NL8004026A - DEVICE FOR MEASURING AN ION CURRENT FALLING IN VACUUM ON A MEASURING SURFACE. - Google Patents
DEVICE FOR MEASURING AN ION CURRENT FALLING IN VACUUM ON A MEASURING SURFACE. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8004026A NL8004026A NL8004026A NL8004026A NL8004026A NL 8004026 A NL8004026 A NL 8004026A NL 8004026 A NL8004026 A NL 8004026A NL 8004026 A NL8004026 A NL 8004026A NL 8004026 A NL8004026 A NL 8004026A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- measuring
- auxiliary electrode
- plane
- ion current
- ion
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/08—Measuring current density
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24405—Faraday cages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2449—Detector devices with moving charges in electric or magnetic fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
Ν.σ. 29.290 -i-Ν.σ. 29,290 -i-
Inrichting voor het meten van een ionenstroom die in vacuüm op een meetoppervlak valt.Device for measuring an ion current which falls on a measuring surface in vacuum.
De uitvinding heeft "betrekking op een inrichting voor het meten van een ionenstroom die in vacuüm op een meetvlak valt.The invention relates to a device for measuring an ion current which falls on a measuring surface in vacuum.
Inrichtingen van deze soort worden gebruikt bij vele apparaten waarin ionenstromen in een vrije vacuümruimte optreden. Het is 5 bijvoorbeeld bij het behandelen van oppervlakken met ionen belangrijk de ionenstroom of de dichtheid van de ionenstroom (ionenstroom gedeeld door het oppervlak waarop de stroom valt) te kennen, teneinde de desbetreffende werkwijze efficiënt te kunnen uitvoeren. Ook is het dikwijls belangrijk het totale aantal op een vlak vallende 10 ionen -de zogenaamde ionendosis - te kennen^die wordt verkregen door een ionenstroom over de tijd te integreren. Een modern toepassingsgebied voor de meting van een ionenstroom is de ionenimplanta-tietechniek. De fysische eigenschappen van de door ionenimplantatie veranderde grenslaag van een lichaam hangn sterk van de ionendosis 15 af· Het meten van de dichtheid van een ionenstroom (A/cm ) kan worden uitgevoerd door het meten van de electrische stroom die kan worden afgeleid van een sonde met een bekend meetvlak waarop de ionen invallen. Yolgens de huidige stand van de techniek werkt men meestal met een intensiteit van de ionenstroom liggende in het gebied -9 -3 20 van 10 tot 10 Ampère. Als tengevolge van het met ionen beschieten van het meetvlak een plasma wordt gevormd of het meetvlak secondaire electronen emitteert, dienen voor een nauwkeurige meting bijzondere maatregelen te worden getroffen. De meting wordt dan in de eerste plaats bemoeilijkt door de omstandigheid dat de emissie 25 van secondaire electronen niet alleen afhangt van het materiaal waaruit het meetvlak bestaat, maar ook van de temperatuur van dit meetvlak en van de druk van het restgas in de vacuümkamer. De meet-fout die door de secondaire electronen wordt veroorzaakt bestaat voornamelijk hieruit, dat hierdoor de ionenstroom schijnbaar wordt 30 vergroot. Als daarentegen voor de meting (integratie) een electro-nische schakeling wordt gebruikt met een grote ingangsweerstand, wordt het meetvlak door de invallende positieve ionen positief opgeladen, waardoor de emissie van secondaire electronen gedeeltelijk wordt onderdrukt, hetgeen dan weer leidt tot een vermindering van de 35 afgelezen sterkte van de ionenstroom.Devices of this kind are used in many devices in which ion currents occur in a free vacuum space. For example, when treating surfaces with ions, it is important to know the ion current or the density of the ion current (ion current divided by the area on which the current falls), in order to be able to carry out the relevant method efficiently. It is also often important to know the total number of ions falling on a plane - the so-called ion dose - obtained by integrating an ion current over time. A modern field of application for the measurement of an ion current is the ion implantation technique. The physical properties of the ion-implanted boundary layer of a body strongly depend on the ion dose 15. Measuring the density of an ion current (A / cm) can be performed by measuring the electric current which can be derived from a probe with a known measuring surface on which the ions fall. According to the current state of the art, one usually works with an intensity of the ion current lying in the range -9 -3 of 10 to 10 amperes. If a plasma is formed as a result of ionizing the measuring surface or if the measuring surface emits secondary electrons, special measures must be taken for an accurate measurement. The measurement is then made more difficult in the first place by the fact that the emission of secondary electrons depends not only on the material of which the measuring plane consists, but also on the temperature of this measuring plane and on the pressure of the residual gas in the vacuum chamber. The measurement error caused by the secondary electrons mainly consists in that the ion current is thereby apparently increased. If, on the other hand, an electronic circuit with a large input resistance is used for the measurement (integration), the measuring surface is positively charged by the incident positive ions, so that the emission of secondary electrons is partially suppressed, which in turn leads to a reduction in the 35 reading strength of the ion current.
