NL8801996A - Control circuit for high power FET - switches at frequencies of up to 20 kHz via MOS inverters - Google Patents
Control circuit for high power FET - switches at frequencies of up to 20 kHz via MOS inverters Download PDFInfo
- Publication number
- NL8801996A NL8801996A NL8801996A NL8801996A NL8801996A NL 8801996 A NL8801996 A NL 8801996A NL 8801996 A NL8801996 A NL 8801996A NL 8801996 A NL8801996 A NL 8801996A NL 8801996 A NL8801996 A NL 8801996A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- transistor
- power field
- field effect
- coupled
- effect transistor
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/689—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
- H03K17/691—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
Description
N.v. Philips' Gloeilampenfabrieken “Schakelinrichting voor het aansturen van een vermogensveldeffekttran¬sistor* .N.v. Philips' Incandescent lamp factories “Switching device for controlling a power field effect transistor *.
De uitvinding heeft betrekking op een schakelinrichtingvoor het aansturen van een vermogensveldeffekttransistor, welkeschakelinrichting een scheidingstransformator bevat met een primairewikkeling voor toevoer van een pulsvormig signaal en met ten minsteéén secundaire wikkeling waarvan een eerste aansluitklem via eenbron-put pad van een inschakeltransistor met een poortelektrode van eenvermogensveldeffekttransistor gekoppeld is en waarvan een tweedeaansluitklem met een bronelektrode van de vermogensveldeffekttransistorgekoppeld is, waarbij een poortelektrode van de inschakeltransistor metde tweede aansluitklem gekoppeld is.The invention relates to a switching device for driving a power field effect transistor, which switching device comprises an isolation transformer with a primary winding for supplying a pulse-shaped signal and with at least one secondary winding, of which a first terminal is coupled via a source-well path of a switch-on transistor to a gate electrode of a power field-effect transistor. and of which a second terminal is coupled to a source electrode of the power field effect transistor, a gate electrode of the turn-on transistor being coupled to the second terminal.
Een dergelijke schakelinrichting is toepasbaar invermogensregelsystemen, zoals vermogensregeling van motoren,vermogensregeling in geschakelde voedingen en in hoogspanningssystemen.Such a switching device is applicable in power control systems, such as power control of motors, power control in switching power supplies and in high voltage systems.
Een dergelijke schakelinrichting is bekend uit hetAmerikaans octrooischrift Nr. 4.511.815. De scheidingstransformator,bijvoorbeeld uitgevoerd met een ferrietkern, zorgt voor scheiding vanaanstuurschakelingen voor aansturing van de schakelinrichting en vandoor de vermogensveldeffekttransistor aan te sturenvermogensschakelingen. In genoemd Amerikaans octrooischrift wordtaansturing van de schakelinrichting met een periodiek pulsvormig signaalbeschreven, waarbij het periodiek pulsvormig signaal sterk asymmetrischmag zijn, waardoor een groot verschil in tijd van ingeschakeld en -uitgeschakeld zijn van de vermogensveldeffekttransistor kan optreden.Such a switching device is known from U.S. Pat. 4,511,815. The isolation transformer, for example constructed with a ferrite core, separates drive circuits for driving the switching device and power circuits to be driven from the power field effect transistor. In said US patent, control of the switching device with a periodic pulse-shaped signal is described, wherein the periodic pulse-shaped signal may be strongly asymmetrical, as a result of which a large difference in time of switching on and off of the power field effect transistor can occur.
