PL18551775A PL18551775A PL101900B1 PL 101900 B1 PL101900 B1 PL 101900B1 PL 18551775 A PL18551775 A PL 18551775A PL 18551775 A PL18551775 A PL 18551775A PL 101900 B1 PL101900 B1 PL 101900B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- ferroelectric
- chemical compounds
- materials
- chemical
- nondestroying
- Prior art date
Links
Landscapes
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania zwiazków chemicznych z materialów nie niszczacych
ferroelektryka wykorzystujacy zmiany struktury domenowej ferroelektryka, majacych zastosowanie wcoras
wiekszym zakresie, zwlaszcza w elektrotechnice i w elektronice, szczególnie w postaci cienkich powlok czy
warstw. Ferroelektryki wykorzystuje sie glównie jako elementy kondensatorów, przetworników elektromecha¬
nicznych, elektrooptycznych lub elektrotermicznych oraz jako elementy pamieciowe w maszynach cyfrowych.
We wszystkich znanych sposobach otrzymywania zwiazków chemicznych stosuje sie glównie procesy
technologiczne wykorzystujace wplyw temperatury i cisnienia lub katalizatorów na przebieg reakcji. W sposo¬
bach tych nie wykorzystuje sie wlasnosci ferroelektrycznych. Przykladowo do otrzymywania acetylenu stosuje
sie, albo metode karbidowa albo metode pólspalania gazu ziemnego lub tez metode elektrokrakingu.
Celem wynalazku jest znalezienie takiego sposobu otrzymywania zwiazków chemicznych, w którym przy
wykorzystaniu wlasciwosci materialu ferroelektrycznego mozliwym byloby otrzymanie zwiazku chemicznego
o z góry okreslonych wlasciwosciach fizyko-chemicznych, strukturze, skladzie chemicznym czy stanie skupienia,
zwlaszcza korzystnie w postaci powloki trwale polaczonej ze struktura ferroelektryka lub materialu nieniszcza¬
cego ferroelektryka.
Sposób wedlug wynalazku polega na tym, ze ferroelektryk, korzystnie ceramike ferroelektryczna i mate¬
rial nieniszczacy ferroelektryka umieszcza sie w odizolowanym srodowisku plynnym, w niewielkiej od siebie
odleglosci, a nastepnie na wytworzony uklad oddzialywuje sie zewnetrznym napieciem elektrycznym i/lub
zewnetrznym naprezeniem i/lub temperatura zmieniana wokól stalej dla danego ferroelektryka, temperatury
ferroelektrycznej przemiany fazowej.
W sposobie wedlug wynalazku, wykorzystuje sie. lokalne silne pola elektryczne o natezeniu rzedu
* V/m, zwiazane ze struktura domen ferroelektrycznych i jej zmianami pod wplywem czynników zewne¬
trznych: napiecia elektrycznego, naprezenia mechanicznego, czy temperatury zmienianej wokól stalej dla danego
ferroelektryka temperatury ferroelektrycznej przemiany fazowej. Wymienionymi czynnikami zewnetrznymi
mozna wiec niejako sterowac struktura domenowa odpowiednio dobranego materialu ferroelektrycznego. W sil-2 101 900
nych lokalnych polach elektrycznych przy powierzchni materialu ferroelektrycznego zachodza wyladowania
elektryczne. Wyladowania te powoduja rozklad i synteze skladników ukladu, tworzac zwiazki chemiczne o róz¬
nych stanach skupienia skladzie chemicznym, strukturze, posiadajace rózne wlasnosci fizyko-chemiczne.
