|
NL255517A
(US08124317-20120228-C00026.png)
*
|
1959-09-04 |
|
|
|
|
GB1053866A
(US08124317-20120228-C00026.png)
*
|
1964-08-05 |
|
|
|
|
US3479182A
(en)
*
|
1965-05-12 |
1969-11-18 |
Simon L Chu |
Lithographic plates
|
|
GB1113759A
(en)
*
|
1965-12-17 |
1968-05-15 |
Fuji Photo Film Co Ltd |
Lithographic printing plates
|
|
US3647443A
(en)
*
|
1969-09-12 |
1972-03-07 |
Eastman Kodak Co |
Light-sensitive quinone diazide polymers and polymer compositions
|
|
US3920455A
(en)
*
|
1971-05-28 |
1975-11-18 |
Polychrome Corp |
Light-sensitive compositions and materials with O-naphthoquinone diazide sulfonyl esters
|
|
US4005437A
(en)
*
|
1975-04-18 |
1977-01-25 |
Rca Corporation |
Method of recording information in which the electron beam sensitive material contains 4,4'-bis(3-diazo-3-4-oxo-1-naphthalene sulfonyloxy)benzil
|
|
US4174222A
(en)
*
|
1975-05-24 |
1979-11-13 |
Tokyo Ohka Kogyo Kabushiki Kaisha |
Positive-type O-quinone diazide containing photoresist compositions
|
|
DE2742631A1
(de)
*
|
1977-09-22 |
1979-04-05 |
Hoechst Ag |
Lichtempfindliche kopiermasse
|
|
DE3039926A1
(de)
*
|
1980-10-23 |
1982-05-27 |
Hoechst Ag, 6000 Frankfurt |
Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung einer druckform aus dem kopiermaterial
|
|
DE3107109A1
(de)
*
|
1981-02-26 |
1982-09-09 |
Hoechst Ag, 6000 Frankfurt |
Lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes kopiermaterial
|
|
US4377631A
(en)
*
|
1981-06-22 |
1983-03-22 |
Philip A. Hunt Chemical Corporation |
Positive novolak photoresist compositions
|
|
US4587196A
(en)
*
|
1981-06-22 |
1986-05-06 |
Philip A. Hunt Chemical Corporation |
Positive photoresist with cresol-formaldehyde novolak resin and photosensitive naphthoquinone diazide
|
|
US4529682A
(en)
*
|
1981-06-22 |
1985-07-16 |
Philip A. Hunt Chemical Corporation |
Positive photoresist composition with cresol-formaldehyde novolak resins
|
|
US4622283A
(en)
*
|
1983-10-07 |
1986-11-11 |
J. T. Baker Chemical Company |
Deep ultra-violet lithographic resist composition and process of using
|
|
IT1169682B
(it)
*
|
1983-11-08 |
1987-06-03 |
I M G Ind Materiali Grafici Sp |
Composizione per fotoriproduzioni
|
|
US4624908A
(en)
*
|
1985-04-15 |
1986-11-25 |
J. T. Baker Chemical Company |
Deep ultra-violet lithographic resist composition and process of using
|
|
DE3629122A1
(de)
*
|
1986-08-27 |
1988-03-10 |
Hoechst Ag |
Verfahren zur herstellung eines o-naphthochinondiazidsulfonsaeureesters und diesen enthaltendes lichtempfindliches gemisch
|
|
DE3635303A1
(de)
|
1986-10-17 |
1988-04-28 |
Hoechst Ag |
Verfahren zur abtragenden modifizierung von mehrstufig aufgerauhten traegermaterialien aus aluminium oder dessen legierungen und deren verwendung bei der herstellung von offsetdruckplatten
|
|
JP2560266B2
(ja)
*
|
1987-03-25 |
1996-12-04 |
日本合成ゴム株式会社 |
感放射線性樹脂組成物
|
|
DE3718416A1
(de)
*
|
1987-06-02 |
1988-12-15 |
Hoechst Ag |
Lichtempfindliches gemisch auf basis von 1,2-naphthochinondiaziden, daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial und dessen verwendung
|
|
DE3729035A1
(de)
*
|
1987-08-31 |
1989-03-09 |
Hoechst Ag |
Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes photolithographisches aufzeichnungsmaterial
|
|
DE4134526A1
(de)
*
|
1990-10-18 |
1992-05-14 |
Toyo Gosei Kogyo Kk |
Positive photoresist-zusammensetzung und mustererzeugungsverfahren unter verwendung dieser zusammensetzung
|
|
US5362599A
(en)
*
|
1991-11-14 |
1994-11-08 |
International Business Machines Corporations |
Fast diazoquinone positive resists comprising mixed esters of 4-sulfonate and 5-sulfonate compounds
|
|
GB9326150D0
(en)
*
|
1993-12-22 |
1994-02-23 |
Alcan Int Ltd |
Electrochemical roughening method
|
|
JP3278306B2
(ja)
|
1994-10-31 |
2002-04-30 |
富士写真フイルム株式会社 |
ポジ型フォトレジスト組成物
|
|
JP2007246417A
(ja)
|
2006-03-14 |
2007-09-27 |
Canon Inc |
感光性シランカップリング剤、表面修飾方法、パターン形成方法およびデバイスの製造方法
|
