KR980701133A - Wet Chemical Treatment Installation - Google Patents

Wet Chemical Treatment Installation

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KR980701133A
KR980701133A KR1019970704546A KR19970704546A KR980701133A KR 980701133 A KR980701133 A KR 980701133A KR 1019970704546 A KR1019970704546 A KR 1019970704546A KR 19970704546 A KR19970704546 A KR 19970704546A KR 980701133 A KR980701133 A KR 980701133A
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흘거 지겔
베르너 슐츠
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옐비히
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Abstract

적어도 하나의 기판 캐리어(17) 및 기판을 삽입 및 배출시키기 위한 리프팅 장치(1)를 포함하는, 처리 유체(23)를 함유한 탱크(21)에서 기관(25)을 화학 습식 처리하는 장치(20)에서, 연속 배출 및 삽입은 상기 기판(25)을 위한 제 1이송 캐리지 및 기판 캐리어(17)를 위한 제 2이송 캐리지를 포함하는 상기 리프팅 장치에 의하여 달성된다.Apparatus 20 for chemical wet treatment of an engine 25 in a tank 21 containing a processing fluid 23 comprising at least one substrate carrier 17 and a lifting device 1 for inserting and discharging substrates ), continuous ejection and insertion is achieved by the lifting device comprising a first transport carriage for the substrate 25 and a second transport carriage for the substrate carrier 17 .

Description

화학 습식 처리 장치(Wet Chemical Treament Installation)Wet Chemical Treament Installation

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this content is a publicly disclosed case, the full text is not included.

현재, 자동 습식 처리 장치는 일련의 화학 습식 처리를 위한 다수의 용기 또는 탱크를 포함한다. 화학 처리 시퀀스의 완료 후에 또는 처리 단계 사이에서, 예를 들어 카세트에 배열된 실리콘 웨이퍼와 같은 기판은 세정 탱크에 침지되고 다음에 건조된다.Currently, automatic wet processing equipment includes a number of vessels or tanks for a series of chemical wet processing. After completion of the chemical treatment sequence or between treatment steps, a substrate, for example a silicon wafer arranged in a cassette, is immersed in a cleaning tank and then dried.

예를 들어 기판의 건조는 세정 탱크로부터 기판을 천천히 빼내면서 원심분리기에 의하여 수행될 수 있다.For example, drying of the substrate may be performed by a centrifuge while slowly withdrawing the substrate from the cleaning tank.

유럽특허 제 0 385 536호에서는 기판을 천천히 빼내는 것 이외에, 배스(bath)로부터 발생된 증기가 기판에 가해지고 증기는 기판 위에 응축되지 않고 액체로 확산되도록 하는 건조 방법이 공지되어 있다. 기판 표면상의 메니스커스에서 농도 기울기가 형성되어 표면 장력 기울기가 형성되며, 상기 표면 장력 기울기는 기판으로부터 멀리 액체가 이동되도록 하고 따라서 잔류물 없이 기판이 건조되도록 한다. 화학 습식 처리, 즉 각각의 세정 및 건조 중에, 기판은 소위 웨이퍼 카세트라고 하는 케리어에 고정되며, 상기 카세트의 슬롯은 카세트의 측벽의 내무 표면 위에 형성된다. 상기와 같은 표준 캐리어는 특히 에지 및 모서리와 함께 상대적으로 큰 표면을 가지며, 따라서 상대적으로 많은 양의 화학 제품이 하나의 처리 탱크에서 다른 처리 탱크 그리고 각각 하나의 배스에서 다른 배스로 전달되어 건조 처리가 곤란하게 되도록 한다. 통상적인 캐리지의 에지 및 큰 표면영역은 처리 중에 각각의 세척, 세정 및 건조 단계의 시간을 연장시키는데, 왜냐하면 상대적으로 많은 양의 액체가 표면, 에지 및 모서리에 부착되고 세정에 의한 화학 제품의 제거가 더욱 복잡하기 때문이다. 그러나, 캐리어가 측면 가이드를 가지지 않으면, 리프팅중에 기판에 대하여 측면 안내를 제공하지 않는다. 공지된 장치에서 측면 캐리어 가이드는 캐리어로부터 기판을 리프팅 할 때 기판이 뒤집어 지는 것을 방지하기 위하여 배스로부터 기판을 리프팅할 때 기판을 고정하기 위하여 이용된다.EP 0 385 536 discloses a drying method in which, in addition to slowly withdrawing the substrate, vapor generated from a bath is applied to the substrate and the vapor diffuses into a liquid without condensing on the substrate. A concentration gradient is formed at the meniscus on the substrate surface to form a surface tension gradient, which causes the liquid to move away from the substrate and thus dry the substrate without residue. During the chemical wet process, i.e. each cleaning and drying, the substrate is fixed in a carrier called a wafer cassette, the slot of which is formed on the inner surface of the sidewall of the cassette. Such standard carriers have a relatively large surface, especially with edges and corners, so that a relatively large amount of chemical is transferred from one treatment tank to another and each from one bath to another, so that the drying treatment is not possible. make it difficult The edge and large surface area of conventional carriages prolong the time of each cleaning, cleaning and drying step during processing, because relatively large amounts of liquid adhere to surfaces, edges and corners and removal of chemicals by cleaning is difficult. Because it's more complicated. However, if the carrier does not have side guides, it does not provide side guides for the substrate during lifting. In the known device, the side carrier guide is used to hold the substrate when lifting the substrate from the bath in order to prevent the substrate from turning over when lifting the substrate from the carrier.

일본 출원 제 5-27 06 60(A)호에서, 기판 및 캐리어를 화학 습식 처리용 용기로 삽입하고 상기 용기로부터 빼내는 이송 캐리지를 가진 리프팅 부재를 가진 전술한 종류의 장치가 공지되어 있다. 유럽 출원 제 0 385 536A호의 장치와 관련하여 설명된 삽입 및 배출의 경우에, 기판은 캐리어와 함께 배출 및 삽입되도록 캐리어내에 유지된다.From Japanese Application No. 5-27 06 60(A), an apparatus of the above-mentioned kind having a lifting member with a transfer carriage for inserting and withdrawing a substrate and a carrier into and out of the container for chemical wet processing is known. In the case of insertion and ejection described in connection with the apparatus of European application 0 385 536A, the substrate is held in the carrier for ejection and insertion together with the carrier.

미국 특허 제 5,299,901호에는, 제 1이송 캐리지가 기판용 캐리어를 이동시키고 제 2이송 캐리어가 상기 캐리어에 대하여 기판을 이동시키는 기판 조종장치가 공지되어 있다. 기판의 삽입 및 배출, 기판의 화학 습식 처리용 용기에 대한 기판 캐리어 및 관련 필요조건과 곤란성에 대하여는 기술되어 있지 않다.No. 5,299,901 discloses a substrate manipulator in which a first transfer carriage moves a carrier for a substrate and a second transfer carrier moves the substrate relative to the carrier. Insertion and ejection of substrates, substrate carriers for containers for chemical wet processing of substrates, and related requirements and difficulties are not described.

미국 특허 제 5,299,901호에는, 제 1이송 캐리지가 기판용 캐리어를 이동시키고 제 2이송 캐리어가 상기 캐리어에 대하여 기판을 이동시키는 기판 조종장치가 공지되어 있다. 기판의 삽입 및 배출, 기판의 화학 습식 처리용 용기에 대한 기판 캐리어 및 관련 필요조건과 곤란성에 대하여는 기술되어 있지 않다.No. 5,299,901 discloses a substrate manipulator in which a first transfer carriage moves a carrier for a substrate and a second transfer carrier moves the substrate relative to the carrier. Insertion and ejection of substrates, substrate carriers for containers for chemical wet processing of substrates, and related requirements and difficulties are not described.

미국 특허 제 4,963,069호에는 기판 캐리어가 리프팅 장치에 의하여 상승 및 하강되고 그리고 리프팅 로드에 대한 결합부를 가진 피스톤-실린더 유니트가 리프팅 이동으로부터 기판 캐리어의 연결을 풀기 위하여 제공되는 기판 조종 장치가 공지된다.U.S. Patent No. 4,963,069 discloses a substrate handling device in which a substrate carrier is raised and lowered by means of a lifting device and a piston-cylinder unit having an engagement portion for a lifting rod is provided for disengaging the substrate carrier from the lifting movement.

독일 특허 제 34 25 267호에는 기판 캐리어 내의 기판이 리프팅되고 상기 기판이 캐리어의 외부로 리프팅 될 수 있는 기판 이송 및 기판 개별 조종 장치가 공지되어 있다.German Patent No. 34 25 267 discloses a substrate transport and substrate handling device in which a substrate in a substrate carrier can be lifted and the substrate can be lifted out of the carrier.

미국 특허 제 3,493,093호에는 제어 커브가 사용되도록 대상물이 리프팅되고 이송될 수 있는 이송 및 조종 장기가 도시되고 개시되어 있다.U.S. Patent No. 3,493,093 shows and discloses a conveying and manipulating organ by which an object can be lifted and conveyed such that a control curve is used.

본 발명은 적어도 하나의 기판 캐리어 및 기판을 삽입하고 빼내는 리프팅 장치를 구비하고, 처리 유체를 포함하는 탱크에서 기판을 화학 습식 처리하는 장치 및 리프팅 부재를 이용하는 건조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for chemically wet processing a substrate in a tank containing a processing fluid, comprising at least one substrate carrier and a lifting device for inserting and withdrawing a substrate, and a drying method using a lifting member.

제1도는 본 발명의 건조 시스템용 리프팅 장치의 실시예의 후면도이다.1 is a rear view of an embodiment of a lifting device for a drying system of the present invention;

제2도는 제1도의 리프팅 장치의 측면도이다.Fig. 2 is a side view of the lifting device of Fig. 1;

제3도는 화학 습식 처리용 건조 장치의 단면도로서, 동시에 본 발명의 건조방법의 제1단계를 도시한다.Fig. 3 is a cross-sectional view of a drying apparatus for chemical wet treatment, at the same time showing the first stage of the drying method of the present invention.

제4도는 본발명의 건조 방법의 제2 단계를 도시한다.Figure 4 shows the second stage of the drying method of the present invention.

제5도는 본 발명의 건조 방법의 제3 단계를 도시한다.Figure 5 shows a third stage of the drying method of the present invention.

제6도는 본 발명의 건조 방법의 제4 단계를 도시한다.6 shows a fourth step of the drying method of the present invention.

제7도는 본 발명의 건조 방법의 제5 단계를 도시한다.7 shows a fifth step of the drying method of the present invention.

제8도는 본 발명의 건조 방법의 제6 단계를 도시한다.Figure 8 shows the sixth step of the drying method of the present invention.

제9도는 본 발명의 건조 방법의 제7 단계를 도시한다.9 shows a seventh step of the drying method of the present invention.

제10도는 본 발명의 건조 방법의 제8 단계를 도시한다.Figure 10 shows an eighth step of the drying method of the present invention.

제11도는 후두에서 적하 플레이트가 계략적으로 도시된 본 발명에 따른 장치의 실시예.11 shows an embodiment of the device according to the invention schematically showing the drip plate in the larynx;

제12도는 후드를 감싸고 있는 칼라 형태로 적하 보호 장치를 가진 본 발명에 따른 장치의 다른 실시예이다.12 shows another embodiment of the device according to the invention with a drip protection device in the form of a collar surrounding the hood;

제13도는 제12도에 따른 실시에의 평면도이다.Fig. 13 is a plan view of the embodiment according to Fig. 12;

제14도는 탱크에 세척 개구부를 가진 본 발명에 따른 장치의 실시예에 대한 측면도이다.14 is a side view of an embodiment of the device according to the invention with a cleaning opening in the tank;

제15도는 제14도에서 라인 I-I을 따른 단면도이다.Fig. 15 is a cross-sectional view taken along line I-I in Fig. 14;

제16도는 이온화 장치를 가진 후드 실시예에 대한 계략도이다.16 is a schematic diagram of a hood embodiment with an ionizer.

본 발명의 목적은 기판의 연속 안정 상향 하향 이동이 가능하도록 하는 세정 및 / 또는 건조를 위한 화학 습식 처리용 장치 및 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide an apparatus and method for chemical wet processing for cleaning and/or drying which enables a continuous stable upward downward movement of a substrate.

상기 목적은 기판용 이송 캐리지 및 기판 캐리어용 이송 캐리지를 가진 리프팅 장치를 제공함으로써 본 발명에 의하여 달성되며, 상기 이송 캐리지는 서로 이음 접속부에 의하여 접속된다. 상기 실시예에서 기판 및 기판 캐리어를 위한 별도의 리프팅 제어 및 이에 의한 각각의 공정에 대한 이동의 최적 조정이 가능하다. 이와 같이 서로에 대한 캐리지의 상대 이동의 가능성과의 결합에 의하여 두개의 캐리지의 이동 및 이에 따른 기판 및 기판 캐리어의 이동의 최적 조종이 이루어진다. 본 발명의 특징 및 방법은 리프팅될 캐리어의 정지 및 과도한 감소 없이 전체 공정 중에, 특히 캐리어와 관련된 기판 이동에 대한 캐리어 자체의 이동 사이의 전환 중에 기판을 수용하고 있는 캐리어의 연속적인 배출 및 캐리어로부터의 기판의 다음 리프팅이 가능하도록 한다. 웨이퍼 캐리어 처리에 있어서, 처리, 세정 또는 세척 배스로부터 웨이퍼를 리프팅하는 중에 정지가 발생하지 않는 것은 매우 중요한데, 왜냐하면 만약 리프팅 중에 정지되면, 액체로부터 액체 표면상의 공간으로의 전이 영역에서, 입자가 웨이퍼 위에 부착될 수 있기 때문이다. 본 발명에 의하여 제공되는 캐리어 및 기판 상의 스트로크 차이 때문에, 특히 액체 표면을 통과하는 동안, 액체 외부로의 기판의 연속 이동이 가능하다.The above object is achieved by the present invention by providing a lifting device having a transport carriage for substrates and a transport carriage for substrate carriers, wherein the transport carriages are connected to each other by means of joint connections. In this embodiment, separate lifting control for the substrate and the substrate carrier and thereby optimal adjustment of the movement for each process are possible. This combination with the possibility of the relative movement of the carriages with respect to one another results in an optimal steering of the movement of the two carriages and thus the movement of the substrate and the substrate carrier. The features and methods of the present invention provide for continuous ejection of and from a carrier holding a substrate during the entire process without stopping and undue reduction of the carrier to be lifted, in particular during the transition between movement of the carrier itself relative to the movement of the substrate relative to the carrier. Enables subsequent lifting of the substrate. In wafer carrier processing, it is very important that no stalling occurs during lifting of the wafer from the processing, cleaning or cleaning bath, because if it is stopped during lifting, in the region of the transition from liquid to space on the surface of the liquid, particles are Because it can be attached. Because of the stroke difference on the carrier and the substrate provided by the present invention, continuous movement of the substrate out of the liquid is possible, especially while passing through the liquid surface.

본 발명의 바람직한 실시예는 종속항에 기술되어 있다.Preferred embodiments of the invention are described in the dependent claims.

바람직하게, 제 1 이송 캐리지는 구동 장치에 연결된다. 제 2 이송 캐리지는 독립적으로 구동되지 않지만 대신 상기 제 1 이송 캐리지에 결합된다.Preferably, the first transport carriage is connected to the drive device. The second transport carriage is not driven independently but is instead coupled to the first transport carriage.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 이음 접속부는 두 개의 레그를 포함하며, 제 1 레그는 제 1 이송 캐리지에 연결되고 제 2 레그는 제 2 이송 캐리지에 피보트적으로 연결된다. 이송 캐리지로부터 멀리 인접하는 상기 레그의 단부는 핀에 의하여 서로 피보트적으로 연결된다.According to another preferred embodiment of the invention, the splicing portion comprises two legs, a first leg connected to a first transport carriage and a second leg pivotally connected to a second transport carriage. The ends of the legs abutting away from the transport carriage are pivotally connected to each other by pins.

바람직하게, 두 개의 레그를 연결하는 핀의 돌출부분은 제어 커브를 따라 이어진다. 따라서 상기 제어 커브는 두 개의 레그의 접속점의 이동경로를 결정한다. 제어 커브를 적합하게 선택함으로써, 제 1 및 제 2 이송 캐리지의 이동에 서로 또는 독립적으로 영향을 미치는 것이 가능하다. 이는 초기에 기판 캐리어 및 기판이 동일 속도에서 서로 이동하고 기판이 더 많이 이동하는 동안 기판 캐리어의 이동을 정지시키는 스트로크 차이를 구현한다. 상기와 같은 리프팅 메커니즘의 차이로 인하여 저중량 캐리어 또는 소형 캐리어라고 알려진 측면 가이드 없는 기판 캐리어의 접속 때문에, 용기 내의 고정 설치된 기판 캐리어 수납부는 종래 캐리어에서는 필요하였지만, 본 발명에서는 더 이상 필요치 않다.Preferably, the protrusion of the pin connecting the two legs runs along the control curve. Accordingly, the control curve determines the movement path of the connection point of the two legs. By suitably choosing the control curve, it is possible to influence the movement of the first and second transport carriages one another or independently. This implements a stroke difference in which the substrate carrier and the substrate initially move with each other at the same speed and stop the movement of the substrate carrier while the substrate moves more. Due to the connection of the substrate carrier without side guides, known as the low weight carrier or the small carrier due to the difference in the lifting mechanism as above, the fixedly installed substrate carrier compartment in the container was required in the conventional carrier, but is no longer required in the present invention.

바람직하게, 제어 커브는 이동 방향과 평행하게 연장되는 직선 부분에 연결된 인접 커브 부분을 포함한다.Preferably, the control curve comprises an adjacent curved portion connected to a straight portion extending parallel to the direction of movement.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 제 1이송 캐리지 및 제 2이송 캐리지 사이의 거리, 따라서 기판 및 기판 캐리어 사이의 간격은 핀이 커브 부분을 따라 이동할 때 증가된다. 기판 및 기판 캐리어 사이의 간격 증가 때문에, 기판은 기판 캐리어로부터 리프팅된다.According to a preferred embodiment of the present invention, the distance between the first transport carriage and the second transport carriage, and thus the spacing between the substrate and the substrate carrier, is increased as the pin moves along the curved portion. Due to the increased spacing between the substrate and the substrate carrier, the substrate is lifted from the substrate carrier.

바람직하게, 커브 부분의 형상은 제 1 이송 캐리지 및 제 2 이송 캐리지 사이의 간격이 일정하게 증가되도록 선택된다. 이는 기판의 일정한 리프팅 속도를 보장하여 조화되지 않는 이동 또는 정치 때문에 기판에 발생하는 건조 스포트 및 입자 부착이 안정되게 방지되도록 할 수 있도록 한다.Preferably, the shape of the curved portion is selected such that the distance between the first and second transport carriages is constantly increased. This ensures a constant lifting speed of the substrate so that dry spots and particle adhesion occurring on the substrate due to uncoordinated movement or settling can be reliably prevented.

바람직하게, 단부 부분에서의 커브 부분의 형성은 제 2 이송 캐리지가 완전하게 정지될 때까지 제 2 이송 캐리지가 천천히 제동되도록 선택된다. 제 2 이송 캐리지가 정지하는 포인트는 기판이 기판 캐리어 외부의 가이드에 맞몰릴 때 제 2 이송 캐리지가 바람직하게 정지되도록, 그러나 기판 캐리어가 탱크 외부에 위치한 기판 가이드와 충돌하지 않도록 선택된다.Preferably, the formation of the curved part at the end part is chosen such that the second transport carriage is braked slowly until it comes to a complete stop. The point at which the second transport carriage stops is selected such that the second transport carriage preferably stops when the substrate is driven against the guide outside the substrate carrier, but so that the substrate carrier does not collide with the substrate guide located outside the tank.

바람직하게, 제 1 이송 캐리지에는 간단히 브레이드라고 불리는 브레이드형 리프팅 부재가 제공되며, 상기 리프팅 부재는 하나의 포인트 접촉만이 발생하도록 하나의 포인트에서 기판을 지지한다. 이러한 기판 접촉 포인트는 리프팅 중에 유체가 남지 않도록 한다. 브레이드 형상은 기판 상의 이 위치에 남아있는 유체가 브레이드, 끝이 뾰족한 형상에 의하여 쉽게 비켜 나가게 될 수 있도록 하는 장점을 가진다. 브레이드에는 기판의 활주를 방지하는 노치가 제공된다.Preferably, the first transport carriage is provided with a braided lifting member, simply called a braid, which supports the substrate at one point such that only one point contact occurs. These substrate contact points ensure that no fluid remains during lifting. The braid shape has the advantage that the fluid remaining at this position on the substrate can be easily deflected by the braid, the pointed shape. The braid is provided with a notch to prevent sliding of the substrate.

편의상, 브레이드형 리프팅 부재 및 기판 캐리어는 핀이 제어 커브의 직선 부분을 따라 이동할 때 동일 속도에서 리프팅 된다. 이는 리프팅 중에 기판이 여전히 기판 캐리어 내에 수용될 때이다. 제 2 이송 캐리지는 기판이 기판 캐리어 외부의 가이드와 맞물릴 때만 정지된다.For convenience, the braided lifting member and the substrate carrier are lifted at the same speed as the pin moves along the straight portion of the control curve. This is when the substrate is still received in the substrate carrier during lifting. The second transport carriage is only stopped when the substrate engages the guide external to the substrate carrier.

후드가 용기 위에 배치될 경우에, 특히 건조 공정 중에, 가이드가 후드의 내부 측변에 제공되면 특히 바람직하다. 일차적으로는 용기 및 탱크를 덮기 위하여 제공되는 후드는 또한 기판이 더 이상 기판 캐리어에 의하여 맞물리지 않을 때 기판을 안내하는 역할을 한다. 바람직하게, 후드의 상부는 건조 공정을 개선하기 위한 이소프로필 알콜(IPA)/N2대기를 발생시키기 위하여 확산 플레이트에 연결된다.It is particularly advantageous if the hood is to be placed over the container, especially during the drying process, if guides are provided on the inner side of the hood. The hood provided primarily to cover the vessel and tank also serves to guide the substrate when the substrate is no longer engaged by the substrate carrier. Preferably, the top of the hood is connected to a diffusion plate to generate an isopropyl alcohol (IPA)/N2 atmosphere to improve the drying process.

바람직하게, 본 발명의 리프팅 장치에는 해제 및 록킹가능한 록킹 기구가 제공되며, 상기 록킹 기구는 제 1 및 제 2 이송 캐리지를 견고하게 연결한다. 제 1 이송 캐리지 및 제 2이송 캐리지 사이의 견고한 연결은 이동 방향에 평행한 제어 커브의 직선 부분을 따른 이음 접속부의 핀 이동과 일치한다. 록킹 기구가 록킹되면, 기판 캐리어는 예를 들어 기판 캐리어의 이송 위치가 탱크의 상부 부분에 위치할 때, 특히 기판을 가진 기판 캐리어가 탱크로 삽입 또는 탱크로부터 리프팅 될 때, 기판과 함께 완전히 탱크 밖으로 리프팅될 수 있다. 바람직하게, 특히 자동적으로 적재될 처리 시스템 내의 모듈로서 사용될 때 간단한 제어를 위하여 상기 록킹 기구를 록킹 또는 해제하는 실린더가 제공된다. 해제가능한 록킹 기구에 의하여 이송 캐리지들이 상부 위치로 로딩 및 언로딩하기 위하여 함께 이동될 수 있지만 기판 캐리어로부터 기판을 리프팅하기 위하여 분리될 수 있는 것이 가능하도록 한다.Preferably, the lifting device of the present invention is provided with a releasable and lockable locking mechanism, said locking mechanism securely connecting the first and second transport carriages. The rigid connection between the first and second transport carriages coincides with the movement of the pins of the splicing joint along a straight part of the control curve parallel to the direction of movement. When the locking mechanism is locked, the substrate carrier is completely out of the tank together with the substrate, for example when the transport position of the substrate carrier is located in the upper part of the tank, in particular when the substrate carrier with the substrate is inserted into or lifted from the tank. can be lifted. Preferably, a cylinder is provided which locks or unlocks said locking mechanism for simple control, especially when used as a module in a processing system to be automatically loaded. A releasable locking mechanism allows the transport carriages to be moved together for loading and unloading into an upper position but detachable for lifting the substrate from the substrate carrier.

본 발명의 다른 목적은 방법의 시퀀스를 간단히 하고 제품 품질을 개선하기 위한 상기 장치에 의하여 반도체 칩 및 / 또는 웨이퍼의 제조 수율을 증가시키는 것이다.Another object of the present invention is to increase the manufacturing yield of semiconductor chips and/or wafers by said apparatus for simplifying the sequence of methods and improving product quality.

상기 목적은 후드가 탱크 위에 제공되고 후드에 적하(drip)보호 장치가 제공되는 시스템용 상기 장치와 연결되어 달성된다. 특히 기판 처리를 위한 적어도 2개 이상의 탱크가 서로 인접하게 배치될 때, 습식 기판 및 / 또는 기판 캐리어의 삽입 도는 배출 중에 문제가 발생하는 종래의 장치에서는 작은 물방울이 인접 처리 탱크의 후드로 떨어진다. 다음에 후드가 예를 들어 탱크 내에서 건조된 기판 및 / 또는 기판 캐리어를 탱크로부터 배출하기 위하여 탱크 위로 이동될 때, 작은 물방울이 후드를 따라 떨어질 위험성이 많으며 그리고 이미 건조된 기판 위로 떨어질 위험성이 농후하다. 이러한 단점은 후드에 적하 보호 장치가 제공되는 본 발명에 의하여 해소된다.The object is achieved in connection with the device for a system in which a hood is provided above the tank and a drip protection device is provided in the hood. In conventional devices, where problems arise during insertion or ejection of wet substrates and/or substrate carriers, especially when at least two or more tanks for processing substrates are placed adjacent to each other, droplets fall into the hood of adjacent processing tanks. Next time the hood is moved over the tank, for example to drain the substrates and/or substrate carriers dried in the tank from the tank, there is a high risk that small water droplets will fall along the hood and onto the already dried substrates. do. This disadvantage is overcome by the present invention in which the hood is provided with a drip protection device.

바람직하게, 적하 보호 후드는 후드의 상부 측에 연결되거나 또는 후드의 주변에 연결된 칼라(collar)형태인 적하 플레이트를 포함한다. 적하 플레이트 및 칼라의 배열은 공간 상태에 의존하며 이용가능한 공간에 따라 선택된다.Preferably, the drip protection hood comprises a drip plate in the form of a collar connected to the upper side of the hood or connected to the periphery of the hood. The arrangement of the drip plate and collar depends on the space condition and is selected according to the available space.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 플레이트 및 칼라는 후드의 외경 너머로 돌출하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 적하 플레이트 및 / 또는 칼라는 탱크의 개방시 후드가 배치되는 후드 측면으로 하방향으로 경사지게 된다. 이러한 방식으로, 개방된 탱크 사이로 이동되는 후드 측면 상에서 어떠한 액체도 상기 탱크로 떨어지거나 낙하되지 않는데, 이는 적하 플레이트와 칼라가 후드의 측벽을 넘어 돌출하고 상시 후드의 측벽 및 상부면으로부터 상방향으로 연장되어 액체가 떨어질 수 없기 때문이다. 후드 위에 존재하는 액체 및 상기 측벽을 따라 칼라로 떨어지는 작은 물방울은 탱크의 개방 및 폐쇄 중에 개방된 탱크 위에 배치되지 않는 후드의 측면에 대하여 소정 기울기에서 적하 플레이트 및 칼라에 의하여 안내된다.According to a preferred embodiment of the present invention, the plate and collar protrude beyond the outer diameter of the hood, so that, according to a preferred embodiment of the present invention, the drip plate and/or collar are downwardly to the side of the hood on which the hood is disposed upon opening of the tank. will be inclined In this way, no liquid drips or drips into the tank on the side of the hood being moved between the open tanks, which means that the drip plate and collar protrude beyond the sidewall of the hood and always extend upwards from the sidewall and top surface of the hood. This is because the liquid cannot drip. The liquid present on the hood and the droplets falling onto the collar along the side wall are guided by the drip plate and collar at an inclination relative to the side of the hood which is not placed over the open tank during the opening and closing of the tank.

또한 전술한 목적은 세척 개구부를 탱크에 제공함으로써 전술한 장치 및 시스템과 연관되어 달성된다. 기판, 특히 탱크 내의 웨이퍼 처리중에, 웨이퍼 처리 중에 또는 웨이퍼 조종 중에, 웨이퍼가 파손되거나 일부분이 분쇄되어 탱크 내에 잔류된다. 이들 잔류물은 상부로부터 복잡한 방식으로 제거되어야 한다. 탱크에 새척 개구부가 제공되는 본 발명에 의하여, 잔류물 또는 파손된 웨이퍼의 제거가 용이하게 된다. 따라서, 세척 개구부는 분리될 수 있고, 바람직하게 스크류 조립 가능하며, 상기 세척 개구부는 바람직하게 탱크 바닥 또는 그 근방에서 탱크의 한 쪽에 연결된다. 따라서 탱크 내의 잔류물 및 웨이퍼 조각에 대한 직접 접근이 간단하고 빠르게 가능하다.The above object is also achieved in connection with the device and system described above by providing a cleaning opening in the tank. During processing of substrates, particularly wafers in tanks, during wafer processing or during wafer handling, wafers are broken or partly crushed and left in the tank. These residues have to be removed from the top in a complicated manner. By means of the present invention in which the tank is provided with a clean opening, the removal of residues or broken wafers is facilitated. Thus, the cleaning opening is detachable and preferably screwable, said cleaning opening being preferably connected to one side of the tank at or near the bottom of the tank. Direct access to the residues and wafer fragments in the tank is thus simple and fast.

또한 전술한 목적은 증기 영역에 정전기 하전을 방지하는 이온화 장치를 제공함으로써 전술한 장치와 연관 되어 달성될 수 있다. 증기 영역에서 또한 공정 중에 그리고 증류수 들과 같은 처리 유체를 흘리는 동안에 발생하는 전하 때문에, 이온이 웨이퍼 표면 상부 및 상방향으로 탱크를 닫는 후드 내의 처리 공간에 존재하며, 상기 이온은 기판에 정전기 하전 및 손상을 발생시킨다. 정전기 하전 때문에, 기판을 돌파하여 기판에 손상을 입히는 매우 높은 정전기 전압을 가지는 것이 가능하다. 이온을 발생시킴으로써 정전기 하전은 감소되고 정전기 하전에 의한 웨이퍼 손상은 더 이상 발생하지 않는다. 바람직하게 증기 영역 내에 질소 및 / 또는 이소프로필 알콜이 존재한다.The above object may also be achieved in connection with the above described device by providing an ionizing device that prevents electrostatic charging in the vapor region. Because of the charge generated in the vapor region and during processing and while flowing a processing fluid such as distilled water, ions are present in the processing space in the hood closing the tank above and above the wafer surface, which causes electrostatic charge and damage to the substrate. causes Because of the electrostatic charge, it is possible to have very high electrostatic voltages that break through and damage the substrate. By generating ions, electrostatic charge is reduced and wafer damage caused by electrostatic charge is no longer generated. Nitrogen and/or isopropyl alcohol is preferably present in the vapor zone.

바람직한 시스템 실시예에 따르면, 이온화 장치는 증기 영역에 제공되며, 상기 이온화 장치는 후드의 적어도 하나의 내부벽에 적어도 하나의 이온화 로드를 포함한다. 바람직하게, 이온화 장치는 적어도 하나의 카운터 전극을 포함하며, 상기 카운터 전극은 바람직하게 이온화 로드, 각각의 이온화 로드에 대하여 선택된 간격으로 후드의 내부벽에 배열된다. 상기 카운터 전극은 바람직하게 접지 및 고전압원 단자에 연결되며, 다른 단자는 이온화 로드에 연결된다.According to a preferred system embodiment, an ionizer is provided in the vapor region, said ionizer comprising at least one ionizing rod on at least one inner wall of the hood. Preferably, the ionizer comprises at least one counter electrode, which is preferably arranged on the inner wall of the hood at selected intervals for the ionizing rods, each ionizing rod. The counter electrode is preferably connected to ground and a high voltage source terminal, the other terminal being connected to the ionizing rod.

이온화 로드는 바람직하게 5 내지 25kV, 더욱 바람직하게 10 내지 15kV의 고전압이 인가된다.The ionizing rod is preferably applied with a high voltage of 5 to 25 kV, more preferably 10 to 15 kV.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 고전압은 펄스이다. 상기 펄스는 바람직하게 10 내지 100ms 더욱 바람직하게 10 내지 40ms의 펄스 길이를 가진다. 바람직하게, 펄스의 펄스 듀티비는 1:8 내지 1:12 및 바람직하게 약 1:10의 범위이다.According to a preferred embodiment of the present invention, the high voltage is a pulse. The pulse preferably has a pulse length of 10 to 100 ms, more preferably 10 to 40 ms. Preferably, the pulse duty ratio of the pulses is in the range of 1:8 to 1:12 and preferably about 1:10.

제품 품질의 개선은 증기 영역 내의 가스 농도, 가스 혼합 비율 및 / 또는 가스 함류량과 가스 혼합물 함유량을 감시하는 적어도 하나의 측정 프로브가 제공되는 전술한 장치에 의하여 달성될 수 있다. 바람직하게, 측정 프로브에 의하여 측정된 데이터는 증기 영역 내의 가스 농도, 가스 혼합비율 및 / 또는 가스 함유량과 가스 혼합물 함유량을 제어하기 위하여 이용된다. 이러한 방식으로, 진공 영역 내에서 전체 제조 및 처리 시퀀스에 대하여 최적의 상태를 유지하는 것이 가능하며 높은 제조 품질 및 낮은 폐기 처리율이 달성된다.An improvement in product quality can be achieved by means of the device described above provided with at least one measuring probe for monitoring the gas concentration, gas mixing ratio and/or gas content and gas mixture content in the vapor region. Preferably, the data measured by the measuring probe is used to control the gas concentration, gas mixing ratio and/or gas content and gas mixture content in the vapor region. In this way, it is possible to maintain an optimum condition for the entire manufacturing and processing sequence within the vacuum zone and high manufacturing quality and low disposal rates are achieved.

전술한 장치의 실시에에 따른 적정 제품 품질은 처리 유체가 회수되는 라인내에 처리 유체의 처리량을 결정하는 유량계를 배치함으로써 달성될 수 있다. 따라서 처리량의 편차를 빠르게 결정하고 그리고 / 또는 유입되거나 회수될 유체량을 제어하기 위하여 유량계에 의하여 측정된 데이터를 이용하는 것이 가능하다. 인입라인 및 / 또는 출구 라인에 밸브, 특히 모터 제어 밸브를 제공하는 것이 바람직하며, 상기 모터 및 밸브는 유량계의 측정 데이터 함수로서 제어된다.Adequate product quality in accordance with the implementation of the device described above may be achieved by placing a flow meter that determines the throughput of the processing fluid in the line from which the processing fluid is withdrawn. It is thus possible to quickly determine the variation in throughput and/or use the data measured by the flowmeter to control the amount of fluid to be drawn in or withdrawn. It is preferred to provide valves, in particular motor control valves, in the inlet and/or outlet lines, said motors and valves being controlled as a function of the measured data of the flow meter.

전술한 장치에서 제조 비용인 본 발명에 따라 재생 장치에서 탱크 외부로 흐르는 처리 유체를 재생시킴으로서 최소화된다. 이는 제조 비용을 감소시킬 뿐만 아니라 공정의 환경적인 만족도도 증가시킨다. 재생된 유체는 바람직하게 유체 탱크에서 재사용된다. 전체 재생 유체 또는 그 일부 또한 재생 후에 사용된 물하수 시스템으로 방출될 수 있다. 이는 특히 유체가 기판의 건조 공정으로부터 발생된 증류수일 때 바람직하며, 상기 증류수는 별문제 없이 공동 하수 시스템으로 유입될 수 있다.Manufacturing costs in the device described above are minimized by regenerating the treatment fluid flowing out of the tank in the regeneration device according to the present invention. This not only reduces manufacturing costs, but also increases the environmental satisfaction of the process. The regenerated fluid is preferably reused in the fluid tank. The entire regeneration fluid or a portion thereof may also be discharged into the used sewage system after regeneration. This is particularly desirable when the fluid is distilled water generated from the drying process of the substrate, which can be introduced into the common sewage system without any problems.

바람직하게, 본 발명의 리프팅 장치는 건조 공정에 이용된다. 여기서, 기판은 세정 외부로 리프팅되고 기판 캐리어는 탱크 내에 남는다. 다음에, 액체 레벨은 예를 들어 출구를 개방함으로써 영향을 받을 수 있는 기판 캐리어 밑으로 낮아진다. 다음에, 건조 기판은 다시 건조 기판 캐리어로 낮아진다. 기판 건조는 탱크로부터 기판을 리프팅하는 동안 이루어지면 기판 캐리어는 세정 유체의 액체 레벨을 낮춤으로 인해 건조된다.Preferably, the lifting device of the present invention is used in the drying process. Here, the substrate is lifted out of the cleaning and the substrate carrier remains in the tank. The liquid level is then lowered below the substrate carrier, which can be affected, for example, by opening the outlet. The dry substrate is then lowered back into the dry substrate carrier. When substrate drying occurs while lifting the substrate from the tank, the substrate carrier dries by lowering the liquid level of the cleaning fluid.

이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명을 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 2에서 도 3에 따라 웨이퍼(25)를 건조시키기 위한 본 발명에 따른 장치(20)의 리프팅 장치(1)가 도시된다. 리프팅 장치(1)는 블레이드형 리프팅 부재(16)용 지지 암(14)을 가진 제 1 이송 캐리지(2) 및 이음 접속부(4)에 의하여 연결된 기판 캐리어(17)용 지지 암(15)을 가진 제 이송 캐리지(3)를 포함한다. 이음 접속부(4)는 제 1 이송캐리지(2) 및 제 2 이송 캐리지(3)을 이음매로 연결한 제 1레그(5) 및 제 2레그(6)을 포함한다. 두 개의 레그(5,6)는 핀(7)에 의하여 서로 연결된다. 제 1 이송 캐리지(2)는 도시되지 않은 모터에 의하여 구동되고 이음 접속부(4)를 통하여 리프팅하는 동안에 가이드 트랙(10)을 따라 제 2 이송 캐리지(3)를 상방향(10)으로 당긴다. 핀(7)은 직선 부분(12)및 커브 부분(13)을 가진 제어 커브(11)을 따라 이동한다. 핀(7)이 직선 부분(12)을 따라 이동할 때, 이음 접속부(4)는 제 1 이송 캐리지 및 제 2 이송 캐리지(2, 3) 사이에 견고한 접속을 형성한다. 이러한 상태에서, 웨이퍼(25)를 수용하는 기판 캐리어917)는 리프팅되고, 블레이드 형 리프팅 부재(16)는 웨이퍼(25)와 아직 접촉되지 않는다. 제어 커브(11)의 부분(13)의 시작부분에서 제 2이송 캐리지(3)는 제 1 이송 캐리지(3)는 제 1 이송 캐리지(2)에 대하여 점진적으로 완만해진다. 따라서, 블레이드형 리프팅 부재(16)는 웨이퍼(25)와 접촉하고 기판 캐리어(17)내의 지지부로부터 웨이퍼(25)를 리프팅한다. 이점에서 웨이퍼(25)는 이미 후드(22) 내의 가이드(39)에 의하여 지지되는데, 이는 이하의 설명될 도 5에 도시된다. 그러나, 이송 캐리지(3)는 완전하게 정지하지 않지만 커브 부분(13)의 커브를 따라 제 1 이송 캐리지(2)의 이동을 따르는데, 이는 레그(5,6)가 핀(7)을 중심으로 회전할 수 있어 레그 사이의 각도를 연속적으로 확장하기 때문이다. 제 2 이송 캐리지(3)의 정지 시점은 핀의 축 및 제 2레그와 제 2 이송 캐리지(3)사이의 접속점의 회전축 사이의 간격에 상응하는 반경이 아아크로의 전이에 제공되는 커브 부분(13)의 위치에 도달될 때이다.1 and 2 a lifting device 1 of a device 20 according to the invention for drying a wafer 25 according to FIG. 3 is shown. The lifting device (1) has a first transport carriage (2) with a support arm (14) for a blade-like lifting member (16) and a support arm (15) for a substrate carrier (17) connected by a joint (4) and a second transport carriage (3). The joint connection part (4) includes a first leg (5) and a second leg (6) connecting the first transport carriage (2) and the second transport carriage (3) by a seam. The two legs 5 , 6 are connected to each other by means of pins 7 . The first transport carriage 2 is driven by a motor not shown and pulls the second transport carriage 3 upwards 10 along the guide track 10 while lifting through the joint 4 . The pin 7 moves along a control curve 11 with a straight portion 12 and a curved portion 13 . When the pin 7 moves along the straight part 12 , the joint 4 forms a solid connection between the first and second transport carriages 2 , 3 . In this state, the substrate carrier 917 accommodating the wafer 25 is lifted, and the blade-like lifting member 16 is not yet in contact with the wafer 25 . At the beginning of the portion 13 of the control curve 11 , the second transport carriage 3 gradually softens the first transport carriage 3 with respect to the first transport carriage 2 . Thus, the blade-like lifting member 16 contacts the wafer 25 and lifts the wafer 25 from its support in the substrate carrier 17 . In this respect the wafer 25 is already supported by guides 39 in the hood 22 , which is illustrated in FIG. 5 , which will be explained below. However, the transport carriage 3 does not come to a complete stop but follows the movement of the first transport carriage 2 along the curve of the curved part 13 , in which the legs 5 , 6 move about the pin 7 . Because it can rotate, it continuously expands the angle between the legs. The stopping point of the second conveying carriage 3 is a curved portion 13 in which a radius corresponding to the distance between the axis of the pin and the axis of rotation of the connection point between the second leg and the second conveying carriage 3 is provided for the transition to the arc. ) when the position is reached.

직선 부분(12) 및 정지가 발생하는 포인트 사이에 위치한 커브 부분(13) 영역의 반경은 정지가 발생하는 상기 포인트 다음에 커브 부분(13) 영역 반경보다 크다.The radius of the area of the curved portion 13 located between the straight portion 12 and the point at which the stop occurs is greater than the radius of the area of the curved portion 13 following said point at which the stop occurs.

도 3 내지 도 10에서, 이들 도면에서 도시되지 않은 리프팅 장치(1)을 이용하여 건조 공정 시퀀스가 도시된다. 도 3 내지 도 10에서, 동일 부호는 동일 부재를 나타낸다.3 to 10 , the drying process sequence is shown using a lifting device 1 , which is not shown in these figures. 3 to 10, like reference numerals denote like members.

도 3에 따르면, 본 발명의 장치(20)는 후드(22)가 그 사이에서 측면으로 이동될 수 있는 용기 또는 탱크(21)를 포함한다. 탱크(21) 내에서 기판 암(14)에 의하여 지지되는 블레이드형 리프팅 부재(16)가 도시된다. 웨이퍼(25)가 배치된 기판 캐리어(17)는 그의 가장 낮은 단부 위치에 배치된 리프팅 장치(1) 위에 장치 조정기(24)에 의하여 배치된다. 세정 유체(23)는 바닥으로부터 탱크(23)로 유입되고 방수로(spillway) 모서리(28)를 통해 외부 용기(29)로 유입된다. 리프팅 장치(1)는 가장 낮은 단부 위치에 배치되기 때문에, 웨이퍼(25)는 세정 유체(23)에 완전하게 잠긴다.According to FIG. 3 , the device 20 of the present invention comprises a vessel or tank 21 , between which a hood 22 can be moved laterally. A blade-like lifting member 16 supported by a substrate arm 14 within the tank 21 is shown. The substrate carrier 17 on which the wafer 25 is placed is placed by means of a device adjuster 24 above the lifting device 1 disposed at its lowest end position. The cleaning fluid 23 flows into the tank 23 from the bottom and into the outer container 29 through the spillway edge 28 . Since the lifting device 1 is placed in the lowest end position, the wafer 25 is completely submerged in the cleaning fluid 23 .

기판 캐리어(17)는 두 개의 평행 측면 플레이트를 포함하는데, 상기 플레이트 중 하나만(30)이 제 3도에 도시되어 있다. 상기 측면 플레이트 사이에는 웨이퍼(25)를 수용하기 위한 가로 슬롯을 가진 4개의 로드(31,32,33,34)가 연결되어 있다. 저중량 캐리어에 대한 상세한 설명은 독일 공개공보 44 28 169에 개시되어 있으며 상기 설명 내용은 반복을 피하기 위하여 결합된다.The substrate carrier 17 comprises two parallel side plates, of which only one 30 is shown in FIG. 3 . Four rods 31 , 32 , 33 , 34 having transverse slots for receiving wafers 25 are connected between the side plates. A detailed description of the low-weight carrier is disclosed in German Publication No. 44 28 169, the description of which is combined in order to avoid repetition.

상부로부터 후드(22)로 가스가 유입되며, 상기 가스는 탱크의 방수로 개구부를 통하여 건조 공간으로 배출 된다.Gas flows into the hood 22 from the top, and the gas is discharged into the drying space through the water-through opening of the tank.

건조를 위하여 제공되는 가스의 유입은 후드(22)의 상부 덮개 부분 내이 종방향 튜브를 통하여 이루어진다. 상기 종방향 튜브 및 덮개의 내부 볼륨 사이에 배치된 확신 플레이트는 한전된 구멍 배열을 포함하며, 상기 구멍 배열은 덮개의 폭과 길이 전체에 균일한 가스를 분배한다. 동시에 다수의 기판 캐리어(17)가 건조 장치(20)에서 가공될 때, 배결 웨이퍼 패키지를 위한 후드(22) 내의 전체 공간에 대하여 가스를 균일하게 분배하도록 하는 웨이퍼 패키지의 앞쪽에서 덮개 내에 칸막이가 제공된다. 바람직하게, 상기 가스는 IPA/N2의 혼합물이다. 그렇지 않으면, 여러 가지 흐름 조건이 발생하여 패키지의 개별 웨이퍼(25)가 여러가지 건조 결과를 발생할 수 있다. 양쪽으로 배치된 내부측 표면에서 웨이퍼(25)를 안내하기 위하여, 가이드 슬롯(39)이 제공된다. 후드(22)내의 가이드 슬롯(39)은 약 5°로 경사져 있다. 따라서, 기판 캐리어(17)는 상기 경사 각도에 의하여 탱크(21)쪽으로 낮아진다. 따라서, 웨이퍼(25) 위치는 전체 건조 공정 중에 한정되며, 기판 캐리어의 건조 역시 개선된다.The introduction of the gas provided for drying is through the longitudinal tube in the upper cover portion of the hood 22 . A confirmation plate disposed between the longitudinal tube and the interior volume of the sheath includes an array of apertures, the aperture arrangement distributing gas uniformly throughout the width and length of the sheath. When a plurality of substrate carriers 17 are simultaneously processed in the drying apparatus 20, a partition is provided in the lid at the front of the wafer package to evenly distribute the gas over the entire space within the hood 22 for the fastening wafer package. do. Preferably, the gas is a mixture of IPA/N 2 . Otherwise, different flow conditions may occur, causing individual wafers 25 in the package to produce different drying results. Guide slots 39 are provided for guiding the wafer 25 on the inner surface disposed on either side. The guide slot 39 in the hood 22 is inclined at about 5 degrees. Accordingly, the substrate carrier 17 is lowered toward the tank 21 by the angle of inclination. Thus, the wafer 25 position is defined during the entire drying process, and the drying of the substrate carrier is also improved.

제 4도에 따른 본 발명의 장치는 후드(22)가 탱크(21)사이에서 이동된다는 것만이 제 3도의 장치와 다르다. 그 결과, 웨이퍼(25)를 가진 기판 캐리어(17)가 리프팅된다.The device of the invention according to FIG. 4 differs from the device of FIG. 3 only in that the hood 22 is moved between the tanks 21 . As a result, the substrate carrier 17 with the wafer 25 is lifted.

제 1 이송 캐리지(2)의 구동 때문에, 핀(7)은 제어 커브(11)의 직선 부분(12)을 따른다.Due to the driving of the first transport carriage 2 , the pin 7 follows a straight part 12 of the control curve 11 .

도 5에서, 핀(7)이 제어 커브(11)의 직선 부분(12)를 떠나 제어 커브(11)의 커브 부분(13)에 들어가는 이동 포인트에 도달된다. 제어 커브(11)의 형상 및 크기는 웨이퍼(25)가 후드(22)의 측면 가이드(39)와 맞물려 기판 캐리어(17)가 더 이상 웨이퍼(25)를 안내할 필요가 없을 때 상기 포인트에 도달하도록 선택된다. 웨이퍼(25)는 플레이드형 리프팅 부재(16)에 의하여 리프팅된다.In FIG. 5 , a point of movement is reached where the pin 7 leaves the straight part 12 of the control curve 11 and enters the curved part 13 of the control curve 11 . The shape and size of the control curve 11 reaches this point when the wafer 25 engages the side guides 39 of the hood 22 so that the substrate carrier 17 no longer needs to guide the wafer 25 . chosen to do The wafer 25 is lifted by a plated lifting member 16 .

세정 유체(23)로부터 웨이퍼(25)를 배출한 후에, 웨치퍼(25)가 건조된다. 건조 공정은 탱크(21)위의 IPA/N2환경에 의하여 지원 받는데, 이는 가스가 기판(25)위의 세정 유체(23)와 혼합되기 때문이며, 그리고 표면 장력 내에 존재한 경사도 때문에 기판(25)상에 액체 막이 남아 있는 것을 방지하기 때문이다.After discharging the wafer 25 from the cleaning fluid 23 , the wafer 25 is dried. The drying process is supported by the IPA/N 2 environment above the tank 21 as the gas mixes with the cleaning fluid 23 above the substrate 25 and because of the gradients present in the surface tension of the substrate 25 . This is because it prevents a liquid film from remaining on the phase.

도 6에서, 기판 캐리어(17)는 블레이드형 리프팅 부재(16)에 대하여 아래 방향으로 점진적으로 완만해진다. 따라서, 블레이드형 리프팅 부재(16)는 탱크(21)로부터 웨이퍼(25)를 추가로 리프팅시킨다.In FIG. 6 , the substrate carrier 17 is gradually smoothed downward with respect to the blade-like lifting member 16 . Thus, the blade-like lifting member 16 further lifts the wafer 25 from the tank 21 .

도 7에서, 기판 캐리어(17)가 완전하게 정지하고 블레이드형 리프팅 부재(16)만이 상방향으로 이동되는 기판 캐리어(17) 위치가 도시된다. 따라서 기판 캐리어(17)는 후드(22)의 가이드(39) 쪽을 밀리지 않는데, 그렇지 않으면, 가이드 손상을 주고 또한 기판 캐리어(17)가 파손된다.7, the substrate carrier 17 position is shown in which the substrate carrier 17 is completely stopped and only the blade-like lifting member 16 is moved upward. Accordingly, the substrate carrier 17 is not pushed against the guide 39 side of the hood 22 , otherwise it will damage the guide and also break the substrate carrier 17 .

도 8은 기판(25)의 건조 공정 마지막을 도시한다. 웨이퍼(25)는 가장 높은 이동 포인트에 도달되며 액체 레벨(27) 위의 위치에 더 이상 리프팅되지 않는다. 기판 캐리어(17)를 건조시키기 위하여 액체 레벨은 출구를 개방시킴으로서 낮아진다. 웨이퍼(25) 및 기판 캐리어(17)는 이제 IPA/N2환경 내에 있다.FIG. 8 shows the end of the drying process of the substrate 25 . The wafer 25 has reached its highest point of movement and is no longer lifted to a position above the liquid level 27 . The liquid level is lowered by opening the outlet to dry the substrate carrier 17 . Wafer 25 and substrate carrier 17 are now in an IPA/N 2 environment.

도 9에서, 세정 유체(23)의 액체 레벨(27)은 기판 캐리어(17)보다 더 낮아진다. 그 사이에, 도 4 내지 7과 관련하여 이미 설명된 이동은 역 시퀸스로 수행되어 기판 암(14) 및 캐리어 암(15)이 다시 낮은 말단 위치에 오도록 한다. 웨이퍼(25) 및 기판 캐리어(17)는 이제 건조되었다.In FIG. 9 , the liquid level 27 of the cleaning fluid 23 is lower than the substrate carrier 17 . In the meantime, the movements already described with respect to FIGS. 4 to 7 are performed in reverse sequence to bring the substrate arm 14 and carrier arm 15 back to their lower distal position. Wafer 25 and substrate carrier 17 are now dry.

도 10에서, 후드(22)는 측방향으로 전치되어 웨이퍼(25)를 가진 기판 캐리어917)는 장치 조종기(24)에 의하여 탱크(21)로부터 배출될 수 있다.In FIG. 10 , the hood 22 is laterally displaced so that the substrate carrier 917 with the wafer 25 can be discharged from the tank 21 by the apparatus manipulator 24 .

기판을 화학적으로 처리하는 장치에 대한 도 11에 도시된 실시예에서, 후드(42)의 상부벽(41)위에, 적하 플레이트(43)형태의 적하 보호 장치가 제공되며, 이는 예를 들어 후드(42)의 상부벽(41)에 대하여 5° 각도로 배치된다. 커버 플레이트(43)는 그의 측방향 단부(44, 45)에 의하여 후드(42)의 측벽(46, 47)을 지나 연장된다. 특히 적어도 두 개의 처리 탱크가 서로 인접할 때, 액체에 의하여 젖은 기판 및 기판 캐이어는 후드(42)사이에서 이송되어 액체가 후드(42) 위로 그리고 본 발명에 따라 적하 플레이트(43) 위에 떨어지는 것이 방지될수 있다. 적하 플레이트(43)가 없으면, 이러한 액체는 후드(42)의 측면(46, 47)을 따라 흐르고 그리고 흐드(42)가 개방될 때, 예를 들어 좌측으로 이동됨에 의하여 측벽(47)에서 탱크(48)로 떨어질 것이다(계략적으로만 도시됨). 상기 탱크에는 다른 처리 유체 또는 이미 건조된 기판 및 / 또는 기판 캐리어가 존재하여 처리 유체가 오염되거나, 또는 이미 건조된 기판 및 / 또는 기판 캐리어가 존재하여 처리 유체가 오염되거나, 또는 이미 건조된 기판 또는 기판 캐리어가 다시 젖을 것이다. 이에 의하여 발생하는 단점, 예를 들어 웨이퍼가 다시 젖기 때문에 발생하는 처리 유체의 빈번한 교환 또는 많은 수의 제품 폐기 문제는 적하 플레이트(43)에 의하여 방지된다. 적하 플레이트(43)는 후드(42)의 측벽(46, 47)을 따라 작은 물방울이 흐르는 것을 방지하며, 특히 개방 탱크(48)사이에서 탱크(48)를 개방하기 위하여 후드(42)를 좌측으로 이동시킬 때 측면(47)을 따라 작은 물방울이 흐르는 것을 방지한다. 후드(42)가 이동되는 측면 방향으로 적하 플레이트(43)의 기울어진 하방향 때문에, 액체가 탱크 외부 영역 내로 적하 플레이트(43)로 부터 흐르거나 떨어져서, 탱크(48)를 오염시킬 수 없다.In the embodiment shown in FIG. 11 for an apparatus for chemically treating a substrate, on the upper wall 41 of the hood 42, a drip protection device in the form of a drip plate 43 is provided, which is for example a hood ( 42) at an angle of 5° to the upper wall 41. The cover plate 43 extends beyond the sidewalls 46 , 47 of the hood 42 by its lateral ends 44 , 45 . In particular when at least two treatment tanks are adjacent to each other, the substrate and substrate carrier wetted with liquid are transferred between the hoods 42 so that the liquid drips onto the hoods 42 and on the drip plate 43 according to the invention. can be prevented Without the drip plate 43 , this liquid flows along the sides 46 , 47 of the hood 42 and when the hood 42 is opened, for example by moving to the left, at the side wall 47 the tank ( 48) (shown schematically only). The tank contains other processing fluids or pre-dried substrates and/or substrate carriers that contaminate the processing fluid, or the presence of dried substrates and/or substrate carriers contaminates the processing fluid, or The substrate carrier will get wet again. Disadvantages caused thereby, such as frequent exchange of processing fluids or the disposal of large numbers of products due to the re-wetting of the wafer, are avoided by the drip plate 43 . The drip plate 43 prevents small water droplets from flowing along the side walls 46 , 47 of the hood 42 , and in particular between the open tanks 48 , move the hood 42 to the left to open the tank 48 . It prevents small water droplets from flowing along the sides 47 when moving. Due to the inclined downward direction of the dripping plate 43 in the lateral direction in which the hood 42 is moved, the liquid cannot flow or drip from the dripping plate 43 into the area outside the tank, thereby contaminating the tank 48 .

본 실시예에서, 추가 탱크 적하 경사면(49)은 탱크 측면의 탱크 림(50) 위에 연결되며, 상기 탱크 측면 사이에서는 탱크 개방시 후드(42)가 이동되고, 탱크 측면를 통하여 적하 경사면(49) 위로 떨어지는 액체는 비켜 나가서 탱크 림(50)에 도달할 수 없다.In this embodiment, the additional tank loading slope 49 is connected above the tank rim 50 on the tank side, and between the tank sides, the hood 42 moves when the tank is opened, and above the loading slope 49 through the tank side. The dripping liquid cannot escape and reach the tank rim 50 .

도 12 및 도 13에 도시된 실시에는 후드(42)의 측벽(46,47)의 일부 영역에서 적어도 측벽(46,47)영역 내에 후드를 감사고 있는 칼라(61) 형태로 적하 보호 장치가 형성되어 있다는 것만으로 도 11의 실시예와 다르다. 도 11과 관련하여 설명한 바와 같이, 칼라(61)의 돌출 영역(62, 63) 때문에, 후드(42)를 도면에 대하여 좌측으로 이동시킴으로써 탱크를 개방할 때 상부로부터 후드(42)로 떨어지는 액체는 측벽(46, 47)에 도달할 수 없으며 개방된 탱크(48)로 떨어질 수 없다. 도 12에 도시된 경사부분(49)은 도 11의 경사 부분과 거의 일치하며 동일한 기능을 가진다.In the embodiment shown in FIGS. 12 and 13 , the drip protection device is formed in the form of a collar 61 surrounding the hood in at least a region of the sidewalls 46 and 47 in a portion of the sidewalls 46 and 47 of the hood 42 . It differs from the embodiment of FIG. 11 only in that it is 11, because of the protruding areas 62, 63 of the collar 61, when opening the tank by moving the hood 42 to the left with respect to the drawing, the liquid falling into the hood 42 from the top The side walls 46 , 47 cannot be reached and cannot fall into the open tank 48 . The inclined portion 49 shown in Fig. 12 is almost identical to the inclined portion of Fig. 11 and has the same function.

도 14 및 도 15에 도시된 실시예에서 좁은 면(72)에 세척 개구부(73)를 가진 탱크(71)가 제공되는데, 상기 세척 개구부는 탱크 바닥 근처의 하부 단부에서 절단된다.In the embodiment shown in FIGS. 14 and 15 a tank 71 is provided with a cleaning opening 73 on its narrow side 72 , which is cut at its lower end near the bottom of the tank.

도 15와 관련하여 특히 할 수 있는 바와 같이, 세척 개구부(73)는 이동가능 플랜지(74)에 의하여 닫히고 스크류(75)에 의하여 탱크(71)에 연결될 수 있다. 본 실시에에서는 플랜지(74) 및 탱크(71) 사이에는 중간 플랜지(76)가 제공된다. 플랜지(74) 및 / 또는 중간 플랜지(76)의 모서리를 밀봉하기 위하여, 주변 밀봉부(77)가 제공된다.15 , the cleaning opening 73 may be closed by a movable flange 74 and connected to the tank 71 by a screw 75 . An intermediate flange 76 is provided between the flange 74 and the tank 71 in this embodiment. To seal the edges of the flange 74 and/or the intermediate flange 76 , a peripheral seal 77 is provided.

탱크(71)의 세척 개구부(73)는 탱크 바닥의 간단한 세척 및 잔류물 또는 파손된 기판의 용이한 배출을 가능하게 한다.The cleaning opening 73 of the tank 71 allows for simple cleaning of the tank bottom and easy discharge of residues or damaged substrates.

도 16에 도시된 실시예는 후드(42)의 양측면(46, 47)에 이온화 로드(91, 92)를 가진 이온화 장치를 도시하며, 본 실시예에서, 후드(42)의 상부 모서리 부분에서 고정장치(93, 94)에 의하여 고정된다.The embodiment shown in FIG. 16 shows an ionizer having ionizing rods 91 , 92 on both sides 46 , 47 of the hood 42 , which in this embodiment is fixed at the upper edge portion of the hood 42 . It is secured by means of devices 93 and 94 .

이온화 로드(91, 92) 하부의 선택된 간격으로, 카운터 전극(95, 96)이 제공되며, 이는 예를 들어 접지되거나 또는 매스에 연결된다.At selected intervals below the ionizing rods 91 , 92 counter electrodes 95 , 96 are provided, which are for example grounded or connected to the mass.

각각의 이온화 로드(91, 92)및 관련된 전극(95, 96) 사이에 고전압을 인가함으로써, 기판, 기판 캐리어 및 또는 처리 장치 부품의 정전기 하전을 방지하는 이온이 발생된다. 이러한 방식에서, 돌파 또는 스파크와 같은 정전기 하전과 관련된 문제점이 발생하지 않으며 기판에 대한 손상이 발생하지 않는다.By applying a high voltage between each ionizing rod 91 , 92 and the associated electrode 95 , 96 , ions are generated that prevent electrostatic charging of the substrate, substrate carrier, and/or processing device component. In this way, problems associated with electrostatic charges such as break-throughs or sparks do not occur and damage to the substrate does not occur.

본 발명은 바람직한 실시예를 참조로 설명되었다. 그러나, 여러가지 변형 및 변경이 본 발명의 기본 사상을 벗어나지 않고 이루어 질 수 있다는 것은 당업자에게 명백하다. 예를 들어, 각각의 공간 요구조건에 따라 적하 플레이트(43) 또는 칼라(61) 형태의 적하 보호 장치를 다소 높거나 다소 낮은 위치에서 후드(42)에 배치 하거나 각각의 요구조건에 따라 경사도의 크기를 선택하는 것이 가능하다. 또한, 예를 들어 후드(42) 내에 최적의 균일한 이온화를 제공하기 위하여 다수의 이온화 로드(91, 92) 및 다수의 카운터 전극(95, 96)을 제공하여 처리 챔버 전체에 이들을 분산시키는 것이 가능하다.The present invention has been described with reference to preferred embodiments. However, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and changes can be made without departing from the basic spirit of the present invention. For example, according to each space requirement, a drip protection device in the form of a drip plate 43 or collar 61 is placed on the hood 42 at a slightly higher or slightly lower position, or the size of the inclination according to each requirement. It is possible to choose It is also possible, for example, to provide multiple ionizing rods 91 , 92 and multiple counter electrodes 95 , 96 to distribute them throughout the processing chamber to provide optimal uniform ionization within the hood 42 . do.

Claims (47)

적어도 하나의 기판 캐리어(17) 및 기판을 삽입 및 배출시키기 위한 리프팅 장치(1)를 포함하는, 처리 유체(23)를 함유한 탱크(21)에서 기판(25)을 화학 습식 처리하는 장치(20)에 있어서, 상기 리프팅 장치(1)는 기판(25)를 위한 제 1 이송 캐리지(2) 및 기판 캐리어(17)를 위한 제 2 이송 캐리지(3)를 포함하며, 상기 제 1 이송 캐리지 및 제 2 이송 캐리지는 이음 접속부(4)에 의하여 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 화학습식 처리 장치.Apparatus 20 for chemical wet treatment of substrates 25 in a tank 21 containing a processing fluid 23 comprising at least one substrate carrier 17 and a lifting device 1 for inserting and discharging substrates ), wherein the lifting device (1) comprises a first transport carriage (2) for a substrate (25) and a second transport carriage (3) for a substrate carrier (17), the first transport carriage and the second transport carriage (3) Chemical wet treatment device, characterized in that the two transport carriages are connected to each other by a joint (4). 제 1항에 있어서, 상기 제 1 이송 캐리지 및 제 2 이송 캐리지(2, 3)는 수직 가이드 트랙(10)을 따라 이동되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.The chemical wet processing apparatus according to claim 1, characterized in that the first and second transport carriages (2, 3) are moved along a vertical guide track (10). 제 1항 또는 2항에 있어서, 상기 제 1 이송 캐리지(2)는 구동 장치에 연결되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.Device according to claim 1 or 2, characterized in that the first transport carriage (2) is connected to a drive device. 제 1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이음 접속부(4)는 두 개의 레그(5, 6)를 포함하며, 제 1레그(5)는 제 1 이송 캐리지(2)에 연결되고 제 2 레그(6)는 제 2 이송 캐리지(3)에 피보트적으로 연결되며, 상기 이송 캐리지(2, 3)와 멀리 접하는 상기 제 1 및 제 2 레그(5, 6)는 피보트 방식으로 핀(7)을 통하여 연결되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.4. The joint (4) according to any one of the preceding claims, wherein the joint (4) comprises two legs (5, 6), a first leg (5) connected to a first transport carriage (2) and a first A second leg (6) is pivotally connected to a second transport carriage (3), and the first and second legs (5, 6) far abutting the transport carriage (2, 3) are pivotally pinned. (7) A chemical wet processing apparatus, characterized in that it is connected through. 제 4항에 있어서, 상기 두 레그(5, 6)를 연결하는 핀의 돌출 부분은 제어 커브(11)를 따라 이동하는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.5. The chemical wet processing apparatus according to claim 4, characterized in that the protruding part of the pin connecting the two legs (5, 6) moves along a control curve (11). 제 5항에 있어서, 상기 제어커브(11)는 이송 캐리지(2, 3)의 이동 방향과 평행하게 연장되는 직선 부분(12) 및 상기 직선 부분에 연결된 커브 부분(13)을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.6. The control curve according to claim 5, characterized in that the control curve (11) comprises a straight section (12) extending parallel to the direction of movement of the transport carriage (2, 3) and a curved section (13) connected to the straight section. chemical wet processing equipment. 제 6항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 이송캐리지(2, 3) 사이의 간격은 핀(7)이 직선 부분(12)을 따라 이동할 때 일정한 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.7. A chemical wet processing apparatus according to claim 6, characterized in that the spacing between the first and second transport carriages (2, 3) is constant when the pin (7) moves along a straight section (12). 제 6 또는 7항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 이송 캐리지(2, 3)사이의 간격은 핀(7)이 커브 부분(13)을 따라 이동할 때 일정한 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.8. Apparatus according to claim 6 or 7, characterized in that the distance between the first and second transfer carriages (2, 3) is constant as the pin (7) moves along the curved portion (13). 제 6 내지 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 커브 부분(13)의 형상은 상기 제 1 및 제 2 이송 캐리지(2, 3) 사이의 간격이 일정하게 증가하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.Chemical wetness according to any one of claims 6 to 8, characterized in that the shape of the curved portion (13) is selected such that the distance between the first and second transport carriages (2, 3) increases constantly. processing unit. 제 6항 또는 9항에 있어서, 상기 커브 부분(13)의 단부 형상은 상기 제 2 이송 캐리지(3)가 완만하게 정지되도록 선택되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리장치.10. A chemical wet processing apparatus according to claim 6 or 9, characterized in that the end shape of the curved portion (13) is selected such that the second transport carriage (3) is gently stopped. 제 1항 내지 10항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1이송 캐리지(2)는 블레이드형 리프팅 부재(16)에 연결되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.11. A chemical wet processing apparatus according to any one of the preceding claims, characterized in that the first transport carriage (2) is connected to a blade-like lifting member (16). 제 11항에서 있어서, 상기 블레이드형 리프팅 부재(16) 및 기판 캐리어(17)는 상기 핀(7)이 제어 커브(11)의 직선 부분(12)을 따라 이동할 때 동일한 속도로 리프팅되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리장치.12. The method according to claim 11, characterized in that the blade-like lifting member (16) and the substrate carrier (17) are lifted at the same speed when the pin (7) moves along the straight part (12) of the control curve (11). chemical wet processing equipment. 제 1항 내지 제 12항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 이송 캐리지(3)는 기판(25)이 기판 캐리어(17)의 외부 가이드(39)와 맞물릴 때 정지되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.13. Chemical wetness according to any one of the preceding claims, characterized in that the second transport carriage (3) is stopped when the substrate (25) is engaged with the outer guide (39) of the substrate carrier (17). processing unit. 제 13항에 있어서, 상기 가이드는 탱크(21) 위에서 후드(22)에 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.14. A chemical wet processing apparatus according to claim 13, characterized in that the guide is formed in the hood (22) above the tank (21). 제 11항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 이송 캐리지(3)의 정지후에 기판(25)의 리프팅은 블레이드형 리프팅 부재(16)에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.15. Chemical wet treatment according to any one of claims 11 to 14, characterized in that the lifting of the substrate (25) after stopping of the second transfer carriage (3) is carried out by means of a blade-like lifting member (16). Device. 제 1항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장치(20)는 기판 (25)을 세정 또는 건조하는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.16. A chemical wet processing apparatus according to any one of the preceding claims, characterized in that the apparatus (20) cleans or dries the substrate (25). 제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서, 기판 또는 기판 캐리어는 건조 공정중에 가스, 특히 이소프로필 알콜 및 질소 가스 혼합물에 노출되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.17. Apparatus according to any one of the preceding claims, characterized in that the substrate or substrate carrier is exposed to a gas, in particular a mixture of isopropyl alcohol and nitrogen gas, during the drying process. 제 1항 내지 17항중 어느 한 항에 있어서, 록킹 및 해제가능한 록킹 기구가 제공되며, 상기 록킹 기구는 제 1 및 제 2 이송 캐리지(2,3)를 견고하게 연결하는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.18. Chemical wet treatment according to any one of the preceding claims, characterized in that a locking and releasable locking mechanism is provided, said locking mechanism rigidly connecting the first and second transport carriages (2,3). Device. 제 18항에 있어서, 상기 록킹 기구를 록킹 또는 해제하는 실린더가 제공하는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.19. The chemical wet processing apparatus of claim 18, wherein a cylinder locking or unlocking the locking mechanism is provided. 제 1항 내지 제 19항 중 어느 한 항에 있어서, 탱크(48) 위에 후드(42)가 제공되며, 상기 후드(42)는 적하 보호장치(43, 61)를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.20. Chemical wetness according to any one of the preceding claims, characterized in that a hood (42) is provided above the tank (48), said hood (42) comprising a drip protection device (43, 61). processing unit. 제 20항에 있어서, 상기 적하 보호 장치는 적하 플레이트(43)인 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.21. A chemical wet processing apparatus according to claim 20, characterized in that the drip protection device is a drip plate (43). 제 21항에 있어서, 상기 적하 플레이트(43)는 후드(42)의 상부면에 배치되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.The chemical wet processing apparatus according to claim 21, characterized in that the drip plate (43) is disposed on the upper surface of the hood (42). 제 20항에 있어서, 상기 적하 보호 장치(43,61)는 후드(42) 주위에 배치된 칼라(61)인 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.Device according to claim 20, characterized in that the drip protection device (43,61) is a collar (61) arranged around the hood (42). 제 20 내지 제 23항중 어느 한 항에 있어서, 상기 적하 플레이트(43) 및 칼라(61)는 후드(42)로부터 바깥쪽으로 돌출하는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.24. A chemical wet processing apparatus according to any one of claims 20 to 23, characterized in that the drip plate (43) and the collar (61) project outwardly from the hood (42). 제 20항 내지 제 24항중 어느 한 항에 있어서, 상기 적하 플레이트(43) 및 칼라(61)는 후드(42)의 측면(45)으로 하방향으로 기울어지며, 탱크(48)가 개방될 때 상기 방향으로 후드(42)기 이동되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.25. The drip plate (43) and collar (61) according to any one of claims 20 to 24, wherein the drip plate (43) and the collar (61) are inclined downwardly to the side surface (45) of the hood (42), and when the tank (48) is opened, the Chemical wet processing apparatus, characterized in that the hood (42) is moved in the direction. 제 20항 내지 제 25항중 어느 한 항에 있어서, 상기 후드(42)가 이동되지 않는 탱크(58)의 림(50)위에, 림 적하 경사 부분(49)이 제공되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.27. Chemical wet treatment according to any one of claims 20 to 25, characterized in that, on the rim (50) of the tank (58) on which the hood (42) is not moved, a rim unloading inclined portion (49) is provided. Device. 제 1항 내지 26항 중 어느 한 항에 있어서, 탱크(71)는 세척 개구부(73)를 포함하는 것을 특징으로 하는 화하 습식 처리 장치.27. A wet processing apparatus according to any one of the preceding claims, characterized in that the tank (71) comprises a cleaning opening (73). 제 27항에 있어서, 상기 세척 개구부(73)는 적어도 하나의 플랜지에 의하여 닫히는 것을 특정으로 하는 화학 습식 처리 장치.28. A chemical wet processing apparatus according to claim 27, characterized in that the cleaning opening (73) is closed by at least one flange. 제 27 또는 28항에 있어서, 상기 세척 개구부(73)는 탱크 바닥 근처에서 탱크(71)의 측면(72)에 제공되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.29. A chemical wet treatment apparatus according to claim 27 or 28, characterized in that the cleaning opening (73) is provided on the side (72) of the tank (71) near the bottom of the tank. 제 1항 내지 제 29항중 어느 한항에 있어서, 이온화 장치가 제공되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.30. A chemical wet processing apparatus according to any one of the preceding claims, characterized in that an ionizer is provided. 제 30항에 있어서, 상기 이온화 장치는 상기 탱크(48) 위에서 후드(42)에 제공되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.31. A chemical wet processing apparatus according to claim 30, characterized in that said ionizer is provided in a hood (42) above said tank (48). 제 30 또는 제 31항에 있어서, 상기 이온화 장치는 증기 영역에 제공되며, 상기 증기 영역에서는 탱크로 부터 배출된 기판이 가스, 바람직하게 질소 또는 이소 프로필알콜에 노출되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.32. Apparatus according to claim 30 or 31, characterized in that the ionizer is provided in a vapor region in which the substrate discharged from the tank is exposed to a gas, preferably nitrogen or isopropyl alcohol. . 제 30 내지 제 33항중 어느 한 항에 있어서, 상기 이온화 장치는 장치 후드(42)의 내부벽(46, 47)의 적어도 일부에서 적어도 하나의 이온화 로드(91,92)를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.34. Chemical according to any one of claims 30 to 33, characterized in that the ionizer comprises at least one ionizing rod (91, 92) in at least part of the inner wall (46, 47) of the device hood (42). Wet processing unit. 제 30 내지 33항중 어느 한 항에 있어서, 상기 이온화 장치는 적어도 하나의 카운터 전극(55, 56)을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.34. Apparatus according to any one of claims 30 to 33, characterized in that the ionizer comprises at least one counter electrode (55, 56). 제 34항에 있어서, 상기 카운터 전극(95, 96)은 매스에 연결되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.35. A chemical wet processing apparatus according to claim 34, characterized in that the counter electrode (95, 96) is connected to the mass. 제 30내지 35항중 어느 한 항에 있어서, 상기 이온화 장치에는 5 내지 25kV, 바람직하게 10 내지 15kV의 고전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.36. A chemical wet processing apparatus according to any one of claims 30 to 35, characterized in that a high voltage of 5 to 25 kV, preferably 10 to 15 kV, is applied to the ionizer. 제 30 내지 35항중 어느 한 항에 있어서, 상기 고전압은 펄스이며, 상기 펄스는 1내지 10ms, 바람직하게 10 내지 40ms의 펄스 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.The chemical wet processing apparatus according to any one of claims 30 to 35, characterized in that the high voltage is a pulse, the pulse having a pulse length of 1 to 10 ms, preferably 10 to 40 ms. 제 36 또는 37 항에 있어서, 상기 고전압의 펄스 듀티비는 1:8 내지 1:12 범위에 있으며, 바람직하게 약 1:10의 펄스 듀티비를 가지는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.38. The chemical wet processing apparatus according to claim 36 or 37, wherein the high voltage pulse duty ratio is in the range of 1:8 to 1:12, and preferably has a pulse duty ratio of about 1:10. 제 1항 내지 제 38항 중 어느 한항에 있어서, 상기 증기 영역 내의 가스 농도, 가스 혼합물비 또는 가스 함유량 및 가스 혼합물 함유량을 감시하는 적어도 하나의 프로브가 제공되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.39. Apparatus according to any one of the preceding claims, characterized in that at least one probe is provided for monitoring the gas concentration, gas mixture ratio or gas content and gas mixture content in the vapor region. 제 39항에 있어서, 상기 측정 프로브에 의하여 검출된 측정 데이터는 상기 증기 영역 내의 가스 농도, 가스 혼합물비 또는 가스 함유량 및 가스 혼합물 함유량을 제어하기 위하여 이용되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.40. The chemical wet processing apparatus according to claim 39, wherein the measurement data detected by the measurement probe is used to control a gas concentration, a gas mixture ratio or a gas content and a gas mixture content in the vapor region. 제 1항 내지 40항중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 유체가 배출되는 라인에 상기 처리 유체에 처리량을 검출하는 유량계가 제공되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.41. A chemical wet processing apparatus according to any one of the preceding claims, characterized in that a flow meter is provided in the line through which the processing fluid is discharged for detecting the throughput of the processing fluid. 제 41항에 있어서, 상기 유량계에 의하여 검출된 측정 데이터는 유입되거나 배출되는 유체량을 제어하기 위해서는 이용되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.42. The chemical wet treatment apparatus according to claim 41, wherein the measured data detected by the flow meter is used to control the amount of fluid flowing in or out. 제 41항 또는 42항에 있어서, 상기 유입되거나 배출된는 유출되는 유체량의 제어는 밸브, 특히 모터에 으하여 구동되는 밸브에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.43. The chemical wet treatment apparatus according to claim 41 or 42, characterized in that the control of the amount of fluid flowing in or out is performed by a valve, in particular a valve driven by a motor. 제 1항 내지 제 42항중 어느 한 항에 있어서, 상기 탱크로부터 배출된 유체는 재생장치에서 재생되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.43. The chemical wet treatment apparatus according to any one of claims 1 to 42, wherein the fluid discharged from the tank is regenerated in a regenerator. 제 44항에 있어서, 상기 재생 유체는 탱크 내에서 다시 사용되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.45. The chemical wet processing apparatus of claim 44, wherein the regeneration fluid is reused in a tank. 제 44항 또는 45항에 있어서, 상기 재생 유체는 몰 하수 라인으로 부분적으로 공급되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.46. The chemical wet treatment apparatus of claim 44 or 45, wherein the regeneration fluid is supplied partially to the molar sewage line. 적어도 하나의 기판 캐리어(17) 및 기판을 삽입 및 배출시키며, 기판(25)을 위한 제 1 이송 캐리지(2) 및 기판 캐리어(17)를 위한 제 2 이송 캐리지(3)를 포함하는 리프팅 장치(1)를 이용하는 건조 방법에 있어서, 세정 유체(23)으로부터 기판을 리프팅하고 탱크(21) 내에서는 기판 캐리어(17)를 남기는 단계 : 상기 기판 캐리어(17)하부로 세정 유체(23)를 하강시키는 단계 및 건조 공정을 완료한 후에 기판 캐리어(17)로 기판(25)을 하강 시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.a lifting device for inserting and ejecting at least one substrate carrier 17 and substrates, the lifting device comprising a first transport carriage 2 for the substrate 25 and a second transport carriage 3 for the substrate carrier 17 ( A drying method using 1) lifting a substrate from a cleaning fluid (23) and leaving a substrate carrier (17) in a tank (21): lowering the cleaning fluid (23) under the substrate carrier (17) and lowering the substrate (25) onto the substrate carrier (17) after completing the steps and drying process. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: It is disclosed according to the contents of the initial application.
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