Sklad i wlasnosci fizyko-chemiczne otrzymanego sposobem, wedlug wynalazku, zwiazku chemicznego,
jego struktura i stan skupienia zaleza od skladu chemicznego ukladu, jego temperatury i cisnienia, od rodzaju
materialu ferroelektrycznego i podloza, od rodzaju czynnika zewnetrznego zmieniajacego strukture domenowa
ferroelektryka, od czasu trwania procesu. Stworzenie odpowiedniego, odizolowanego ukladu, to znaczy z odpo¬
wiednio na zamierzony i z góry okreslony efekt koncowy procesu, zawierajacego ferroelektryk i material nie¬
niszczacy ferroelektryka w srodowisku plynnym pozwala uzyskac sposobem, wedlug wynalazku, zwiazek che¬
miczny o pozadanych cechach i wlasnosciach oraz sprecyzowanej postaci fizycznej.
Szczególnie korzystna jest mozliwosc otrzymania zwiazku chemicznego w postaci, powloki czy cienkiej
warstwy strukturalnie zwiazanej z podlozem, które stanowi ferroelektryk lub material nieniszczacy ferroelektry¬
ka. Warstwy o róznym skladzie fizyko-chemicznym zarówno jednorodne jak i niejednorodne, wykorzystuje sie
w coraz to wiekszym stopniu przede wszystkim w elektrotechnice i elektronice: w budowie kondensatorów, jako
warstwy pólprzewodnikowe, jako warstwy przewodzace, jako warstwy izolujace. Bardzo duze zastosowanie maja
takze kolejno na siebie nakladane cienkie warstwy o róznych wlasnosciach fizyko-chemicznych, np.: w budowie
ukladów scalonych w elektronice. Cienkie warstwy wykorzystuje sie takze powszechnie jako warstwy antykoro¬
zyjne.
Wynalazek jest blizej objasniony w ponizszych przykladach wykonania.
Przyklad I. Monokrystaliczna plytke siarczanu trójglicyny, o grubosci 0,8 mm i powierzchni 2 cm2,
wycieta prostopadle do osi ferroelektrycznej, umieszcza sie pomiedzy dwiema plytkami srebrnymi o grubosci
0,5 mm i powierzchni 2 cm2 w taki sposób, zeby odleglosc miedzy plytkami srebrnymi a plytka siarczanu
trójglicyny wynosila 0,1 mm. Uklad ten umieszcza sie w naczyniu wypelnionym tlenem o temperaturze 20°C
i cisnieniu 1 atmosfery. Po podlaczeniu plytek srebrnych do zasilacza pradu zmiennego o napieciu 100 V i cze¬
stosci 1 kHz w ukladzie zachodzi reakcja chemiczna, w wyniku której wytwarza sie ozon, a na powierzchni
plytek srebrnych zwróconych w strone plytki siarczanu trójglicyny, wytwarza sie jednorodna warstwa tlenku
srebra o grubosci okolo 100 nm.
Przyklad II. Ceramiczna plytke tytanianu baru o grubosci 1 mm i powierzchni 100 mm2 umieszcza
sie pomiedzy dwiema plytkami ze stali kwasoodpornej o grubosci 1 mm i powierzchni 150 mm2, w taki sposób,
zeby odleglosc miedzy plytkami wynosila 0,2 mm. Miedzy plytkami ze stali kwasoodpornej a plytka tytanianu
baru przepuszcza sie z predkoscia przeplywu 10 litrów na godzine mieszanine azotu z tlenem o temperaturze
°C. Po podlaczeniu plytek stalowych do transformatora sieciowego o napieciu 1 kV, w ukladzie zachodzi
reakcja chemiczna, w wyniku której wytwarzane sa tlenki azotu, a powierzchnie plytek stalowych od strony
plytki ceramicznej jak równiez powierzchnia plytki ceramicznej pokrywaja sie warstwa tlenku i azotku zelaza.
Przyklad III. W ukladzie takim jak w przykladzie II, miedzy plytkami ze stali kwasoodpornej a ply¬
tka tytanianu baru przepuszcza sie z predkoscia przeplywu 6 litrów na godzine mieszanine azotu z wodorem
o temperaturze 20°C. W ukladzie zachodzi reakcja chemiczna, w wyniku której powstaje amoniak, a na powierzch¬
ni plytek stalowych zwróconych w strone plytki tytanianu baru oraz na powierzchni plytki tytanianu baru
tworzy sie warstwa mieszana azotku i wodoru zelaza.
Przyklad IV. Ceramiczna plytke tytanianu baru o grubosci 1 mm i powierzchni 100 mm2 umieszcza
sie pomiedzy plytkami cyrkonowymi o grubosci 0,2 mm i powierzchni 100 mm2, w taki sposób, zeby odleglosc
miedzy plytkami cyrkonowymi a plytka tytanianu baru wynosila 0,2 mm. Uklad ten umieszcza sie w naczyniu,
przez które przepuszcza sie z predkoscia przeplywu 10 litrów na godzine azot o temperaturze 20°C. Plytki
cyrkonowe podlacza sie do transformatora sieciowego o napieciu 1 kV. Po 30 minutach na powierzchni plytek
cyrkonowych od strony plytki tytanianu baru wytwarza sie warstwa azotku cyrkonu o grubosci okolo 150 nm.
Na ceramicznej plytce tytanianu baru wytwarza sie w tym czasie obustronnie warstwa azotku cyrkonu o grubosci
okolo 50 nm.
Przyklad V. Plytke ceramiczna, wykonana z tytanianu baru z dodatkiem tytanianu strontu, o grubo¬
sci 1,2 mm i powierzchni 150 mm2, umieszcza sie pomiedzy plytkami aluminiowymi o grubosci 0,5 mm i po¬
wierzchni 150 mm2, w taki sposób zeby odleglosc miedzy plytkami aluminiowymi a plytka ceramiczna wynosi¬
la 0,2 mm. Uklad ten umieszcza sie w naczyniu wypelnionym powietrzem o temperaturze 20°C i cisnieniu 1
atmosfery. Plytki aluminiowe podlacza sie do transformatora sieciowego o napieciu 800 V. W tych warunkach
powstaje tlenek azotu, a na powierzchni plytek aluminiowych, zwróconych w strone plytki ceramicznej, wytwa¬
rza sie warstwa o grubosci okolo 500 nm. Warstwa ta jest utworzona z mieszaniny tlenku aluminium i azotku
aluminium.101900 3
Przyklad VI. Uklad taki, jak w przykladzie V umieszcza sie w naczyniu wypelnionym metanem
o temperaturze 20°C i cisnieniu 1 atmosfery. W tych warunkach powierzchnia plytek aluminiowych zwróconych
w strone plytki ceramicznej oraz powierzchnia plytki ceramicznej pokrywaja sie cienka powloka, a wsród gazo¬
wych produktów reakcji wystepuja etan, propan, butany, acetylen, etylen i propylen.
Podane przyklady swiadcza, ze zmianie struktury domenowej materialu ferroelektrycznego towarzysza
zmiany skladu chemicznego, a rodzaj otrzymanych zwiazków chemicznych wyraznie zalezy od skladu poczatko¬
wego stosowanego ukladu. Sposobem tym mozna wiec otrzymac rózne zwiazki chemiczne z materialów nie¬
niszczacych ferroelektryka, w tym równiez warstwy o dowolnej strukturze i o dowolnym skladzie chemicznym.
