LT6010B - Optiškai valdomas spartus plačiajuostis fazės moduliatorius - Google Patents
Optiškai valdomas spartus plačiajuostis fazės moduliatorius Download PDFInfo
- Publication number
- LT6010B LT6010B LT2013079A LT2013079A LT6010B LT 6010 B LT6010 B LT 6010B LT 2013079 A LT2013079 A LT 2013079A LT 2013079 A LT2013079 A LT 2013079A LT 6010 B LT6010 B LT 6010B
- Authority
- LT
- Lithuania
- Prior art keywords
- waveguide
- light
- semiconductor
- heavy
- concentration
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000005437 stratosphere Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Išradimas priskiriamas mikrobangų įtaisams ir yra taikomas bangolaidžiu sklindančios elektromagnetinės (EM) bangos fazei moduliuoti. Optiškai valdomas spartus plačiajuostis fazės moduliatorius sudarytas iš penkių pagrindinių mazgų. Du cilindriniai metaliniai bangolaidžiai (2), pirmas iš kurių skirtas sužadinti pagrindinę bangolaidinio tipo bangą, o antras metalinis bangolaidis priima moduliuotą signalą ir perduoda jį toliau. Puslaidininkinio bangolaidžio (1), galai yra įstatomi į metalinius bangolaidžius (2), o L ilgio darbinė bangolaidžio (1) dalis patalpinta į solenoidą (3), kuris įtvirtintas ant karkaso (4). Bangolaidis (1) pagamintas iš skylinio laidumo puslaidininkio germanio (p-Ge), kurio EM savybės priklauso nuo koncentracijos proporcijų tarp sunkiųjų ir lengvųjų skylučių. Ši proporcija yra valdoma šviesos šaltinių sistema (5) keičiant šviesos intensyvumą bangolaidžio paviršiuje. Puslaidininkiniame p-Ge bangolaidyje sklinda tik pagrindinio tipo hibridinė banga (turinti žemiausią krizinį dažnį) su mažais nuostoliais prie tam tikrų fiksuotų normuoto dažnio reikšmių. Aukštesnio tipo hibridinės bangos šiame bangolaidyje turi labai didelius nuostolius, todėl greitai užgęsta. Keičiant sunkiųjų ir lengvųjų skylučių proporciją p-Ge bangolaidyje, keičiasi sklindančios pagrindinės bangos fazė.
Description
Išradimas priskiriamas mikrobanginiams įrenginiams ir yra taikomas bangolaidžiu sklindančios bangos fazei moduliuoti.
Analogiškas prietaisas buvo sukurtas [Babbitt R. W., Stern R. A. Dielectric waveguide ferrite modulator/switch, įgaliotinis (Original Assignee): The United States of America as Represented by the secretary of the army, Patent US4490700 A, Dec 25, 1984],
Analogas yra nuolatiniu magnetiniu lauku valdomas feritinis moduliatorius. Pagrindinės moduliatoriaus dalys yra kvadrato formos skerspjūvio feritinis strypas ir solenoidas, kuriantis nuolatinį išilginį magnetinį lauką. Feritinis strypas patalpintas solenoido viduje ir yra priskiriamas dielektrinių bangolaidžiu klasei. Tokiame girotropiniame bangolaidyje sklinda pagrindinė ir aukštesnio tipo hibridinės HEmn ir EHmn bangos.
Analogas turi tris esminius trūkumus. Pirma, tai sąlyginai mažas plačiajuostiškumas, kadangi stačiakampio formos skerspjūvio bangolaidyje gali sklisti didesnis parazitinių bangų skaičius, lyginant su tokio pat skerspjūvio ploto cilindrinės formos bangolaidžiu. Antras trūkumas - maža įtaiso greitaveika, kadangi valdančiojo magnetinio lauko Ho (Bo = poPrHo) pokytis gaunamas keičiant solenoidu tekančios srovės stiprį, todėl valdymo procesas yra inertiškas, nepakankamai spartus. Trečias trūkumas - ribotas darbo dažnių diapazonas, dėl staigaus ferito fazės pokyčio sumažėjimo (proporcingo bangos ilgiui) įmagnetintame feritiniame bangolaidyje aukštų dažnių srityje. Viršutinė dažnių riba, kada keičiant Ho gali keistis ferito fazės pokytis, yra 2/3 YAD (ypač aukšti dažniai, 30-300 GHz) diapazono. Šių trūkumų neturi puslaidininkinės medžiagos.
Siekiant išvengti pirmojo minėto trūkumo, siūlomas cilindrinis bangolaidis su normuotu spinduliu fr = 0,03-0,1GHzm. Kai fr < 0,03 GHzm, moduliatoriaus veikimas būtų nestabilus, nes šioje srityje yra pagrindinio bangos tipo krizinis dažnis, be to, fazės pastovioji keičiasi pernelyg sparčiai, kintant dažniui. Kai fr> 0,1 GHz m susižadina didelis skaičius aukštesnio tipo parazitinių bangų, kurios yra tos pačios simetrijos kaip ir pagrindinio tipo banga ir jų nuostoliai yra vienos eilės su pagrindinės bangos nuostoliais. Todėl bendri moduliatoriaus nuostoliai padidėja, be to, parazitinių bangų nuostoliai papildomai ir neprognozuojamai moduliuotų bei iškraipytų naudingą signalą. Atkreipiame dėmesį, kad atitinkamų matmenų stačiakampiame plazminiame puslaidininkiniame bangolaidyje prie aukštesnių dažnių atsiranda žymiai didesnis skaičius aukštesnio tipo parazitinių bangų, todėl stačiakampė bangolaidžio forma pablogina moduliatoriaus charakteristikas.
Siekiant išvengti antrojo minėto trūkumo, siūloma pakeisti feritinę medžiagą, iš kurios pagamintas bangolaidis, puslaidininkine skylinio laidumo germanio (p-Ge) medžiaga. Šio puslaidininkio EM savybės priklauso nuo koncentracijos proporcijos tarp sunkiųjų ir lengvųjų skylučių. Tokiu būdu, užuot valdant (magnetiniu lauku Ho) bangolaidyje sklindančios bangos ilgį, siūloma fiksuoti pastarąjį dydį, o valdymą atlikti keičiant lengvųjų ir sunkiųjų skylučių koncentracijas. Tai pasiekiama pereinant skylutėms iš vienos energijos juostos į kitą, veikiant medžiagą infraraudonosios šviesos spinduliais, kurių bangos ilgis p-Ge atveju yra ~2-10pm (esant laisvųjų krūvininkų koncentracijai N ~ 1019—1022 m'3). Toks optinis skylučių perėjimas iš vienos valentinės juostos lygmens j kitą yra labai greitas - dešimtųjų pikosekundės dalių eilės (~10'13s). Duomenys apie šio proceso greitaveiką paimti iš literatūros [Beregulin E.V. et ai. Mechanisms of energy relaxation under conditions of nonlinear absorption of light in p-type Ge, Sov. phys. Semicond., 16 (2), 1982, p. 179-181]. [Leung C.Y. Enhanced direct-free-hole absorption in picosecond laser-excited Germanium, Kinese Journal of Physics, Vol. 18, N4, 1980, p. 158-171].
Siekiant išvengti trečiojo minėto trūkumo, siūloma įmagnetintą feritą pakeisti kieto kūno puslaidininkine plazma. Plazminis puslaidininkinis bangolaidis gali veikti visame YAD diapazone, o taip pat ir aukštesnių dažnių, pavyzdžiui, HAD (hiperaukštieji dažniai, 300-3000 GHz) diapazone. Kiekvienam dažnių diapazonui yra apskaičiuojamas bangolaidžio spindulys. Norint gauti norimas bangolaidžio EM charakteristikas, t. y. nustatyti reikiamas medžiagos savybes tam tikrame dažnių ruože, reikia atitinkamai pakeisti puslaidininkio laisvųjų krūvininkų koncentraciją N ir (arba) dydį Ho.
Mūsų siūlomo optiškai valdomo spartaus plačiajuosčio fazės moduliatoriaus, sudaryto iš atviro puslaidininkinio plazminio bangolaidžio ir apšvietimo sistemos, naujumas yra tas, kad cilindrinės formos bangolaidis pagamintas iš skylinio laidumo germanio (p-Ge), kurio EM savybės stipriai priklauso nuo koncentracijos proporcijos tarp sunkiųjų ir lengvųjų skylučių, o ši proporcija yra valdoma keičiant šviesos intensyvumą šviesos šaltinių sistemos pagalba.
Išradimo esmė paaiškinta brėžiniuose, kuriuose parodyti:
pav. Optiškai valdomo spartaus plačiajuosčio fazės moduliatoriaus konstrukcija.
pav. Pagrindinio ir aukštesniųjų bangos tipų normuoto fazės koeficiento h'r priklausomybė nuo normuoto dažnio fr plazminiame p-Ge bangolaidyje, kurio εκ = 16, β0 = 1 T, N= 5Ί019 m'3, m*h = 0,279me, m*i = 0,043me, μ\ = 6,3 m2/V s, μ*ι = 40,9 m2/Vs, kai sunkiųjų skylučių koncentracija puslaidininkyje sudaro 70 %.
pav. Pagrindinio ir aukštesniųjų bangos tipų normuoto slopinimo koeficiento hr priklausomybė nuo normuoto dažnio fr plazminiame p-Ge bangolaidyje, kurio εκ = 16, So = 1 T, N = 5Ί019 m'3, m*h = 0,279me, m*i = 0,043me, μ\ = 6,3 m2/V s, μ*ι = 40,9 m2/V s, kai sunkiųjų skylučių koncentracija puslaidininkyje sudaro 70 %.
pav. Pagrindinio bangos tipo fazinės charakteristikos h'r(fr) priklausomybė nuo santykinės sunkiųjų skylučių koncentracijos. Punktyrinėmis linijomis pavaizduotos kreivės atitinka sunkiųjų skylučių koncentracijas 50 %, 55 %, 90 % ir 95 %, ištisinėmis linijomis pavaizduotos kreivės atitinka sunkiųjų skylučių koncentracijas 60-90 %.
Moduliatorius sudarytas iš elementų: puslaidininkinis p-Ge bangolaidis (1); cilindriniai metaliniai bangolaidžiai (2); solenoidas (3); dielektrinis karkasas (4); šviesos šaltinių sistema (5); laikikliai (6).
Moduliatorius veikia tokiu būdu. Plazminis puslaidininkinis cilindrinis bangolaidis yra pagamintas iš laidumo germanio (p-Ge), kurio dielektrinės skvarbos tenzoriaus elementai εχχ, εχγ, εζζ, t. y. EM puslaidininkio savybės skirtingomis kryptimis, stipriai priklauso nuo koncentracijos proporcijos tarp sunkiųjų ir lengvųjų skylučių, o ši proporcija yra valdoma šviesos šaltinių sistemos. Keičiant šviesos, apšviečiančios bangolaidžio darbinį paviršių, intensyvumą, yra keičiama bangolaidyje sklindančios EM bangos fazė. Svarbu, kad cilindrinio plazminio p-Ge bangolaidžio normuotas spindulys yra diapazone fr = 0,03-0,1 GHzm, sunkiųjų skylučių koncentracija yra keičiama nuo 60 % iki 90 % bendros skylučių koncentracijos N bangolaidyje. Moduliatorius skirtas darbui ir prie žemos temperatūros, todėl gali būti naudojamas palydovinėje įrangoje, dirbančioje virš Žemės stratosferos (Kosmose).
Siūlomo įtaiso aktualumą ir poreikį patvirtina pastarųjų metų patentai:
1. [Eu-Jin Andy Lim et ai. Optical Modulator and Method for Manufacturing the Šame, Assignee: Agency For Science, Technology and Research, Patent
LT 601O B
US20130071058 A1, Mar 21, 2013]. Naudojama sudėtinga daugiasluoksnė struktūra, sudaryta iš sluoksniuoto germanio (Ge) ir silicio (Si) bangolaidžio, sudėtingos metalinių kontaktų konfigūracijos ir oksido sluoksnio. Germanio bangolaidis taip pat suformuotas iš kelių sluoksnių. Struktūroje yra du bangolaidžiai, ryšys tarp kurių sudarytas per germanio bangolaidį. Konstrukcijos trūkumai - sudėtinga gamyba, inertiškumas.
2. [Hideki Yagi; Method for manufacturing semiconductor optical modulator and semiconductor optical modulator, Assignee: Sumitomo Electric Industries, Ltd. (Osaka), Patent US20120308173 A1, Dec 06, 2012]. Naudojama sudėtinga daugiasluoksnė dvilaidė mikrojuostelinė (MJL) struktūra, sudaryta iš p-tipo ir n-tipo puslaidininkinių sluoksnių padėklo, įžemintas sluoksnis gali būti pagamintas iš nelegiruoto puslaidininkio InP. Juostelių, pagamintų iš silicio nitrido (SiN) arba silicio oksido (S1O2), storis yra 300 nm. Trūkumas - konstrukcijos sudėtingumas.
3. [Toshio Baba et ai. Optical modulator and method for manufacturing šame, Assignee: Nec Corporation, Patent US20120003767 A1, Jan 5, 2012]. Konstrukcijoje panaudotas atviras daugiasluoksnis briaunuotas bangolaidis, sudarytas iš puslaidininkinių ir dielektrinių sluoksnių. Trūkumai - konstrukcijos sudėtingumas ir inertiškumas.
4. [Je Ha Kim et ai. High speed semiconductor optical modulator and fabricating method thereof, Assignee: Electronics and Telecommunication Research Institute, Patent US6392781 B1, May 21, 2002], Naudojama sudėtinga daugiasluoksnė vienlaidė MJL struktūra, turinti įvairių dydžių bangolaidinius kanalus.
Plazminio p-Ge bangolaidžio dispersinės charakteristikos buvo išnagrinėtos kai sunkiųjų skylučių koncentracija puslaidininkyje sudaro nuo 0 iki 100% visų krūvininkų koncentracijos Λ/, su žingsniu 5 %. Čia mes pristatėme p-Ge bangolaidžio dispersines charakteristikas (2, 3 pav.), kai sunkiųjų skylučių koncentracija yra 70 %. Pristatytos pagrindinės (turinčios žemiausią krizinį dažnį) bangos HEn ir trijų aukštesnio tipo parazitinių hibridinių bangų dispersinės kreivės. Fazinė bangolaidžio charakteristika yra tiesinė plačiame dažnių ruože (4 pav.). Bangolaidžio normuotas dažnis fr = 0,03-0,1 GHzm, pastoviojo magnetinio srauto tankis (magnetinė indukcija) So= 1 T, bendra skylučių koncentracija N = 5-1019m3, sunkiųjų skylučių efektinė masė m*h = 0,279me, lengvųjų skylučių efektinė masė m‘i = 0,043me, kur me yra elektrono masė, sunkiųjų skylučių judris p‘h = 6,3 m2A/ s, lengvųjų skylučių judris μ*ι = 40,9 m2/Vs.
Fazės poslinkis skaičiuojamas pagal (1) formulę:
hV-ons, =l^-^l|# = eo„s.XT'°<laiP)' (1> čia h 6o% ir h 90% - pagrindinio bangos tipo išilginė sklidimo pastovioji, kai sunkiųjų skylučių koncentracija sudaro atitinkamai 60 % ir 90 % visų krūvininkų koncentracijos bangolaidyje; L - bangolaidžio ilgis.
Kai fr= 0,09 GHzm, heo% = 7287 m'1, /790% = 7328 m'1, L =10 cm, fazės poslinkis |Δ^|« 235°.
Claims (5)
- IŠRADIMO APIBRĖŽTIS1. Optiškai valdomas spartus plačiajuostis fazės moduliatorius, sudarytas iš atvirojo bangolaidžio su kūgiškai suformuotais galais (1), įstatytais į metalinius cilindrinius bangolaidžius (2), solenoido (3), kuriančio išilginį nuolatinį magnetinį lauką Ho, ir dielektrinio karkaso (4), besiskiriantis tuo, kad plazminis (giroelektrinis) puslaidininkinis bangolaidis (1) turi cilindrinę formą ir pagamintas iš skylinio laidumo germanio (p-Ge), kurio elektromagnetinės (EM) savybės labai priklauso nuo koncentracijos proporcijos tarp sunkiųjų ir lengvųjų skylučių, ši proporcija yra valdoma šviesos šaltinių sistema (5) keičiant šviesos intensyvumą.
- 2. Moduliatorius pagal 1 punktą, besiskiriantis tuo, kad cilindrinio plazminio puslaidininkinio bangolaidžio normuotas spindulys yra diapazone fr= 0,030,1 GHzm.
- 3. Moduliatorius pagal 1 ir 2 punktus, besiskiriantis tuo, kad sunkiųjų skylučių koncentracija keičiama nuo 60 % iki 90 % bendros skylučių koncentracijos N bangolaidyje.
- 4. Moduliatorius pagal 1-3 punktus, besiskiriantis tuo, kad išorinis dielektrinis karkasas (4), kuris sudarytas iš solenoido laikiklio ir atšvaito, yra tuščiaviduris cilindras, pagamintas iš išorinio nemagnetinio dielektrinio sluoksnio, kurio išoriniame paviršiuje įtvirtintas nuolatinį išilginį magnetinį lauką kuriantis solenoidas (3), o vidinis karkaso paviršius yra nemagnetinis dielektrinis sluoksnis, pagamintas iš medžiagos su aukšta santykine dielektrine skvarbą, atliekantis atšvaito (reflektoriaus) funkciją, o dielektrinis karkasas (4) ir šviesos šaltinių sistema (5) tvirtinami laikikliais (6) prie bangolaidžio.
- 5. Moduliatorius pagal 1-4 punktus, besiskiriantis tuo, kad šviesos šaltinių sistema (5) yra sudaryta iš pakankamo kiekio ir konfigūracijos šviesos šaltinių, kurių šviesos spinduliai koncentruojami lęšiais ir krisdami ant p-Ge bangolaidžio (1) paviršiaus, būtų vienodos poliarizacijos ir intensyvumo išilgai viso darbinio ilgio L paviršiaus, o šviesos intensyvumą reguliuojanti sistema yra valdoma nuolatine įtampa, kuri priklauso nuo moduliuojančio signalo.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| LT2013079A LT6010B (lt) | 2013-07-23 | 2013-07-23 | Optiškai valdomas spartus plačiajuostis fazės moduliatorius |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| LT2013079A LT6010B (lt) | 2013-07-23 | 2013-07-23 | Optiškai valdomas spartus plačiajuostis fazės moduliatorius |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| LT2013079A LT2013079A (lt) | 2014-01-27 |
| LT6010B true LT6010B (lt) | 2014-03-25 |
Family
ID=49955717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| LT2013079A LT6010B (lt) | 2013-07-23 | 2013-07-23 | Optiškai valdomas spartus plačiajuostis fazės moduliatorius |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| LT (1) | LT6010B (lt) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4490700A (en) | 1982-12-01 | 1984-12-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Dielectric waveguide ferrite modulator/switch |
-
2013
- 2013-07-23 LT LT2013079A patent/LT6010B/lt not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4490700A (en) | 1982-12-01 | 1984-12-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Dielectric waveguide ferrite modulator/switch |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| LT2013079A (lt) | 2014-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wang et al. | Magneto-optical defects in two-dimensional photonic crystals | |
| US7525711B1 (en) | Actively tunable electromagnetic metamaterial | |
| Altug et al. | Two-dimensional coupled photonic crystal resonator arrays | |
| He et al. | Tunable electromagnetically induced transparency based on terahertz graphene metamaterial | |
| Keshavarz et al. | A novel terahertz semiconductor metamaterial for slow light device and dual-band modulator applications | |
| KR20110136781A (ko) | 전자기 복사선을 검출하는 장치 및 방법 | |
| He et al. | Dynamical switching of electromagnetically induced reflectance in complementary terahertz metamaterials | |
| Chen et al. | Edge states in self-complementary checkerboard photonic crystals: Zak phase, surface impedance, and experimental verification | |
| Fallah et al. | Nonreciprocal guided waves in the presence of swift electron beams | |
| Gospodarič et al. | Superradiant and transport lifetimes of the cyclotron resonance in the topological insulator HgTe | |
| LT6010B (lt) | Optiškai valdomas spartus plačiajuostis fazės moduliatorius | |
| Mittal et al. | Topological photonic systems | |
| Rezaee et al. | Dirac leaky wave antennas | |
| Mauro et al. | Woodpile EBG waveguide as a DC electrical break for microwave ion sources | |
| Jahromi et al. | An extremely large group index via electromagnetically induced transparency in metamaterials | |
| Tu et al. | Simulation demonstration and experimental fabrication of a multiple-slot waveguide | |
| Betancourt-Riera et al. | One phonon resonant Raman scattering in semiconductor quantum wires: Magnetic field effect | |
| US7176498B2 (en) | Terahertz radiating device based on semiconductor coupled quantum wells | |
| Djavid et al. | 4-Port reciprocal optical circulators employing photonic crystals for integrated photonics circuits | |
| Zhu et al. | Tunable transparency effect in a symmetry metamaterial based on subradiant magnetic resonance | |
| Yuan et al. | Optical control of terahertz nested split-ring resonators | |
| Ouassal et al. | Guided modes of a line-defect EBG slab waveguide in a 3-D square lattice of metallic open square rings | |
| Gao et al. | High gain terahertz antenna based on modified holographic artificial impedance surface | |
| Dong et al. | Strong-field Terahertz Induced Nonlinear Frequency Switching | |
| CN112639557A (zh) | 光子波导 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BB1A | Patent application published |
Effective date: 20140127 |
|
| FG9A | Patent granted |
Effective date: 20140325 |
|
| MM9A | Lapsed patents |
Effective date: 20160723 |