Als de aansturing op de primaire wikkeling wegvalt terwijl eenvermogenschakeling met de vermogensveldtransistor gekoppeld blijft dankan dat aanleiding geven tot problemen. Theoretisch zou devermogensveldeffekttransistor wel in een aan- of uittoestand kunnenblijven, maar praktisch zal de vermogensveldeffekttransistor van eenaantoestand naar een uittoestand kunnen overgaan en omgekeerd tengevolgevan lek via de altijd aanwezige poort-bron capaciteit van devermogensveldeffekttransistor. Als de vermogensveldeffekttransistor ineen degelijke overgangstoestand terecht komt, wat een relatief langzaam tijdverschijnsel is, dan zal dat gemakkelijk aanleiding kunnen geven totdissipatieproblemên van de vermogensveldeffekttransistor. Invermogensregelingen wordt in normaal bedrijf de vermogensveldeffekttransistor gedimensioneerd op relatief snel in- enuitschakelen en de vermogensveldeffekttransistor zal dan ook in hetalgemeen niet bestand zijn tegen langzame schakelovergangen c.q.instelling in een werkpunt waarin zowel stroom door als spanning over devermogensveldeffekttransistor aanzienlijk is.If the control on the primary winding fails while a power circuit remains coupled to the power field transistor, this causes problems. Theoretically, the power field effect transistor may remain in an on or off state, but practically the power field effect transistor may transition from an on state to an off state and vice versa due to leakage through the ever-present gate source capacitance of the power field effect transistor. If the power field effect transistor enters a solid transition state, which is a relatively slow time phenomenon, then this could easily give rise to dissipation problems of the power field effect transistor. In power controls, in normal operation, the power field effect transistor is sized for relatively fast turn-on and turn-off and the power field effect transistor will generally not be able to withstand slow switching transitions or adjustment at an operating point in which both current through and voltage across the power field effect transistor are significant.
Met de uitvinding wordt onder meer beoogd te voorzien ineen schakelinrichting die een dergelijk bezwaar niet heeft.The object of the invention is inter alia to provide a switching device which does not have such a drawback.
Een schakelinrichting volgens de uitvinding is erdoorgekenmerkt, dat de eerste aansluitklem via een bron-put pad van eenuitschakeltransistor met de poortelektrode van de vermogensveldeffekttransistor gekoppeld is, dat een poortelektrode vande uitschakeltransistor met de tweede aansluitklem gekoppeld is, waarbijvoor inschakelen en uitschakelen van de vermogensveldeffekttransistorrespectievelijk een pulsvormig signaal met een eerste en een tweedepolariteit aan de primaire wikkeling wordt toegevoerd, en dat deschakelinrichting een met de uitschakeltransistor gekoppeldebewakingsinrichting bevat om te bewaken of na toevoer van een pulsvormigsignaal met de tweede polariteit binnen een voorafbepaalde tijd weer eenpulsvormig signaal met de tweede polariteit wordt toegevoerd. Deschakelinrichting volgens de uitvinding wordt met pulsen van relatiefkorte tijdsduur aangestuurd. De inschakeltransistor reageert oppulsvormige signalen met de eerste polariteit en de uitschakeltransistorop pulsvormige signalen met de tweede polariteit. Als niet binnen devoorafbepaalde tijd pulsvormige signalen met de tweede polariteit elkaaropvolgen dan zorgt de bewakingsschakeling ervoor dat devermogensveldeffekttransistor uitgeschakeld wordt.A switching device according to the invention is characterized in that the first terminal is coupled to the gate electrode of the power field effect transistor via a source-well path of a switch-off transistor, that a gate electrode of the switch-off transistor is coupled to the second terminal, for which switching on and switching off of the power field effect transistor a pulse-shaped a signal having a first and a second polarity is applied to the primary winding, and that the switching device comprises a monitoring device coupled to the switch-off transistor for monitoring whether, after supplying a pulse-shaped signal of the second polarity, a pulse-shaped signal of the second polarity is supplied again within a predetermined time. The switching device according to the invention is controlled with pulses of relatively short duration. The turn-on transistor responds to pulse-shaped signals with the first polarity and the turn-off transistor to pulse-shaped signals with the second polarity. If pulse-shaped signals of the second polarity do not follow each other within the predetermined time, the monitoring circuit causes the power field effect transistor to turn off.