800 40 26 -2-800 40 26 -2-
Het is algemeen bekend voor het onderdrukken van de werking van de secondaire electronen een kooi van Faraday om het meetvlak heen aan te brengen. Er treden echter problemen op als het bijvoorbeeld in fabricage-apparatuur tengevolge van plaatsgebrek niet moge-5 lijk is in de onmiddellijke omgeving van het meetvlak een kooi van Faraday aan te brengen. Het is het eenvoudigst een hulpelectrode aan te brengen die het meetvlak omgeeft en die de emissie van secondaire electronen in sterke mate onderdrukt als aan deze electrode een voldoend grote negatieve voorspanning is aangelegd.It is well known for suppressing the action of the secondary electrons to place a Faraday cage around the measuring surface. However, problems arise when it is not possible, for example in manufacturing equipment, to fit a Faraday cage in the immediate vicinity of the measuring surface due to lack of space. It is easiest to provide an auxiliary electrode which surrounds the measuring surface and which strongly suppresses the emission of secondary electrons if a sufficiently large negative bias is applied to this electrode.
10 Yoorts is het bekend, dat een ten opzichte van de richting van de ionenstroom transversaal gericht magneetveld in de grootte-orde van ongeveer 100 Gauss het onderdrukken van de emissie van secondaire electronen kan ondersteunen, zodat onder bepaalde omstandigheden een kooi van Faraday of een ander soort afschermelectrode kan 15 worden weggelaten. Goede resultaten zijn verkregen met magneetvelden waarvan de krachtlijnen uit het meetvlak treden en daar ook weer in terugkeren, waarbij de secondaire electronen in de door de gebogen krachtlijnen boven het meetvlak gevormde "tunnel11 gevangen blijven of gedwongen worden naar het meetvlak terug te keren.It is well known that a magnetic field in the order of magnitude of about 100 Gauss transversely directed towards the direction of the ion current can assist in suppressing the emission of secondary electrons, so that under certain circumstances a Faraday cage or another type of shielding electrode can be omitted. Good results have been obtained with magnetic fields whose lines of force emerge from and return to the measuring plane, the secondary electrons being trapped in the "tunnel 11 formed by the curved lines of force above the measuring plane or forced to return to the measuring plane.
20 Er wordt opgemerkt, dat met de term "meetvlak" in deze beschrij ving ook worden aangeduid delen van oppervlakken van werkstukken of substraten die mat ionen worden behandeld en waarbij de op het vlak invallende ionen moeten worden gemeten.It is noted that the term "measuring plane" in this description also refers to parts of surfaces of workpieces or substrates that are treated with matte ions and where the ions incident on the plane are to be measured.
