NL8003127A - Plating screens prodn. - by applying pattern of non-conductive material to conductive substrate by vacuum deposition - Google Patents

Plating screens prodn. - by applying pattern of non-conductive material to conductive substrate by vacuum deposition Download PDF

Info

Publication number
NL8003127A
NL8003127A NL8003127A NL8003127A NL8003127A NL 8003127 A NL8003127 A NL 8003127A NL 8003127 A NL8003127 A NL 8003127A NL 8003127 A NL8003127 A NL 8003127A NL 8003127 A NL8003127 A NL 8003127A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
conductive material
substrate
electrically non
areas
layer
Prior art date
Application number
NL8003127A
Other languages
Dutch (nl)
Original Assignee
Stork Screens Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stork Screens Bv filed Critical Stork Screens Bv
Priority to NL8003127A priority Critical patent/NL8003127A/en
Publication of NL8003127A publication Critical patent/NL8003127A/en

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41C—PROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
    • B41C1/00—Forme preparation
    • B41C1/14—Forme preparation for stencil-printing or silk-screen printing
    • B41C1/142—Forme preparation for stencil-printing or silk-screen printing using a galvanic or electroless metal deposition processing step
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/12—Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Plating screens are made by applying to an electrically conductive substrate a pattern of electrically non-conductive material sepd. by areas of conductive material, the electrically non conductive material being applied by vacuum deposition. Deposition is accomplished e.g. by cathode spraying or vacuum vapourisation through a mask applied to the substrate. Pref. the electrically conductive substrate is coated with a homogeneous layer of an electrically non-conductive material such as SiO2, Al203, TiO2, PTFE, poly-p-xylene or glass, esp. a glass with the same coefft. of expansion as the substrate; a layer of a photosensitive lacquer resist is applied; the photolacquer is exposed and developed to remove the areas corresponding to the areas where electrically conductive material is required; and the areas of the homogeneous layer not covered by the photolacquer are removed, e.g. by etching. Process is muah less labour intensive and gives screens with longer working life than previous processes for making screens in which impressions were formed in the surface of the conductive substrate and filled with an electrically non-cenductive material e.g. by a lacquer technique.

Description

* ί -1-* ί -1-

805060/vdV/EB805060 / vdV / EB

Korte aanduiding: Galvanoformeermatrijs.Short designation: Galvanoforming die.

De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van galvanoformeermatrijzen door aanbrengen op een elektrisch geleidend substraat van een patroon van, door gelei-5 dend materiaal van elkaar gescheiden, gebieden van elektrisch-niet-geleidend materiaal.The invention relates to a method for manufacturing galvanoforming dies by applying to a electrically conductive substrate a pattern of regions of electrically non-conductive material separated by conductive material.

Een dergelijke werkwijze voor het vervaardigen van galvanoformeermatrijzen is bekend. Zij worden in het algemeen gevormd door in het oppervlak van het geleidende substraat verdie-10 pingen te vormen die daarna door lak- en schuurtechnieken gevuld worden met eiektrisch-niet-geleidend materiaal. De verdiepingen vormt men bijvoorbeeld door selektief etsen.Such a method for manufacturing galvanoforming dies is known. They are generally formed by forming recesses in the surface of the conductive substrate which are then filled with electroconductive material by lacquer and sanding techniques. The floors are formed, for example, by selective etching.

Deze bekende werkwijze is zeer arbeidsintensief en levert een matrijs, die een betrekkelijk korte levensduur heeft.This known method is very labor-intensive and produces a mold that has a relatively short life.

15 Dergelijke matrijzen worden namelijk op grote schaal gebruikt voor het vervaardigen van grote aantallen zeven of andere geperforeerde metalen voorwerpen, waartoe men deze matrijzen in een galvanisch bad brengt waarbij zich op het geleidend materiaal metaal afzet, in de vorm van bijvoorbeeld een zeef die men van de 20 matrijs verwijdert. Vooral tijdens het gebruik in een galvanisch bad kan de matrijs gemakkelijk beschadigd worden, daar de aansluiting tussen elektrisch-niet-geleidend materiaal en geleidend materiaal veel te wensen overlaat, waardoor metaalingroei kan optreden.Namely, such dies are widely used for the production of large numbers of sieves or other perforated metal objects, for which purpose these dies are placed in a galvanic bath, on which metal is deposited on the conductive material, in the form of, for example, a sieve which is the 20 die. Especially during use in a galvanic bath, the mold can easily be damaged, since the connection between electrically non-conductive material and conductive material leaves much to be desired, whereby metal ingrowth can occur.

25 Bovendien treden bij dergelijke matrijzen nadelen op door het verschil in warmteuitzettingsco’éffici'énten van het elektrisch geleidende materiaal en het elektrisch-niet-geleidend materiaal.Moreover, disadvantages arise with such molds due to the difference in heat expansion coefficients of the electrically conductive material and the electrically non-conductive material.

