NO136352B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- NO136352B NO136352B NO3168/72A NO316872A NO136352B NO 136352 B NO136352 B NO 136352B NO 3168/72 A NO3168/72 A NO 3168/72A NO 316872 A NO316872 A NO 316872A NO 136352 B NO136352 B NO 136352B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- diamond
- temperature
- carbon atoms
- conditions
- carbon
- Prior art date
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 24
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 7
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 8
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- CKAPSXZOOQJIBF-UHFFFAOYSA-N hexachlorobenzene Chemical compound ClC1=C(Cl)C(Cl)=C(Cl)C(Cl)=C1Cl CKAPSXZOOQJIBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 2
- VHHHONWQHHHLTI-UHFFFAOYSA-N hexachloroethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)C(Cl)(Cl)Cl VHHHONWQHHHLTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052903 pyrophyllite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100168093 Caenorhabditis elegans cogc-2 gene Proteins 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical class Cl* 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
Den foreliggende oppfinnelse angår harde stoffer og mer
spesielt en fremgangsmåte til fremstilling av diamant.
Diamant har tidligere vært fremstilt syntetisk ved at karbonholdige stoffer som grafitt eller amorft karbon har vært utsatt for trykk og temperaturer i det diamantstabile område, dvs. tilstander hvor diamant er karbonets stabile form, i nærvær av metaller utvalgt fra grupper jern, kobolt, nikkel, ruthenium, palladium,
osmium, iridium, platina, krom, tantal og mangan eller legeringer som inneholder en eller flere av disse metaller. Det er ikke fast-slått med sikkerhet hvilken funksjon metallet eller legeringen har ved omdannelsen, men det er generelt akseptert at metallet eller legeringen virker som en katalysator eller oppløsningsmiddel. I
den følgende beskrivelse vil uttrykket "konvensjonelle metalliske oppløsningsmidler for karbon" bli brukt for å beskrive disse me-
taller og legeringer.
Der kreves meget høye trykk og temperaturer for å gjennom-
føre omdannelsen av karbon som ikke er diamant, til diamant. Når et konvensjonelt metallisk oppløsningsmiddel brukes i omdannelsen, kreves trykk som er over 55 kilobar, og temperaturer i området 1200 - 2500°C. I denne forbindelse skal det henvises til U.S. patent-
skrift nr. 2 947 609.
Hvilket som helst av en rekke forskjellige typer apparater
kan brukes for å utføre diamantsyntesen. Et slikt apparat er det såkalte "belte"-apparat som er patentert i US patent nr. 2 941 248. Dette apparat består egentlig av et ringformet belte eller en ma-trisedel med en gjennomgående avsmalnende åpning og et par konsen-triske stempler utformet som rettavkortede kjegler som kan beveges inn i åpningen for å avgrense et reaksjonskammer i denne. Et egnet pakningsmateriale som f .eks., pyrofyllit anvendes mellom stemplene og matrisedelen for tetningsformål og over den indre flate av matrisedelen som vender mot reaksjonssonen, for varmeisolasjon av dette parti av matrisedelen. Temperaturen i reaksjonskammeret kan
økes ved at stemplene forbindes med en elektrisk kraftkilde for å
skape en motstandsvarmekrets gjennom stemplene og reaksjonsstoffene i reaksjonskammeret.
Foruten den ovennevnte metode er andre metoder blitt fore-
slått for å omdanne ikke-diamant til diamant. Et eksempel på en annen slik metode er beskrevet i U.S. patentskrift nr. 3 488 153.
Denne metode består hovedsakelig i å omdanne karbonholdig materiale
til diamant i fravær av konvensjonelle metalliske oppløsningsmidler for karbon ved å benytte ekstremt høye trykk og temperaturer, for eksempel trykk som overstiger 120 kilobar og temperaturer som overstiger 3500°C.
Ved alle de kjente fremgangsmåter til omdannelse av ikke-diamant-karbon til diamant er meget krevende forhold nødvendig,
noe som reduserer den effektive levetid for det apparat som brukes.
Det er nå oppdaget, og denne oppdagelse danner grunnlaget
for den foreliggende oppfinnelse, at dersom en ny klasse karbonholdige utgangsblandinger brukes som karbonkilde, er det mulig å fremstille diamanter ved meget lavere temperaturer og trykk enn de som brukes ved kjente fremgangsmåter.
I henhold til oppfinnelsen går en fremgangsmåte til fremstilling av diamant ut på at en karbonholdig forbindelse valgt blant heksahalogenbenzen, heksahalogenetan og tetrahalogenkinon utsettes for slike temperatur- og trykkforhold at der bevirkes en nedbrytning av den karbonholdige forbindelse hvorved karbonatomer eller grupper av karbonatomer frigjøres og de frigjorte karbonatom-
er eller grupper av karbonatomer omdannes til diamant,idet de anvendte temperatur- og trykkforhold er under henholdsvis 2000°C og 100 kilobar.
Betingelser og utgangsforbindelse kan velges slik at smel-
ting og nedbrytning av forbindelsen vil finne sted.
Som angitt ovenfor er ifølge oppfinnelsen visse halogenerte forbindelser funnet å være særlig egnede karbonkilder. Disse halogenerte forbindelser er heksahalogenbenzener med formelen Cg(Hal)6, heksahalogenetaner med formelen C2<Hal)g og tetrahalogenkinoner med formelen Cg02(Hal)^. I alle disse formler represen-
terer "Hal" et halogenatom. Spesielt er klor-derivatene av disse forbindelser, dvs. heksaklorbenzen, heksakloretan og tetraklorkinon (kloranil) funnet å være meget egnet.
Når disse halogenerte forbindelser brukes som karbonkilde, genereres et større volum av halogehgass under nedbrytningen, og eksplosjon kan forekomme. For å unngå eksplosjoner foretrekkes det å skaffe et getter for halogengassen.Passende kan der som getter anvendes et alkali- eller jordalkali-metall,spesielt litium.
Det er alminnelig akseptert innenfor den kjente teknikk at det er nødvendig at forholdene i det diamant-stabile område, dvs. over den såkalte Berman-Simon linje, må være fremherskende før diamant kan fremstilles. Et stykke av Berman-Simon linjen, tatt fra Berman and Simon, Zeitschrift fur Elektrochemie, 59, 355 (1955) er vist som linje A på tegningen. På tegningen er temperaturen i grader celsius avsatt langs abscissen, og trykket i kilobar er avmerket langs ordinaten. I motsetning til hva som foreskrives ifølge den kjente teknikk, er det overraskende nok funnet at det ved anvendelse av de ovennevnte karbonkilder er mulig å fremstille diamant ved temperatur- og trykkforhold under Berman-Simon linjen. Det er således mulig å bruke betraktelig lavere temperaturer og trykk enn hva som var mulig med kjente fremgangsmåter.
De aktuelle forhold som benyttes, kan variere innen vide grenser. Generelt kan det imidlertid sies at temperaturer over 2000°C og trykk over 100 kilobar ikke vil bli brukt. Dersom det er ønskelig, kan fremgangsmåten utføres i nærvær av et konvensjonelt metallisk oppløsningsmiddel for karbon og under slike trykk-og temperaturforhold at metallet virker som et oppløsningsmiddel.
Dersom forhold over Berman-Simon linjen skal benyttes, bringes fortrinnsvis blandingen til disse tilstander ved rask hev-ning av trykket til den ønskede verdi og deretter gradvis økning av temperaturen til den ønskede verdi, f.eks. med en hastighet på mellom 20°C og 30°C per minutt. Linjen B på tegningen illustrerer et eksempel på en slik kurve. Dersom de forhold som skal benyttes, ligger under Berman-Simon linjen, følges fortrinnsvis en trinn-kurve som vist f.eks. ved linje C på tegningen.
Et hvilket som helst passende temperatur/trykk-apparat som kan fremskaffe de nødvendige temperaturer og trykk, vil være til-fredsstillende. Et slikt apparat er det belteapparat som er beskrevet i det ovennevnte US patentskrift nr. 2 941 248.
Eksempler som belyser oppfinnelsen, vil nå bli beskrevet.
Eksempel 1
Heksaklorbenzen-pulver ble presset til skiver, og disse skiver og litiumskiver ble plasert i en jernkopp i en vekslende anordning, dvs. først en litiumskive, så en heksaklorbenzenskive, så en litiumskive og så videre inntil koppen var full. Koppen ble pakket inn i tantalfolie og anbragt i en høytrykkskapsel i et belte-apparat av den type som er beskrevet i US patentskrift nr. 2 841 248.
Apparatet ble brukt på vanlig måte for å bringe trykket i reaksjonssonen raskt til omkring 40 kilobar. Deretter ble temperaturen i reaksjonssonen øket gradvis med en økning på ca. 20 -
30°C per minutt til en verdi av ca. 700°C. De høye temperatur-
og trykkforhold ble opprettholdt i mellom 15 - 30 minutter. Trykket ble så fjernet, og innholdet i kapselen ble tillatt å kjølne til omgivelsestemperatur.
Innholdet ble fjernet fra kapselen, og under bruk av kon-vensjonell utvinningsteknikk ble der fra innholdet utvunnet et an-
tall små krystaller som ved røntgenstråleanalyse ble identifisert som diamant.
Eksempel 2
Den samme fremgangsmåte som i eksempel 1 ble fulgt med unntagelse av at en pyrofyllit-kopp ble benyttet og ingen litiumskiver forelå. Temperaturen og trykket var henholdsvis 1600°C og 50 kilobar.
En undersøkelse av innholdet i kapselen avslørte en fler-
het av små krystaller som ved røntgenstråleanalyse ble identifi-
sert som diamant.
- Eksempler 3- 5
Den samme fremgangsmåte som i eksempel 1 ble benyttet med unntagelse av at de følgende temperatur- og trykkforhold ble brukt:
I hvert tilfelle ble diamantkrystaller, identifisert ved røntgenstråleanalyse, gjenvunnet fra innholdet i reaksjonskapselen.
Eksempel 6- 8
Den samme fremgangsmåte som i eksempel 2 ble benyttet med unntak av at følgende temperatur- og trykkforhold ble brukt og en trinnvis kurve som er vist ved linje C på tegningen, ble fulgt for å bringe reaksjonssonen til de angitte tilstander.
I hvert tilfelle ble diamantkrystaller, identifisert ved røntgenstråleanalyse, utvunnet fra innholdet i reaksjonskapselen.
Eksempel 9
Den samme fremgangsmåte som i eksempel 1 ble benyttet med unntagelse av at den anvendte forbindelse var heksakloretan og de anvendte temperatur- og trykkforhold var henholdsvis 900°C og 45 kilobar.
Diamantkrystaller, identifisert ved røntgenstråleanalyse, ble gjenvunnet fra innholdet i reaksjonskapselen.
Eksempel 10
Den samme fremgangsmåte som i eksempel 1 ble benyttet med unntagelse av at den anvendte forbindelse var kloranil og temperatur- og trykkforholdene var henholdsvis 900°C og 45 kilobar.
Diamantkrystaller, identifisert ved røntgenstråleanalyse, ble gjenvunnet fra innholdet av reaksjonskapselen.
Punkter som representerer temperatur- og trykkforhold for hvert av de ovennevnte eksempler, er inntegnet på tegningen.
Claims (5)
1. Fremgangsmåte til fremstilling av diamant, karakterisert ved at en karbonholdig forbindelse valgt blant heksahalogenbenzener, heksahalogenetaner og tetrahalogenkinoner utsettes for slike temperatur- og trykkforhold at der bevirkes en nedbrytning av den karbonholdige forbindelse hvorved karbonatomer eller grupper av karbonatomer frigjøres,og de frigjorte karbonatomer eller grupper av karbonatomer omdannes til diamant,idet de anvendte temperatur-og trykkforhold er under henholdsvis 2000°C og 100 kilobar.
2..Fremgangsmåte som angitt i krav 1,karakterisert v e d at der anvendes en karbonholdig forbindelse hvor halogenet er klor.
3. Fremgangsmåte som angitt i krav 1 eller 2,karakterisert ved at der skaffes et getter for halogengass
som dannes ved nedbrytningen av den karbonholdige forbindelse.
4. Fremgangsmåte som angitt i krav 3, karakterisert ved at der som getter anvendes et alkali- eller et jorda-kalimetall.
5. Fremgangsmåte som angitt i krav 4, karakterisert ved at der som getter anvendes litium.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO3168/72A NO136352C (no) | 1972-09-06 | 1972-09-06 | Fremgangsm}te til fremstilling av diamant. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO3168/72A NO136352C (no) | 1972-09-06 | 1972-09-06 | Fremgangsm}te til fremstilling av diamant. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO136352B true NO136352B (no) | 1977-05-16 |
| NO136352C NO136352C (no) | 1977-08-24 |
Family
ID=19879425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO3168/72A NO136352C (no) | 1972-09-06 | 1972-09-06 | Fremgangsm}te til fremstilling av diamant. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| NO (1) | NO136352C (no) |
-
1972
- 1972-09-06 NO NO3168/72A patent/NO136352C/no unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NO136352C (no) | 1977-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2947608A (en) | Diamond synthesis | |
| US3488153A (en) | Non-catalytically produced cubic and hexagonal diamond | |
| US3297407A (en) | Method of growing diamond on a diamond seed crystal | |
| US3850591A (en) | Process for preparation of high pressure apparatus reaction vessel construction | |
| Bundy et al. | Behavior of metals at high temperatures and pressures | |
| Liu et al. | Synthesis of black phosphorus structured polymeric nitrogen | |
| Ringwood et al. | Olivine‐spinel equilibria at high pressure in the system Ni2GeO4–Mg2SiO4 | |
| NO136352B (no) | ||
| Nakamuta et al. | In situ observation, X–ray diffraction and Raman analyses of carbon minerals in ureilites: Origin and formation mechanisms of diamond in ureilites | |
| Ming et al. | The postspinel phases in the Mg2SiO4-Fe2SiO4 system | |
| Vezzoli et al. | Sulfur melting and polymorphism under pressure: outlines of fields for 12 crystalline phases | |
| Miller et al. | High‐Pressure Phase‐Equilibrium Studies of CdS and MnS by Static and Dynamic Methods | |
| Prokudina et al. | SHS hydrogenation of titanium: Some structural and kinetic features | |
| GB1588948A (en) | Hard materials | |
| US4005180A (en) | Method for producing synthetic diamonds | |
| US3334968A (en) | Method for synthetically making diamond | |
| Boettcher et al. | The quartz-coesite transition measured in the presence of a silicate liquid and calibration of piston-cylinder apparatus | |
| CN111792673B (zh) | 一种六方结构BaMoO4及其制备方法 | |
| Muenow | High temperature mass spectrometric gas-release studies of Hawaiian volcanic glass: Pele's tears | |
| GB1000702A (en) | Improvements in or relating to the manufacture of diamonds | |
| CA2405420C (en) | High temperature/high pressure colour change of diamond | |
| Cordes et al. | Thermal decomposition of solid alkali perchlorates | |
| US2694652A (en) | Production of metallic titanium | |
| SU552293A1 (ru) | Способ получени гидридов переходных металлов | |
| AU2001244443B2 (en) | High temperature/high pressure colour change of diamond |