De hierboven vermelde bekende inrichtingen zijn, zoals reeds is 25 opgemerkt, niet toepasbaar, als onmiddellijk v<5<5r het meetvlak geen plaats is voor grote electroden en magneten. Dit is dikwijls het geval als de inrichting voor het meten van de ionenstroom later in een reeds aanwezig apparaat moet worden ingebouwd.As mentioned above, the known devices mentioned above are not applicable if immediately before the measuring surface there is no place for large electrodes and magnets. This is often the case if the ion current measuring device is later to be built into an already present device.
Meetfouten kunnen ook worden veroorzaakt door electronen die 30 niet, zoals de secondaire electronen, uit het meetvlak afkomstig zijn, maar uit het restgas dat door de ionenbundel gedeeltelijk wordt geïoniseerd. Als deze "vreemde" electronen op het meetvlak komen schijnen zij de ionenstroom te verkleinen.Measurement errors can also be caused by electrons which do not originate from the measuring plane, such as the secondary electrons, but from the residual gas that is partly ionized by the ion beam. When these "foreign" electrons get on the measuring surface, they seem to reduce the ion current.
De onderhavige uitvinding heeft ten doel een inrichting te ver-35 schaffen waarmede de op een meetvlak in vacuüm invallende ionenstroom met grote nauwkeurigheid kan worden gemeten, doordat de door electronen veroorzaakte meetfouten worden vermeden,zonder dat direct naast het meetvlak magneten moeten worden aangebracht.The object of the present invention is to provide a device with which the ion current incident on a measuring surface in vacuum can be measured with great accuracy, by avoiding the measuring errors caused by electrons, without magnets having to be arranged directly next to the measuring surface.
Dit doel wordt bereikt met een inrichting voor het meten van de 40 op een meetvlak in vacuüm invallende ionenstroom met een aan de kant 800 4 0 26 „ 4 -3- waar de ionen invallen vóór het vlak van het meetvlak opgestelde hulpelectrode en met magneten voor het opwekken van een ten opzichte van de richting van de invallende ionen transversaal magneetveld, welke inrichting volgens de uitvinding is gekenmerkt door de volgende 5 combinatie van kenmerken: a. de magneet is op enige afstand van het meetvlak aangebracht en de hulpelectrode omgeeft ten minste gedeeltelijk de ruimte tussen het meetvlak en de magneet, b. ten minste het naar het meetvlak toegekeerde deel van de buiten-10 kant van de magneet is electrisch geleidend, en e. er is een inrichting aangebracht voor het meten van de via het meetvlak, de hulpelectrode en de magneet vloeiende stroom.This object is achieved with a device for measuring the 40 ion current flowing on a measuring plane in a vacuum with an auxiliary electrode arranged on the side 800 4 0 26 „4 -3- where the ions incident in front of the plane of the measuring plane and with magnets for generating a transversal magnetic field relative to the direction of the incident ion, which device according to the invention is characterized by the following combination of features: a. the magnet is arranged at some distance from the measuring plane and the auxiliary electrode at least partly surrounds the space between the measuring surface and the magnet, b. at least the part of the outside of the magnet facing the measuring surface is electrically conductive, and e. a device has been installed for measuring the current flowing via the measuring plane, the auxiliary electrode and the magnet.
Doordat het dankzij de uitvinding thans mogelijk is de magneet op een grotere afstand van het meetvlak op te stellen, wordt plaats 15 gewonnen, zodat nu ook grotere en sterkere magneten met een beter afschermende werking kunnen worden aangebracht. Bovendien is het nu beter mogelijk de bevestiging van het meetvlak beweegbaar uit te voeren, bijvoorbeeld als een roterende trommel op de binnenkant waarvan de te behandelen werkstukken worden bevestigd. Tenslotte 20 is nog een extra voordeel van de inrichting volgens de uitvinding, dat bij toepassing van sterke electromagneten eventuele verhitting van deze tengevolge van de grotere afstand niet meer mede leidt tot een sterke verwarming van de werkstukken, of dat deze verwarming dankzij de aanwezige plaatsruimte door geschikte koelinrichtingen 25 beter kan worden beteugeld.Since it is now possible, thanks to the invention, to position the magnet at a greater distance from the measuring surface, space is gained, so that now also larger and stronger magnets with a better shielding effect can be applied. Moreover, it is now better possible to make the attachment of the measuring surface movable, for instance as a rotating drum on which the workpieces to be treated are mounted. Finally, an additional advantage of the device according to the invention is that when strong electromagnets are used, any heating of these due to the greater distance no longer partly leads to a strong heating of the workpieces, or that this heating is provided by the space available through suitable cooling devices can be better controlled.
Ben uitvoeringsvoorbeeld van de uitvinding zal nader worden verklaard aan de hand van de tekening waarin schematisch de opstelling van de voor de meting belangrijke onderdelen is weergegeven.An exemplary embodiment of the invention will be explained in more detail with reference to the drawing, which schematically shows the arrangement of the parts which are important for the measurement.
De inrichting bevindt zich in een geëvacueerde ruimte waarin een 30 ionenstroom moet worden gemeten, bijvoorbeeld in een inrichting voor ionenimplantatie.The device is located in an evacuated space in which an ion current must be measured, for example in an ion implantation device.
In de tekening is een substraatdrager 1 weergegeven waaraan een substraat is bevestigd^ op het oppervlak 2 waarvan als meetvlak een ionenstroom valt, welke stroom de door een pijl aangegeven 35 richting bezit. Op enige afstand vóór het oppervlak van het meetvlak, bij voorkeur op een zodanige afstand a, dat de verhouding a/b -waarbij b de kleinste loodrecht op de invalsrichting van de ionen staande afmeting van de hulpelectrode is - groter is dan een derde, of bij voorkeur groter dan een half, bevinden zich de beide magneten 40 3 ( die door middel van in de tekening niet weergegeven bevesti- 8004026 -4- gingsorganen in de vacuümkamer zijn bevestigd). De tekening toont voorts de hulpelectrode 5 d-ie zich bevindt tussen het meetvlak 2 en de magneten 5· Deze electrode 5 han uit twee delen bestaan, bijvoorbeeld een bovenplaat en een onderplaat, waarbij de beide platen 5 tezamen de ruimte tussen de magneten en het meetvlak tenminste gedeeltelijk omgeven. De electrode 5 kan echter ook de vorm hebben van een cylindermantel die de genoemde ruimtejmet uitzondering van een eventuele spleet}bijna volledig omgeeft. De kleinste afstand tussen de beide electrodeplaten,of de diameter van de cylindervormige hulp-10 electrode^komt dan in de plaats van de kleinste, loodrecht op de inval srichting van de ionen staande afmeting b van de hulpelectrode.The drawing shows a substrate carrier 1 to which a substrate is attached, on the surface 2 of which an ion current falls as measuring plane, which current has the direction indicated by an arrow. Some distance in front of the surface of the measuring surface, preferably at a distance a such that the ratio a / b - where b is the smallest dimension of the auxiliary electrode perpendicular to the incident direction of the ion - is greater than one third, or preferably larger than half, the two magnets 40 3 (which are mounted in the vacuum chamber by means of fasteners not shown in the drawing 8004026-4). The drawing further shows the auxiliary electrode 5 which is located between the measuring surface 2 and the magnets 5. This electrode 5 can consist of two parts, for instance a top plate and a bottom plate, the two plates 5 together the space between the magnets and the measuring surface at least partially surrounded. However, the electrode 5 may also be in the form of a cylinder jacket which almost completely surrounds the said space, with the exception of a possible gap. The smallest distance between the two electrode plates, or the diameter of the cylindrical auxiliary electrode, then replaces the smallest dimension b of the auxiliary electrode, which is perpendicular to the incident direction of the ion.
Alle hulpelectroden kunnen vrijdragend in de vacuümkamer worden aangebracht of; afhankelijk van de omstandigheden;in bijzondere gevallen aan de magneten worden bevestigd^of aan de houder voor de werk-15 stukken of aan de werkstukken zelf. In de laatste twee gevallen bewegen zij tezamen met de werkstukken, waarbij een groot aantal ervan achtereenvolgens door de ionenbundel geleid en behandeld kan worden.All auxiliary electrodes can be cantilevered in the vacuum chamber or; depending on the circumstances, in special cases attached to the magnets or to the workpiece holder or to the workpieces themselves. In the latter two cases, they move together with the workpieces, a large number of which can be successively passed through the ion beam and treated.
In de tekening ziet men nog een diafragma 8 dat doeltreffend kan worden gebruikt voor het afschermen van de magneten en de huLpelec-20 troden tegen beschieting met ionen en voor het beperken van de doorsnede van de bundel tot het te behandelen oppervlak van het werkstuk.The drawing also shows a diaphragm 8 which can be used effectively to shield the magnets and the hulapelec-20 electrodes from ion bombardment and to limit the cross section of the beam to the surface of the workpiece to be treated.
De magneten 5 die het loodrecht op de inval srichting van de ionen staande magneetveld opwekken, kunnen uit ijzer zijn vervaar-25 digd of uit keramische magnetische materialen. Men dient er in elk geval voor te zorgen, dat de kant van de magneten die toegekeerd is naar de uit het meetvlak tredende stroom van secondaire electronen, voorzien is van een electrisch geleidend oppervlak, hetgeen bij uit ijzer bestaande magneten zonder meer het geval is en in andere 30 gevallen door het aanbrengen van een uit metaal bestaande bekleding 7 kan worden verkregen.The magnets 5 which generate the magnetic field perpendicular to the incident direction of the ion can be made of iron or of ceramic magnetic materials. In any case, care must be taken to ensure that the side of the magnets facing the current of secondary electrons emerging from the measuring surface has an electrically conductive surface, which is the case with iron magnets and in other cases it can be obtained by applying a metal coating 7.
Het meten van de ionenstroom met de beschreven inrichting wordt uitgevoerd door het bepalen van de algebraïsche som van de via het meetvlak en alle hulpelectroden en magneten of hun bekledingen 35 vloeiende stromen. Het meten van deze stromen kan gescheiden worden uitgevoerd aan de gescheiden stroomgeleidingen 9> maar het is eenvoudiger deze geleidingen samen te voegen en met behulp van één enkel instrument 10 de totale stroom te meten.The measurement of the ion current with the described device is performed by determining the algebraic sum of the currents flowing through the measuring plane and all auxiliary electrodes and magnets or their coatings. Measurement of these currents can be performed separately on the separate current guides 9, but it is easier to combine these guides and measure the total current using a single instrument 10.
Een bijzonder voordeel van de beschreven inrichting is hierin 40 gelegen, dat ook vreemde electronen die tezamen met de ionen gericht 800 4 0 26 -5- op het meetvlak zouden invallen, hiervan worden afgehouden doordat zij door het zich op een voldoende afstand vóór het meetvlak bevindende magneetveld - als dit sterk genoeg wordt gekozen - zodanig worden afgebogen dat zij nbch op het meetvlak, nbch op de hulpelec-5 trode, nbch op de magneten invallen en derhalve de meting niet kunnen vervalsen.A special advantage of the described device lies in the fact that foreign electrons which would incident on the measuring plane together with the ions 800 4 0 26 -5- are kept away from this because they are located at a sufficient distance in front of the measuring plane. magnetic field - if this is chosen strong enough - are deflected in such a way that they nbch on the measuring surface, nbch on the auxiliary electrode, nbch on the magnets and therefore cannot falsify the measurement.