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób otrzymywania zwiazków chemicznych z materialów nie niszczacych ferroelektryka, wykorzystujacy zmiany struktury domenowej ferroelektryka, znamienny tym, ze ferroelektryk, korzystnie ceramike fer¬ roelektryczna i material nieniszczacy ferroelektryka umieszcza sie w odizolowanym srodowisku plynnym, w nie¬ wielkiej od siebie odleglosci, a nastepnie na wytworzony uklad oddzialywuje sie zewnetrznym napieciem elek¬ trycznym i/lub zewnetrznym naprezeniem deformujacym ferroelektryk i/lub temperatura zmieniana wokól stalej dla danego ferroelektryka temperatury ferroelektrycznej przemiany fazowej.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL18551775A PL101900B1 (pl) | 1975-12-13 | 1975-12-13 | A method of obtaining chemical compounds from materials nondestroying ferroelectric |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL18551775A PL101900B1 (pl) | 1975-12-13 | 1975-12-13 | A method of obtaining chemical compounds from materials nondestroying ferroelectric |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL185517A1 PL185517A1 (en) | 1978-01-16 |
| PL101900B1 true PL101900B1 (pl) | 1979-02-28 |
Family
ID=19974686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL18551775A PL101900B1 (pl) | 1975-12-13 | 1975-12-13 | A method of obtaining chemical compounds from materials nondestroying ferroelectric |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL101900B1 (pl) |
-
1975
- 1975-12-13 PL PL18551775A patent/PL101900B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL185517A1 (en) | 1978-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Yamaguchi et al. | On the structures of alkali polyaluminates | |
| Sato et al. | Structure and ionic conductivity of MLaNb2O7 (M K, Na, Li, H) | |
| Bedoya et al. | Sr-doped PbZr1− xTixO3 ceramic: structural study and field-induced reorientation of ferroelectric domains | |
| Bai et al. | Plasma synthesis of ammonia with a microgap dielectric barrier discharge at ambient pressure | |
| Varma et al. | Synthesis and characterization of layered bismuth vanadates | |
| Vest et al. | PbTiO/sub 3/films from metalloorganic precursors | |
| Masuda et al. | Crystal growth, dielectric and polarization reversal properties of Bi4Ti3O12 single crystal | |
| Yoshimura et al. | CaTiO3 coating on TiAl by hydrothermal-electrochemical technique | |
| JP2003034509A (ja) | オゾン発生装置 | |
| PL101900B1 (pl) | A method of obtaining chemical compounds from materials nondestroying ferroelectric | |
| Shao et al. | Structural and dielectric/ferroelectric properties of (La1− xNdx) 2Ti2O7 synthesized by sol–gel route | |
| Zhao et al. | A rapid chemical route to niobates: hydrothermal synthesis and transport properties of ultrafine Ba5Nb4O15 | |
| Chu et al. | High frequency dielectric relaxation in Pb (Sc1/2Ta1/2) O3 ceramics | |
| Crumpton et al. | The structural chemistry and oxide ion conducting properties of the new bismuth oxide sulfate, Bi 8 O 11 (SO 4) | |
| Sugiura et al. | X-ray spectra and electronic structures of CuS and Cu2S | |
| Teowee et al. | Electrical Characterization of Sol-Gel Derived PZT Films | |
| Gupta et al. | Synthesis of perovskite lead magnesium niobate using partial oxalate method | |
| Funakubo et al. | Crystal structure and dielectric property of epitaxially grown (Ba, Sr) TiO3 thin film prepared by molecular chemical vapor deposition | |
| Xiaoli et al. | Dielectric relaxation behavior of bismuth layer structure ceramics | |
| Téllez et al. | Crystallographic, ferroelectric and electronic properties of the Sr2ZrTiO6 double perovskite | |
| Yordanov et al. | Dielectric properties of the ferroelectric Bi2Ti3O9 ceramics | |
| Zhu et al. | Metallo-organic decomposition technology for PZT films in memory applications | |
| Alberta et al. | Large hydrostatic piezoelectric constant and temperature dependence of the piezoelectric properties of Bi (NiTi) 1/2O3: PbTiO3 ceramics | |
| SU1169959A1 (ru) | Титанат-вольфрамат висмута-кали в качестве высокотемпературного сегнето-пьезоэлектрического материала | |
| Landínez Téllez et al. | Crystallographic, Ferroelectric and Electronic Properties of the Sr 2 ZrTiO 6 Double Perovskite |