NO135868B

NO135868B -

Info

Publication number: NO135868B
Application number: NO4946/69A
Authority: NO
Inventors: P F Forlani; I Paris; U Zardi
Original assignee: Snam Progetti
Priority date: 1968-12-16
Filing date: 1969-12-15
Publication date: 1977-03-07
Also published as: JPS4828422B1; CS152343B2; BR6915202D0; DK145081C; DE1962862A1; IE33879B1; NO135868C; ES374565A1; CA975797A; NL169465C; IE33879L; RO59626A; YU310469A; YU39894B; LU60025A1; AT305303B; CH507213A; DK145081B; GB1268430A; ZM17669A1

Description

Halvleder-anordning, særlig halvleder-nettverk. Semiconductor device, especially semiconductor network.

Foreliggende oppfinnelse vedrører en halvlederanordning, særlig halvleder-nett- The present invention relates to a semiconductor device, in particular semiconductor network

verk, bestående av et halvledende legeme som inneholder en eller flere P-N-over- works, consisting of a semi-conducting body containing one or more P-N over-

ganger og er festet til en i det vesentlige plan overflate av et underlag, og elektriske forbindelser til forskjellige deler av det halvledende legeme som omfatter flate elektriske ledere som alle ligger i det ve- times and is attached to a substantially flat surface of a substrate, and electrical connections to various parts of the semi-conducting body comprising flat electrical conductors which all lie in the

sentlige i samme plan og er parallelle med den i det vesentlige plane overflate, idet ohmske forbindelser er anordnet mellom forutbestemte ledere og det halvledende legeme. laterally in the same plane and are parallel to the essentially planar surface, ohmic connections being arranged between predetermined conductors and the semi-conducting body.

I tysk patent nr. 1 196 296 er der be- In German patent no. 1 196 296 there is be-

skrevet halvleder-nettverk som anvender meget tynne skiver av halvledende materi- written semiconductor networks that use very thin slices of semiconducting material

ale. Halvleder-nettverk utgjør fullstendige kretssystemer som er dannet helt og hol- laugh. Semiconductor networks constitute complete circuit systems that are formed completely and

dent i massive skinner eller plater av halvledende materiale. De forskjellige ele- dent in solid rails or plates of semi-conducting material. The different ele-

menter, såsom motstander, kondensatorer pg forsterkerelementer i slike kretser, frem- elements, such as resistors, capacitors and amplifier elements in such circuits,

stilles ved at der festes kontakter til den halvledende ribbe og ved å danne P-N-forbindelser på egnede steder på legemet og forbindelsesklemmer til den halvledende ribbe, slik at forbindelsene og det halv- is provided by attaching contacts to the semi-conducting rib and by forming P-N connections in suitable places on the body and connection clamps to the semi-conducting rib, so that the connections and the semi-

ledende materiale selv vil danne de ønskede kretskomponenter. Det halvledende ma- conductive material itself will form the desired circuit components. The semiconducting ma-

teriale mellom to ohmske kontakter på den halvledende ribbe danner et motstandsele- terial between two ohmic contacts on the semiconducting rib forms a resistance element

ment, mens kapasiteten over en i sperre- ment, while the capacity above one in blocking

retning forspent P-N-forbindelse kan an- direction biased P-N junction can an-

vendes som et kondensator-element. Slike forbindelser kan ennvidere anvendes som dioder og tilknytninger kan foretas til dob-belt-forbindelser, dvs. til PNP- eller NPN-forbindelser, for å danne transistor-forsterkerelementer. I ovennevnte patent er beskrevet forskjellige typer av halvledende nettverk, særlig en multivibrator og en faseforskyver-oscillator. I begge disse kret- reversed as a capacitor element. Such connections can further be used as diodes and connections can be made to double connections, ie to PNP or NPN connections, to form transistor amplifier elements. In the above-mentioned patent, various types of semiconductor networks are described, in particular a multivibrator and a phase shifter oscillator. In both of these cre-

ser er alle forsterker-elementer, kondensa- see are all amplifier elements, condensa-

torer og motstander dannet direkte ved an- tors and resistance formed directly by an-

vendelse av forskjellige avsnitt på og forbindelser i en eneste halvledende ribbe eller skinne. reversal of different sections on and connections in a single semiconducting rib or rail.

Halvledende nettverk representerer betydelige fremskritt når det dreier seg om å tilveiebringe miniatyrkretser, og selvom en stor del av den konvensjonelle teknikk anvendes ved fremstilling av halvledende dioder og transistorer, kreves også nye fremgangsmåter ved fremstillingen. Såle- Semiconductor networks represent significant advances when it comes to providing miniature circuits, and although a large part of the conventional technique is used in the manufacture of semiconductor diodes and transistors, new methods are also required in the manufacture. Sole-

des består et av trinnene i fremstillingen av komplette halvledende nettverk eller individuelle transistorer eller dioder i først å behandle en halvledende skive med for- one of the steps in the production of complete semiconductor networks or individual transistors or diodes consists in first treating a semiconductor wafer with pre-

holdsvis stor overflate ensartet over hele overflaten; når der således skal fremstilles en forbindelse, tilveiebringes en sådan over hele skivens overflate, hvorefter den større skive kan deles opp i et antall mindre ski- relatively large surface area uniform over the entire surface; when a connection is thus to be produced, such a connection is provided over the entire surface of the disk, after which the larger disk can be divided into a number of smaller ski-

ver som alle har samme størrelse og som så kan monteres. Derefter dannes der ytterligere forbindelser eller skivene forbin- which are all the same size and which can then be assembled. Further connections are then formed or the disks connect

des med ledninger for å danne individuelle des with wires to form individual

kretsanordninger. De halvledende nettverk krever derefter flere behandlinger og prosesser enn enkle transistorer eller dioder, idet flere forskjellige områder av hver av de små halvledende skiver som skal danne et halvledende nettverk, må utsettes for en forskjelligartet behandling av ett eller for det meste to områder. Til tross for dette er de halvledende skiver som må anvendes til å danne en eller annen kretsanordning, vanligvis meget tynne, idet de f. eks. kan ha en tykkelse på ca. 0,05 mm og er der-for temmelig ømfintlige og vanskelige å behandle. Når skivene etses for å tilveiebringe forskjellige konfigurasjoner på overflaten for å danne de forskjellige ønskede kretselementer, blir skivene så skjøre at de er meget vanskelige å behandle uten at de brekker istykker. circuit devices. The semi-conducting networks then require more treatments and processes than simple transistors or diodes, since several different areas of each of the small semi-conducting discs that are to form a semi-conducting network must be subjected to a different treatment of one or at most two areas. Despite this, the semi-conducting wafers that must be used to form some circuit device are usually very thin, as they e.g. can have a thickness of approx. 0.05 mm and are therefore rather delicate and difficult to treat. When the wafers are etched to provide different surface configurations to form the various desired circuit elements, the wafers become so fragile that they are very difficult to process without breaking into pieces.

Oppfinnelsen utmerker seg ved at P-N-overgangene ender ved den overflate av det halvledende legeme som er motsatt den i det vesentlige plane overflate, at disse P-N-overganger ikke strekker seg til den overflate av det halvledende legeme som stø-ter til den plane overflate, at de ohmske forbindelser er forbundet med den overflate av det halvledende legeme som er motsatt den i det vesentlige plane overflate, og at de flate elektriske ledere gir elektrisk adgang til delene av det halvledende legeme. I henhold til et ytterligere trekk ved oppfinnelsen er en hette av ledende materiale festet til underlaget for sammen med dette å danne en hermetisk inneslutning rundt det halvledende legeme. The invention is distinguished by the fact that the P-N transitions end at the surface of the semi-conducting body which is opposite the essentially planar surface, that these P-N transitions do not extend to the surface of the semi-conducting body which abuts the planar surface, that the ohmic connections are connected to the surface of the semi-conducting body which is opposite the essentially planar surface, and that the flat electrical conductors provide electrical access to the parts of the semi-conducting body. According to a further feature of the invention, a cap of conductive material is attached to the substrate to form, together with this, a hermetic enclosure around the semi-conductive body.

Ved fremstillingen av en halvleder-anordning i henhold til oppfinnelsen går man frem på den måte at de flate elektriske ledere formes ved tildannelse av en ledende folie med lederne forbundet med hinannen, hvorpå lederne festes og de mellomliggende partier av den ledende folie fjernes for å danne individuelle plane elektriske ledere. In the manufacture of a semiconductor device according to the invention, one proceeds in such a way that the flat electrical conductors are formed by forming a conductive foil with the conductors connected to each other, whereupon the conductors are attached and the intermediate parts of the conductive foil are removed to form individual planar electrical conductors.

Det tekniske fremskritt som oppnås ved hjelp av oppfinnelsen består i at man kan tilveiebringe en i det vesentlige plan, hermetisk innesluttet halvledende anordning, ved hvilken det er lett å oppnå en hermetisk tetning og man unngår faren for at P-N-overganene skal bli påvirket i uhel-dig retning av bæreelementets overflate-karakteristikk. Ennvidere er det enkelt å foreta de ønskede forbindelser på overflaten av det halvledende legeme, hvilke forbindelser ikke setter noen grense for hvor tynt legemet kan være. The technical progress achieved by means of the invention consists in the fact that it is possible to provide a substantially planar, hermetically sealed semi-conducting device, whereby it is easy to achieve a hermetic seal and the danger of the P-N junctions being adversely affected is avoided -the direction of the carrier element's surface characteristics. Furthermore, it is easy to make the desired connections on the surface of the semi-conducting body, which connections do not set any limit on how thin the body can be.

De ovenfor beskrevne trekk ved oppfinnelsen vil' fremgå tydeligere av følgende detaljerte beskrivelse av tegningen. På denne viser fig. 1 et halvledende element mon-tert på et keramisk underlag med ledende forbindelser dannet på dette underlag, fig. The above-described features of the invention will appear more clearly from the following detailed description of the drawing. On this, fig. 1 a semi-conductive element mounted on a ceramic substrate with conductive connections formed on this substrate, fig.

2 et snitt av en anordning i likhet med den 2 a section of a device similar to it

vist på fig. 1, hvor det keramiske underlag anvendes som det ene element av en hermetisk tetning rundt det halvledende element, og fig. 3 et snitt av en modifikasjon av en anordning ifølge fig. 2; fig. 4 viser koblings-skjemaet for et halvledende nettverk som kan fremstilles og forsegles i over-ensstemmelse med oppfinnelsen, fig. 5 hvorledes nettverket i henhold til fig. 4 ser ut ovenfra under et trinn av fremstillingen, og fig. 6 et snitt efter linjen 6—6 på fig. 5. shown in fig. 1, where the ceramic substrate is used as one element of a hermetic seal around the semi-conducting element, and fig. 3 a section of a modification of a device according to fig. 2; fig. 4 shows the connection diagram for a semiconductor network which can be produced and sealed in accordance with the invention, fig. 5 how the network according to fig. 4 looks from above during a stage of the production, and fig. 6 a section along the line 6-6 in fig. 5.

For bedre forståelse av oppfinnelsen skal først fig. 1 omtales, som viser et ikke-ledende underlag, nærmere bestemt en keramisk skive 1, hvortil en liten rektangulær skinne eller stang 2 av halvledende materiale er festet, såsom ved hjelp av ovenfor omtalte bindemiddel. Skinnen 2 er festet til underlagsskiven 1 umiddelbart efter å være skåret til de ønskede dimensjoner og fastholdes til denne bærer under alle de videre fremstillingstrinn. For a better understanding of the invention, first fig. 1 is referred to, which shows a non-conductive substrate, more specifically a ceramic disc 1, to which a small rectangular rail or rod 2 of semi-conductive material is attached, such as by means of the above-mentioned binder. The rail 2 is attached to the base disc 1 immediately after being cut to the desired dimensions and is fixed to this support during all the further manufacturing steps.

De fremstillingstrinn som kan fore-komme er etsing, oppvarmnmg, pådamp-ning og andre behandlingsmåter som tar sikte på å danne forbindelser og kontakter. The manufacturing steps that can occur are etching, heating, vaporization and other treatment methods that aim to form connections and contacts.

Underlaget 1 tjener som hjelpemiddel for dannelse av ledeforbindelser til det halvledende legeme 2. Således kan der på en overflate av bærelegemet 1, hvortil en halvledende skive 2 er festet, dannes flere ledende forbindelser i form av strimler som antydet på fig. 1 og betegnet med 3, 4, 6 og 7. Av disse kan noen være ført inn under legemet 2 og andre ikke. Ved det viste eksempel er de ved metallisering dannede forbindelser 3, 4 og 6 ført inn under legemet 2. Når så legemet 2 festes til underlaget 1, såsom ved lodding eller elektrisk ledende bindemiddel 5, dannes ohmske kontakter mellom legemet 2 og ledningen 3, 4 og 6. Som det tydelig fremgår av fig. 1, rekker den ved metallisering dannede forbindelse 7 ikke inn under legemet 2, idet den er The substrate 1 serves as an aid for forming conductive connections to the semi-conductive body 2. Thus, on a surface of the support body 1, to which a semi-conductive disc 2 is attached, several conductive connections can be formed in the form of strips as indicated in fig. 1 and denoted by 3, 4, 6 and 7. Of these, some may be brought under the body 2 and others not. In the example shown, the connections 3, 4 and 6 formed by metallization are brought under the body 2. When the body 2 is then attached to the substrate 1, such as by soldering or electrically conductive binder 5, ohmic contacts are formed between the body 2 and the wire 3, 4 and 6. As is clear from fig. 1, the compound 7 formed by metallization does not reach under the body 2, as it is

ment å skulle danne kontakt med legemets intended to make contact with the body

2 overside, såsom over et ledningsstykke 9 2 upper side, such as over a piece of wire 9

og en forbindelse 8, se også fig. 2 og 3. Forbindelsen 8 danner en halvledende diode hvis ytre tilkoblinger foregår over ledningene 4 og 7. and a compound 8, see also fig. 2 and 3. The connection 8 forms a semi-conducting diode whose external connections take place over the wires 4 and 7.

Den på fig. 1 som eksempel viste krets danner en motstand mellom ledningene 3 og 6, hvilken motstand utgjøres av det halvledende materiale som befinner seg mellom disse ledninger, samt en diode som er dannet mellom ledningen 4, et midtuttak på motstanden og ledningen 7; The one in fig. 1 as an example, the circuit shown forms a resistance between the lines 3 and 6, which resistance is made up of the semi-conducting material which is located between these lines, as well as a diode which is formed between the line 4, a center outlet on the resistance and the line 7;

Ifølge fig. 2 kan der omkring den halv-1; ledende skive 2 være tilveiebragt en hermetisk tetning, av hvilken en del utgjøres av den keramiske underlagsskive ,1. For-uten av skiven 1, dannes den hermetiske tetning av en metallring 11, hvis nedre kant er overtrukket med et ikke-ledende glass 12. På keramikkskiven 1 er der på tilsvarende måte påført glass 13 som har lavt smeltepunkt og er ikke-ledende.. Glas-set 13 er påført som en ring og har en bredde som er noe større enn differansen mellom ringens 11 ytre og indre diameter. Ringen anbringes på skiven 1 slik at glassovertrekket 12 slutter seg til glassovertrekket 13, hvorpå anordningen oppheises tilstrekkelig til at glassovertrekket 13 blir bløtt og smelter sammen med glassovertrekket 12. Da glassovertrekket 12 er på-ført ringen 11 før denne anbringes på skiven 1, kan denne operasjon foregå ved en høyere temperatur enn den som kreves for sammensveising av de to glassovertrekk 12 og 13. Glassovertrekkene 12 og 13 fremstilles i praksis av to forskjellige pulveri-serte glassmaterialer hvis smeltetempera-tur og varmeutvidelses-koeffisient ligger nær de tilsvarende koeffisienter for de ma-terialer som glassmaterialene er forbundet med ved smeltingen. Glassovertrekket 13 kan imidlertid erstattes med det ovenfor nevnte materiale som fremstilles av Cor-ning Glass Works, slik at man unngår å utsette den halvledende skive 2 for en for-høyet temperatur. Imidlertid kan varme-virkningen på den halvledende skive redu-l seres til et minimum ved at smeltetempera-tur og varighet kontrolleres nøyaktig. Efter at ringen 11 på denne måte er blitt lufttett forbundet med skiven 1, anbringes der på ringens overside en metallplate 14 som fastloddes eller fastsveises. Alle disse sistnevnte prosesser finner sted i en tørr, inert atmosfære eller i et evakuert rom, slik at enhver fuktighet holdes borte fra det rom snm senere blir hermetisk innesluttet. According to fig. 2 can there around the half-1; conductive disk 2 be provided with a hermetic seal, part of which is made up of the ceramic substrate disk ,1. On the outside of the disc 1, the hermetic seal is formed by a metal ring 11, the lower edge of which is coated with a non-conductive glass 12. Glass 13, which has a low melting point and is non-conductive, is similarly applied to the ceramic disc 1. The glass set 13 is applied as a ring and has a width that is somewhat greater than the difference between the outer and inner diameter of the ring 11. The ring is placed on the disc 1 so that the glass cover 12 joins the glass cover 13, after which the device is raised sufficiently so that the glass cover 13 becomes soft and fuses with the glass cover 12. As the glass cover 12 is applied to the ring 11 before it is placed on the disc 1, this can operation takes place at a higher temperature than that required for welding together the two glass covers 12 and 13. The glass covers 12 and 13 are in practice produced from two different powdered glass materials whose melting temperature and thermal expansion coefficient are close to the corresponding coefficients for the ma -terials with which the glass materials are connected during melting. However, the glass cover 13 can be replaced with the above-mentioned material produced by Corning Glass Works, so that one avoids exposing the semi-conducting disc 2 to an excessively high temperature. However, the heat effect on the semi-conducting disc can be reduced to a minimum by precisely controlling the melting temperature and duration. After the ring 11 has been air-tightly connected to the disk 1 in this way, a metal plate 14 is placed on the upper side of the ring and is soldered or welded. All of these latter processes take place in a dry, inert atmosphere or in an evacuated room, so that any moisture is kept away from the room which is later hermetically sealed.

Som det fremgår av fig. 2 påføres glas-set 13 på skiven 1. efter at kontaktstrimlene 4 og 7 er påført. Disse kontakter kan utgjø-res av ledende maling eller metallstrimler, 1 hvilket tilfelle glassovertrekket 13 også vil tjene til å holde disse strimler på plass på underlaget 1. Det halvledende element 2 kan festes til underlaget ved hjelp av et bindemiddel 10 av den ovenfor omtalte type, eller det kan fastholdes i stilling alene ved hjelp av loddforbindelsene 5 som for-binder elementet med kontaktene 4 og 7. As can be seen from fig. 2, the glass set 13 is applied to the disk 1. after the contact strips 4 and 7 have been applied. These contacts can be made of conductive paint or metal strips, 1 in which case the glass cover 13 will also serve to keep these strips in place on the substrate 1. The semi-conducting element 2 can be attached to the substrate by means of a binder 10 of the above-mentioned type , or it can be held in position alone by means of the solder connections 5 which connect the element with the contacts 4 and 7.

Det fremgår av ovenstående at underlagsskiven 1 tjener tre innbyrdes uavhen-gige formål, idet den for det første tjener som en understøttelse eller bærer for det halvledende element 2 under dettes behandling for å tilveiebringe den ønskede fysikalske form og de ønskede elektriske egenskaper. For det annet danner den un-derstøttelse og bærer for de ytre tilkoblinger til det ferdige halvledende element, og for det tredje et av de nødvendige elementer for å danne en hermetisk tett inn-slutning av det halvledende element 2. It appears from the above that the substrate 1 serves three mutually independent purposes, in that it firstly serves as a support or carrier for the semi-conducting element 2 during its treatment in order to provide the desired physical shape and the desired electrical properties. Secondly, it forms support and supports for the outer connections to the finished semi-conductive element, and thirdly, one of the necessary elements to form a hermetically sealed enclosure of the semi-conductive element 2.

Utførelsen ifølge fig. 5 avviker noe fra den ifølge fig. 1 og 2 når det gjelder den hermetiske tetning. Som tidligere anvendes den keramiske skive som en del av tetnin-gen, men i motsetning til den første utfø-relse er ringen 16 på fig. 3 utført av et keramisk ikke-ledende materiale som er direkte festet til skiven 1 ved hjelp av et mykgjort glassbelegg 13. Ringens overside er forsynt med et metallisk overtrekk, hvortil metallplaten 14 er loddet eller sveiset. The embodiment according to fig. 5 deviates somewhat from that according to fig. 1 and 2 as regards the hermetic seal. As before, the ceramic disk is used as part of the seal, but in contrast to the first embodiment, the ring 16 in fig. 3 made of a ceramic non-conductive material which is directly attached to the disc 1 by means of a softened glass coating 13. The upper side of the ring is provided with a metallic covering, to which the metal plate 14 is soldered or welded.

Fig. 4 viser skjema for en multivibrator-krets, hvilket skjema tilsvarer fig. 7 i det ovenfor nevnte tyske patent nr. 1196296. Multivibrator-kretsen inneholder to transistorer Tl og T2 og forskjellige kretselementer som er nærmere omtalt i det nevnte patent. En ytre jordklemme 18 er forbundet med de to transistorers emitter-elektroder 19 henholdsvis 21, og en ytre klemme 22 er Fig. 4 shows a diagram for a multivibrator circuit, which diagram corresponds to fig. 7 in the above-mentioned German patent no. 1196296. The multivibrator circuit contains two transistors T1 and T2 and various circuit elements which are described in more detail in the said patent. An outer ground terminal 18 is connected to the emitter electrodes 19 and 21 of the two transistors, respectively, and an outer terminal 22 is

forbundet med en spenningskilde på +3 V og fører til transistorenes basiselektroder over motstander 23 henholdsvis 24. Venstre transistors basis er videre forbundet med en inngangsklemme 28 og den høyre transistors basis med en inngangsklemme 29. Transistoren Tl har en kollektor-elektrode 31 som er forbundet med en utgangsklemme connected to a voltage source of +3 V and leads to the transistors' base electrodes via resistors 23 and 24 respectively. The left transistor's base is further connected to an input terminal 28 and the right transistor's base to an input terminal 29. The transistor Tl has a collector electrode 31 which is connected with an output terminal

32, og transistoren 12 har en kollektor-elektrode 33 som er forbundet med en utgangsklemme 34. De to kollektorelektroder er ennvidere over hver sin motstand 36 henholdsvis 38 forbundet med en klemme 37 som påtrykkes en spenning på —4 V. 32, and the transistor 12 has a collector electrode 33 which is connected to an output terminal 34. The two collector electrodes are further connected via their respective resistors 36 and 38 respectively to a terminal 37 to which a voltage of -4 V is applied.

Fig. 5 og 6 viser oppfinnelsen. På en halvledende skive 39 er alle de elektriske elementer ifølge fig. 4 dannet. Den samme skive 39 er også vist og beskrevet i detalj i ovennevnte patent. Skiven 39 er festet til et stykke 40 av tynt metallblikk som kan bestå av et materiale som er etset og som har en utvidelseskoeffisient av samme størrelse som silikon, såsom en legering av kobolt, nikkel og jern, kjent under handels-betegnelsen KOVAR. Det tynne blikk 40 er utformet med fliker som tilsvarer klem-mene 18, 22, 28, 29, 32, 34 og 37 på fig. 4 og har samme oppgave som sistnevnte. Som 'det fremgår er alle inngangsklemmer unn-tatt jordklemmen ført inn under den halvledende skive 39 og danner kontakt med Fig. 5 and 6 show the invention. On a semi-conducting disk 39, all the electrical elements according to fig. 4 formed. The same disk 39 is also shown and described in detail in the above patent. Disc 39 is attached to a piece 40 of thin sheet metal which may consist of a material which is etched and which has a coefficient of expansion of the same magnitude as silicone, such as an alloy of cobalt, nickel and iron, known under the trade name KOVAR. The thin sheet 40 is designed with tabs that correspond to the clamps 18, 22, 28, 29, 32, 34 and 37 in fig. 4 and has the same task as the latter. As can be seen, all input terminals except the earth terminal are brought under the semi-conducting disk 39 and form contact with

denne ved at skiven er anbragt på og fast- this in that the disc is placed on and fixed

loddet til disse strimler. En skive 41 av , keramikk, glass eller lignende danner et underlag for anordningen og har en bredde og lengde som i det vesentlige tilsvarer den ytre bredde og lengde av en ring 52. Skiven 41 er festet til undersiden av det tynne blikk 40 og den halvledende skive 39 for å soldered to these strips. A disk 41 of , ceramics, glass or the like forms a substrate for the device and has a width and length which essentially corresponds to the outer width and length of a ring 52. The disk 41 is attached to the underside of the thin sheet 40 and the semi-conducting disk 39 for to

danne en forsterkning og bærer for disse deler under behandlingen og den senere anvendelse. Den halvledende skive 39 er på form a reinforcement and support for these parts during processing and subsequent use. The semiconducting disc 39 is on

oversiden påført metalliserte lag 42 og 43, the upper side applied metallized layers 42 and 43,

såsom ved pådamping, og disse lag befin- such as by evaporation, and these layers found

ner seg ved hver sin ende av den halv- down at each end of the half-

ledende skive og på motsatt side i forhold til det tynne blikk 40. Laget 42 er over en tråd 44 forbundet med transistorens T2 basis- conductive disk and on the opposite side in relation to the thin sheet 40. The layer 42 is connected via a wire 44 to the transistor's T2 base

elektrode 27 og over en annen ledning 46 electrode 27 and over another wire 46

med den strimmel som danner inngangs- with the strip that forms the entrance

klemmen for nevnte transistor. Det le- the terminal for said transistor. The le-

dende belegg 43 er på tilsvarende måte over en ledning 47 forbundet med transistorens Tl basiselektrode 26 og over en ledning covering 43 is similarly connected over a wire 47 to the base electrode 26 of the transistor T1 and over a wire

48 med den strimmel som danner nevnte transistors inngangsklemme. Transistore- 48 with the strip which forms the said transistor's input terminal. Transistors

nes emitterelektroder er forbundet med hinannen ved hjelp av en tråd 49 og med en strimmel som tilsvarer jordklemmen 18, nes emitter electrodes are connected to each other by means of a wire 49 and with a strip corresponding to the ground clamp 18,

over ledning 51. Som det fremgår er alle disse tråder forbundet med de deler av strimlene som befinner seg innenfor rin- over wire 51. As can be seen, all these wires are connected to the parts of the strips that are within the rin-

gen 52, som på sin side tilsvarer ringene 11 og 16 på fig. 2 henholdsvis 3. Denne ring kan være av keramisk materiale eller metall og er i begge tilfelle forbundet med det tynne blikk 40 med underlagsskiven 41 gen 52, which in turn corresponds to rings 11 and 16 in fig. 2 and 3 respectively. This ring can be made of ceramic material or metal and in both cases is connected by the thin plate 40 to the base plate 41

for sammen med en ikke-vist metallplate å danne en hermetisk tett beholder for den halvledende skive 39. Platen tilsvarer platen 14 på fig. 2 og 3 og kan festes på for together with a non-shown metal plate to form a hermetically sealed container for the semi-conducting disc 39. The plate corresponds to the plate 14 in fig. 2 and 3 and can be attached

samme måte som beskrevet ovenfor. same way as described above.

Som det fremgår er underlagsplaten As can be seen, the base plate is

40 forsynt med to hull 53 og 54 som imid- ] 40 provided with two holes 53 and 54 as imid- ]

lertid kan erstattes med innsnitt i skivens sidekanter og tjener til riktig lokalisering av platen, i det utstyret i hvilket under- clay time can be replaced with incisions in the disc's side edges and serves for the correct localization of the disc, in the equipment in which sub-

lagsskiven 40 og den halvledende skive 39 the layer disk 40 and the semiconducting disk 39

innsettes under de forskjellige behand-lingstrinn. Disse trinn omfatter etsing av den halvledende skive 39, dannelse av skjøter og områder med forskiellig led-ningsevne, et spor 56 for å isolere visse funksjonsområder, dannelse av ledende strimler 42 og 43 og befestigelse av forbin-delsestrådene. De samme hull eller inn- are inserted during the various processing steps. These steps include etching of the semi-conductive disc 39, formation of joints and areas of different conductivity, a groove 56 to isolate certain functional areas, formation of conductive strips 42 and 43 and attachment of the connection wires. The same holes or in-

snitt kan også anvendes når underlagsski- cut can also be used when underlay ski-

ven 40 skal fastholdes under befestigelsen av den halvledende skive, idet denne be- ven 40 must be retained during the attachment of the semi-conducting disc, as this

festigelse er kritisk som følge av at den må fastening is critical as a result of it must

ha en nøyaktig riktig beliggenhet i for- have exactly the right location in front of

hold til de ledende strimler for å oppnå stick to the leading strips to achieve

de riktige motstandsverdier mellom for- the correct resistance values between the

skjellige punkter. different points.

Efter at den halvledende skive 39 er After the semiconducting disk 39 is

blitt hermetisk tett innsluttet i beholderen som er dannet av underlagsskiven" 40, rin- has been hermetically sealed in the container formed by the support disc" 40, rin-

gen 52 og den omtalte topplate, kan hele anordningen kuttes av efter de strekede linjer 57 og 58 for å danne den endelige enhet, i hvilken de ledende strimler av det tynne blikkmateriale 40 vil være innbyrdes isolert og hvis ender rager utenfor ringen 52 for å danne tilkoblingsklemmer for den fremstilte krets. gene 52 and the mentioned top plate, the entire device can be cut off along the dashed lines 57 and 58 to form the final unit, in which the conductive strips of the thin tin material 40 will be mutually insulated and whose ends project outside the ring 52 to form connection terminals for the manufactured circuit.

Claims

1. Semiconductor device, especially semiconductor network, consisting of a semiconductor

conductive body (39) which contains one or more P-N junctions (T1, T2) and is attached to a substantially flat surface of a substrate (41), and electrical connections (40, 42, 43, 44, 46, 47 , 48, 49, 51) to different parts of the semi-conducting body (39) comprising flat electrical conductors (40) which all lie substantially in the same plane and are parallel to the substantially flat surface, as ohmic connections (44 , 48, 51) is arranged between predetermined conductors and the semi-conducting body, characterized in that the P-N junctions (T1, T2) end at the surface of the semi-conducting body which is opposite the essentially planar surface, that these P-N junctions do not extends to the surface of the semiconducting body which abuts the planar surface, that the ohmic connections are connected to the surface of the semiconducting body opposite to the substantially planar surface, and the flat electrical conductors provide electrical access to the parts of that half way the body.

2. Device according to claim 1, characterized in that a cap (52, 14) of conductive material is attached to the substrate in order together with this to form a hermetic enclosure around the semi-conductive body.

3. Method for manufacturing a device according to claim 1 or 2, characterized in that the flat electrical conductors are formed by forming a conductive foil (40) with the conductors connected to each other, on which the conductors are attached and the intermediate parts (57) of the conductive foil is removed to form individual planar electrical conductors (Tl, grounded).

4. Method according to claim 3, characterized in that holes or notches (53, 54) are arranged in the continuous part of the foil (40) for alignment purposes.