Een uitvoeringsvorm van een schakelinrichting volgens deuitvinding is erdoor gekenmerkt, dat de bewakingsinrichting eenbewakingstransistor bevat waarvan een poortelektrode via een eerstediode met de putelektrode van de uitschakeltransistor gekoppeld is,waarvan een putelektrode via een tweede diode met de poortelektrode vande vermogensveldeffekttransistor gekoppeld is en waarvan eenbronelektrode met de tweede aansluitklem gekoppeld is, en dat debewakingsinrichting voorts een parallelschakeling van een weerstand en een condensator tussen de poortelektrode en de bronelektrode van debewakingstransistor bevat die de voorafbepaalde tijd bepaalt. Devoorafbepaalde tijd dient te worden aangepast aan een schakelperiodetussen pulsen waarmee de schakelinrichting normaal wordt bedreven. Isbijvoorbeeld de schakelfrequentie 20 kHz (wat overeenkomt met eenperiode van 50 psec), dan kan de voorafbepaalde tijd bijvoorbeeld 100psec worden gekozen. Een door de weerstand en de condensator bepaaldetijdkonstante kan dan 50 psec bedragen. De bewakingstransistor zal danna ca. 100 psec de poort-bron capaciteit van devermogensveldeffekttransistor ontladen.An embodiment of a switching device according to the invention is characterized in that the monitoring device comprises a monitoring transistor, a gate electrode of which is coupled via a first diode to the pit electrode of the switch-off transistor, of which a pit electrode is coupled via a second diode to the gate electrode of the power field effect transistor and of which a source electrode is connected to the second terminal is coupled, and that the monitor further includes a parallel connection of a resistor and a capacitor between the gate electrode and the source electrode of the monitor transistor which determines the predetermined time. The predetermined time should be adapted to a switching period between pulses normally operating the switching device. For example, if the switching frequency is 20 kHz (which corresponds to a period of 50 psec), then the predetermined time can be selected, for example, 100 psec. A time constant determined by the resistor and the capacitor can then be 50 psec. The monitoring transistor will discharge the gate-source capacitance of the power field effect transistor after about 100 psec.
De uitvinding zal nader worden toegelicht aan de hand vaneen tekening, waarin fig. 1 een schakelinrichting volgens de uitvinding toont,en fig. 2 een andere uitvoering van een schakelinrichtingvolgens de uitvinding laat zien.The invention will be explained in more detail with reference to a drawing, in which Fig. 1 shows a switching device according to the invention, and Fig. 2 shows another embodiment of a switching device according to the invention.
In fig. 1 wordt een schakelinrichting 1 volgens deuitvinding getoond voor het aansturen van eenvermogensveldeffekttransistor Tl. De schakelinrichting 1 bevat eenscheidingstransformator TR met een primaire wikkeling w1 en met eensecundaire wikkeling w2. Aan de primaire wikkeling w1 worden pulsen meteen eerste en een tweede polariteit toegevoerd. In de gegevenuitvoeringsvorm wordt dit bereikt door toevoer van een puls p1 met deeerste polariteit aan een eerste MOS inverter II en een puls p2 met deeerste polariteit aan een tweede MOS inverter 12, waarbij respectieveuitgangen 01 en 02 van de inverters II en 12 met respectieveaansluitklemmen pr1 en pr2 van de primaire wikkeling w1 zijn verbonden.De secundaire wikkeling w2 is met de stuurschakeling st verbonden. .Eeneerste aansluitklem s1 van de secundaire wikkeling w2 is met eenbronelektrode so2 van een MOS transistor T2 verbonden, die van hetzogenaamde verrijkingstype is. Een poortelektrode g2 van de transistorT2 is via een weerstand R1 met een tweede aansluitklem s2 verbonden. Eenputelektrode dr2 van de transistor T2 is met een anode a3 van een derdediode d3 verbonden die met een kathode k3 via een weerstand R2 met eenpoortelektrode g.1 van de transistor Tl is verbonden. Op soortgelijkewijze is een uitschakeltransistor T3 die van het verarmingstype is metrespectieve elektroden so3, dr3 en g3 met de wikkeling w2 verbonden en via een vierde diode d4 met anode a4 en kathode k4 via de weerstand R2met de poortelektrode g1 verbonden. Een bewakingsinrichting wd ("watchdog") bevat een MOS transistor T4, die van het verarmingstype is, metelektroden so4, dr4 en g4, De poortelektrode g4 is via een eerste dioded1 met anode a1 en kathode k1 met de putelektrode dr3 verbonden en deputelektrode dr4 is via een tweede diode d2 met anode a2 en kathode k2met de weerstand R2 verbonden. De poortelektrode g4 is verder via eenweerstand R3 en een condensator C met de tweede aansluitklem s2verbonden. De weerstand R2 is met zenerdiodes Z1 en Z2 verbonden diedienen ter beveiliging tegen overspanning van de poortelektrode g1. Eenputelektrode dr1 is met een uitgangsklem u1 verbonden en eenbronelektrode sol met de aansluitklem s2 en met een uitgangsklem u2. Deuitgangsklemmen u1 en u2 kunnen met een vermogensschakeling gekoppeldworden. Is een grotere stroomsterkte aan uitgangszijde vereist bij eenbepaald type transistor T1 dan kunnen transistoren parallel geschakeldworden. Dit is met een weerstand en een transistor aangegeven die meteen onderbroken lijn zijn aangegeven. De werking van deschakelinrichting volgens de uitvinding is als volgt. De transistor T1wordt met de pulsen pi en p2, die van korte duur zijn (bijv. 1 psec),ingeschakeld respectievelijk uitgeschakeld. Wordt de puls p1 aangelegddan wordt de poort-bron capaciteit van de transistor Tl positiefopgeladen, via het stroompad T2, d3 en R2, waardoor T1 in geleidingkomt. Theoretisch blijft deze toestand bestaan, maar praktisch zalvanwege weglekken van lading uit de poort-bron capaciteit de transistorT1 gaan uitschakelen. Wordt de puls p2 aangelegd dan wordt de poort-broncapaciteit van de transistor T1 negatief opgeladen, via het stroompadT3, d4 en R2, waardoor de transistor T1 wordt uitgeschakeld. Theoretischblijft deze toestand bestaan, maar praktisch zal de transistor T1 naareen geleidingstoestand gaan. Worden de pulsen p1 en p2 gelijktijdigaangelegd dan zal een vorige toestand blijven bestaan. Omdissipatieproblemen te voorkomen moeten regelmatig pulsen wordentoegevoerd, bijvoorbeeld binnen 100 psec. De bewakingsinrichting wdvoorkomt dergelijke problemen, De bewakingsinrichting wd zorgt ernamelijk voor dat de vermogensveldeffekttransistor T1 niet in eenongewenste relatief langzame toestandsverandering kan komen tussen deaan- en uittoestand. Dit gebeurt als volgt. De pulsen p2 zijn er deoorzaak van dat via de diode di de condensator C negatief wordt opgeladen waardoor de MOS transistor T4 die van het verarmingstype isuit geleiding raakt. Als er niet regelmatig pulsen p2 worden toegevoerddan zal de condensator C tot 0 volt ontladen via de weerstand R3,waardoor uiteindelijk de transistor T4 gaat geleiden, die dan snel dei poort-bron capaciteit van de transistor T1 kortsluit waardoor detransistor T1 snel wordt uitgeschakeld en daardoor nooit lang in eenovergangstoestand zal blijven als de besturing wegvalt. Oe door R3 en Cbepaalde tijdkonstante bepaalt de "time out* periode. De weerstand R2dient ervoor om te zorgen dat er geen oscillaties tengevolge vanI transformatorspreidingszelfinductie en de poort-bron capaciteit van detransistor T1 kunnen ontstaan. De weerstand R1 heeft een overeenkomstigefunktie met betrekking tot de transistoren T2 en T3. De weerstand R1wordt zodanig gekozen dat poort-bron capaciteiten van T2 en T3 snelontladen kunnen worden zonder dat doorschot optreedt. Een i transformatieverhouding van de transformator TR kan aan de pulsamplitudevan de pulsen worden aangepast.In Fig. 1, a switching device 1 according to the invention is shown for driving a power field effect transistor T1. The switching device 1 contains a isolation transformer TR with a primary winding w1 and with a secondary winding w2. Pulses with a first and a second polarity are applied to the primary winding w1. In the data embodiment, this is accomplished by supplying a pulse p1 of first polarity to a first MOS inverter II and a pulse p2 of first polarity to a second MOS inverter 12, with respective outputs 01 and 02 of inverters II and 12 with respective terminals pr1 and pr2 of the primary winding w1 are connected. The secondary winding w2 is connected to the control circuit st. A first terminal s1 of the secondary winding w2 is connected to a source electrode so2 of an MOS transistor T2 which is of the so-called enrichment type. A gate electrode g2 of the transistor T2 is connected via a resistor R1 to a second terminal s2. A single electrode dr2 of the transistor T2 is connected to an anode a3 of a third diode d3 which is connected to a cathode k3 via a resistor R2 to a gate electrode g1 of the transistor T1. Similarly, a depletion-type trip transistor T3 is connected to windings w2 by electrodes so3, dr3 and g3 and is connected to gate electrode g1 via resistor R2 via a fourth diode d4 to anode a4 and cathode k4. A monitoring device wd ("watchdog") contains a MOS transistor T4, which is of the depletion type, with electrodes so4, dr4 and g4. The gate electrode g4 is connected to the well electrode dr3 via a first diode1 with anode a1 and cathode k1 and the well electrode dr4 is connected via a second diode d2 to anode a2 and cathode k2 to resistor R2. The gate electrode g4 is further connected to the second terminal s2 via a resistor R3 and a capacitor C. Resistor R2 is connected to zener diodes Z1 and Z2 which serve to protect the gate electrode g1 against overvoltage. A input electrode dr1 is connected to an output terminal u1 and a source electrode sol to the terminal s2 and to an output terminal u2. The output terminals u1 and u2 can be coupled with a power circuit. If a higher current on the output side is required for a certain type of transistor T1, transistors can be connected in parallel. This is indicated by a resistor and a transistor, which are immediately indicated by a broken line. The switching device according to the invention operates as follows. The transistor T1 is switched on and off, respectively, with the pulses pi and p2, which are of short duration (e.g. 1 psec). When the pulse p1 is applied, the gate-source capacitance of the transistor T1 is positively charged, via the current path T2, d3 and R2, so that T1 is turned on. Theoretically, this state persists, but practically due to leakage of charge from the gate-source capacitance, the transistor T1 will turn off. When the pulse p2 is applied, the gate source capacitance of the transistor T1 is negatively charged, through the current path T3, d4 and R2, which turns off the transistor T1. Theoretically, this state persists, but practically the transistor T1 will go to a conduction state. If the pulses p1 and p2 are applied simultaneously, a previous state will remain. To avoid dissipation problems, pulses must be applied regularly, for example within 100 psec. The monitoring device wd prevents such problems. The monitoring device wd mainly ensures that the power field effect transistor T1 cannot enter an undesired relatively slow state change between the on and off state. This is done as follows. The pulses p2 cause the capacitor C to charge negatively via the diode di, as a result of which the MOS transistor T4 which is of the depletion type is turned off. If pulses p2 are not supplied regularly, capacitor C will discharge to 0 volts through resistor R3, which will eventually conduct transistor T4, which will quickly short-circuit the gate-source capacitance of transistor T1, causing transistor T1 to turn off quickly and thereby will never remain in a transition state for long if the controller fails. The time constant determined by R3 and C determines the "time out * period. The resistor R2 serves to ensure that no oscillations due to transformer spreading inductance and the gate-source capacitance of the transistor T1 can arise. The resistor R1 has a corresponding function with respect to the transistors T2 and T3 The resistor R1 is selected so that gate-source capacities of T2 and T3 can be quickly discharged without overshoot A transform ratio of the transformer TR can be adjusted to the pulse amplitude of the pulses.
Fig. 2 laat een andere uitvoering van eenschakelinrichting volgens de uitvinding zien, om bij een bepaald typevermogensveldeffekttransistor hogere spanningen toe te laten aanvermogenszijde. De transformator TR bevat een primaire wikkeling w1zoals in fig. 1 en een aantal secundaire wikkelingen w2a, w2b en w2c.Vermogensveldeffekttransistoren T1a, Ttb en T1c staan met elkaar inserie en worden met aan fig. 1 identieke stuurschakelingen stl, st2 enst3 aangestuurd.Fig. 2 shows another embodiment of a switching device according to the invention, to allow higher voltages on the power side with a particular type power field effect transistor. The transformer TR contains a primary winding w1 as in Fig. 1 and a number of secondary windings w2a, w2b and w2c. Power field effect transistors T1a, Ttb and T1c are interconnected and driven with identical control circuits stl, st2 and st3.
Binnen het kader van de uitvinding zijn voor de vakmanvele variaties mogelijk. Zo kan bijvoorbeeld met twee secundairewikkelingen en een serieschakeling van twee vermogensveldeffekttransis-toren, waarbij een belasting op een aftakking van de vermogensveldeffekt-transistoren wordt aangesloten en waarbij de secundaire wikkelingentegengesteld gewikkeld zijn een omschakelaar worden gebouwd.Many variations are possible for those skilled in the art within the scope of the invention. For example, with two secondary windings and a series circuit of two power field effect transistors, a load being connected to a tap of the power field effect transistors and the secondary windings being wound in the opposite direction, a switch can be built.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8801996A NL8801996A (en) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | Control circuit for high power FET - switches at frequencies of up to 20 kHz via MOS inverters |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8801996 | 1988-08-10 | ||
| NL8801996A NL8801996A (en) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | Control circuit for high power FET - switches at frequencies of up to 20 kHz via MOS inverters |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8801996A true NL8801996A (en) | 1990-03-01 |
Family
ID=19852743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8801996A NL8801996A (en) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | Control circuit for high power FET - switches at frequencies of up to 20 kHz via MOS inverters |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| NL (1) | NL8801996A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0454597A1 (en) * | 1990-04-25 | 1991-10-30 | STMicroelectronics S.A. | Pulse gate control circuit with short-circuit protection |
| EP1720239A1 (en) * | 2005-05-06 | 2006-11-08 | TTE Germany GmbH | Dc/dc converter |
| GB2511846A (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-17 | Eisergy Ltd | A gate drive circuit for a semiconductor switch |
-
1988
- 1988-08-10 NL NL8801996A patent/NL8801996A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0454597A1 (en) * | 1990-04-25 | 1991-10-30 | STMicroelectronics S.A. | Pulse gate control circuit with short-circuit protection |
| FR2661573A1 (en) * | 1990-04-25 | 1991-10-31 | Sgs Thomson Microelectronics | PULSE GRID CONTROL CIRCUIT WITH SHORT-CIRCUIT SECURITY. |
| US5138515A (en) * | 1990-04-25 | 1992-08-11 | Sgs-Thomson Microelectronics.A. | Pulse-controlled gate circuit with protection against short-circuit |
| EP1720239A1 (en) * | 2005-05-06 | 2006-11-08 | TTE Germany GmbH | Dc/dc converter |
| GB2511846A (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-17 | Eisergy Ltd | A gate drive circuit for a semiconductor switch |
| GB2511846B (en) * | 2013-03-15 | 2017-07-26 | Eisergy Ltd | A gate drive circuit for a semiconductor switch |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4459498A (en) | Switch with series-connected MOS-FETs | |
| US8072202B2 (en) | Gate driver in buck converters | |
| US7592831B2 (en) | Circuit to optimize charging of bootstrap capacitor with bootstrap diode emulator | |
| KR970013697A (en) | Drive pulse output limiting circuit | |
| JPH0328847B2 (en) | ||
| US7456658B2 (en) | Circuit to optimize charging of bootstrap capacitor with bootstrap diode emulator | |
| KR20050009151A (en) | Semiconductor device including dc-dc converter control circuit | |
| US5138186A (en) | Solid state switch with last state memory | |
| JPH0561807B2 (en) | ||
| US4683438A (en) | Circuit for connecting a load to the high side of a DC power supply | |
| NL8801996A (en) | Control circuit for high power FET - switches at frequencies of up to 20 kHz via MOS inverters | |
| US5010282A (en) | Method and apparatus for driving a DC motor | |
| US4899065A (en) | Pre-drive circuit | |
| US5410190A (en) | Circuit for shortening the turn-off time of a power transistor | |
| EP0531941A2 (en) | Method and driver for power field-controlled switches with refreshed power supply providing stable on/off switching | |
| CN113556036B (en) | H-bridge driving circuit, control method and driving motor | |
| US5440223A (en) | Switching power circuit with redundant structure | |
| KR20190108785A (en) | Power source converter, apparatus for driving switching element and apparatus for driving load | |
| JP3258050B2 (en) | Circuit device with inductive load MOSFET | |
| JPH08205403A (en) | Rush current preventing circuit | |
| JP2797338B2 (en) | Gate drive circuit | |
| EP0218288B1 (en) | Mos power device usable both as an n-chanel mos transistor and as a p-channel mos transistor | |
| JP2758477B2 (en) | Portable information devices | |
| KR100331831B1 (en) | Controlling circuit for power device of inverter | |
| EP4254795A1 (en) | Efficient concept for driving a pmos and nmos full-bridge power stage |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |