LT5463B - Puslaidininkinių kristalų fotolaidumo tipo nustatymo būdas - Google Patents
Puslaidininkinių kristalų fotolaidumo tipo nustatymo būdas Download PDFInfo
- Publication number
- LT5463B LT5463B LT2006033A LT2006033A LT5463B LT 5463 B LT5463 B LT 5463B LT 2006033 A LT2006033 A LT 2006033A LT 2006033 A LT2006033 A LT 2006033A LT 5463 B LT5463 B LT 5463B
- Authority
- LT
- Lithuania
- Prior art keywords
- semiconductor
- excitation
- photoconductivity
- type
- optical
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 36
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 12
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 24
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 abstract 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005404 monopole Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
Būdas puslaidininkinių kristalų fotolaidumo tipuinustatyti žadinimo iš giliųjų lygmenų sąlygomis, kai tiriamajame puslaidininkiniame dviejų spindulių interferencinis šviesos laukas suformuoja dinaminę difrakcinę gardelę, besiskiriantis tuo, kad yraįvedamas papildomas zondavimo pluoštelis, matuojamos zonduojančio pluoštelio difrakcijos efektyvumo laikinės priklausomybės prie skirtingų žadinimo energijos srauto tankių ir gardelės periodų, nustatoma efektinio difuzijos koeficiento priklausomybė nuo žadinimo energijos srauto tankio, iš kurios pobūdžio (efektinio difuzijos koeficiento vertės didėjimo ar mažėjimo) sprendžiama apie kristalo fotolaidumo tipą.
Description
Siūlomas būdas yra iš medžiagų metrologijos srities ir yra skirtas momentinio fotolaidumo tipo nustatymui fotorefraktyviuose puslaidininkiniuose kristaluose, kai nepusiausvirieji krūvininkai yra generuojami iš giliųjų lygmenų apšviečiant tiriamąjį kristalą reikiamo bangos ilgio šviesos impulsais. Momentinis fotolaidumo tipas parodo, kad tiriamuoju laiko momentu šviesa sužadintame puslaidininkyje vyrauja nepusiausvirieji elektronai (n tipas) arba skylės (p tipas). Fotolaidumo tipas yra svarbi puslaidininkinių medžiagą skirtų optoelektronikos įrenginiams, charakteristika, kurioje slypi informacija apie krūvininkų generacijos iš giliųjų lygmenų ypatumus bei šių lygmenų kompensacijos laipsnį. Siūlomas būdas yra pilnai optinis, todėl bekontaktis ir neardantis tiriamojo objekto.
Analogiškas metodas (toliau - analogas) fotolaidumo tipui nustatyti buvo pasiūlytas S. Juodkazio ir kt. (S. Juodkazis, V. Netiksis, M. Petrauskas, H. J. Eichler, B. Smandek, Y. Ding, „Contactless determination of the dominant photorefractive mobile charge by comparing cw and ps two-wave mixing“, Optics Communications, vol. 134 (1997) 227-232). Analogas yra paremtas fotorefraktyvinio stiprinimo matavimais dviejų bangų maišymo metodika. Yra atliekami du matavimų ciklai: stipraus impulsinio žadinimo pikosekundiniais šviesos impulsais režimu ir silpno žadinimo nenutrūkstamos veikos spinduliuote režimu. Stipraus žadinimo režime tiriamasis puslaidininkinis kristalas yra apšviečiamas dviem koherentiškais skirtingo intensyvumo pikosekundinės trukmės impulsų pluošteliais, kurie sukuria dinaminę diffakcinę gardelę. Tiriamasis kristalas yra išpjaunamas ir orientuojamas kristalografinių ašių atžvilgiu, pvz. dinaminės difrakcinės gardelės vektorius nukreipiamas išilgai kristalografinės [110] ašies. Žadinančios šviesos bangos ilgis ir energijos srauto tankis parenkami taip, kad nepusiausvirieji krūvininkai būtų generuojami i
dvipakopiais ar dvifotoniniais šuoliais. Žadinimo režimo sąlygos priklauso nuo puslaidininkio (pvz., « GaAs, CdTe galima naudoti 1064 nm bangos ilgio šviesą kurios energijos srauto tankis ~ 10 - 100 mJ/cm2). Yra matuojamas silpnesniojo pluoštelio pralaidumo pokytis ΔΤ pasirinktai kristalo padėčiai, sukeltas stipresniojo žadinančio pluoštelio. Iš pralaidumo ΔΤ/Τ (čia T - pralaidumas, kai stipresnis žadinimo pluoštelis uždengtas) suskaičiuojamas fotorefraktyvaus stiprinimo koeficientas
Γ naudojant apytikslę priklausomybę ΔΤ/Τ « (Γ ± Aa)L, čia Δα yra sugerties koeficiento pokytis, L - kristalo storis. Sukant kristalą išmatuojama priklausomybė Γ=ίι(φ), čia φ žymi kampą tarp kristalografinės [110] ašies ir dinaminės difrakcinės gardelės vektoriaus. Yra daroma prielaida, kad stipraus žadinimo režime kristale susidaro Demberio elektrinis laukas tarp elektronų ir skylių, kurio kryptį lemia judresni elektronai, todėl išmatuotoji priklausomybė r=fj(φ) yra būdinga elektroninio fotolaidumo tipo kristalams. Po to išmatuojama priklausomybė Γ=Γ?(φ) silpno žadinimo režime, kai žadinimui naudojamas nuolatinės veikos lazerinis šaltinis, kurio bangos ilgis ir galios tankis turi būti parinkti taip, kad nepusiausvirieji krūvininkai būtų generuojami iš giliųjų lygmenų. Kristalo ‘ fotolaidumo tipas nustatomas palyginus Γ=ί2(φ) su Γ=ίι(φ): jei šių priklausomybių kitimo fazės sutampa, tai kristalas yra elektroninio fotolaidumo tipo, o jei priklausomybės yra priešingos fazės skylinio fotolaidumo tipo.
Analogas turi kelis esminius trūkumus. Analogas išnaudoja elektrooptinį netiesiškumą, kurio dėka vyksta energijų mainai tarp pluoštelių, todėl analogas tinkamas tik didelio elektrooptinio koeficiento kristalams be centrinės simetrijos. Šviesos interferencinio lauko sukeltas sugerties koeficiento pokytis, kuris nepriklauso nuo kristalo orientacijos, gali apsunkinti stiprinimo koeficiento Γ nustatymą. Analogo būdui yra reikalinga tiksli kristalo padėties orientacija kristalografinių ašių atžvilgiu. Analogo techninė realizacija yra sudėtinga ir brangi, nes reikia panaudoti du skirtingus lazerinius šviesos šaltinius ir dvi optines schemas.
Siūlomas būdas leidžia pašalinti išvardintus analogo trūkumus. Siūlomame būde, kuriame du interferuojantys žadinimo pluošteliai užrašo dinaminę difrakcinę gardelę, naujai yra įvedamas papildomas zonduojantis pluoštelis, matuojamos šio pluoštelio difrakcijos efektyvumo laikinės priklausomybės prie skirtingų žadinimo energijos tankių ir gardelės periodą nustatoma efektinio difuzijos koeficiento priklausomybė nuo žadinimo energijos srauto tankio, o iš šių priklausomybių sprendžiama apie kristalo fotolaidumo tipą. Siūlomas būdas nereikalauja specialios bandinio orientacijos bei jo sukimo, o tiriamasis kristalas nebūtinai turi pasižymėti elektrooptiniu efektu. Būdui realizuoti pakanka vieno spinduliuotės šaltinio, kuris leidžia keisti žadinimo intensyvumą plačiose ribose ir pasiekti tiek silpno, tiek ir stipraus (bipolinio) žadinimo režimus.
\ Siūlomas būdas yra paremtas fizikiniu reiškiniu, kai, dominuojant krūvininkų generacijai iš giliųjų lygmeną nepusiausvirųjų krūvininkų pernaša yra veikiama vidinio elektrinio lauko. Vidinis i
elektrinis laukas Esc yra sukuriamas apšviečiant puslaidininkį erdviškai moduliuoto intensyvumo šviesos lauku, kurio šviesos kvanto energija yra pakankama gilaus lygmens fotojonizacijai, bet mažesnė už puslaidininkio draustinių energijų tarpą. Šviesos kvantai jonizuoja giliuosius lygmenis ir taip sukuria nepusiausviruosius krūvininkus, kurie dėl difuzijos persiskirsto erdvėje ir sąlygoja vidinio elektrinio lauko atsiradimą tarp judrių krūvininkų ir nejudrių jonizuotų defektą Vidinis elektrinis laukas, priklausomai nuo dominuojančių krūvininkų ženklo, skirtingai veikia elektronų difuziją, todėl matuojant elektronų “efektinio” (t.y. įtakoto elektrinio lauko) difuzijos koeficiento Def priklausomybę nuo žadinimo energijos srauto tankio ir lyginant jo vertę su bipolinio difuzijos koeficiento Db verte galima nustatyti kristalo fotolaidumo tipą. Bipolinis difuzijos koeficientas yra apibrėžiamas kaip DB=2DnDp/(Dn+Dp), čia Dn ir Dp yra elektronų ir skylių monopoliniai difuzijos koeficientai. Db vertė yra išmatuojama stipraus žadinimo atveju, kai nepusiausvirieji krūvininkai generuojami dvipakopių ar dvifotoninių šuoliu metu, todėl elektronų ir skylių tankiai yra vienodi.
Efektinis difuzijos koeficientas Def siūlomame būde matuojamas išsigimusio keturių bangų maišymo metodu. Optinę matavimo schemą (Fig. 1) sudaro lazerinis impulsinės spinduliuotės šaltinis 1, optinis daliklis 2, pirminis optinio kaupinimo pluoštelis 3, optinis daliklis 4, du optinio žadinimo pluošteliai 5 ir 6, Glano poliarizacinė prizmė 7, optinis daliklis 8, optinio žadinimo kanalo dalis 9, tiriamasis bandinys 10, optinio zondavimo pluoštelis 11, optinio vėlinimo įrenginys 12, pro bandinį praėjusio zondavimo pluoštelio dalis 13, difragavęs pluoštelis 14, fotodetektoriai FD1, FD2, FD3 ir duomenų surinkimo blokas 15. Schemos elementų paskirtis - suformuoti optinio žadinimo kanalus, nukreipti juos į tiriamąjį puslaidininkio kristalą, zonduojančiu pluošteliu sekti vyksmus tiriamajame kristale ir registruoti jų ypatumus pagal zonduojančio pluoštelio diffagavusios dalies charakteristikas.
Efektinis difuzijos koeficientas Def puslaidininkinėje medžiagoje yra matuojamas taip. Lazerinės spinduliuotės pluoštelis iš lazerinio šaltinio 1 (pvz. impulsinio pikosekundinio lazerio spinduliuotė, kurios kvanto energija hv= 1,17 eV) optiniu dalikliu (pvz. dielektriniu dalinio atspindžio veidrodžiu) dalinamas į du pluoštelius. 80-90 % pirminio pluoštelio energijos suformuoja optinio žadinimo pluoštelį 3, kuris optiniu dalikliu 4 padalinamas į du vienodo intensyvumo optinio žadinimo pluoštelius 5 ir 6. Elektrinio lauko komponentė optinio žadinimo pluošteliuose yra vertikalios poliarizacijos. Optinio žadinimo pluoštelio 5 kelyje yra patalpinama Glano poliarizacinė prizmė, orientuota tokiu būdu, kad vertikaliai poliarizuota šviesa (pluoštelis 5) būtų praleidžiama. Optinis daliklis 8 (stiklo plokštelė) yra įstatomas žadinimo pluoštelio 6 kelyje ir atspindi dalį (~4%) energijos į fotodetektorių FD1. Optiniai pluošteliai 5 ir 6 vienu metu susikerta bandinyje 10 kampu Θ, interferuoja ir suformuoja dinaminę difrakcinę laisvųjų krūvininkų gardelę, charakterizuojamą gardelės periodu A=A72sin(0/2), čia λ žymi žadinimo pluoštelio bangos ilgį. Optinis zondavimo pluoštelis 11, suformuotas optiniu dalikliu 2, patenka į optinį vėlinimo įrenginį 12 ir yra nukreipiamas į dinaminę difrakcinę gardelę Brego kampu. Išsigimusio keturių bangų maišymo atveju (zonduojančio ir sužadinančių impulsų bangos ilgis yra viendas) pluoštelių 11 ir 6 padėtis erdvėje turi tiksliai sutapti, o sklidimo kryptys turi būti priešingos. Zondavimo pluoštelio 11 poliarizacija turi būti tiesinė ir statmena žadinimo pluoštelių poliarizacijai. Pro bandinį praėjusio zondavimo pluoštelio dalis 13 yra nukreipiama į fotodetektorių FD2. Nuo dinaminės difrakcinės gardelės difragavęs pluoštelis 14 Glano prizmėje yra atspindimas į detektorių FD3. Fotodetektoriai FD1, FD2 ir FD3 perduoda proporcingus registruojamoms energijoms elektrinius signalus į elektroninį duomenų surinkimo bloką 15. Iš surinktų duomenų suskaičiuojamas momentinis difrakcinis efektyvumas η, apibrėžiamas kaip difragavusiojo pluoštelio 14 energijos ir praėjusiojo pro tiriamąjį bandinį zondavimo pluoštelio energijų santykis η = Id/Ip, matuojamas fotodetektoriais FD3 ir FD2.
Efektiniam difuzijos koeficientui Def, atitinkančiam tam tikrą žadinimo energijos srauto tankį E, nustatyti yra matuojamos laikinės difrakcijos efektyvumo priklausomybės ų=f(At), čia At žymi optinį zondo vėlinimą žadinančių impulsų atžvilgiu. Yra parenkama tokia optinio vėlinimo įrenginio 12 padėtis, kad zonduojantis impulsas pasiektų bandinį praėjus At, laiko tarpui nuo dinaminės gardelės sukūrimo ir pamatuojamas šį vėlinimą atitinkantis difrakcijos efektyvumas η,, po to procedūra kartojama įvairioms At vertėms. Laikinėje priklausomybėje turi būti pamatuotos ir kelios η vertės, atitinkančios neigiamas At vertes, kurios parodo foninį FD3 apšvietimą. Difrakcijos efektyvumo laikinė priklausomybė tam tikrame taške Atį yra aproksimuojama eksponente η~βχρ(2t/xo), kur το - gardelės irimo trukmė. Matuojant laikinę difrakcijos efektyvumo priklausomybę įvairioms kampo tarp žadinančių pluoštelių 5 ir 6 vertėms yra išmatuojama gardelės irimo trukmės το priklausomybė nuo dinaminės difrakcinės gardelės periodo Λ. Išmatuota funkcija το'=ί(Α'2) yra aproksimuojama tiese 1/tg=1/tr + 4n2D/A2, iš kurios polinkio suskaičiuojamas difuzijos koeficientas D; čia tr žymi nepusiausvirųjų krūvininkų gyvavimo trukmę. Difuzijos koeficiento vertės nustatomos kelioms energijos srauto tankio vertėms Ei<E2<...<En. Ei vertė turi būti mažesnė už energijos srauto tankio Eb vertę, reikalingą sukurti bipolinei krūvininkų plazmai, o En - artimas ar didesnis už Eb vertę, kuri priklauso nuo tiriamosios medžiagos savybių. Medžiagos fotolaidumo tipas nustatomas iš Def priklausomybės nuo E. Jei Def vertė, išmatuota mažoms energijos srauto tankio vertėms (Ei<Eb), yra didesnė už Db ir mažėja didinant žadinimo energijos srauto tankį, tai puslaidininkis yra p fotolaidumo tipo (optiškai sužadintame puslaidininkyje dominuoja skylės). Jei Def vertė, išmatuota mažoms energijos srauto tankio vertėms (Eį<Eb), yra mažesnė už Db ir didėja didinant žadinimo energijos srauto tankį tai puslaidininkis yra n fotolaidumo tipo (optiškai sužadintame puslaidininkyje dominuoja elektronai).
Fotolaidumo tipo nustatymo pasiūlytuoju būdu pavyzdys pateiktas Fig. 2. Efektinio difuzijos koeficiento Def priklausomybė nuo žadinimo energijos srauto tankio buvo išmatuota dviejuose skirtingo legiravimo InP kristaluose (geležimi legiruotas kristalas pažymėtas InPl, o nelegiruotas InP2). Kristale InPl keliant žadinimo energijos srauto tankį nuo E = 0,3 mJ/cm2 iki E = 2,4 mJ/cm2 DEf vertė sumažėjo nuo 11 cm2/s iki 7 cm2/s. Kristale InP2 keliant žadinimo energijos srauto tankį nuo E = 0,3 mJ/cm2 iki E = 2,4 mJ/cm2 Def vertė padidėjo nuo 0,5 cm2/s iki 8 cm2/s. Išmatuotosios Def priklausomybės nuo E parodo, kad fotolaidumas InPl kristale yra p tipo, o InP2 - h tipo.
Claims (1)
- IŠRADIMO APIBRĖŽTISBūdas puslaidininkinių kristalų fotolaidumo tipui nustatyti žadinimo iš giliųjų lygmenų sąlygomis, kai tiriamajame puslaidininkiniame dviejų spindulių interferencinis šviesos laukas suformuoja dinaminę difrakcinę gardelę, besiskiriantis tuo, kad įveda papildomą zondavimo pluoštelį, matuoja zonduojančio pluoštelio difrakcijos efektyvumo laikines priklausomybes prie skirtingų žadinimo energijos srauto tankių ir gardelės periodų, nustato efektinio difuzijos koeficiento priklausomybę nuo žadinimo energijos srauto tankio, iš kurios pobūdžio (efektinio difuzijos koeficiento vertės didėjimo ar mažėjimo) sprendžia apie kristalo fotolaidumo tipą.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| LT2006033A LT5463B (lt) | 2006-05-03 | 2006-05-03 | Puslaidininkinių kristalų fotolaidumo tipo nustatymo būdas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| LT2006033A LT5463B (lt) | 2006-05-03 | 2006-05-03 | Puslaidininkinių kristalų fotolaidumo tipo nustatymo būdas |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| LT2006033A LT2006033A (lt) | 2007-11-26 |
| LT5463B true LT5463B (lt) | 2008-01-25 |
Family
ID=38663096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| LT2006033A LT5463B (lt) | 2006-05-03 | 2006-05-03 | Puslaidininkinių kristalų fotolaidumo tipo nustatymo būdas |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| LT (1) | LT5463B (lt) |
-
2006
- 2006-05-03 LT LT2006033A patent/LT5463B/lt not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| S.JUODKAZIS ET AL: "Ciontactless determ. of the dominant photorefractive mobile charge", pages: 227 - 232 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| LT2006033A (lt) | 2007-11-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6972577B2 (en) | Voltage testing and measurement | |
| Taylor et al. | Enhanced Raman sensitivity using an actively stabilized external resonator | |
| CN114423137B (zh) | 一种诊断偏滤器等离子体中粒子数密度的共振激光干涉仪 | |
| EP3907513B1 (fr) | Capteur de courant basé sur l'effet faraday dans un gaz atomique | |
| JP2021508049A (ja) | 電力を輸送するために導電体内の特定の電界及び／又は磁界を測定する装置 | |
| US20030067312A1 (en) | Voltage testing and measurement | |
| Littau et al. | Dynamics in a low‐temperature glass: Fast generation and detection of optical holes | |
| WO2018042971A1 (ja) | 固体のスピン特性からトポロジカル絶縁性を評価する方法及び装置 | |
| CN101806722A (zh) | 一种瞬态光栅衰减动力学的瞬态饱和吸收光谱测试方法 | |
| Benson et al. | REVIEW OF RECENT EXPERIMENTAL RESULTS FROM THE STANFORD 3µm FREE ELECTRON LASER | |
| Tabosa et al. | Nonlinear spectroscopy and optical phase conjugation in cold cesium atoms | |
| Chen et al. | Efficient pulsed photorefractive process in LiNbO 3: Fe for optical storage and deflection | |
| LT5463B (lt) | Puslaidininkinių kristalų fotolaidumo tipo nustatymo būdas | |
| Sutherland et al. | Two‐photon absorption and second hyperpolarizability measurements in diphenylbutadiene by degenerate four‐wave mixing | |
| Zavattini et al. | PVLAS: probing vacuum with polarized light | |
| Montjovet-Basset et al. | Incoherent Measurement of a Sub-10 kHz Optical Linewidth | |
| Harata et al. | Laser stimulated scattering microscope: A tool for investigating modified metallic surfaces | |
| Vernon et al. | Ultrafast radiation detection by modulation of an optical probe beam | |
| Fox et al. | Third harmonic generation as a structural probe of ion-implanted silicon | |
| Reponen et al. | Broadband transient full-Stokes luminescence spectroscopy with high sensitivity | |
| Beica | Development and Characterization of Auto-Locked Laser Systems and Applications to Photon Echo Lifetime Measurements | |
| Metje | Development and Application of a XUV Laser Light Source for Photoelectron Spectroscopy of Solutions | |
| Laidler | Laser induced damage in single crystal calcium fluoride | |
| Saathoff et al. | Testing Time Dilation on Fast Ion Beams | |
| Parsons | Detecting Ionising Radiation with Polarised Light |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM9A | Lapsed patents |
Effective date: 20120503 |