De uitvinding beoogt nu een werkwijze van het boven-30 genoemde type te verschaffen, waarbij deze nadelen niet optreden.The object of the invention is now to provide a method of the above-mentioned type, wherein these drawbacks do not occur.

Dit oogmerk wordt volgens de uitvinding bereikt doordat men de gescheiden gebieden van elektrisch-niet-geleidend materiaal aanbrengt door afzetten in vacuum.This object is achieved according to the invention by applying the separated areas of electrically non-conductive material by depositing in vacuum.

Bij toepassing van deze werkwijze verkrijgt men een 35 betere aansluiting en een betere hechting tussen elektrisch-niet-geleidend materiaal en elektrisch geleidend materiaal, waardoor de 8003127 t * -2- levensduur van de matrijs verlengd wordt, de met een dergelijke galvanoformeermatrijs gevormde zeven gedurende een zeer lange periode konstante eigenschappen bezitten en bovendien de keuze van het elektrisch-niet-geleidend materiaal veel ruimer is, waardoor men 5 de warmte-uitzettingscoëfficiënten van het elektrisch geleidende en elektrisch-niet-geleidende materiaal op elkaar kan afstemmen.When this method is used, a better connection and a better adhesion between electrically non-conductive material and electrically conductive material is obtained, whereby the 8003127 t * -2 life of the mold is extended, the screens formed with such a galvanoforming mold during have constant properties for a very long period and, moreover, the choice of the electrically non-conductive material is much broader, so that the coefficients of thermal expansion of the electrically conductive and electrically non-conductive material can be matched to one another.

Volgens een voordelige uitvoeringsvorm van de werkwijze bekleedt men, na de vorming van gebieden van elektrisch-niet-geleidend materiaal, de daartussen gelegen gebieden van gelei-10 dend materiaal met een metaal, bij voorkeur door galvanisch afzetten.According to an advantageous embodiment of the method, after the formation of regions of electrically non-conductive material, the intermediate regions of conductive material are coated with a metal, preferably by galvanic deposition.

Doelmatig wordt de bekleding met een metaallaag van de gebieden van geleidend materiaal voortgezet tot het oppervlak van de afgezette metaalbekleding in hoofdzaak één geheel vormt met 15 het oppervlak van de gebieden van elektrisch-niet-geleidend materiaal.Advantageously, the metal layer coating of the areas of conductive material is continued until the surface of the deposited metal coating is substantially integral with the surface of the areas of electrically non-conductive material.

Voor het afzetten in vacuum van de gescheiden gebieden van elektrisch-niet-geleidend materiaal kan men ofwel een los metalen masker op het elektrisch-geleidende substraat plaatsen,, 20 waarna men vervolgens de gebieden van elektrisch-niet-geleidend materiaal aanbrengt, ofwel op het substraat van het elektrisch-geleidend materiaal een fotolaklaag aanbrengen en hieruit door geschikte belichting en verwijderen van ongewenste delen een rooster vormen, waarna in een galvanisch bad een metaallaag wordt neerge-25 slagen; na verwijderen van de fotolak en een geschikte reiniging worden door afzetten in vacuum de gebieden van elektrisch-niet-geleidend materiaal gevormd.For depositing in vacuum the separated areas of electrically non-conductive material, one can either place a loose metal mask on the electrically conductive substrate, after which the areas of electrically non-conductive material are then applied, or on the apply a photoresist layer to the substrate of the electrically conductive material and form a grid therefrom by suitable exposure and removing unwanted parts, after which a metal layer is deposited in a galvanic bath; after removal of the photoresist and a suitable cleaning, the areas of electrically non-conductive material are formed by depositing in vacuum.

Het is ook mogelijk om op het elektrisch-geleidend substraat een metaallaag af te zetten en vervolgens door etsen onder 30 toepassing van een fotolak een gewenst masker te vormen uit deze metaallaag.It is also possible to deposit a metal layer on the electrically conductive substrate and then to form a desired mask from this metal layer by etching using a photoresist.

Een andere doelmatige werkwijze is gekenmerkt doordat men op een elektrisch geleidend substraat een kontinue laag van elektrisch niet-geleidend materiaal aanbrengt door afzetten in 35 vacuum, en vervolgens door etsen de gebieden van elektrisch geleidend materiaal tussen de gebieden van elektrisch-niet-geleidend materiaal vormt.Another effective method is characterized in that a continuous layer of electrically non-conductive material is applied to an electrically conductive substrate by depositing in vacuum, and then the regions of electrically conductive material are formed by etching between the regions of electrically non-conductive material. .

8003127 * 4 -3-8003127 * 4 -3-

Een bijzonder voordelige uitvoeringsvorm volgens de werkwijze is gekenmerkt doordat het elektrisch-geleidende substraat cilindervormig is, op welke cilinder men een homogene laag van een elektrisch-niet-geleidend materiaal aanbrengt en vervolgens hierop 5 een fotolaklaag die men door geschikte belichting en behandeling vormt tot een rooster, waarna men uit de kontinue laag van elek-trisch-niet-geleidend materiaal gedeelten verwijdert onder vorming van gebieden van geleidend materiaal tussen van elkaar gescheiden gebieden van elektrisch-niet-geleidend materiaal.A particularly advantageous embodiment according to the method is characterized in that the electrically conductive substrate is cylindrical, on which cylinder a homogeneous layer of an electrically non-conductive material is applied, and subsequently a photoresist layer which is formed into a film by suitable exposure and treatment. grid, and portions are removed from the continuous layer of electrically non-conductive material to form areas of conductive material between separated areas of electrically non-conductive material.

10 De uitvinding omvat tenslotte een galvanoformeerma- trijs, verkregen onder toepassing van de werkwijze volgens de uitvinding.Finally, the invention comprises a galvanoforming die obtained using the method according to the invention.

De uitvinding zal in het algemeen worden toegelicht door de tekening, waarin 15 Fig. 1 een galvanoformeermatrijs volgens de uitvin ding toont;The invention will generally be explained by the drawing, in which fig. 1 shows a galvanoforming die according to the invention;

Fig. 2a tot 2f de verschillende stappen voor het verkrijgen van een dergelijke galvanoformeermatrijs volgens fig. 1 onder toepassing van een rooster; 20 Fig. 3a tot 3e verschillende stappen voor het vormen van een galvanoformeermatrijs volgens fig. 1 verkregen door verwijdering van delen van de laag van elektrisch-niet-geleidend materiaal op een substraat;Fig. 2a to 2f show the different steps for obtaining such a galvanoforming die according to Fig. 1 using a grid; FIG. 3a to 3e different steps for forming a galvanoforming die of Fig. 1 obtained by removing parts of the layer of electrically non-conductive material on a substrate;

Fig. 4 een voorkeursuitvoeringsvorm van een galvana» 25 formeermatrijs volgens de uitvinding.Fig. 4 is a preferred embodiment of a galvana molding die according to the invention.

In fig. 1 is een galvanoformeermatrijs weergegeven, verkregen onder toepassing van de werkwijze volgens de uitvinding.Fig. 1 shows a galvanoforming die obtained using the method according to the invention.

Deze galvanoformeermatrijs bestaat uit een koperplaat 1 als geleidend substraat, waarop door kathodeverstuiving een patroon gevormd 30 is van van elkaar gescheiden gebieden 2 van elektrisch-niet-geleidend materiaal, zoals een siliciumdioxydelaag in de vorm van een kwartslaag, een aluminiumoxydelaag of een laag van een glassoort waarvan de uitzettingscoëfficiënt gelijk is aan de warmteuitzettings-coëfficiënt van het koper van de plaat 1. Vanzelfsprekend zijn de 35 elektrisch-niet-geleidende materialen niet beperkt tot de hierboven genoemde.This galvanoforming die consists of a copper plate 1 as a conductive substrate, on which a pattern is formed by sputtering of mutually separated regions 2 of electrically non-conductive material, such as a silicon dioxide layer in the form of a quartz layer, an aluminum oxide layer or a layer of a glass whose expansion coefficient is equal to the thermal expansion coefficient of the copper of the sheet 1. Obviously, the electrically non-conductive materials are not limited to those mentioned above.

De gebieden van elektrisch-niet-geleidend materiaal zijn in de gerede galvanoformeermatrijs van elkaar gescheiden door 8003127 -4- stroken 3 van een elektrisch-geleidend materiaal, bijvoorbeeld nikkel of chroom, dat langs galvanische weg afgezet is op de koperen plaat 1. Het afzetten van de metaalbekleding die de strook 3 vormt, wordt bij voorkeur voortgezet tot het bovenvlak 5 op dezelfde hoogte 5 ligt als het bovenvlak 4 van de genoemde gebieden van elektrisch-niet-geleidend materiaal.The areas of electrically non-conductive material are separated in the finished galvanoforming die by 8003127-4 strips 3 of an electrically conductive material, for example nickel or chromium, which is galvanically deposited on the copper plate 1. The deposition of the metal cladding forming the strip 3 is preferably continued until the top surface 5 is at the same height 5 as the top surface 4 of said regions of electrically non-conductive material.

In de figuren 2a· tot 2d is een bepaalde uitvoeringsvorm weergegeven van de werkwijze volgens de uitvinding. Hierbij wordt een koperen plaat 1 voorzien van een fotolaklaag 6 (fig. 2a). 10 Daarna wordt deze fotolaklaag ó belicht onder vorming van een roostervormig patroon en vervolgens de oplosbare gedeelten van de laklaag 6 verwijderd, waardoor zich in de fotolaklaag 6 verdiepingen 7 vormen die de fotolaklaaggebieden 6', 6", 6”', en 6"” van elkaar scheiden.Figures 2a to 2d show a specific embodiment of the method according to the invention. A copper plate 1 is hereby provided with a photoresist layer 6 (fig. 2a). Then this photoresist layer is exposed ó to form a grid pattern and then the soluble parts of the lacquer layer 6 are removed, whereby in the photoresist layer 6 floors 7 form which form the photoresist layer areas 6 ', 6 ", 6" "and 6" " separate.

15 Daarna wordt het geheel in een galvanisch bad gehan gen, waardoor zich in de uitsparingen 7 een metaallaag afzet die bij voorkeur uit nikkel bestaat. Na het bereiken van de gewenste hoogte van de metaalribben 8 (zie fig. 2c) wordt het geheel in een bad gedompeld ter verwijdering van de fotolaklaaggebieden 6', 6”, 20 6"’ en 6"\The whole is then suspended in a galvanic bath, whereby a metal layer which preferably consists of nickel deposits in the recesses 7. After reaching the desired height of the metal ribs 8 (see Fig. 2c), the whole is immersed in a bath to remove the photoresist areas 6 ', 6 ”, 20 6” and 6 ”.

Men verkrijgt dan een koperen plaat 1 voorzien van een rooster, gevormd door de metaalribben 8 (fig. 2d).There is then obtained a copper plate 1 provided with a grid, formed by the metal ribs 8 (fig. 2d).

Met behulp van een kathodeverstuiving wordt daarna een siliciumdioxydelaag aangebracht van 1 tot 2 micron dikte, deze 25 toestand is weergegeven in fig. 2e.A silicon dioxide layer of 1 to 2 microns thick is then applied with the aid of a cathode sputtering, this condition is shown in Fig. 2e.

Daarna worden de ribben 8 van het rooster verwijderd, en het geheel in een galvanisch bad gebracht voor vorming van de elektrisch geleidende materiaalgebieden 3 van de gerede matrijs, welke bestaan uit chroom. De afzetting van chroom wordt voortgezet 30 tot de oppervlakken van de gebieden van elektrisch-niet-geleidend materiaal in hoofdzaak samenvallen met de oppervlakken van de chroomgebieden (fig. 2f).The ribs 8 are then removed from the grid, and the whole is placed in a galvanic bath to form the electrically conductive material areas 3 of the finished mold, which consist of chromium. The deposition of chromium is continued until the surfaces of the regions of electrically non-conductive material substantially coincide with the surfaces of the chromium regions (Fig. 2f).

De matrijs is dan gereed voor vormen van nikkelzeven.The mold is then ready to form nickel screens.

In de fig. 3a tot 3f is een ander uitvoeringsvoor-35 beeld weergegeven, waarbij men door vacuum opdömpen een koperplaat voorziet van een kontinue laag 2 van siliciumdioxyde. In fig. 3b is weergegeven dat men op de kontinue laag van elektrisch-niet-geleidend materiaal 2 een fotolaklaag 6 aanbrengt, waarin men door be- 8003127 > -5- lichting fotolaklaaggebieden 6a, 6b, 6c vormt, waarna men door geschikte behandeling de niet belichte gedeelten kan verwijderen.Figures 3a to 3f show another exemplary embodiment, in which a copper plate is provided with a continuous layer 2 of silicon dioxide by vacuum evaporation. Fig. 3b shows that a photoresist layer 6 is applied to the continuous layer of electrically non-conductive material 2, in which photoresist layer areas 6a, 6b, 6c are formed by exposure, after which, by suitable treatment, the photoresist layer areas 6a, 6b, 6c are formed. remove exposed areas.

Daarna wordt in de uitsparingen 7a, 7b en 7c in de fotolaklaag 6 een etsmiddel gebracht, dat de onder de uitsparingen 5 7a tot 7c gelegen delen van de laag van elektrisch-niet-geleidend materiaal verwijdert, waardoor men op de koperlaag een patroon verkrijgt van van elkaar gescheiden gebieden van elektrisch-niet-gelei-dend materiaal 2a, 2b, 2c, 2d (fig. 3d).An etchant is then introduced into the recesses 7a, 7b and 7c in the photoresist layer 6, which removes the parts of the layer of electrically non-conductive material located under the recesses 7a to 7c, so that a pattern is obtained on the copper layer of separated areas of electrically non-conductive material 2a, 2b, 2c, 2d (Fig. 3d).

Hierna verwijdert men de nog aanwezige gedeelten 6a, 10 ób, 6c van de laklaag en vormt door galvanisch afzetten in de uitsparingen 9a, 9b, 9c een ribbe 3 van chroom.After that, the parts 6a, 10b, 6c still present are removed from the lacquer layer and a rib 3 of chromium is formed by galvanic deposition in the recesses 9a, 9b, 9c.

