MD4237C1

MD4237C1 - Purtător fototermoplastic pentru înregistrarea informaţiei optice

Info

Publication number: MD4237C1
Application number: MDA20120039A
Authority: MD
Inventors: Аркадий КИРИЦА; Олег КОРШАК; Владимир ПРИЛЕПОВ; Татьяна БУЛЬМАГА; Юрий ЖИДКОВ; Надежда НАСЕДКИНА; Алексей ЧЕРНЫЙ
Original assignee: Государственный Университет Молд0
Priority date: 2012-04-24
Filing date: 2012-04-24
Publication date: 2014-01-31
Also published as: MD4237B1

Abstract

Invenţia se referă la purtătorii de informaţie, în particular la un purtător fototermoplastic pentru înregistrarea informaţiei optice, a hologramelor şi interferogramelor în timp real.Purtătorul fototermoplastic pentru înregistrarea informaţiei optice include un substrat transparent (1), pe care sunt depuse consecutiv un strat conductor (2), un strat fotosensibil pe bază de semiconductori calcogenici sticloşi As-Se-S (3) şi un strat termoplastic pe bază de poliepoxipropilcarbazol (4) cu grosimea de 0,15…0,20 µm şi cu o neomogenitate a reliefului superficial de 30…35 nm.

Description

Invenţia se referă la purtătorii de informaţie, în particular la un purtător fototermoplastic pentru înregistrarea informaţiei optice, a hologramelor şi interferogramelor în timp real.

Este cunoscut un purtător pentru înregistrarea informaţiei optice, care constă dintr-un strat transparent, pe care sunt depuse consecutiv un strat conductor, un strat dielectric pe bază de BaF2 şi un strat fotosensibil pe bază de poliepoxipropilcarbazol sensibilizat cu 9,14-octilocolbenziliden-2,4,5,7-tetranitrofluoren cu grosimea de 0,6 µm [1].

Dezavantajul acestui purtător constă în aceea că puterea de rezoluţie a lui nu depăşeşte 2000 mm-1, ceea ce limitează utilizarea acestuia pentru înregistrarea hologramelor şi interferogramelor la frecvenţe spaţiale ridicate de înregistrare.

Cea mai apropiată soluţie este un purtător pentru înregistrarea informaţiei optice, care constă dintr-un strat transparent, pe care sunt depuse consecutiv un strat conductor de SnO2, un strat dielectric de BaF2, un strat fotosensibil pe bază de semiconductori calcogenici sticloşi As-Se-S şi un strat termoplastic pe bază de poliepoxipropilcarbazol cu grosimea de 0,25 µm [2].

Dezavantajul acestui purtător constă în aceea că puterea de rezoluţie a lui nu depăşeşte 3000 mm-1, ceea ce limitează utilizarea acestuia pentru înregistrarea hologramelor şi interferogramelor la frecvenţe spaţiale ridicate de înregistrare.

Problema pe care o rezolvă invenţia constă în obţinerea unui purtător fototermoplastic pe bază de semiconductori calcogenici sticloşi As-Se-S cu o putere de rezoluţie nu mai mică de 4000 mm-1.

Purtătorul, conform invenţiei, înlătură dezavantajele menţionate mai sus prin aceea că include un substrat transparent, pe care sunt depuse consecutiv un strat conductor, un strat fotosensibil pe bază de semiconductori calcogenici sticloşi As-Se-S şi un strat termoplastic pe bază de poliepoxipropilcarbazol cu grosimea de 0,15…0,20 µm şi cu o neomogenitate a reliefului superficial de 30…35 nm.

Rezultatul tehnic al invenţiei constă în obţinerea pe suprafaţa semiconductorului sensibil a unui strat termoplastic cu grosimea de 0,15 µm cu neomogenitatea reliefului superficial nu mai mare de 35 nm, care permite obţinerea unei puteri de rezoluţie de cca 4000 mm-1.

Rezultatul tehnic este obţinut datorită faptului că la depunerea stratului termoplastic neomogenitatea suprafeţei nu este mai mare de 35 nm.

Invenţia se explică prin desenele din fig.1-3, care reprezintă:

- fig. 1, schema funcţională a purtătorului propus;

- fig. 2, imaginea suprafeţei stratului termoplastic cu neomogenitatea reliefului superficial nu mai mare de 35 nm;

- fig. 3, imaginea reţelei de difracţie cu frecvenţa spaţială de 4000 mm-1.

Purtătorul include un substrat transparent 1, pe care sunt depuse consecutiv un strat conductor 2, un strat fotosensibil pe bază de semiconductori calcogenici sticloşi As-Se-S 3 şi un strat termoplastic pe bază de poliepoxipropilcarbazol 4 cu grosimea de 0,15…0,20 µm şi cu o neomogenitate a reliefului superficial de 30…35 nm.

Exemplu de realizare a invenţiei

Purtătorul fototermoplastic este executat din substratul de lavsan 1, electrodul conductor 2 pe bază de Cr, stratul fotosensibil 3 pe bază de semiconductori calcogenici sticloşi As-Se-S cu grosimea de 1,2 µm şi stratul termoplastic 4 pe bază de poliepoxipropilcarbazol cu grosimea de 0,15 µm şi cu neomogenitatea reliefului superficial nu mai mare de 35 nm.

Imaginile suprafeţei stratului termoplastic şi a reţelei de difracţie (din fig. 2 şi 3) sunt obţinute la microscopul atomic AFM.

1. MD 313 Z 2011.08.31

2. MD 214 Z 2010.05.31

Claims

Purtător fototermoplastic pentru înregistrarea informaţiei optice, care include un substrat transparent (1), pe care sunt depuse consecutiv un strat conductor (2), un strat fotosensibil pe bază de semiconductori calcogenici sticloşi As-Se-S (3) şi un strat termoplastic pe bază de poliepoxipropilcarbazol (4), caracterizat prin aceea că grosimea stratului termoplastic (4) este de 0,15…0,20 µm cu o neomogenitate a reliefului superficial de 30…35 nm.