NL9400657A - Electron beam generating system. - Google Patents

Electron beam generating system. Download PDF

Info

Publication number
NL9400657A
NL9400657A NL9400657A NL9400657A NL9400657A NL 9400657 A NL9400657 A NL 9400657A NL 9400657 A NL9400657 A NL 9400657A NL 9400657 A NL9400657 A NL 9400657A NL 9400657 A NL9400657 A NL 9400657A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
cathode
electron beam
generating system
beam generating
region
Prior art date
Application number
NL9400657A
Other languages
Dutch (nl)
Other versions
NL194952C (en
NL194952B (en
Original Assignee
Nokia Technology Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nokia Technology Gmbh filed Critical Nokia Technology Gmbh
Publication of NL9400657A publication Critical patent/NL9400657A/en
Publication of NL194952B publication Critical patent/NL194952B/en
Application granted granted Critical
Publication of NL194952C publication Critical patent/NL194952C/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02Electron guns
    • H01J3/027Construction of the gun or parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/04Cathodes

Description

Elektronenbundel-opweksysteemTechnisch gebiedElectron beam generation system Technical field

De uitvinding heeft betrekking op de constructie van elektronenstraal-opweksysternen, in het bijzonder systemen die kathode-inrichtingenomvatten met stroomdichtheden tot 10 A/cm2.The invention relates to the construction of electron beam generating systems, in particular systems comprising cathode devices with current densities of up to 10 A / cm2.

Stand van de techniekState of the art

Volgens de stand van de techniek zijn kathode-inrichtingen metstroomdichtheden tot 10 A/cm2 al lange tijd bekend, en worden wijdverbreid gebruikt om microgolven te leveren. Significant in dergelijkekathode-inrichtingen, die in deze aanvrage hoge-stroom of opslagkathodenworden genoemd, is een poreuze, gesinterde metalen schijf, waarin eenbarium-strontium mengsel is ingebed. Als gevolg van de stoomdruk van deaardalkalimetalen wordt één laag gevormd op het oppervlak van hetgesinterde deel, die het uitvoerwerk vermindert onder invloed van detemperatuur, en dienovereenkomstig een hoge elektronen-emissie produceert. Werktemperaturen van ongeveer 1100 °C zijn echter vereist omde reeds aanwezige hoge elektronenstraal-dichtheid tot 10 A/cm2 tebereiken. De levensduur van dergelijke hoge-stroom kathoden wordt nietbeïnvloed door de verhoogde werktemperaturen en de hoge emissiedichtheid,omdat, zoals in de praktijk is aangetoond, werktijden van maximaal100.000 uur met dergelijke hoge-stroom kathoden gemakkelijk kunnen wordenbereikt.In the prior art, cathode devices with current densities of up to 10 A / cm 2 have long been known, and are widely used to supply microwaves. Significant in such cathode devices, which are referred to as high current or storage cathodes in this application, is a porous, sintered metal disc in which a barium-strontium mixture is embedded. Due to the steam pressure of the alkaline earth metals, one layer is formed on the surface of the sintered portion, which reduces the output work under the influence of the temperature, and accordingly produces a high electron emission. However, operating temperatures of about 1100 ° C are required to achieve the already present high electron beam density up to 10 A / cm2. The service life of such high current cathodes is unaffected by the elevated operating temperatures and high emission density, as, as has been demonstrated in practice, operating times of up to 100,000 hours can be easily achieved with such high current cathodes.

In aanvulling op het beschreven type hoge-stroom kathoden zijn anderekathode-inrichtingen bekend, die stroomdichtheden tot 0,5 A/cm2 leverenbij werktemperaturen van ongeveer 900° C. Dergelijke kathode-inrichtingenbestaan in wezen uit een kleine nikkelen buis, met een speciale licht-elektronen-emitterende oxidelaag, bijvoorbeeld een barium-oxidelaag, aande zijde die tegenover de anode ligt. Het toepassingsgebied vandergelijke kathode-inrichtingen is de beeldbuis-technologie, zowel aan deontvang- als aan de zendzijde. Om te verhinderen dat de elektronen, dievanuit de emissielaag in een vacuüm op de respectieve werktemperatuurworden gestoomd, de kathode als een wolk omringen, wordt een anode aangebracht op afstand van het kathode-oppervlak, waardoor de uitgezondenelektronen zich versnellen in de richting van de anode. Om de hoeveelheidelektronen te regelen die in de richting van de anode worden versneld,wordt een speldegat-opening geplaatst op afstand van het emissie-oppervlak van de kathode in de richting van de anode, die negatief isgeladen ten opzichte van de kathode. Hoe hoger de negativiteit van destuurstroom tussen de kathode en het speldegat-opening of de Wehnelt-cilinder (modulaire elektrode), hoe minder elektronen door het speldegat-opening heen kunnen gaan. Volledigheidshalve moet er op worden gewezendat bijvoorbeeld televisie-beeldbuizen andere elektroden in de richtingvan de anode hebben om de elektronenbundel te vormen, en de combinatievan kathode-inrichting, speldegat-opening en elektroden wordt in debeeldontvang- en reproduktietechnologie een elektronenstraal-opweksysteemgenoemd. Hoewel een scherpe definitie met conventionele televisie-beeldbuizen kan worden bewerkstelligd door middel van het hierbovenbeschreven elektronenstraal-opweksysteem, is het noodzakelijk om dedefinitie ten behoeve van tekst-reproduktie en HDTV-bedrijf teverbeteren. Dit is in het bijzonder noodzakelijk voor buizen van grootformaat, inclusief het 16 x 9 formaat.In addition to the type of high current cathodes described, other cathode devices are known which provide current densities of up to 0.5 A / cm 2 at operating temperatures of about 900 ° C. Such cathode devices essentially consist of a small nickel tube, with a special light electron-emitting oxide layer, for example a barium oxide layer, on the side opposite the anode. The field of application of such cathode devices is the picture tube technology, both on the receiving and transmitting side. To prevent the electrons, which are steamed from the emission layer in a vacuum at the respective operating temperature, to surround the cathode as a cloud, an anode is placed at a distance from the cathode surface, thereby accelerating the emitted electrons towards the anode. To control the amount of electrons accelerated toward the anode, a pinhole opening is spaced from the emission surface of the cathode toward the anode, which is negatively charged with respect to the cathode. The higher the negativity of the control current between the cathode and the pin hole or the Wehnelt cylinder (modular electrode), the fewer electrons can pass through the pin hole. For the sake of completeness, it should be noted that, for example, television picture tubes have other electrodes in the direction of the anode to form the electron beam, and the combination of cathode device, pinhole opening and electrodes is called an electron beam generating system in the image receiving and reproduction technology. Although a sharp definition can be achieved with conventional television picture tubes by the electron beam generating system described above, it is necessary to improve the definition for text reproduction and HDTV operation. This is especially necessary for large format tubes, including the 16 x 9 format.