800 4026800 4026
Claims (5)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH691979 | 1979-07-26 | ||
| CH691979 | 1979-07-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8004026A true NL8004026A (en) | 1981-01-28 |
Family
ID=4317103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8004026A NL8004026A (en) | 1979-07-26 | 1980-07-11 | DEVICE FOR MEASURING AN ION CURRENT FALLING IN VACUUM ON A MEASURING SURFACE. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3025550A1 (en) |
| FR (1) | FR2462718A1 (en) |
| GB (1) | GB2059080A (en) |
| NL (1) | NL8004026A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5113074A (en) * | 1991-01-29 | 1992-05-12 | Eaton Corporation | Ion beam potential detection probe |
| CN103176202B (en) * | 2013-04-12 | 2014-12-10 | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 | Device and method for measuring components of deuterium ion beam of deuterium-tritium neutron tube |
-
1980
- 1980-07-05 DE DE19803025550 patent/DE3025550A1/en not_active Withdrawn
- 1980-07-11 NL NL8004026A patent/NL8004026A/en not_active Application Discontinuation
- 1980-07-16 GB GB8023149A patent/GB2059080A/en not_active Withdrawn
- 1980-07-24 FR FR8016380A patent/FR2462718A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2059080A (en) | 1981-04-15 |
| FR2462718A1 (en) | 1981-02-13 |
| DE3025550A1 (en) | 1981-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4011449A (en) | Apparatus for measuring the beam current of charged particle beam | |
| Crowley | Rensselaer heavy ion beam probe diagnostic methods and techniques | |
| Cui et al. | Design and operation of a retarding field energy analyzer with variable focusing for space-charge-dominated electron beams | |
| Kurtsiefer et al. | A 2-dimensional detector with high spatial and temporal resolution for metastable rare gas atoms | |
| CN107863284B (en) | Beam current measuring device and charged particle beam irradiation apparatus | |
| NL8004026A (en) | DEVICE FOR MEASURING AN ION CURRENT FALLING IN VACUUM ON A MEASURING SURFACE. | |
| JP2014120239A (en) | Plasma measuring device and plasma measuring method | |
| Wu et al. | Emittance measurement along transport beam line for laser driven protons | |
| Consoli et al. | Study on a compact and adaptable thomson spectrometer for laser-initiated 11b (p, α) 8be reactions and low-medium energy particle detection | |
| EP1012587B1 (en) | Charged particle analysis | |
| US4992742A (en) | Charged-particle distribution measuring apparatus | |
| Alton et al. | Emittance studies of high intensity negative ion sources equipped with continuous surface cylindrical and spherical geometry tungsten ionizers | |
| Zhao et al. | Design and simulation study of ultra-fast beam bunches split for three orthogonal planes high-energy electron dynamic radiography | |
| US4625117A (en) | Multi-cell radiation detector | |
| JPH079460B2 (en) | Monitor for particle beam measurement | |
| Persaud et al. | Staging of RF-accelerating units in a MEMS-based ion accelerator | |
| Frederickson et al. | Ionization, Secondary Emission, and Comptom Currents at Gamma Irradiated Interfaces | |
| Tchórz et al. | Capabilities of Thomson parabola spectrometer in various laser-plasma-and laser-fusion-related experiments | |
| Kreisler et al. | Measurements of space charge compensation of ion beams | |
| JPH1027568A (en) | Ion implanting device | |
| Schlichting et al. | A retarding field thermal probe for combined plasma diagnostics | |
| JP7394350B2 (en) | System for characterizing a beam of charged particles and machine for producing a beam of charged particles including such a system | |
| Ganz et al. | An angle-sensitive detection system for scattered heavy ions | |
| Rojo et al. | An implantation Diamond detector as a beam monitor for an intense radioactive ion beam | |
| JP4009013B2 (en) | Ion current detection device and ion implantation device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1A | A request for search or an international-type search has been filed | ||
| BB | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |