PL100210B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- PL100210B2 PL100210B2 PL100210B2 PL 100210 B2 PL100210 B2 PL 100210B2 PL 100210 B2 PL100210 B2 PL 100210B2
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- disturbed
- undisturbed
- epitaxial
- liquid phase
- crystallographic orientation
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania struktury lasera ze sprzezeniem zwrotnym w pólprze¬
wodnikach o sieci krystalicznej typu blendy cynkowej, na przyklad w arsenku galu czy arsenku aluminiowo-galo-
wym. Przyrzady te sa stosowane obecnie na swiecie w optoelektronice zintegrowanej.
W chwili obecnej strukture lasera ze sprzezeniem zwrotnym wykonuje sie poprzez bombardowanie jonowe
podloza monokrystalicznego oorientacji krystalograficznej (111) lub (100) i na wytworzona wtaki sposób
warstwe zaburzona nanosi sie warstwe epitaksjalna niezaburzona otrzymana z fazy cieklej ..co znane jest
z artykulu D.R. Scifresa pt.„Distributed feedback single-heterostructure GaAs diode laser" (J. Applied Physics
Letters 1974, vol. 25, p 203). Sposób ten sklada sie z procesów fotolitografii, trawienia chemicznego, a nastepnie
bombardowania jonowego i epitaksji z fazy cieklej. Sposób ten jest bardzo pracochlonny i wymaga duzej ilosci
skomplikowanejaparatury. m
Istota wynalazku polega na tym, ze strukture lasera z warstwa zaburzona i niezaburzona wykonuje sie na
podlozu oorientacji krystalograficznej (110) wjednym procesie epitaksji z fazy cieklej regulujac szybkosc
studzenia wsadu.
Sposób wedlug wynalazku jest zdecydowanie bardziej ekonomiczny od stosowanego dotychczas sposobu
otrzymywania struktury lasera. Sprowadza sie on do wykorzystania dobrze opanowanej technologii epitaksji,
umozliwiajacej regulacje dwóch zasadniczych parametrów struktury: odleglosci pomiedzy wierzcholkami
struktury zaburzonej oraz grubosci niezaburzonej warstwy epitaksjalnej, eliminujac procesy fotolitografii,
trawienia chemicznego oraz bombardowania jonowego.
Sposób wedlug wynalazku jest blizej objasniony na przykladzie wykonania uwidocznionym na rysunku,
który przedstawia strukture lasera wykonana w GaAs na podlozu o orientacji krystalograficznej (110). Wzrost
epitaksjalny zaburzonej warstwy GaAs 2 na podlozu z GaAs 1 oorientacji (110) zachodzi nie w kierunku
krystalograficznym [110]- a w kierunku [111], czyli pod katem a = 54°74' do plaszczyzny podloza, poniewaz2 100 210
modul wektora szybkosci, wzrostu warstw epitaksjalnych o sieci krystalicznej blendy cynkowej w kierunku
krystalograficznym [111] jest wiekszy niz modul wektora w kierunku [110] : V[1111 > V[1101- Szybkosc
studzenia wsadu dobiera sie tak, aby otrzymac wymagana odleglosc a pomiedzy wierzcholkami struktury
zaburzonej. Im mniejsza szybkosc studzenia, tym odleglosc a jest mniejsza Przez zmniejszenie szybkosci
studzenia wsadu, na przyklad do 0,1 — 1°C/godz., uzyskuje sie nastepnie niezaburzona warstwa epitaksjalna 3
zadanej grubosci o orientacji krystalograficznej (110).
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania struktury lasera ze sprzezeniem zwrotnym w pólprzewodnikach o sieci krystalicznej typu blendy cynkowej poprzez zastosowanie epitaksji z fazy cieklej, znamienny tym, ze na podlozu o orientacji krystalograficznej (110) wykonuje sie w jednym procesie trritaksji kolej no b warstwe zaburzona i niezaburzona stosujac regulacje szybkosci studzenia wsadu epitaksjalnego. Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120+18 Cena 45 zl
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5356509A (en) | Hetero-epitaxial growth of non-lattice matched semiconductors | |
| US4769341A (en) | Method of fabricating non-silicon materials on silicon substrate using an alloy of Sb and Group IV semiconductors | |
| JP3126974B2 (ja) | 特に平面タイプのモノリシック電子コンポーネントの作製のための、半導体の組成又はドーピングの方向付けられた変更のための方法及び対応製品 | |
| Longenbach et al. | Molecular beam epitaxy of GaSb | |
| Böer et al. | Crystal defects | |
| US4195305A (en) | Lattice constant grading in the Aly Ga1-y As1-x Sbx alloy system | |
| US4948751A (en) | Moelcular beam epitaxy for selective epitaxial growth of III - V compound semiconductor | |
| Ivey | Platinum metals in ohmic contacts to III-V semiconductors | |
| PL100210B2 (pl) | ||
| Basson et al. | The introduction of misfit dislocations in HgCdTe epitaxial layers | |
| Woodall | III-V compounds and alloys: An update | |
| EP0479307B1 (de) | Infrarotes Licht emittierende Diode | |
| US3687743A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device consisting of a ternary compound of znsias on a gaas substrate | |
| Yan et al. | Interface supersaturation in microchannel epitaxy of InP | |
| CN109920861A (zh) | 铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法 | |
| Ploog et al. | Improved p/n junctions in Ge-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy | |
| Scheel | Introduction to liquid phase epitaxy | |
| US4291323A (en) | Indium phosphide arsenide based devices | |
| Kirkpatrick et al. | LEC GaAs for integrated circuit applications | |
| CA1333248C (en) | Method of forming crystals | |
| Kuwatsuka et al. | Liquid phase epitaxial growth of AlxGa1− xSb from Sb-rich solution | |
| CA1204526A (en) | Liquid phase epitaxial growth method | |
| JPS63502472A (ja) | 三次元半導体構造を生成するための液相エピタキシャル法 | |
| US4609411A (en) | Liquid-phase epitaxial growth method of a IIIb-Vb group compound | |
| Eichler et al. | Recent progress in GaAs growth technologies at Freiberger |