Zoals is aangegeven door voorbeeldberekeningen met betrekking hiertoezou de definitie zelf kunnen worden verkregen door de conventionelekathode-inrichting te vervangen door een hoge-stroom kathode-inrichting,zoals gemakkelijk te zien is. Een dergelijke maatregel vereist echter eenverandering in de constructie van het systeem als de spanning van hetrooster 2 behouden moet blijven in een verantwoord gebied van 800 tot1000 volt. Deze veranderingen bestaan eruit dat, in tegenstelling totconventionele kathode-inrichtingen, de afstand tussen de kathode en hetrooster 1 (speldegat-opening) verminderd moet worden tot 40 tot 60 pm.Het is verder noodzakelijk om de dikte van het rooster 1 in hetdoorgangsgebied van de elektronen te verminderen van 30 tot 70 pm.Terwijl het relatief gemakkelijk is om de afstand van het rooster 1 aande kathode bij te stellen, is het vormen van een doorgangsgebied in hetrooster 1 met een dikte van 30 tot 'JO pm buitengewoon moeilijk gebleken.Het vormen van een dergelijk dun rooster 1 is niet op zich een probleem,maar veeleer het behouden van de thermische stabiliteit van een dergelijkdun rooster onder de invloed van de werktemperatuur. De laatstgenoemde isin het bijzonder kritisch bij hoge-stroom kathoden die werken bijtemperaturen tot 1100 eC. Zoals is aangetoond door tests van de aanvragerveroorzaakt in het bijzonder het temperatuureffeet tijdens de verwarmingsfase mechanische spanningen en vervormt het dunnedoorgangsgebied, wanneer het wordt gevormd door een folie die aan eenontvangdeel is bevestigd. Zelfs het bekende natuurkundige principe vaneen gerekte trommel, waarvan de spanning werd opgedrukt door het dunnedoorgangsgebied kort voor het lasproces te verhitten, mislukte, omdat ergeen uniform temperatuurniveau in het ontvangdeel kon worden bereikt alsgevolg van de goede warmte-overdracht in de bevestigingen van het dunnedoorgangsgebied. Ook in dit geval was het resultaat een onsystematischebolling van het dunne doorgangsgebied. Evenmin waren pogingen succesvolom het doorgangsgebied te vormen met een gewenste dikte van 30 - 70 ymdoor stampen of persen, omdat het niet mogelijk was om een uniformediepte van het doorgangsgebied te vormen, zoals voor hoge-stroom kathodenis vereist.As indicated by example calculations in this regard, the definition itself could be obtained by replacing the conventional cathode device with a high current cathode device, as can be easily seen. However, such a measure requires a change in the construction of the system if the voltage of the grid 2 is to be maintained in a responsible range of 800 to 1000 volts. These changes consist in that, unlike conventional cathode devices, the distance between the cathode and the grid 1 (pin hole opening) must be reduced to 40 to 60 µm. It is further necessary to adjust the thickness of the grid 1 in the passage area of the electrons from 30 to 70 µm. While it is relatively easy to adjust the distance of the grid 1 from the cathode, forming a passage region in the grid 1 having a thickness of 30 to 0 µm has proved extremely difficult. forming such a thin grid 1 is not a problem per se, but rather preserving the thermal stability of such a thin grid under the influence of the operating temperature. The latter is particularly critical with high current cathodes operating at temperatures up to 1100 eC. In particular, as demonstrated by applicant's tests, the temperature effect during the heating phase causes mechanical stresses and deforms the thin passage area when it is formed by a film attached to a receiving member. Even the well-known physical principle of a stretched drum, the voltage of which was increased by heating the thin passage region shortly before the welding process, failed because no uniform temperature level could be achieved in the receiving section due to the good heat transfer in the thin passage region fixings. In this case too, the result was an unsystematic bulging of the thin passage area. Nor have attempts been successful to form the passage region with a desired thickness of 30-70 µm by stamping or pressing, since it was not possible to form a uniform depth of the passage region as required for high current cathodesis.

De behoefte aan een elektronenbundel-opweksysteem dat wordt gekenmerktdoor een verbeterde definitie, bestaat derhalve nog steeds.Therefore, the need for an electron beam generating system characterized by an improved definition still exists.

Presentatie van de uitvindingPresentation of the invention

De doelstelling wordt bereikt doordat, overeenkomstig conclusie 1, derespectieve kathode-inrichting een hoge-stroom kathode is, en doordat deroosterelektrode op een directe afstand tot de kathode-inrichting eenhoek α vormt die groter dan 95° en kleiner dan 175° is, met een gebieddat zich evenwijdig aan het emissie-oppervlak van de kathode-inrichtinguitstrekt en de elektronen-doorgangsopening bevat, en met de zijde vanhet gebied dat tegenover het emissie-gebied ligt, en met een randstuk,dat met het vrije eind van het bekledingselement is verbonden, dat zichuitstrekt in de richting van het gebied en hiermee een hoek van 90°plus/min 10° vormt.The object is achieved in that, according to claim 1, the respective cathode device is a high current cathode, and in that the grid electrode, at a direct distance from the cathode device, forms an angle α greater than 95 ° and less than 175 °, with a region which extends parallel to the emission surface of the cathode device and contains the electron passage opening, and with the side of the region opposite the emission region, and with an edge piece connected to the free end of the cladding element, which extends in the direction of the area, thereby forming an angle of 90 ° plus / minus 10 °.

Verrassend genoeg was het met deze hoedvormige vorming van hetdoorgangsgebied in het rooster 1 mogelijk een stabiele inrichting vanhoge-stroom kathode en rooster 1 te bereiken.Surprisingly, with this hat-shaped formation of the passage region in the grid 1, it was possible to achieve a stable arrangement of high current cathode and grid 1.

Andere voordelige ontwikkelingen van de uitvinding zijn beschreven inde conclusies 2 tot en met 5·Other advantageous developments of the invention are described in claims 2 to 5

Als, overeenkomstig conclusie 2, het gedeelte van de rooster-elektrodedat door het gebied, het bekledingsoppervlak en het hoekstuk wordtgevormd, is gemaakt in de vorm van een inzetstuk en is geplaatst enverbonden in een opening van de rooster-elektrode, heeft dit het voordeeldat een zeer rendabele oplossing wordt bewerkstelligd vanwege deafzonderlijke produktie van inzetstuk en roosterontvanger.If, according to claim 2, the portion of the grid electrode formed by the region, the coating surface and the gusset is made in the form of an insert and is placed and connected in an opening of the grid electrode, it has the advantage that very cost effective solution is achieved because of the separate production of insert and grate receiver.

Het laatste geldt in het bijzonder wanneer minstens het gedeelte vande rooster-elektrode dat het gebied, het bekledingsoppervlak en hetrandstuk vormt, is diepgetrokken. En dit vooral, wanneer hetdoorgangsgebied uit metalen folie bestaat in de vorm van een inzetstuk.The latter is especially true when at least the portion of the grating electrode that forms the area, the coating surface and the edge piece is deep drawn. And this especially when the passage area consists of metal foil in the form of an insert.

Het is zeer voordelig voor de thermische stabiliteit van het doorgangsgebied van het rooster 1 wanneer, volgens conclusie 4, minstensde gedeelten van de rooster-elektrode die het gebied, hetbekledingsoppervlak en het randstuk omringen, gemaakt zijn van eenmateriaal dat een zeer lage uitzettingscoëfficiënt in het temperatuurgebied tot ongeveer 400 °C heeft. Een dergelijk materiaal, datis aangegeven in conclusie 4, is een hooggelegeerd nikkelstaal met 20 tot35% nikkel.It is very advantageous for the thermal stability of the passage region of the grid 1 when, according to claim 4, at least the portions of the grid electrode surrounding the region, the coating surface and the edge piece are made of a material having a very low coefficient of expansion in the temperature region to about 400 ° C. Such a material, as defined in claim 4, is a high-alloy nickel steel with 20 to 35% nickel.

Korte beschrijving van de figurenBrief description of the figures

Figuur 1 is een schematische doorsnede door een elektronenbundel-opweksysteem;Figure 1 is a schematic cross section through an electron beam generating system;

Figuur 2 is een schematische doorsnede door een rooster 1 van eenelektronenbundel-opweksysteem;Figure 2 is a schematic cross section through a grid 1 of an electron beam generating system;

Figuur 3 is een schematische doorsnede door een anderelektronenbundel-opweksysteem;Figure 3 is a schematic cross section through another electron beam generating system;

Figuur 4 is een schematische doorsnede door een inzetstuk; enFigure 4 is a schematic section through an insert; and

Figuur 5 is een schematische doorsnede door een ander inzetstuk.Figure 5 is a schematic section through another insert.

Wijzen om de uitvinding uit te voerenModes for Carrying Out the Invention

De uitvinding wordt nu in meer detail uiteengezet aan de hand van defiguren.The invention is now explained in more detail with reference to figures.

Figuur 1 illustreert een elektronenbundel-opweksysteem 10, dat wordtgevormd door een kathode-inrichting 11 en een eerste elektrode 12. Dekathode-inrichting 11, die de feitelijke opslagkathode 13, de kathode-buis 14, de buisvormige houder 15 en de vasthoud-elementen 16 omvat, iseen hoge-stroomkathode, zoals bijvoorbeeld in de handel verkrijgbaar isvan Semicon, Lexington/USA. In het beschreven configuratievoorbeeld heeftde hoge-stroomkathode 13 een straal-stroomdichtheid van 5 A/cm2 envereist een werktemperatuur van 1100eC. Deze hoge-stroomkathode 13 isaangebracht en vastgemaakt in een vasthoudbuis IJ. Het doorgangsgebiedvoor de elektronen die door de kathode 13 worden uitgezonden is op 40 pmvan het emissie-oppervlak van de feitelijke opslagkathode 13 geplaatst, die van de kathodebuis 14 is afgewend. Dit doorgangsgebied heeft de vormvan een inzetstuk 18, en is aan het ontvangdeel 19 van het elektrode-rooster 12 bevestigd. Het ontvangdeel 19, dat in het weergegevenconfiguratievoorbeeld een dikkere wand dan het inzetstuk heeft vanwege deproduktiestabiliteit, is via een keramische schijf 20 met de vasthoudbuis17 verbonden. Het inzetstuk 18 is diepgetrokken van een folie van eenhoog-nikkelgehalte-ijzer met 36# nikkel, en heeft een wanddikte vanongeveer 45 pm. Dit inzetstuk 18 bestaat uit een gebied 23 dat evenwijdigaan het emissie-oppervlak 21 loopt en de opening 22 bevat voor dedoorgang van de elektronen, een bekledingsoppervlak 24 dat grenst aan hetgebied 23 en dat een hoek α van 135° vormt met de binnenkant 25 van hetgebied 23, en een randstuk 26, dat met het vrije einde van hetbekledingsoppervlak 24 is verbonden, dat zich uitstrekt in de richtingvan het gebied 23 en hiermee een hoek van 90° vormt. Een flens 27 isgevormd aan het vrije einde van het randstuk 26, waarbij het inzetstuk 18met een laser aan het ontvangdeel 19 is gelast.Figure 1 illustrates an electron beam generating system 10, which is formed by a cathode device 11 and a first electrode 12. The cathode device 11, which includes the actual storage cathode 13, the cathode tube 14, the tubular holder 15 and the holding elements 16 is a high current cathode, such as is commercially available from Semicon, Lexington / USA. In the described configuration example, the high current cathode 13 has a beam current density of 5 A / cm 2 and requires an operating temperature of 1100 ° C. This high current cathode 13 is mounted and secured in a holding tube IJ. The passage area for the electrons emitted by the cathode 13 is located 40 µm from the emission surface of the actual storage cathode 13, which faces away from the cathode tube 14. This passage region is in the form of an insert 18, and is attached to the receiving part 19 of the electrode grid 12. The receiving part 19, which in the illustrated configuration example has a thicker wall than the insert due to the production stability, is connected to the holding tube 17 via a ceramic disk 20. The insert 18 is deep drawn from a high-nickel iron-foil with 36 # nickel, and has a wall thickness of about 45 µm. This insert 18 consists of a region 23 which runs parallel to the emission surface 21 and contains the electron passage opening 22, a coating surface 24 adjacent to the region 23 and forming an angle α of 135 ° with the interior 25 of the region 23, and an edge piece 26 connected to the free end of the coating surface 24, which extends in the direction of the region 23 and thereby forms an angle of 90 °. A flange 27 is formed at the free end of the edge piece 26, the insert 18 being laser-welded to the receiving portion 19.

Een dergelijk elektronenbundel-opweksysteem kan worden gebruikt alseen kathode-rooster 1 inrichting in televisie-beeldbuizen met hogestraal-stroomafgiftes (tot 10 A/cm2), zonder het risico dat de vereistewerktemperatuur tot 1100 °C het zeer dunne rooster 1 in het elektronen¬doorgangsgebied 22 zal beïnvloeden.Such an electron beam generating system can be used as a cathode lattice 1 device in television picture tubes with high beam current outputs (up to 10 A / cm2), without the risk that the required operating temperature up to 1100 ° C can cover the very thin lattice 1 in the electron passage region 22 will affect.

In het configuratievoorbeeld dat hier is beschreven is de diameter vanhet emissie-oppervlak 21 van de opslagkathode 13 0,75 mm, om tewaarborgen dat verdampend kathode-materiaal geen van de openingen in hetrooster 12, of in een van de volgende roosters (niet weergegeven)afsluit.In the configuration example described here, the diameter of the emission surface 21 of the storage cathode 13 is 0.75 mm, to ensure that evaporating cathode material does not contain any of the openings in the grid 12, or in any of the following grids (not shown) shutdown.

Volledigheidshalve moet er in dit verband op worden gewezen datverscheidene van de kathode/rooster 1 inrichtingen die in figuur 1 zijngetoond en zich bijvoorbeeld in hetzelfde vlak bevinden gebruikt kunnenworden voor het leveren van een televisiebeeld.For the sake of completeness, it should be noted in this connection that several of the cathode / grid 1 devices shown in Figure 1 and located in the same plane, for example, can be used to provide a television image.

Figuur 2 is eenvoudigweg een verdere ontwikkeling van het eersteelektroderooster 12 dat in figuur 1 is getoond. In dit geval is hetinzetstuk 18 niet één stuk, vergeleken met figuur 1, maar bestaat uittwee gedeelten, waarbij het gebied 23 en het bekledingsoppervlak 24 ééngedeelte vormen, en het randstuk 26 en de flens 27 het andere gedeeltevan het inzetstuk 18 vormen. Op de overgang van het bekledingsoppervlak24 en het randstuk 26 worden de twee individuele gedeelten aan elkaargelast zodat ze een inzetstuk 18 vormen. In het configuratievoorbeeld datin figuur 2 is weergegeven, is de hoek α tussen het bekledingsoppervlak 24 en het gebied 23 153°·Figure 2 is simply a further development of the first electrode grid 12 shown in Figure 1. In this case, the insert 18 is not one piece, compared to Figure 1, but consists of two parts, the region 23 and the coating surface 24 forming one part, and the edge 26 and the flange 27 forming the other part of the insert 18. At the transition of the cladding surface 24 and the edge piece 26, the two individual parts are welded together to form an insert 18. In the configuration example shown in Figure 2, the angle α between the coating surface 24 and the area 23 is 153 °

Figuur 3 toont een andere inrichting overeenkomstig figuur 1. Inaanvulling op een verschillend type bevestiging van de hoge-stroomkathode 11, verschilt deze configuratie vooral van die in figuur 1doordat het ontvangdeel 19 niet met de hoge-stroom kathode zelf isverbonden. Hierdoor kan de kathode ten opzichte van het elektrode-rooster12 of de andere roosters (niet weergegeven) op zeer eenvoudige wijzeworden bijgesteld. Figuur 3 toont ook het inzetstuk 18 in twee gedeelten.Figure 3 shows another device according to Figure 1. In addition to a different type of mounting of the high current cathode 11, this configuration differs mainly from that in figure 1 in that the receiving part 19 is not connected to the high current cathode itself. The cathode can hereby be adjusted in a very simple manner relative to the electrode grid 12 or the other grids (not shown). Figure 3 also shows the insert 18 in two parts.

Figuur 4 toont een doorsnede door een deel van het inzetstuk 18 datbestaat uit het gebied 23 en het bekledingsoppervlak 24, zoals die wordengebruikt in inzetstukken uit twee delen van de figuren 2 en 3· De hoek αtussen het gebied 23 en het bekledingsoppervlak 24 is 125®.Figure 4 shows a section through a portion of the insert 18 consisting of the area 23 and the coating surface 24, as used in two-piece inserts of Figures 2 and 3. The angle α between the area 23 and the coating surface 24 is 125® .

Figuur 5 toont het diepgetrokken folie-inzetstuk 18, zoals dat isgebruikt in de vorm van één stuk in figuur 1. Dit inzetstuk 18, dat isdiepgetrokken van een hoog-nikkel-gehalte ijzer met 20% nikkel, heeft eenconstante wanddikte van 50 ym.Figure 5 shows the deep-drawn foil insert 18 as used in the one-piece form of Figure 1. This insert 18, which is deep-drawn from a high-nickel iron content with 20% nickel, has a constant wall thickness of 50 µm.

Tenslotte moet er op worden gewezen dat de hoek in grote mate afhangtvan het materiaal dat wordt gebruikt voor het doorgangsgebied in hetelektroderooster 12 en de overheersende werktemperatuur. Bij temperaturendie lager dan 1100 °C zijn zou de hoek α bijvoorbeeld kleiner kunnenworden gemaakt.Finally, it should be noted that the angle depends to a great extent on the material used for the passage region in the electrode grid 12 and the predominant operating temperature. For example, at temperatures lower than 1100 ° C, the angle α could be made smaller.

Zoals hierboven is aangegeven is een voorkeurs-toepassingsgebied vande hoge-stroom kathode-inrichtingen overeenkomstig de onderhavigeuitvinding de beeldontvang- en reproductie-technologie, omdat deze zwareeisen stelt aan de thermische stabiliteit van de elektrode-inrichting 12,vanwege de beelduitvoer die door de elektronenbundel wordt geleverd.Eveneens is deze uitvinding niet beperkt tot beeldontvangst en -reproduktie maar kan overal worden gebruikt, terwijl de speldegat-openingen geplaatst voor een kathode-inrichting in het hoge-temperatuurgebied, thermisch stabiel moeten zijn.As indicated above, a preferred field of application of the high current cathode devices in accordance with the present invention is the image reception and reproduction technology, because it places heavy demands on the thermal stability of the electrode device 12, due to the image output produced by the electron beam Likewise, this invention is not limited to image reception and reproduction but can be used anywhere, while the pinhole openings placed in front of a cathode device in the high temperature range must be thermally stable.

Claims (6)

1. Elektronenbundel-opweksysteem met minstens een kathode-inrichtingen met minstens een rooster-elektrode, door de openingen waarvan deelektronen gaan die door de kathode-inrichting zijn uitgezonden, met hetkenmerk, dat de respectieve kathode-inrichting is gebouwd als een hoge-stroomkathode (11), en dat de rooster-elektrode (12), die zich op eendirecte afstand van de kathode-inrichting (11) bevindt, een hoek α omvatdie groter dan 95 ° en kleiner dan 175° is, samen met - een gebied (23) dat zich evenwijdig aan het emissie-oppervlak (21) vande kathode-inrichting (11) uitstrekt en de elektronen-doorgangsopening(22) omvat, - een bekledingsoppervlak (24) dat aan de zijde van het gebied (23)grenst die naar het emissie-oppervlak (21) is gericht, en - een randstuk (26) dat met het vrije einde van het bekledingsoppervlak(24) is verbonden, dat zich in de richting van het gebied (23) uitstrekten een hoek van 90° plus/min 10° omvat.An electron beam generating system having at least one cathode devices with at least one grid electrode, through the apertures of which the electrons emitted by the cathode device pass, characterized in that the respective cathode device is constructed as a high current cathode ( 11), and that the grating electrode (12), which is a direct distance from the cathode device (11), comprises an angle α greater than 95 ° and less than 175 °, together with - an area (23 ) which extends parallel to the emission surface (21) of the cathode device (11) and comprises the electron passage opening (22), - a coating surface (24) adjacent to the side of the region (23). emission surface (21) is oriented, and - an edge piece (26) connected to the free end of the coating surface (24), which extended in the direction of the area (23) at an angle of 90 ° plus / minus 10 °. 2. Elektronenbundel-opweksysteem volgens conclusie 1, met het kenmerk,dat het gedeelte van de rooster-elektrode (12) dat door het gebied (23),het bekledingsoppervlak (24) en het randstuk (26) wordt gevormd, als eeninzetstuk (18) is gevormd, dat in een opening van de rooster-elektrode(12) is geplaatst en daarmee is verbonden.The electron beam generating system according to claim 1, characterized in that the portion of the grid electrode (12) formed by the region (23), the coating surface (24) and the edge piece (26), as an insert (18 ) which is placed in an opening of the grating electrode (12) and connected thereto. 3. Elektronenbundel-opweksysteem volgens conclusie 1 of 2, met hetkenmerk. dat de diameter van het emissie-oppervlak (21) van de hoge-stroomkathode (11) tussen 0,5 en 1,5 mm is.An electron beam generating system according to claim 1 or 2, characterized in that. that the diameter of the emission surface (21) of the high current cathode (11) is between 0.5 and 1.5 mm. 4. Elektronenbundel-opweksysteem volgens een van de conclusies 1 toten met 3, met het kenmerk, dat minstens het gedeelte van de elektrode(12) dat door het gebied (23), het bekledingsoppervlak (24) en hetrandstuk (26) wordt gevormd, diepgetrokken is.Electron beam generating system according to any one of claims 1 to 3, characterized in that at least the portion of the electrode (12) formed by the region (23), the coating surface (24) and the edge piece (26), deep drawn. 5. (sic) Elektronenbundel-opweksysteem volgens een van de conclusies 1tot en met 4, met het kenmerk, dat minstens de gedeelten van de rooster-elektrode (12) die het gebied (23), het bekledingsoppervlak (24) en hetrandstuk (26) omvatten, zijn gemaakt van een materiaal met een lagethermische uitzettingscoëfficiënt tot ongeveer 400 “C.(Sic) Electron beam generating system according to any one of claims 1 to 4, characterized in that at least the portions of the grid electrode (12) covering the region (23), the coating surface (24) and the edge (26) ) are made of a material with a low thermal expansion coefficient up to about 400 ° C. 6. Elektronenbundel-opweksysteem volgens conclusie 4, met het kenmerk,dat het materiaal een hooggelegeerd nikkelstaal met 20 tot 55# nikkel is.Electron beam generating system according to claim 4, characterized in that the material is a high-alloy nickel steel with 20 to 55 # nickel.
NL9400657A 1993-04-26 1994-04-25 Electron beam generating system with high current cathode. NL194952C (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4313577 1993-04-26
DE4313577A DE4313577C2 (en) 1993-04-26 1993-04-26 Electron gun system with a high current cathode

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL9400657A true NL9400657A (en) 1994-11-16
NL194952B NL194952B (en) 2003-04-01
NL194952C NL194952C (en) 2003-08-04

Family

ID=6486367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL9400657A NL194952C (en) 1993-04-26 1994-04-25 Electron beam generating system with high current cathode.

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPH0773820A (en)
DE (1) DE4313577C2 (en)
IT (1) IT1274266B (en)
NL (1) NL194952C (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4151441A (en) * 1978-05-11 1979-04-24 Gte Sylvania Incorporated Cathode support means in electron gun structure of a cathode ray tube
JPS5991636A (en) * 1982-11-18 1984-05-26 Mitsubishi Electric Corp Electron gun
US4954745A (en) * 1989-03-22 1990-09-04 Tektronix, Inc. Cathode structure

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4151441A (en) * 1978-05-11 1979-04-24 Gte Sylvania Incorporated Cathode support means in electron gun structure of a cathode ray tube
JPS5991636A (en) * 1982-11-18 1984-05-26 Mitsubishi Electric Corp Electron gun
US4954745A (en) * 1989-03-22 1990-09-04 Tektronix, Inc. Cathode structure

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 008, no. 206 (E - 267) 20 September 1984 (1984-09-20) *

Also Published As

Publication number Publication date
IT1274266B (en) 1997-07-17
ITTO940309A0 (en) 1994-04-19
ITTO940309A1 (en) 1995-10-19
NL194952C (en) 2003-08-04
JPH0773820A (en) 1995-03-17
NL194952B (en) 2003-04-01
DE4313577A1 (en) 1994-10-27
DE4313577C2 (en) 1998-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4694222A (en) Ion plasma electron gun
KR100751840B1 (en) Electron gun
US5936335A (en) Electron gun having a grid
EP1133784B1 (en) X-ray tube providing variable imaging spot size
NL9400657A (en) Electron beam generating system.
US4873468A (en) Multiple sheet beam gridded electron gun
US4023061A (en) Dual mode gridded gun
US6774552B2 (en) Electron gun
US6614158B1 (en) Electron gun arrangements having closely spaced cathode and electrode and a vacuum seal
JPH0278132A (en) Electron gun and electron tube equipped this gun
US6635978B1 (en) Electron tube with axial beam and pyrolitic graphite grid
US3892989A (en) Convergent flow hollow beam X-ray gun construction
CA2240301A1 (en) Grids
EP1249029B1 (en) Process for assembling a cathode for a cathode-ray tube
CA2155251C (en) Electron beam tubes
US5986415A (en) Linear electron accelerator
US4048534A (en) Radial flow electron gun
JP2994834B2 (en) Cathode for linear electron gun
JP2646837B2 (en) Electron gun assembly for cathode ray tube
KR940004689Y1 (en) Cathode structure frame
JP2000048746A (en) X-ray tube
GB2198577A (en) Laser apparatus
JP2604735B2 (en) Electron gun for cathode ray tube
EP0326273A2 (en) Directly heated cathodes
KR0161406B1 (en) Cathode ray tube

Legal Events

Date Code Title Description
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
CNR Transfer of rights (patent application after its laying open for public inspection)

Free format text: MATSUSHITA ELECTRONICS CORPORATION

SNR Assignments of patents or rights arising from examined patent applications

Owner name: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.

V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20081101