In fig. 4 is tenslotte een bijzondere, bij voorkeur toegepaste uitvoeringsvorm weergegeven van een galvanoformeermatrijs verkregen onder toepassing van de werkwijze volgens de uitvinding 15 in de vorm van een cilindrische galvanoformeermatrijs.Finally, fig. 4 shows a special, preferably applied embodiment of a galvanoforming die obtained using the method according to the invention in the form of a cylindrical galvanoforming die.

De uitvinding zal nu worden toegelicht aan de hand van een aantal uitvoeringsvoorbeelden.The invention will now be elucidated on the basis of a number of exemplary embodiments.

VOORBEELD IEXAMPLE I

Op een koperen plaat 1 wordt een fotolaklaag 6 aan-20 gebracht, waarin men een patroon vormt overeenkomend met de openingen van het te vervaardigen zeefmateriaal.A photoresist layer 6 is applied to a copper plate 1, in which a pattern is formed corresponding to the openings of the screen material to be manufactured.

Na geschikte behandelingen wordt de koperen plaat 1 met daarop de nog aanwezige fotolaklaaggebieden in een galvanisch nikkelbad gebracht, waardoor een zeer dunne laag nikkel van 1 tot 5 25 micron op het oppervlak neerslaat. Dit nikkelneerslag fungeert als masker voor de volgende bewerkingen.After suitable treatments, the copper plate 1 with the photoresist coating areas still present thereon is placed in a galvanic nickel bath, whereby a very thin layer of nickel of 1 to 5 microns deposits on the surface. This nickel deposit acts as a mask for the following operations.

Het bestaande fotolakpatroon wordt door behandelen met een geschikt oplosmiddel verwijderd, vervolgens de plaat met het daarop neergeslagen nikkelmasker 8 aan een voor afzetting in 30 vacuum noodzakelijke voorbehandeling onderworpen en vervolgens in een RF magnetron kathode verstuivingsapparaat een 1 tot 5 micron dikke kwartslaag opgebracht. Voor een beschrijving van kathode ver-stuivingsprocessen zie: L Maissel/R. Glang, Handb. of Thinfilm Technology, Mc GrawHill 1970.The existing photoresist pattern is removed by treatment with a suitable solvent, then the plate with the nickel mask 8 deposited thereon is subjected to a pretreatment necessary for deposition in vacuum, and then a 1 to 5 micron thick quartz layer is applied in an RF magnetron cathode sputtering apparatus. For a description of cathode sputtering processes see: L Maissel / R. Glang, Handb. of Thinfilm Technology, Mc GrawHill 1970.

35 Na deze afzetting van het kwarts- of siliciumdioxyde wordt het nikkelmasker 8 verwijderd, het geheel in een chroombad opgehangen en een chroomlaag aangebracht waardoor de ribben 3 ont- 800 3 1 27 f 1 -6- staan. Deze ribben 3 scheiden de gebieden van elektrisch-niet-gelei-dend materiaal 2.After this deposition of the quartz or silicon dioxide, the nickel mask 8 is removed, the whole is suspended in a chrome bath and a chrome layer is applied, whereby the ribs 3 are released. These ribs 3 separate the areas of electrically non-conductive material 2.

De matrijs is nu voor gebruik gereed en kan dienen voor het galvanisch vervaardigen van nikkelzeven door ophangen in 5 een nikkelbad.The mold is now ready for use and can serve for the electroplating of nickel sieves by suspension in a nickel bath.

VOORBEELD IIEXAMPLE II

Men herhaalt voorbeeld I, doch gaat uit van een cilinder. Hierbij wordt tijdens het aanbrengen van de 1 tot 2 micron dikke kwartslaag door middel van kathodeverstuiving de cilindervor-10 mige koperplaat om zijn lengteas geroteerd.Example I is repeated, but starts from a cylinder. During the application of the 1 to 2 micron thick quartz layer, the cylindrical copper plate is rotated about its longitudinal axis by means of cathode sputtering.

VOORBEELD IIIEXAMPLE III

Men vervaardigt in een afzonderlijke werkwijze een dunne nikkelen cilinderzeef met een binnendiameter, gelijk aan de buitendiameter van een koperen cilindervormig substraat 1. Door 15 sterk afkoelen van het substraat, bijvoorbeeld in vast koolzuur-acetonmengsel, neemt de diameter daarvan zodanig af, dat de dunne cilinderzeef om het koperen cilindervormig substraat geschoven kan worden.A thin nickel cylinder screen with an inner diameter equal to the outer diameter of a copper cylindrical substrate 1 is produced in a separate process. By strongly cooling the substrate, for example in solid carbonic acid-acetone mixture, the diameter thereof decreases such that the thin cylinder screen can be slid around the copper cylindrical substrate.

Na de vereiste voorbewerkingen kan door kathode-20 verstuiving een kwartslaag worden opgebracht als in voorbeeld II, onder toepassing van de in voorbeeld I beschreven bewerkingen. VOORBEELD IVAfter the required pre-treatments, a quartz layer can be applied by cathode sputtering as in Example II, using the procedures described in Example I. EXAMPLE IV

Op een koperen substraat wordt door kathodeverstuiving een homogene kwartslaag 2 aangebracht, die vervolgens voorzien 25 wordt van een fotolaklaagpatroon 6 van een vorm, overeenkomend met het patroon 2 van de gebieden van e^ejdrrisch-niet-geleidend materiaal. Daarna etst men met fluorwaterstof', waardoor de siliciumdioxydelaag wordt verwijderd in die gebieden waar zich geen etsbestendige fotolaklaagpatroon 6 bevindt. Na het etsen wordt de etsbestendige foto-30 laklaag verwijderd en vervolgens in een chroombad een chroomlaag neergeslagen ter dikte van de kwartslaag. Men verkrijgt dan een galvanoformeermatrijs als weergegeven in fig. 1.A homogeneous quartz layer 2 is applied to a copper substrate by cathodic sputtering, which is then provided with a photoresist layer pattern 6 of a shape, corresponding to the pattern 2 of the regions of a non-conductive material. Etching is then performed with hydrofluoric acid to remove the silicon dioxide layer in those areas where there is no etching-resistant photoresist pattern 6. After etching, the etch-resistant photoresist layer is removed and then a chrome layer is deposited in a chrome bath to the thickness of the quartz layer. A galvanoforming die as shown in Fig. 1 is then obtained.

VOORBEELD VEXAMPLE V

Men herhaalt voorbeeld II, doch in plaats van 35 siliciumdioxyde als elektrisch-niet-geleidend materiaal zet men een glassoort af, waarvan de warmteuitzettingscoëfficiënt gelijk is aan de warmteuitzettingscoëfficiënt van het koperen substraat.Example II is repeated, but instead of silicon dioxide as an electrically non-conductive material, a glass is deposited whose coefficient of thermal expansion is equal to the coefficient of thermal expansion of the copper substrate.

De verdere bewerkingen zijn dezelfde als in de voor- 8003127 -7- τ Λ gaande voorbeelden.The further operations are the same as in the preceding 8003127 -7- τ Λ.

VOORBEELD VIEXAMPLE VI

Men herhaalt voorbeeld II, doch brengt door kathode-verstuiven een aluminiumlaag aan in een zuurstofhoudende atmosfeer.Example II is repeated, but an aluminum layer is applied by cathode sputtering in an oxygen-containing atmosphere.

5 Hierdoor ontstaan aluminiumoxydegebieden die als niet-elektrisch-geleidende gebieden dienst doen.5 This creates alumina regions that serve as non-electrically conductive regions.

De verdere bewerkingen zijn dezelfde als in voorbeeld I en II beschreven.The further operations are the same as described in Examples I and II.

VOORBEELD VIIEXAMPLE VII

10 Men herhaalt voorbeeld II, doch brengt nu door vacuumopdampen aluminium op. Door nabehandelen in een zuurstof-atmosfeer verkrijgt men elektrisch-niet-geleidende gebieden van aluminiumoxyde.Example II is repeated, but now aluminum is applied by vacuum evaporation. After-treatment in an oxygen atmosphere gives electrically non-conductive areas of aluminum oxide.

VOORBEELD VIIIEXAMPLE VIII

15 Men herhaalt voorbeeld II en brengt door vacuumop dampen een aluminiumlaag op die men door natte anodisatie omzet in aluminiumoxyde.Example 2 is repeated and an aluminum layer is applied by vacuum evaporation, which is converted into aluminum oxide by wet anodization.

In plaats van aluminiumoxyde of siliciumdioxyde als elektrisch-niet-geleidende materialen kunnen ook gebruikt worden 20 andere oxyden, zoals titaandioxyde en kunststoffen zoals teflon, polyparaxylyleen en dergelijke.Instead of aluminum oxide or silicon dioxide as electrically non-conductive materials, other oxides can also be used, such as titanium dioxide and plastics such as Teflon, polyparaxylylene and the like.

8003 1 278003 1 27

Claims (15)

1. Werkwijze voor het vervaardigen van galvanoformeer-matrijzen door aanbrengen op een elektrisch-geleidend substraat van een patroon van, door geleidend materiaal van elkaar geschei- 5 den, gebieden van elektrisch-niet-geleidend materiaal, met het kenmerk, dat men de gescheiden gebieden van elek- trisch-niet-geleidend materiaal aanbrengt door afzetten in vacuum. volgens conclusie 11. A method for the production of galvanoforming dies by applying to an electrically conductive substrate a pattern of regions of electrically non-conductive material separated by conductive material, characterized in that the separated areas of electrically non-conductive material by depositing in vacuum. according to claim 1 2. Werkwijze/im e t het kenmerk, dat het afzetten in vacuum geschiedt door middel van kathodeverstuiving. volgens conclusie 12. Method / characteristic, that the deposition in vacuum takes place by means of sputtering. according to claim 1 3. Werkwijze/m et het kenmerk, dat het afzetten in vacuum geschiedt door middel van vacuum opdampen.3. Method / characterized in that the deposition in vacuum takes place by means of vacuum evaporation. 4. Werkwijze volgens conclusie )/, m° e t het ken merk, dat men voor het afzetten van elektrisch-niet-geleidend materiaal op het substraat een masker aanbrengt.4. A method as claimed in claim 1, characterized in that a mask is applied to the substrate for depositing electrically non-conductive material. 5. Werkwijze volgens conclusie 4, met het ken merk, dat het masker een metalen masker is. ó. Werkwijze volgens conclusies 4 of 5, met het kenmerk, dat het masker afzonderlijk vervaardigd is en tijdens de afzetting in dichte aanraking met het substraat wordt 20 gehouden.Method according to claim 4, characterized in that the mask is a metal mask. O. Method according to claims 4 or 5, characterized in that the mask is manufactured separately and is kept in close contact with the substrate during deposition. 7. Werkwijze volgens conclusies 4-6, met het kenmerk, dat het masker op het substraat oppervlak wordt gevormd door aanbrengen van een fotolak, verwijderen van de fotolak in de met de maskerribben overeenkomende gedeelten van het 25 substraat en vervolgens, bij voorkeur galvanisch, een metaalbekle-ding afzet.7. A method according to claims 4-6, characterized in that the mask is formed on the substrate surface by applying a photoresist, removing the photoresist in the parts of the substrate corresponding to the mask ribs and then, preferably galvanically, a metal cladding deposit. 8. Werkwijze volgens conclusie 1 tot 3, m e t het kenmerk, dat men op het substraat een homogene metaallaag neerslaat, vervolgens op deze metaallaag een fotolak afzet, gedeel- 30 ten van de fotolaklaag verwijdert in de gebieden die bedekt moeten worden met elektrisch-niet-geleidend materiaal en vervolgens in de niet door fotolaklaag bedekte gebieden de gevormde homogene metaallaag verwijdert bij voorkeur door etsing. 800 3 1 27 -9- t8. A method according to claims 1 to 3, characterized in that a homogeneous metal layer is deposited on the substrate, then a photoresist is deposited on this metal layer, parts of the photoresist layer is removed in the areas to be covered with electric-staple conductive material and then in the areas not covered by a photoresist layer, removes the formed homogeneous metal layer, preferably by etching. 800 3 1 27 -9- t 9. Werkwijze volgens conclusies 1 tot 3, m e t het kenmerk, dat men op het elektrisch-geleidende substraat een homogene laag aanbrengt van een elektrisch niet-geleidend materiaal, vervolgens daarop een fotolaklaag aanbrengt, de fotolaklaag ver- 5 wijdert in de gebieden welke overeenkomen met de gewenste gebieden van elektrisch-geleidend materiaal en vervolgens de niet met fotolaklaag bedekte delen van de homogene laag verwijdert, bij voorkeur door etsen.Method according to claims 1 to 3, characterized in that a homogeneous layer of an electrically non-conductive material is applied to the electrically conductive substrate, then a photoresist layer is applied thereto, the photoresist layer is removed in the areas corresponding to with the desired areas of electrically conductive material and then removing the non-photoresist parts of the homogeneous layer, preferably by etching. 10. Werkwijze volgens conclusies 1 tot 3, m e t het 10 k e n m e r k, dat het tijdens de afzetting van de gebieden van elektrisch-niet-geleidend materiaal aanwezige masker verwijderd wordt.10. Method according to claims 1 to 3, characterized in that the mask present during the deposition of the areas of electrically non-conductive material is removed. 11. Werkwijze volgens conclusie 10, m e t het kenmerk, dat de niet met niet-geleidend materiaal beklede delen 15 bekleed worden met een metaalneerslag, bij voorkeur langs galvanische weg, tot de gevormde metaallaag een oppervlak bezit dat in hoofdzaak samenvalt met het oppervlak van niet-geleidend materiaal.11. A method according to claim 10, characterized in that the non-conductive material-coated parts 15 are coated with a metal deposit, preferably galvanically, until the formed metal layer has a surface which substantially coincides with the surface of non -conductive material. 12. Werkwijze volgens conclusie 11, methet kenmerk, dat de metaallaag chroom of nikkel is.A method according to claim 11, characterized in that the metal layer is chromium or nickel. 13. Werkwijze volgens één of meer der voorgaande con clusies, met het kenmerk, dat het elektrisch-niet-geleidend materiaal bestaat uit metaaloxyden of kunststoffen, zoals siliciumdioxyde, aluminiumtrioxyde, titaandioxyde of teflon, polyparaxylyleen of glassoorten, in het bijzonder glassoorten welke 25 dezelfde uitzettingscoëffici'ént bezitten ais het substraat.13. Method according to one or more of the preceding claims, characterized in that the electrically non-conductive material consists of metal oxides or plastics, such as silicon dioxide, aluminum trioxide, titanium dioxide or teflon, polyparaxylylene or glasses, in particular glasses which have the same expansion coefficient possess as the substrate. 14. Werkwijze volgens één of meer der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat het afzetten van de gebieden van elektrisch-niet-geleidend materiaal geschiedt in aanwezigheid van reaktieve gassen, of gevolgd wordt door behandeling met 30 reaktieve gassen of vloeistoffen, teneinde het afgezette materiaal om te zetten in een elektrisch-niet-geleidend materiaal.14. Method according to one or more of the preceding claims, characterized in that the deposition of the regions of electrically non-conductive material takes place in the presence of reactive gases, or is followed by treatment with reactive gases or liquids, in order to convert material into an electrically non-conductive material. 15. Werkwijze volgens één of meer der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat het substraat cilindervormig is, welke cilinder tijdens de afzetting om zijn lengteas wordt 35 geroteerd. 800 3 1 27 i -10-15. Method according to one or more of the preceding claims, characterized in that the substrate is cylindrical, which cylinder is rotated about its longitudinal axis during deposition. 800 3 1 27 i -10- 16. Galvanoformeermatrijs verkregen onder toepassing van de werkwijze volgens conclusies 1 - 15. 800312716. Galvanoforming die obtained using the method according to claims 1-15, 8003127
NL8003127A 1980-05-29 1980-05-29 Plating screens prodn. - by applying pattern of non-conductive material to conductive substrate by vacuum deposition NL8003127A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8003127A NL8003127A (en) 1980-05-29 1980-05-29 Plating screens prodn. - by applying pattern of non-conductive material to conductive substrate by vacuum deposition

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8003127A NL8003127A (en) 1980-05-29 1980-05-29 Plating screens prodn. - by applying pattern of non-conductive material to conductive substrate by vacuum deposition
NL8003127 1980-05-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8003127A true NL8003127A (en) 1982-01-04

Family

ID=19835379

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8003127A NL8003127A (en) 1980-05-29 1980-05-29 Plating screens prodn. - by applying pattern of non-conductive material to conductive substrate by vacuum deposition

Country Status (1)

Country Link
NL (1) NL8003127A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0385961A1 (en) * 1989-01-31 1990-09-05 CENTRE DE RECHERCHES METALLURGIQUES CENTRUM VOOR RESEARCH IN DE METALLURGIE Association sans but lucratif Process and apparatus for manufacturing thin perforated foils by electroforming

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0385961A1 (en) * 1989-01-31 1990-09-05 CENTRE DE RECHERCHES METALLURGIQUES CENTRUM VOOR RESEARCH IN DE METALLURGIE Association sans but lucratif Process and apparatus for manufacturing thin perforated foils by electroforming

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4773971A (en) Thin film mandrel
US4224361A (en) High temperature lift-off technique
US3878061A (en) Master matrix for making multiple copies
US4869714A (en) Luminal surface fabrication for cardiovascular prostheses
CA1268728A (en) Photoelectroforming mandrel
NL8003127A (en) Plating screens prodn. - by applying pattern of non-conductive material to conductive substrate by vacuum deposition
DE2634412A1 (en) LITHOGRAPHIC PRINTING PLATE
US2225734A (en) Electrolytic method of making screens
US3485665A (en) Selective chemical deposition of thin-film interconnections and contacts
US2230868A (en) Method of manufacturing reticulated metal sheets
JP4315717B2 (en) Metal mold and manufacturing method thereof, anodized porous alumina and manufacturing method thereof
US4762595A (en) Electroforming elements
US3764485A (en) Method of making and using electroplating matrix
US3607476A (en) Method of manufacturing thin film circuits
US3518130A (en) Method of making conductive circuit patterns by intaglio process
JP3400535B2 (en) Master for electrodeposition transfer and method for producing the same
US3729388A (en) Method of preparing at least one conductive form
JPH034634B2 (en)
GB2243618A (en) Electroforming mandrel; making continuously electroformed thickness modulated or perforated metal foil
JP6038748B2 (en) Manufacturing method of metal parts
JPS6366917B2 (en)
US3647642A (en) Method of making mirror-like finishes on metal masters
JPS63112841A (en) Production of stamper for optical disk
JP2006518808A (en) Stencil manufacturing method
JPH08512170A (en) Method for photolithographically metallizing at least the inside of holes arranged according to a pattern in a plate of electronically insulating material

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed