KR980011818A

KR980011818A - Cryo pump system of semiconductor equipment

Info

Publication number: KR980011818A
Application number: KR1019960031892A
Authority: KR
Inventors: 최정호
Original assignee: 김광호; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1996-07-31
Filing date: 1996-07-31
Publication date: 1998-04-30

Abstract

고온의 퍼지가스를 이용하여 반도체 소자 제조설비와 연결된 크라이오 펌프를 재생하는 반도체설비의 크라이오 펌프시스템에 관한 것이다.And more particularly, to a cryo pump system of a semiconductor facility for regenerating a cryo pump connected to a semiconductor device manufacturing facility using a purge gas at a high temperature.

본 발명은 퍼지가스 공급원으로부터 퍼지가스가 크라이오 펌프로 공급되어 재생이 이루어지도록 구성된 반도체설비의 크라이오 펌프 시스템에 있어서, 상기 퍼지가스를 가열시켜주는 히터가 퍼지가스라인을 개폐시키는 퍼지온밸브를 통과한 후, 상기 크라이오 펌프 전에 설치되는 것을 특징으로 한다. 따라서,퍼지온밸브가 고온의 퍼지가스에 위해서 열화되어 누설이 발생하는 것을 방지할 수 있으므로 공정을 안정화 할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a cryopump system of a semiconductor facility in which a purge gas is supplied from a purge gas supply source to a cryopump to be regenerated, wherein a heater for heating the purge gas opens and closes a purge gas line And is installed before the cryopump. Accordingly, it is possible to prevent the purge-on valve from being deteriorated due to the high-temperature purge gas to cause leakage, and thus the process can be stabilized.

Description

Cryo pump system of semiconductor equipment

본 발명은 반도체설비의 크라이오 펌프 시스템에 관한 것으로서 보다 상세하게는 고온의 퍼지가스(purge)이용하여 반도체 소자 제조설비와 연결된 펌프를 재생하는 반도체설비의 크라이오 펌프 시스템에 관한것이다.The present invention relates to a cryo pump system of a semiconductor facility, and more particularly, to a cryo pump system of a semiconductor facility for regenerating a pump connected to a semiconductor device manufacturing facility using a purge gas at a high temperature.

반도체 소자는 반도체 소자는 미세한 파티클에 의해서도 소자의 불량이 발생함으로 인해서 대부분의 반도체소자 제조공정은 진공상태의 공정설비에서 공정이 진행되고 있다.In semiconductor devices, most semiconductor device manufacturing processes are proceeding in a vacuum process equipment facility because defective devices are caused by fine particles in semiconductor devices.

공정설비의 진공상태는 크라이오 펌프(Cryo pump)등과 같은 진공펌프의 연속적인 펌핑동작에 의해서 형성된다.The vacuum state of the process facility is formed by the continuous pumping operation of a vacuum pump, such as a cryo pump.

상기 크라이오 펌프 내부에는,공정설비에서 배기되는 배기가스에 포함된 이물질이 내부로 공급괴는 저온의 헬륨가스에 위해서 응축된다.Inside the cryopump, foreign substances contained in the exhaust gas exhausted from the process equipment are condensed for low-temperature helium gas supplied to the inside thereof.

따라서,정기적으로 질소가스 등의 퍼지가스(purge gas)를 크라이오 펌프 내부로 공급하여 응축된 이물질을 제거한 재생(Regeneration)을 실시하고 있다.Therefore, the purge gas such as nitrogen gas is periodically supplied to the inside of the cryopump to perform regeneration in which condensed foreign matter is removed.

제1도는 종래의 반도체설비의 크라이오 펌프 시스템을 나타내는 개략적인 구성도이다.FIG. 1 is a schematic diagram showing a conventional cryopump system of a semiconductor facility.

제1도를 참조하면,퍼지가스 공급원(20)에서 공급되는 질소가스 등의 퍼지가스는 히터(18)를 통과하여 가스의 흐름을 제어하는 부위가 테프론(Teflon) 재질로 형성되고, 온-오프(On-Off)동작을 수행하는 퍼지온밸브(purge on valve : 16)를 통과하도록 되어 있다.Referring to FIG. 1, a purge gas such as a nitrogen gas supplied from a purge gas supply source 20 is formed of a Teflon material for controlling the flow of gas through the heater 18, And a purge on valve 16 that performs an on-off operation.

퍼지온밸브(16)를 통과한 질소가스 등의 퍼지가스는 헬륨가스 유입구(12)화 헬륨가스 방출구(14)가 형성된 크라이오 펌프(10)로 공급되도록 되어 있다.The purge gas such as nitrogen gas that has passed through the purge-on valve 16 is supplied to the cryopump 10 where the helium gas discharge port 14 is formed.

상기 헬륨가스 유입구(12)로는 공정진행시 공정설비(도시되지 않음)로부터 배기되는 배기가스에 포함된 이물질을 응축시키기 위한 저온의 헬륨가스가 공급되어, 배기가스에 포함된 이물질을 응축시킨 후, 헬륨가스 방출구(14)호 방출되도록 되어 있다.The helium gas inlet 12 is supplied with a low temperature helium gas for condensing the foreign substances contained in the exhaust gas exhausted from a process facility (not shown) during the process, condenses the foreign substances contained in the exhaust gas, And is discharged to the helium gas discharge port (14).

따라서,연속적인 크라이오 펌프(10)의 펌핑동작 과정에 크라이오 펌프(10)내부에 이물질이 많이 응축되면,먼저 크라이오 펌프(10)를 오프(off)시킨 후 약 10분 동안의 대기시간을 가진다.Therefore, when foreign substances are condensed in the cryo pump 10 during the pumping operation of the continuous cryo pump 10, the cryo pump 10 is first turned off, and then the waiting time for about 10 minutes .

이어서,히터(18)가 동작되지 않는 상태에서 퍼지가스 공급원(20)에서 공급되는 20℃ 정도의 질소가스가 크라이오 펌프(10)에 약 20분간 공급되는 쿨퍼지(Cool purge)를 실시한다.Cool purge is then performed in which nitrogen gas at about 20 DEG C supplied from the purge gas supply source 20 is supplied to the cryopump 10 for about 20 minutes while the heater 18 is not operated.

이어서, 공정진행시,저온의 헬륨가스가 크라이오 펌프(10) 내부로 공급됨에 따라서 응축된 배기가스에 포함된 이물질을 제거하기 위하여 퍼지가스 공급원(20)에서 공급되는 질소가스가 히터(18)에 의해서 가열된 후,퍼지온밸브(16)의 제어를 받으며 크라이오 펌프(10)에 약 70분간 공급되는 핫퍼지(Hot purge)를 실시한다.When the low temperature helium gas is supplied into the cryopump 10, the nitrogen gas supplied from the purge gas supply source 20 is supplied to the heater 18 in order to remove foreign substances contained in the condensed exhaust gas. And is subjected to hot purge which is supplied to the cryopump 10 for about 70 minutes under the control of the purge-on valve 16.

이어서,히터(18)가 동작되지 않는 상태에서 퍼지가스 공급원(20)에서 공급되는 20℃ 정도의 질소가스가 크라이오 펌프(10)에 약20분간 공급되는 쿨퍼지(Cool purge)를 다시 실시한 후, 공정설비의 진공상태를 일정 수준 형성하는 러브 펌핑(Rough pumping)을 실시한다.Cool purge, in which nitrogen gas at about 20 캜 supplied from the purge gas supply source 20 is supplied to the cryopump 10 for about 20 minutes is performed again in a state where the heater 18 is not operated , And Rough pumping is performed to form a vacuum state of the process equipment to a certain level.

이어서,크라이오 펌프(10)가 펌핑동작을 수행하여 공정이 진행된는 공정설비의 진공상태를 형성하는 칠 다운(Chill down)을 실시한다.Then, the cryopump 10 performs a pumping operation to perform a chill-down operation to form a vacuum state of the process facility in which the process proceeds.

그러나, 종래의 크라이오 펌프 시스템은 크라이오 펌프 핫퍼지시, 히터를 통과하여 고온으로 상승된 퍼지가스가 퍼지온밸브를 통과하도록 구성괴어 있으므로 피터가 동작되어 고온화된 질소가스가 가스의 흐름을 제어하는 부위가 테프론 재질로 제작된 퍼지온밸브를 열화기켜 누설이 발생하는 문제점이 있었다.However, in the conventional cryo pump system, when the cryo pump is purged, the purge gas that has passed through the heater and raised to a high temperature is configured to pass through the purge-on valve, so that the nitrogen is operated to control the flow of the gas There is a problem that leakage occurs due to deterioration of the purge-on valve made of teflon material.

본 발명의 목적은, 재생을 위해서 크라이오 펌프로 공급되는 고온의 퍼지가스가 퍼지온밸브를 열화시켜 누설이 발생하는 것을 방지하는 반도체설비의 크라이오 펌프 시스템을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a cryopump system of a semiconductor facility in which a high-temperature purge gas supplied to a cryo pump for regeneration deteriorates a purge-on valve to prevent leakage.

제2도는 본 발명에 따른 반도체설비의 크라이오 펌프 시스템의 일실시예를 나타내는 구성도이다.FIG. 2 is a configuration diagram showing an embodiment of a cryopump system of a semiconductor facility according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

10 : 크라이오 펌프 12 : 헬륨가스 유입구10: Cryo pump 12: Helium gas inlet

14 : 헬륨가스 방출구 16 : 퍼지온 밸브14: Helium gas outlet 16: Purge on valve

18 : 히터 20 : 퍼지가스 공급원18: heater 20: purge gas source

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체적설비의 크라이오 펌프 시스템은, 퍼지가스 공급원으로부터 퍼지가스가 크라이오 펌프로 공급되어 재생이 이루어지도록 구성된 반도체설비의 크라이오 펌프 시스템에 있어서, 상기 퍼지가스를 가열시켜 주는 히터가 퍼지가스라인을 개폐시키는 퍼지온밸브를 통과한 후, 상기 크라이오 펌프 전에 설치되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a cryo pump system of a semiconductor facility according to the present invention is a cryo pump system of a semiconductor facility in which purge gas is supplied from a purge gas supply source to a cryo pump for regeneration, A heater for heating the gas is installed before the cryopump after passing through a purge-on valve for opening and closing the purge gas line.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제2도는 본 발명에 따른 반도체설비의 크라이오 펌프 시스템의 일 실시예를 나타내는 구성도로서, 제1도와 동일부품은 동일부호로 표시하고 중복되는 작용은 생략한다.FIG. 2 is a configuration diagram showing an embodiment of a cryopump system of a semiconductor facility according to the present invention, wherein the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant operation is omitted.

제2도를 참조하면, 퍼지가스 공급원(10)에서 공급되는 질소가스 등의 퍼지가스가 온-오프 동작을 수행하고, 가스의 흐름을 제어하는 부위가 테프론 재질로 제작된 퍼지온밸브(16)를 통과하여 히터(18)로 공급되도록 되어 있다.Referring to FIG. 2, a purge gas such as a nitrogen gas supplied from the purge gas supply source 10 performs an on-off operation and a purge-on valve 16 made of Teflon, And is supplied to the heater 18.

히터(18)를 통과한 퍼지가스는 헬륨가스 유입구(12)와 헬륨가스 방출구(14)가 형성된 크라이오 펌프(12)로 공급되도록 되어 있다.The purge gas that has passed through the heater 18 is supplied to the cryopump 12 where the helium gas inlet 12 and the helium gas outlet 14 are formed.

따라서, 핫퍼지시 퍼지가스 공급원(20)에서 공급되는 퍼지가스는 퍼지온밸브(16)에 의해서 그 양이 제어된 후, 히터(18)로 공급되어 가열되어진다.Therefore, the purge gas supplied from the purge gas source 20 during the hot purge is supplied to the heater 18 after being controlled by the purge-on valve 16, and then heated.

히터(18)에 의해서 가열된 질소가스는 크라이오 펌프(10)로 공급되어 공정 진행중 저온의 헬륨가스의 공급에 의해서 크라이오 펌프(10) 내부에 축적된 이물질을 제거한다.Nitrogen gas heated by the heater 18 is supplied to the cryopump 10, and removes foreign matter accumulated inside the cryopump 10 by supplying low-temperature helium gas during the process.

따라서, 본 발명에 의하면 크라이오 펌프의 핫퍼지시, 질소가스가 퍼지온밸브를 먼저 통과한 후, 히터에 의해서 가열되어 크라이오 펌프로 공급되므로 퍼지온밸브가 고온의 퍼지가스에 의해서 열화되어 누설이 발생하는 것을 방지할 수 있으므로 공정을 안정화할 수 있는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, when the cryo pump is hot-purged, the nitrogen gas is firstly passed through the purge-on valve and then heated by the heater and supplied to the cryopump, so that the purge- It is possible to stabilize the process.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구 범위에 속함은 당연한 것이다.While the invention has been shown and described with reference to certain exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

Claims

A cryopump system of a semiconductor facility in which purge gas is supplied from a purge gas supply source to a cryopump to be regenerated, characterized in that the peter for heating the purge gas passes through a purge-on valve for opening and closing the purge gas line And the cryo pump is installed before the cryopump.

※ Note: It is disclosed by the contents of the first application.