LT5710B - Bangolaidinis moduliatorius - Google Patents
Bangolaidinis moduliatorius Download PDFInfo
- Publication number
- LT5710B LT5710B LT2010040A LT2010040A LT5710B LT 5710 B LT5710 B LT 5710B LT 2010040 A LT2010040 A LT 2010040A LT 2010040 A LT2010040 A LT 2010040A LT 5710 B LT5710 B LT 5710B
- Authority
- LT
- Lithuania
- Prior art keywords
- waveguide
- sic
- metal
- source
- modulator
- Prior art date
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
Išradimas priskiriamas mikrobanginiams įrenginiams ir yra taikomas bangolaidžiu sklindančiosbangos fazei moduliuoti. SiC bangolaidinis moduliatorius susideda iš 4 pagrindinių mazgų - metalinio bangolaidžio (1), skirto sužadinti SiC bangolaidį, metalinių kontaktų (2), nuolatinės srovės šaltinio (3), SiC bangolaidžio (4), kuriuo sklinda modos. SiC apskritasis bangolaidis yra sužadinamas jį įstatant į metalinį. Apskrituoju bangolaidžiu sklinda modos. Bangolaidžio užaštrintame gale yra išspinduliuojama pagrindinė moda. Bangolaidžiu teka srovė, todėl SiC medžiaga yra įkaitinama iki 1800 °C. Keičiasi įtampa, o tokiu būdu keičiasi ir temperatūra. Dėl šitos priežasties atsiranda fazės pokytis.
Description
išradimas priskiriamas mikrobanginiams įrenginiams ir yra taikomas nangoiaidžiu sklindančios bangos fazei moduliuoti.
Analogiškas prietaisas buvo sukurtas Islam M. S., Tsao A. J., Reddy V. K., Neikirk D. P. (Islam M. S., Tsao A. J., Reddy V. K., Neikirk D. P. GaAs on Quartz Coplanar Waveguide Phase Shifter. IEEE Microwave and Guided wave Letters, 1991, Vol. 1, No. 11, p. 328-330). Analogas yra optiškai kontroliuojamas fazės keitiklis, kurio pagrindą sudaro koplanarusis bangolaidis. Bangolaidžio paviršius padengtas plona epitaksine GaAs plėvele. Šita konstrukcija yra įdėta į kvarcinį darinį.
Analogas turi vieną esminį trūkumą. Didėjant dažniams, bangolaidinio fazės keitiklio konstrukcija turi būti mažinama. Turint sudėtingą keitiklį, tai gali sukelti sunkumų. Siūlomas įrenginys leidžia pašalinti analogo trūkumą. Siūlomas paprastos apskritos konstrukcijos bangolaidinio fazės keitiklio variantas. Taip sumodeliuotą įrenginį yra lengva mažinti didėjant dažniams.
Siekiant išvengti aukščiau minėtų trūkumų yra siūlomas SiC bangolaidinis moduliatorius, kuris yra kuriamas SiC bangolaidžio, kurio spindulys yra diapazone nuo 0,03 GHz-m iki 0,09 GHz-m, pagrindu. Moduliatorius gali veikti SAD ir YAD diapazonuose, kiekvienam diapazonui bangolaidžio spindulys yra apskaičiuojamas.
Naujame bangolaidiniame moduliatoriuje, kuris sudarytas iš bangolaidžio, metalinių kontaktų ir nuolatinės srovės šaltinio, nauja yra tai, kad cilindrinės formos bangolaidis pagamintas iš silicio karbido (SiC), kurio santykinė dielektrinė skvarbą priklauso nuo temperatūros, SiC bangolaidžio galai suformuoti kūgiškai ir įstatyti į metalinius bangolaidžius, ir visa konstrukcija sujungta su nuolatinės srovės šaltiniu. Be to, nuolatinės srovės šaltinio laidai jungiami prie konstrukcijoje padarytų metalinių įvrėžų.
Išradimo esmė paaiškinta brėžiniuose, kuriuose parodyti:
pav. - SiC bangolaidinio moduliatoriaus konstrukcija;
pav. - SiC bangolaidžio dispersinės kreivės.
Bangolaidinio moduliatoriaus konstrukcija yra tokia. SiC bangolaidis yra įstatytas į metalinius bangolaidžius 1. Bangolaidžio galuose yra apie 1 mm pločio įbrėžos 2. Šios įbrėžos 2 strypo galuose sudaro tarsi žiedus. Nuo šių žiedų eina laidai, prijungti prie nuolatinės srovės šaltinio 3. Šaltinis 3 yra valdomas trumpųjų impulsų. Kai šaltinis 3 įjungtas, strypu 4 teka nuolatinė srovė, kuri greitai įkaitina strypą. Sis procesas yra mažai inertiškas ir prietaisai veikia greitai. Impulsai, įjungiantys šaltinį, gali būti skirtingos trukmės. Tokiu būdu galima moduliuoti informaciją. Bangolaidinį moduliatorių sudaro strypas (SiC bangolaidis) 4, kurio abu galai yra užaštrinti.
Prietaisas, veikia tokiu būdu. SiC apskritasis bangolaidis 4 yra sužadinamas jį įstatant į metalinį 1. Apskrituoju bangolaidžiu sklinda modos. Bangolaidžio užaštrintame gale yra išspinduliuojama pagrindinė moda. Bangolaidžiu teka srovė, todėl SiC medžiaga yra įkaitinama iki 1800 °C. Keičiasi įtampa, o tokiu būdu keičiasi ir temperatūra. Dėl šitos priežasties atsiranda fazės pokytis.
SiC bangolaidis buvo išnagrinėtas, esant penkioms skirtingoms temperatūroms. Kai T = 20 °C, ε = 6-0,5i, kai T= 500 °C, ε = 6,5- i0,5, kai T= 1000 °C, ε = 7- ii, kai T= 1500 °C, ε = 8-i2, kai 7= 1800 °C, ε= 11-i7.
SiC bangolaidinio keitiklio veikimui išanalizuoti buvo gautos dispersinės kreivės (2 pav.). Siekiant apskaičiuoti fazės postūmį, buvo išanalizuotos dispersinės kreivės, kai 7=1800 °C ir 7=1500 °C. Fazės postūmis buvo skaičiuojamas pagal (1) formulę:
lA^l|/r=coTO?i I^m ”’L'360/2π° (įaip.), (1) čia - pagrindinės modos išilginė sklidimo pastovioji, kai T = 1800 °C, o dažnis yra vidutinis tarp pagrindinės ir pirmos aukščiausiosios modų atkirtos dažnių, Ai - pagrindinės modos išilginė sklidimo pastovioji, kai T- 1500 °C, o dažnis yra vidutinis tarp pagrindinės ir pirmos aukščiausiosios modų atkirtos dažnių, L - bangolaidžio ilgis.
Tarus, kad L = 2,5 cm, ^M=3360m'', A) = 2810 m'1, buvo gauta, jog l^l|/r=cowi = 23,75°, kai f= 50GHz.
Tokie įrenginiai gali būti naudojami fazinėms anteninėms gardelėms, kurios yra taikomos informacijai perduoti.
Claims (3)
1. Bangolaidinis moduliatorius, susidedantis iš bangolaidžio, metalinių kontaktų ir nuolatinės srovės šaltinio, besiskiriantis tuo, kad cilindrinės formos bangolaidis (4) pagamintas iš silicio karbido (SiC), kurio santykinė dielektrinė skvarbą priklauso nuo temperatūros, SiC bangolaidžio (4) galai suformuoti kūgiškai ir įstatyti į metalinius bangolaidžius (1), ir visa konstrukcija sujungta su nuolatinės srovės šaltiniu (3).
2. Bangolaidinis moduliatorius pagal 1 punktą, besiskiriantis tuo, kad cilindrinio bangolaidžio spindulys yra diapazone nuo 0,03 GHz-m iki 0,09 GHz-m.
3. Bangolaidinis moduliatorius pagal 1 ar 2 punktą, besiskiriantis tuo, kad nuolatinės srovės Šaltinio (3) laidai prijungti prie konstrukcijoje padarytų metalinių įbrėžų (2).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| LT2010040A LT5710B (lt) | 2010-05-13 | 2010-05-13 | Bangolaidinis moduliatorius |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| LT2010040A LT5710B (lt) | 2010-05-13 | 2010-05-13 | Bangolaidinis moduliatorius |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| LT2010040A LT2010040A (lt) | 2010-11-25 |
| LT5710B true LT5710B (lt) | 2011-02-25 |
Family
ID=43123526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| LT2010040A LT5710B (lt) | 2010-05-13 | 2010-05-13 | Bangolaidinis moduliatorius |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| LT (1) | LT5710B (lt) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| LT6035B (lt) | 2013-07-30 | 2014-05-26 | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | Sic fazės moduliatorius |
-
2010
- 2010-05-13 LT LT2010040A patent/LT5710B/lt not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| M.S. ISLAM ET AL: "Gaas on Quartz Coplanar Waveguide phase Shifter", IEEE MICROWAVE AND GUIDED WAVE LETTERS, 1991, pages 11 - 328 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| LT6035B (lt) | 2013-07-30 | 2014-05-26 | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | Sic fazės moduliatorius |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| LT2010040A (lt) | 2010-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Li et al. | Photonic generation of binary phase-coded microwave signals with large frequency tunability using a dual-parallel Mach–Zehnder modulator | |
| CN101977065A (zh) | 一种超宽带混沌信号发生器 | |
| CN106532430B (zh) | 一种频率和波长双重可调谐的调频连续波光载信号生成系统 | |
| Habruseva et al. | Optimum phase noise reduction and repetition rate tuning in quantum-dot mode-locked lasers | |
| LT5710B (lt) | Bangolaidinis moduliatorius | |
| Ettorre et al. | High speed and resilient wireless interconnects in the near field | |
| CA2947207C (en) | A method and system for generating and transmitting terahertz | |
| RU129308U1 (ru) | Генератор микроволнового излучения на основе туннельно-связанной структуры | |
| JP2017075786A (ja) | 超広帯域信号源を備えたレーダー装置 | |
| TW535336B (en) | Frequency modulated laser with high modulation bandwidth | |
| Nikzamir et al. | Exceptional Points of Degeneracy in Waveguides with or without Loss and Gain | |
| CN112803239A (zh) | 一种基于双光注入半导体激光器的微波频率梳产生装置 | |
| O’Hara et al. | Split-ring resonator enhanced terahertz antenna | |
| Blanco-Redondo | Programmable Topological Photonics | |
| Aryanfar et al. | 47 dB Net on-chip Brillouin gain for true time delay applications | |
| Chao et al. | Metamaterial based negative refractive index traveling wave tube | |
| Monti et al. | On the propagation of a Gaussian pulse in a double-negative slab | |
| Wang et al. | Pulse radar signal generation technology based on a Fourier domain mode-locked optoelectronic oscillator | |
| Kogut et al. | An Innovative WGM-Segmented Dielectric Resonator-Based Mm-Wave All-Round Antenna | |
| Ponomarenko et al. | The extension of the operation frequency range of the resonant BWOs by use of the multistage gratings | |
| Takashima et al. | Optical DFG-based 60 GHz signal generation by using a LiTaO3 rectangular waveguide | |
| Li et al. | Optimized electrode structure for a high‐Q electro‐optic microdisk‐based optical phase modulator | |
| Clarke et al. | Planar Gunn-effect oscillators with concentric electrodes | |
| Wang et al. | High-Finesse Surface Acoustic Wave Cavities on Etched-Groove GaAs | |
| Balagula et al. | Investigation of Terahertz Radiation Interaction with Space-charge Domains in n-type Gallium Nitride |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM9A | Lapsed patents |
Effective date: 20120513 |