NL1031985C2 - Method for manufacturing device for supporting substrate during semiconductor manufacture, involves forming surface roughness on upper surface of plate by electromagnetic radiation without disturbing initial flat surface of plate - Google Patents
Method for manufacturing device for supporting substrate during semiconductor manufacture, involves forming surface roughness on upper surface of plate by electromagnetic radiation without disturbing initial flat surface of plate Download PDFInfo
- Publication number
- NL1031985C2 NL1031985C2 NL1031985A NL1031985A NL1031985C2 NL 1031985 C2 NL1031985 C2 NL 1031985C2 NL 1031985 A NL1031985 A NL 1031985A NL 1031985 A NL1031985 A NL 1031985A NL 1031985 C2 NL1031985 C2 NL 1031985C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- electromagnetic radiation
- substrate
- surface roughness
- plate
- texture
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
Korte aanduiding: Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting voor het ondersteunen van een substraat tijdens de vervaardiging van halfgeleider-componenten alsmede een dergelijke inrichting.Brief description: Method for manufacturing a device for supporting a substrate during the manufacture of semiconductor components as well as such a device.
5 BESCHRIJVING5 DESCRIPTION
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting voor het ondersteunen van een substraat tijdens de vervaardiging van halfgeleider-componenten, welke inrichting een hoofdzakelijk vlakke plaat omvat met een bovenvlak, waarop het substraat positioneerbaar is en 10 waarbij althans het deel van het bovenvlak waarop het substraat positioneerbaar is een oppervlakte-ruwheid bezit.The invention relates to a method for manufacturing a device for supporting a substrate during the manufacture of semiconductor components, which device comprises a substantially flat plate with an upper surface on which the substrate can be positioned and wherein at least the part of the upper surface on which the substrate can be positioned has a surface roughness.
De uitvinding heeft ook betrekking op een inrichting vervaardigd volgens de werkwijze overeenkomstig de uitvinding, welke inrichting is ingericht voor het ondersteunen van een substraat tijdens de vervaardiging van 15 halfgeleidercomponenten omvattende een hoofdzakelijk vlakke plaat met een bovenvlak, waarop het substraat positioneerbaar is en waarbij althans het deel van het bovenvlak waarop het substraat positioneerbaar is voorzien is van een oppervlakte-ruwheid.The invention also relates to a device manufactured according to the method according to the invention, which device is adapted to support a substrate during the manufacture of semiconductor components comprising a substantially flat plate with an upper surface on which the substrate can be positioned and wherein at least the part of the upper surface on which the substrate can be positioned is provided with a surface roughness.
Een dergelijke inrichting wordt bijvoorbeeld geopenbaard in de 20 Europese octrooipublicatie nr. 1638135. Dergelijke inrichtingen of substraathouders worden gebruikt voor het ondersteunen van halfgeleidersubstraten, welke substraten opeenvolgend verschillende bewerkingsstappen ondergaan voor het vervaardigen van halfgeleidercomponenten. Tijdens deze fabricage van geïntegreerde halfgeleiderschakelingen ondergaat het substraat opeenvolgende 25 bewerkingsstappen, waaronder een aantal warmtebehandelingen bij al dan niet verschillende temperaturen, waarbij verschillende halfgeleidermaterialen laagsgewijs door middel van neerslaan (of gloei- en etsprocessen) op het substraat worden gedeponeerd of opgedampt.Such a device is disclosed, for example, in European Patent Publication No. 1638135. Such devices or substrate holders are used to support semiconductor substrates, which substrates successively undergo different processing steps for manufacturing semiconductor components. During this manufacture of integrated semiconductor circuits, the substrate undergoes successive processing steps, including a number of heat treatments at different or different temperatures, different semiconductor materials being deposited or deposited on the substrate layer by layer (or annealing and etching processes).
Aan het fabricageproces van halfgeleidercomponenten alsook aan 30 de toegepaste apparatuur, waaronder een inrichting volgens bovengenoemde aanhef, worden hoge eisen gesteld qua nauwkeurigheid, kwaliteit en zuiverheid. Allerlei verontreinigingen in het fabricageproces kan het substraat vervuilen, hetgeen tot een ongewenst uitvalpercentage leidt.The manufacturing process of semiconductor components as well as the equipment used, including a device according to the preamble above, are subject to high requirements in terms of accuracy, quality and purity. All kinds of contaminants in the manufacturing process can contaminate the substrate, which leads to an undesired failure rate.
Om een goede positionering van het substraat op de inrichting 1031985 2 tijdens de opeenvolgende bewerkingsstappen te garanderen en een verschuiving van het substraat ten opzichte van de inrichting te voorkomen, wordt in de Europese octrooipublicatie nr. 1638135 voorgesteld althans het deel van het oppervlak van de inrichting, waarop het substraat positioneerbaar is, te voorzien van een oppervlakte-5 ruwheid.To ensure proper positioning of the substrate on the device 1031985 2 during the successive processing steps and to prevent a shift of the substrate relative to the device, European patent publication No. 1638135 proposes at least the part of the surface of the device on which the substrate can be positioned, provided with a surface roughness.
Hierbij wordt de oppervlakte-ruwheid door middel van een mechanische bewerking van het bovenvlak van de inrichting aangebracht, zoals zandstralen, borstelen, schuren, polijsten, etc. Eventueel kan de oppervlakte-ruwheid door middel van een chemische bewerking in het bovenvlak worden 10 aangebracht, bijvoorbeeld door middel van het aanbrengen van een ruwe filmlaag of door middel van een zuurstof- dan wel etsbehandeling.The surface roughness is hereby applied by means of a mechanical treatment of the upper surface of the device, such as sandblasting, brushing, sanding, polishing, etc. Optionally, the surface roughness can be applied to the upper surface by means of a chemical treatment, for example by applying a rough film layer or by means of an oxygen or etching treatment.
Zowel de mechanische als chemische wijze voor het aanbrengen van een oppervlakte-ruwheid in het oppervlak van het bovenvlak van de inrichting resulteert in vervuiling c.q. verontreinigingen, welke al dan niet opgesloten zijn in de 15 door deze bewerkingen mogelijk aangebrachte oppervlaktebeschadigingen (“subsurface damage”). Deze opgesloten verontreinigingen kunnen in een later stadium van het oppervlak los raken en zodoende, of door middel van diffusie, producten in bovengenoemde fabricagestappen vervuilen, hetgeen resulteert in uitval.Both the mechanical and chemical manner for applying a surface roughness in the surface of the upper surface of the device results in contamination or contamination, which may or may not be enclosed in the surface damage possibly caused by these operations ("subsurface damage"). . These trapped contaminants can come loose from the surface at a later stage and thus contaminate, or by means of diffusion, products in the above-mentioned manufacturing steps, which results in failure.
20 De uitvinding beoogt voorgenoemde nadelen te ondervangen en hiertoe wordt de werkwijze gekenmerkt, doordat de oppervlakte-ruwheid met behulp van elektro-magnetische straling op het bovenvlak wordt aangebracht.The invention has for its object to obviate the aforementioned disadvantages and for this purpose the method is characterized in that the surface roughness is applied to the upper surface by means of electromagnetic radiation.
Met deze werkwijzetechniek overeenkomstig de uitvinding wordt een contactloze bewerking van het bovenvlak van de inrichting gerealiseerd en 25 worden geen verontreinigingen ingébracht die later van de inrichting los kunnen raken en het fabricageproces van de halfgeleidercomponenten op het substraat nadelig kunnen beïnvloeden. Daarnaast wordt - anders dan bij de hierboven beschreven bewerkingstechnieken uit EP-1638135 - de inrichting door de contactloze bewerking niet vervormd, waardoor hogere nauwkeurigheden kunnen worden 30 bereikt.With this method technique according to the invention, contactless machining of the upper surface of the device is realized and no contaminants are introduced which can later become detached from the device and can adversely affect the manufacturing process of the semiconductor components on the substrate. In addition - unlike the processing techniques described in EP 1638135 described above - the device is not distorted by the non-contact processing, whereby higher accuracy can be achieved.
Volgens een verbijzondering van de werkwijze overeenkomstig de uitvinding wordt de oppervlakte-ruwheid in de vorm van een textuur in het bovenvlak aangebracht.According to a specialization of the method according to the invention, the surface roughness is applied to the upper surface in the form of a texture.
Proefondervindelijk is gebleken dat het de voorkeur verdient dat 3 overeenkomstig een verdere werkwijze-stap de elektro-magnetische straling een golflengte bezit tussen 10 nm en 1000 nm.It has been found experimentally that, according to a further method step, it is preferable for the electromagnetic radiation to have a wavelength between 10 nm and 1000 nm.
Meer specifiek dient de elektro-magnetische straling gepulste elektro-magnetische straling te zijn.More specifically, the electromagnetic radiation must be pulsed electromagnetic radiation.
5 Daarbij verdient het de voorkeur dat de elektro-magnetische straling een pulsfrequentie bezit tussen 1 nsec en 1 msec, terwijl voorts proefondervindelijk is gebleken dat elektro-magnetische straling met een pulsduur tussen 1 nsec en 1 msec kwalitatief het effectiefst is.It is thereby preferred that the electromagnetic radiation has a pulse frequency between 1 nsec and 1 msec, while it has furthermore been found experimentally that electromagnetic radiation with a pulse duration between 1 nsec and 1 msec is qualitatively the most effective.
Het gebruik van gepulste elektro-magnetische straling, en in het 10 bijzonder gepulste elektro-magnetische straling met de hierboven voorgestelde pulsfrequentie en pulsduur, kan de warmte-toevoer naar het materiaal van het bovenvlak van de inrichting beter worden beheerst en meer specifiek worden geminimaliseerd zodat enkel ter plaatse van de invallende elektromagnetische straling materiaal wordt weggenomen terwijl het omliggende materiaal van het 15 bovenvlak van de inrichting niet nadelig wordt aangetast. Op deze wijze kan op een reproduceerbare wijze een textuur in het bovenvlak van de inrichting worden aangebracht, die zodoende de oppervlakteruwheid bepaalt.The use of pulsed electromagnetic radiation, and in particular pulsed electromagnetic radiation with the pulse frequency and pulse duration proposed above, can better control the heat supply to the material of the device surface and be more specifically minimized so that material is only removed at the location of the incident electromagnetic radiation, while the surrounding material of the upper surface of the device is not adversely affected. In this way, a texture can be applied in a reproducible manner to the upper surface of the device, which thus determines the surface roughness.
De elektro-magnetische straling kan daarbij door een laser worden uitgezonden.The electromagnetic radiation can thereby be emitted by a laser.
20 De inrichting overeenkomstig de uitvinding wordt gekenmerkt, doordat voor het aanbrengen van de oppervlakte-ruwheid aan het bovenvlak, het bovenvlak is behandeld met elektro-magnetische straling.The device according to the invention is characterized in that before applying the surface roughness to the upper surface, the upper surface is treated with electromagnetic radiation.
Meer specifiek is bij een specifieke uitvoeringsvorm de oppervlakteruwheid in de vorm van een textuur in het bovenvlak aangebracht.More specifically, in a specific embodiment, the surface roughness is arranged in the form of a texture in the upper surface.
25 Bij een eerste functionele uitvoeringsvorm hiervan is de textuur als regelmatig verdeelde en in het bovenvlak aangebrachte putjes opgebouwd, terwijl bij een andere uitvoeringsvorm de textuur als één of meer groeven in het bovenvlak is opgebouwd.In a first functional embodiment thereof, the texture is constructed as pits distributed regularly and arranged in the upper surface, while in another embodiment the texture is constructed as one or more grooves in the upper surface.
Bij een andere functionele uitvoeringsvorm is de inrichting 30 overeenkomstig de uitvinding als een schijf c.q. een ring vervaardigd.In another functional embodiment, the device 30 according to the invention is manufactured as a disc or a ring.
Teneinde beschadigingen aan het substraat te voorkomen als gevolg van de veelal scherp gevormde omtreksranden van de inrichting, waarop het substraat afsteunt, zijn overeenkomstig de uitvinding deze omtreksranden door de elektro-magnetische straling afgerond.In order to prevent damage to the substrate as a result of the often sharply formed peripheral edges of the device on which the substrate is supported, according to the invention, these peripheral edges are rounded off by the electromagnetic radiation.
44
Meer specifiek is de inrichting van de inrichting van één of meer van de volgende materialen vervaardigd: silicium, kwarts, aluminiumoxide, siliciumnitride, aluminiumnitride, grafiet, siliciumcarbide, dan wel composieten bestaande uit combinaties van SiC en silicium en/of grafiet.More specifically, the device of the device is made of one or more of the following materials: silicon, quartz, aluminum oxide, silicon nitride, aluminum nitride, graphite, silicon carbide, or composites consisting of combinations of SiC and silicon and / or graphite.
5 De uitvinding zal nu aan de hand van een tekening nader worden toegelicht, welke tekening toont in:The invention will now be explained in more detail with reference to a drawing, which drawing shows in:
Figuur 1 een foto van een uitvergroot detailoppervlak van een inrichting overeenkomstig de uitvinding;Figure 1 shows a photograph of an enlarged detail surface of a device according to the invention;
Figuur 2 een aanzicht van een detaildwarsdoorsnede van de in 10 figuur 1 getoonde inrichting overeenkomstig de uitvinding;Figure 2 is a cross-sectional view of the device according to the invention shown in Figure 1;
Figuur 3 een foto van een detailoppervlak van een andere uitvoeringsvorm van een inrichting overeenkomstig de uitvinding;Figure 3 shows a photograph of a detail surface of another embodiment of a device according to the invention;
Figuren 4a en 4b specifieke uitvoeringsvormen van een inrichting volgens de uitvinding.Figures 4a and 4b are specific embodiments of a device according to the invention.
15 Voor een beter begrip van de uitvinding zal in de navolgende figuurbeschrijving de identieke onderdelen met hetzelfde referentiecijfer worden aangeduid.For a better understanding of the invention, in the following description of the figures, the identical parts will be indicated with the same reference numeral.
In de figuren 1 en 2 worden foto’s getoond van een bovenaanzicht respectievelijk zijaanzicht van een inrichting overeenkomstig de uitvinding.Figures 1 and 2 show photos of a top view and side view, respectively, of a device according to the invention.
20 Inrichtingen voor het ondersteunen van een substraat tijdens de vervaardiging van halfgeleidercomponenten zijn legio en kunnen bijvoorbeeld als ‘waferboat’ zijn geconstrueerd.Devices for supporting a substrate during the manufacture of semiconductor components are countless and may, for example, be constructed as a "wafer boat".
Voor het begrip van de uitvinding is enkel als illustratie de inrichting 10 in hoofdzaak gevormd door een vlakke plaat met een bovenvlak 10a (figuur 2) 25 waarop een substraat positioneerbaar is.For the purpose of understanding the invention, the device 10 is essentially formed by a flat plate with an upper surface 10a (Figure 2) on which a substrate can be positioned.
Bekende inrichtingen voor het ondersteunen van een substraat bezitten een contactvlak 10a voor het ondersteunen van een substraat, welk contactvlak althans gedeeltelijk een oppervlakteruwheid bezit.Known devices for supporting a substrate have a contact surface 10a for supporting a substrate, which contact surface has at least partially a surface roughness.
Om een goede positionering van het substraat op de inrichting 10 30 tijdens opeenvolgende bewerkingsstappen tijdens de vervaardiging van halfgeleidercomponenten te garanderen en een verschuiving van het (niet weergegeven) substraat ten opzichte van de inrichting 10 te voorkomen wordt in de Europese octrooipublicatie nr. 1638135 een bekende inrichting voorgesteld, althans een deel van het oppervlak van de inrichting, waarop het substraat positioneerbaar 5 is, van een oppervlakteruwheid te voorzien.In order to ensure proper positioning of the substrate on the device 10 during successive processing steps during the manufacture of semiconductor components and to prevent a shift of the (not shown) substrate relative to the device 10, a well-known European patent publication no. 1638135 device, to provide at least a part of the surface of the device on which the substrate can be positioned, with a surface roughness.
Zoals in de inleiding van deze octrooiaanvrage reeds aangegeven, wordt de oppervlakteruwheid door middel van mechanische bewerkingen in het oppervlak 10a aangebracht, hetgeen echter resulteert in verontreinigingen die in het 5 bovenvlak 10a worden opgesloten en tijdens de latere bewerkingsstappen vrijkomen en zodoende het fabricageproces van de halfgeleider-componenten vervuilen.As already indicated in the introduction of this patent application, the surface roughness is applied to the surface 10a by means of mechanical processing, which, however, results in impurities which are trapped in the upper surface 10a and are released during the later processing steps and thus the semiconductor manufacturing process. components contaminate.
Overeenkomstig de uitvinding wordt de oppervlakteruwheid in het bovenvlak 10a aangebracht met behulp van elektromagnetische straling. Dit aanbrengen van de oppervlakteruwheid geschiedt op een contactloze wijze, zodat 10 geen materiaaldeeltjes van de inrichting vrijkomen die in een later stadium het fabricageproces van de halfgeleider-componenten op het substraat kunnen verstoren, hetgeen tot uitval zal leiden.According to the invention, the surface roughness is applied in the upper surface 10a by means of electromagnetic radiation. This application of the surface roughness is effected in a contactless manner, so that no material particles are released from the device which can disturb the fabrication process of the semiconductor components on the substrate at a later stage, which will lead to failure.
Overeenkomstig de uitvinding is de oppervlakteruwheid met behulp van elektromagnetische straling aangebracht en meer in het bijzonder in de vorm 15 van een bepaalde textuur.According to the invention, the surface roughness is applied with the aid of electromagnetic radiation and more particularly in the form of a specific texture.
De textuur zoals getoond in de figuren 1 tot en met 3 bestaat hier uit een patroon van regelmatig verdeelde putjes 11, van elkaar gescheiden door een opstaande materiaalrand 12. De omtreksranden 12 van de putten 11 vormen een verhoogd oppervlak, waarop een op de inrichting 10 geplaatst substraat afsteunt.The texture as shown in Figs. 1 to 3 here consists of a pattern of regularly distributed pits 11, separated from one another by a raised material edge 12. The peripheral edges 12 of the pits 11 form a raised surface on which a surface on the device 10 placed substrate.
20 Het aanbrengen van een verhoogd oppervlak door het met behulp van elektromagnetische straling plaatselijk verwijderen van materiaal van de inrichting 10 biedt aanvullende toepassingsmogelijkheden, met name bij de toepassing van wafers voor lithografische toepassingen. Het aldus aangebrachte verhoogde oppervlak door de omtreksranden 12 van de putjes 11 biedt een 25 pfaatselijk ondersteunen van de wafer, zodat deze niet over het volledige oppervlak wordt ondersteund.The provision of a raised surface area by locally removing material from the device 10 by means of electromagnetic radiation offers additional possibilities of application, in particular in the use of wafers for lithographic applications. The raised surface thus provided by the peripheral edges 12 of the pits 11 offers a peculiar support of the wafer, so that it is not supported over the entire surface.
Een andere toepassing voor het aanbrengen van een verhoogd oppervlak wordt getoond in figuur 3 waarbij althans een gedeelte van het bovenvlak 10a van de inrichting 10 (aangeduid met het referentiecijfer 13) niet is 30 behandeld door de elektromagnetische straling, zodat een verhoogd oppervlak 13 in de vorm van een strook wordt gerealiseerd. Op deze wijze kan op selectieve wijze bepaalde delen van het bovenvlak 10a door middel van elektromagnetische straling worden verwijderd, terwijl andere gedeeltes (aangeduid met referentiecijfer 13) afhankelijk van de toepassing onbewerkt blijven en zodoende als steunvlak kunnen 6 dienen voor een op de inrichting 10 geplaatst substraat.Another application for applying a raised surface is shown in Figure 3, wherein at least a portion of the upper surface 10a of the device 10 (indicated by the reference numeral 13) is not treated by the electromagnetic radiation, so that a raised surface 13 in the shape of a strip is realized. In this way, certain parts of the upper surface 10a can be selectively removed by means of electromagnetic radiation, while other parts (indicated with reference numeral 13) remain unprocessed depending on the application and can thus serve as a supporting surface for a device placed on the device 10. substrate.
Evenzo kan het door de elektromagnetische straling verwijderde materiaal, elders op het bovenvlak 10a worden aangebracht (door depositie), zodat lokaal een oppervlakte-verhoging wordt gerealiseerd.Likewise, the material removed by the electromagnetic radiation can be applied elsewhere on the upper surface 10a (by deposition), so that a surface increase is achieved locally.
5 Hoewel in de figuren 1 tot en met 3 getoonde textuur is opgebouwd uit een patroon van regelmatig verdeelde putjes 11 is het ook mogelijk om een andere textuurvorm in het bovenvlak 10a aan te brengen. Hierbij denkt men bijvoorbeeld aan sleuven of groeven, gescheiden door verhoogde rillen of randen, waardoor een aanvullende functionaliteit kan worden gerealiseerd. De rillen kunnen 10 bijvoorbeeld fungeren als ondersteuningsranden, terwijl de tussengelegen groeven kunnen dienen voor het geleiden van een procesgas, bijvoorbeeld ten behoeve van koeling.Although the texture shown in Figs. 1 to 3 is made up of a pattern of regularly distributed pits 11, it is also possible to provide a different texture shape in the upper surface 10a. This includes, for example, slots or grooves separated by raised ridges or edges, whereby additional functionality can be realized. The ridges can for instance act as supporting edges, while the intermediate grooves can serve for guiding a process gas, for example for cooling purposes.
Daarnaast kan met de werkwijze overeenkomstig de uitvinding een bestaande textuur of oppervlakte-ruwheid worden aangepast naar een andere 15 textuur/ruwheid afhankelijk van de gewenste toepassing.In addition, with the method according to the invention, an existing texture or surface roughness can be adjusted to a different texture / roughness depending on the desired application.
In de figuren 4a en 4b worden nog twee uitvoeringsvoorbeelden van een inrichting voor het ondersteunen van een substraat overeenkomstig de uitvinding getoond. In de figuur 4a is inrichting 10 uitgevoerd als een cirkelvormige schijf met een bovenvlak 10a waarop een substraat afsteunbaar is.Figures 4a and 4b show two more exemplary embodiments of a device for supporting a substrate according to the invention. In Figure 4a, device 10 is designed as a circular disk with an upper surface 10a on which a substrate can be supported.
20 In figuur 4b is de inrichting 10' uitgevoerd als een ringvormig element, met een open middengedeelte 10" en een ringvormig bovenvlak 10a’.In Figure 4b, the device 10 'is designed as an annular element, with an open middle portion 10 "and an annular upper surface 10a".
De werkwijze overeenkomstig de uitvinding is zeer geschikt voor het bewerken van willekeurige contactvlakken van inrichtingen, waarop substraten worden ondersteund ten behoeve van de vervaardiging van halfgeleider-25 componenten. De werkwijze is daarbij bijzonder geschikt voor de bewerking van verschillende materialen, waarvan een dergelijke inrichting kan zijn vervaardigd: silicium, kwarts, aluminiumoxide, siliciumnitride, aluminiumnitride, grafiet, siliciumcarbide, dan wel composieten bestaande uit combinaties van SiC en silicium en/of grafiet. Echter ook andere materialen die in de halfgeleiderindustrie worden 30 toegepast kunnen met de.werkwijze overeenkomstig de uitvinding worden bewerkt.The method according to the invention is very suitable for processing any contact surfaces of devices on which substrates are supported for the manufacture of semiconductor components. The method is particularly suitable for processing various materials from which such a device can be manufactured: silicon, quartz, aluminum oxide, silicon nitride, aluminum nitride, graphite, silicon carbide, or composites consisting of combinations of SiC and silicon and / or graphite. However, other materials used in the semiconductor industry can also be processed by the method according to the invention.
10319851031985
Claims (15)
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1031985A NL1031985C2 (en) | 2006-06-12 | 2006-06-12 | Method for manufacturing device for supporting substrate during semiconductor manufacture, involves forming surface roughness on upper surface of plate by electromagnetic radiation without disturbing initial flat surface of plate |
| PCT/NL2007/000144 WO2007145505A1 (en) | 2006-06-12 | 2007-06-11 | Method for manufacturing a device for supporting a substrate during the manufacture of semiconductor components, as well as such a device |
| TW096121112A TW200818371A (en) | 2006-06-12 | 2007-06-12 | A method for manufacturing a device for supporting a substrate during the manufacturing of semi-conductor components as well as such a device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1031985 | 2006-06-12 | ||
| NL1031985A NL1031985C2 (en) | 2006-06-12 | 2006-06-12 | Method for manufacturing device for supporting substrate during semiconductor manufacture, involves forming surface roughness on upper surface of plate by electromagnetic radiation without disturbing initial flat surface of plate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL1031985C2 true NL1031985C2 (en) | 2007-12-13 |
Family
ID=36774608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL1031985A NL1031985C2 (en) | 2006-06-12 | 2006-06-12 | Method for manufacturing device for supporting substrate during semiconductor manufacture, involves forming surface roughness on upper surface of plate by electromagnetic radiation without disturbing initial flat surface of plate |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| NL (1) | NL1031985C2 (en) |
| TW (1) | TW200818371A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3334566A4 (en) * | 2015-08-14 | 2019-06-19 | M Cubed Technologies Inc. | Wafer chuck featuring reduced friction support surface |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6264467B1 (en) * | 1999-04-14 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Micro grooved support surface for reducing substrate wear and slip formation |
| US20020036373A1 (en) * | 2000-06-02 | 2002-03-28 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Holding apparatus for clamping a workpiece |
| US20060006340A1 (en) * | 2004-07-08 | 2006-01-12 | Asml Netherlands B.V. | Method of adjusting a height of protrusions on a support surface of a support table, a lithographic projection apparatus, and a support table for supporting an article in a lithographic apparatus |
| EP1638135A2 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-22 | Asm International N.V. | Susceptor with surface roughness for high temperature substrate processing |
-
2006
- 2006-06-12 NL NL1031985A patent/NL1031985C2/en not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-06-12 TW TW096121112A patent/TW200818371A/en unknown
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6264467B1 (en) * | 1999-04-14 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Micro grooved support surface for reducing substrate wear and slip formation |
| US20020036373A1 (en) * | 2000-06-02 | 2002-03-28 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Holding apparatus for clamping a workpiece |
| US20060006340A1 (en) * | 2004-07-08 | 2006-01-12 | Asml Netherlands B.V. | Method of adjusting a height of protrusions on a support surface of a support table, a lithographic projection apparatus, and a support table for supporting an article in a lithographic apparatus |
| EP1638135A2 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-22 | Asm International N.V. | Susceptor with surface roughness for high temperature substrate processing |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| M.R.H. KNOWLES, G. RUTTERFORD, D. KARNAKIS, A. FERGUSON: "Micro-machining of Metals, Ceramics, Silicon and Polymers using Nanosecond Lasers", 4M- 2005, FIRST INTERNATIONAL CONFERENCE ON MULTI-MATERIAL MICRO MANUFACTURE PROCEEDINGS, ISBN: 0-08-044879-8, 7 December 2005 (2005-12-07), XP002394829, Retrieved from the Internet <URL:http://www.oxfordlasers.com/micromachining/how_it_works.htm> [retrieved on 20060815] * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3334566A4 (en) * | 2015-08-14 | 2019-06-19 | M Cubed Technologies Inc. | Wafer chuck featuring reduced friction support surface |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200818371A (en) | 2008-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4213698A (en) | Apparatus and method for holding and planarizing thin workpieces | |
| US5656093A (en) | Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same | |
| USRE31053E (en) | Apparatus and method for holding and planarizing thin workpieces | |
| EP2927947B1 (en) | Placement member and method for manufacturing same | |
| KR101831914B1 (en) | Wafer processing method | |
| NL1034780C2 (en) | Device for layerally depositing different materials on a semiconductor substrate as well as a lifting pin for use in such a device. | |
| US20060266718A1 (en) | Device for stabilizing a workpiece during processing | |
| JP2009513027A5 (en) | ||
| JP2009060035A (en) | Electrostatic chuck member, its manufacturing method, and electrostatic chuck apparatus | |
| US6217655B1 (en) | Stand-off pad for supporting a wafer on a substrate support chuck | |
| JP2002503397A (en) | Coating layer for substrate support chuck and method of manufacturing the same | |
| TWI300960B (en) | Method of cutting and machining a silicon wafer | |
| US6835415B2 (en) | Compliant layer chucking surface | |
| KR20010071838A (en) | Apparatus for curing resist | |
| NL1031985C2 (en) | Method for manufacturing device for supporting substrate during semiconductor manufacture, involves forming surface roughness on upper surface of plate by electromagnetic radiation without disturbing initial flat surface of plate | |
| JP2001020058A (en) | Device and method for making wafer spacing mask on substrate supporting chuck | |
| JP2019114712A (en) | Method for manufacturing element chip | |
| CN1685473A (en) | Electrostatic chuck having a low level of particle generation and method of fabricating same | |
| KR20070074398A (en) | Semiconductor wafer including contamination removal part | |
| US11874607B2 (en) | Method for providing a wear-resistant material on a body, and composite body | |
| JP2006140230A (en) | Device and method for irradiating laser beam | |
| JP2006128205A (en) | Wafer supporting member | |
| KR20050030630A (en) | Method for fabricating semiconductor wafer | |
| WO2007145505A1 (en) | Method for manufacturing a device for supporting a substrate during the manufacture of semiconductor components, as well as such a device | |
| JP4798441B2 (en) | Wafer transfer method and wafer transfer unit |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD2B | A search report has been drawn up | ||
| V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20130101 |