KR980010782A

KR980010782A - How to overwrite flash memory

Info

Publication number: KR980010782A
Application number: KR1019960026695A
Authority: KR
Inventors: 박성우
Original assignee: 이대원; 삼성항공산업 주식회사
Priority date: 1996-07-02
Filing date: 1996-07-02
Publication date: 1998-04-30

Abstract

이 발명은 플래시 메모리의 오버라이트 방법에 관한 것으로서, 한블록의 내용을 자체 메모리에 백업하는 단계와, 백업된 블록의 내용 중 수정할 내용만 외부 메모리에 옮겨 수정하고 저장하는 단계와, , 백업된 블록의 내용을 지우는 단계와, 상기 위공간에 수정한 내용을 라이트(write)한 다음, 백업한 내용을 라이트하는 단계로 구성되어, 플래시 메모리내의 수정될 부분만 외부 메모리로 옮겨 수정하고, 플래시 메모리의 삭제될 부분은 자체내에 백업시켜 둠으로써, 메모리의 낭비를 줄일 수 있고, 그로인해 가격이 저렴해지는 효과를 가진 플래시 메모리의 오버라이트 방법을 제공할 수 있다.The present invention relates to a method of overwriting a flash memory, comprising the steps of: backing up contents of a block to a self-memory; transferring only the content of the backed-up block to an external memory for modification and storage; Writing the modified contents to the upper space and then writing the backed up contents, wherein only the part to be modified in the flash memory is moved to the external memory to make a correction, and the contents of the flash memory The part to be deleted is backed up in itself, thereby reducing the waste of the memory, thereby providing a method of overwriting the flash memory with the effect of reducing the price.

Description

How to overwrite flash memory

제1도의 (가)-(라)는 종래의 플래시(flash) 메모리(memory)의 오버라이트(overwrite) 방법도.FIG. 1 (a) - (d) also show a method of overwriting a conventional flash memory.

제2도의 (가)-(라)는 이 발명의 실시예에 따른 플래시 메모리의 오버라이트 방법도.FIG. 2 (a) through FIG. 2 (d) are diagrams showing a method of overwriting a flash memory according to an embodiment of the present invention.

제3도는 이 발명의 실시예에 따른 플래시 메모리의 오버라이트 방법의 순서도.FIG. 3 is a flowchart of a method of overwriting a flash memory according to an embodiment of the present invention; FIG.

이 발명은 플래시 메모리의 오버라이트 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 말하자면, 플래시 메모리에 저장된 내용을 수정할 때, 수정할 내용만 외부 메모리로 옮겨 수정한 후 플래시 메모리에 라이트시키는 플래시 메모리의 오버라이트 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a flash memory overwriting apparatus, and more particularly, to a flash memory overwriting method for correcting contents stored in a flash memory by moving only the contents to be modified to an external memory, will be.

이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 종래의 플래시 메모리의 오버라이트 장치에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a conventional overwrite device for a flash memory will be described with reference to the accompanying drawings.

플래시 메모리는 데이터나 파일(file)을 관리하기 위해 도스(dos) 포맷과 같은 특정한 포맷을 사용할 때, 프로그램된 포맷 정보의 내용을 자주 수정해야 한다.Flash memory often needs to modify the contents of programmed format information when using a particular format, such as DOS format, to manage data or files.

그러나 플래시 메모리는 특정상 자체적으로 오버라이트가 불가능함으로 종래에는 오버라이트를 위해서 오버라이트할 부분의 내용을 외부 메모리에 카피하여 지운 다음, 내용을 수정했다.However, since the flash memory can not be overwritten by itself in a specific phase, conventionally, the contents of the portion to be overwritten are copied and erased in the external memory, and the contents are modified.

플래시 메모리는 수천 바이트(byte)단위로 지워야 하므로 1바이트만 수정할 때에도 수천 바이트를 지워야 했다.Since flash memory has to be erased in thousands of bytes, it has been necessary to erase thousands of bytes even when modifying only one byte.

플래시 메모리의 루트 디렉토리(root directory)내에 지워야 할 몇 바이트가 있으면, 사용자는 우선 루트 디렉토리를 백업(back up)시켜둔 다음에 플래시 메모리의 루트 디렉토리 부분을 지운다.If there are several bytes to be erased in the root directory of the flash memory, the user first backs up the root directory and then erases the root directory portion of the flash memory.

그리고, 사용자는 외부 메모리에 백업된 루트 디렉토리의 내용 중 수정할 부분을 수정한 다음에, 외부 메모리에서 루트 디렉토리 부분을 다시 플래시 메모리로 불러들인다.Then, the user modifies the portion of the root directory backed up in the external memory to be modified, and then loads the root directory portion from the external memory back into the flash memory.

상기에서와 같이 플래시 메모리는 수정할 부분의 크기에 관계없이 수천 바이트에 해당하는 내용을 외부 메모리에 백업시키고, 지워야 하므로 많은 양의 메모리가 필요로 하는 단점이 있다.As described above, the flash memory requires a large amount of memory because it needs to back up and erase contents corresponding to thousands of bytes in the external memory regardless of the size of the part to be modified.

따라서 이 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 지워질 수천 바이트 중 수정할 부분만 외부 메모리에 옮겨 수정함으로써, 메모리의 낭비를 줄일 수 있는 플래시 메모리의 오버라이트 방법을 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide a method for overwriting a flash memory capable of reducing the waste of memory by transferring only the part to be corrected among the thousands of bytes to be erased to the external memory and correcting it.

상기한 목적을 달성하기 위한 수단으로서 이 발명의 구성은, 한 블록의 내용을 자체 메모리에 백업하는 단계와 상기 블록의 내용 중 수정할 내용만 외부 메모리에 옮겨 수정하고 저장하는 단계와 상기 블록의 내용을 지우는 단계와 상기 지워진 공간에 수정한 내용을 라이트(write)한 다음, 백업한 내용을 라이트하는 단계를 포함하여 이루어진다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method for restoring the contents of a block into a self-memory, transferring only the contents to be modified in the contents of the block to an external memory, correcting and storing the contents, Writing the modified contents to the erased space, and writing the backed up contents.

상기한 구성에 의하여, 이 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이 발명을 용이하게 실시할 수 있는 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조로 하여 상세히 설명한다.The present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to the like elements throughout.

제2도의 (가)-(라)는 이 발명의 실시예에 따른 플래시 메모리의 오버라이트(overwrite) 방법도이고, 제3도는 이 발명의 실시예에 따른 플래시 메모리의 오버라이트 방법의 순서도이다.FIG. 2 (a) through FIG. 2 (d) show a method of overwriting a flash memory according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a flowchart of a method of overwriting a flash memory according to an embodiment of the present invention.

첨부한 제2도와 제3도에 도시되어 있는 바와 같이, 이 발명의 실시예에 따른 플래시 메모리의 오버라이트 방법은 다음과 같다.As shown in FIGS. 2 and 3, a method of overwriting a flash memory according to an embodiment of the present invention is as follows.

엠에스-도스(MS-DOS：Microsoft Disk Operating System)에서의 디스크 관리는 디스크 상의 클러스터(cluster)를 단위로 행해진다.Disk management in MS-DOS (MS-DOS: Microsoft Disk Operating System) is performed on a cluster-by-disk basis.

상기 클러스터 단위의 크기는 대부분 1000 바이트이나, 플래시 메모리(1)는 삭제되는 메모리 양이 수 천 바이트이다.The size of the cluster unit is mostly 1000 bytes, but the amount of memory to be erased in the flash memory 1 is several thousand bytes.

상기 플래시 메모리(1)는 맨위의 메모리 공간에 부트 레코드(boot record)가 위치하고, 상기 부트 레코드 메모리 공간 아래 두 개의 파일 할당 테이블(11)이 위치하며, 상기 파일 할당 테이블 아래에 루트 디렉토리(rootdirectory)가 위치한다.The flash memory 1 has a boot record in the upper memory space, two file allocation tables 11 under the boot record memory space, a root directory under the file allocation table, .

상기 파일 할당 테이블(11)은 상기 클러스터의 사용 상황을 기억하고 있는 테이블이며, 상기 루트 디렉토리는 파일(file) 시스템의 선두에 위치하는 디렉토리이다.The file allocation table 11 is a table for storing the usage status of the cluster, and the root directory is a directory located at the head of the file system.

상기 루트 디렉토리 메모리 공간에 수정할 내용이 있으면, 관리자는 수정 루트 디렉토리의 내용을 플래시 메모리내에 백업시켜 둔다.(S100, S200)If there is a content to be modified in the root directory memory space, the administrator backs up the content of the modified root directory in the flash memory (S100, S200).

상기 루트 디렉토리의 메모리량은 파일 관리를 위해 1000바이트의 용량으로 되어 있다.The memory amount of the root directory is 1000 bytes for file management.

관리자는 루트 디렉토리내의 수정 내용을 오버라이트가 가능한 외부 메모리인 램(RAM：Random Access Memory)으로 카피(copy)시키고, 카피된 내용을 수정한 다음 저장한다.(S300, S400)The administrator copies the modifications in the root directory to a RAM (Random Access Memory), which is an external memory capable of overwriting, and stores the contents after modifying the copied contents (S300, S400)

사용자는 최초의 루트 디렉토리 영역인 수천 바이트의 메모리 영역을 삭제한 후, 상기 램에 저장된 수정한 내용을 삭제된 루트 디렉토리 영역에 라이트시킨다.(S500, S600)The user deletes the memory area of thousands of bytes, which is the initial root directory area, and writes the modified contents stored in the RAM to the deleted root directory area (S500, S600).

사용자는 변경된 내용을 최초의 루트 디렉토리 메모리 영역에 라이트시킨 후, 플래시 메모리 내에 백업된 루트 디렉토리의 내용을 최초의 루트 디렉토리의 메모리 영역에 라이트 시킨다.(S700, S800)The user writes the changed contents into the first root directory memory area, and then writes the contents of the root directory backed up in the flash memory into the memory area of the first root directory (S700, S800).

상기의 과정에서 플래시 메모리는 오버라이트가 되지 않으므로, 최초의 루트 디렉토리 메모리 영역에 라이트된 변경 내용은 백업된 루트 디렉토리 내용이 라이트될 때, 변경 내용을 제외한 나머지 내용만 라이트됨으로써, 오버라이트와 같은 기능을 한다.Since the flash memory is not overwritten in the above process, when the content of the root directory written in the first root directory memory area is written, only the remaining contents except for the changed contents are written, .

이상에서와 같이 이 발명의 실시예에서, 플래시 메모리내의 수정될 부분만 램으로 옮겨 수정하고, 플래시 메모리의 삭제될 부분은 자체내에 백업시켜 둠으로써, 메모리의 낭비를 줄일 수 있고, 그로인해 가격이 저렴해지는 효과를 가진 플래시 메모리의 오버라이트 방법을 제공할 수 있다.As described above, according to the embodiment of the present invention, since only the part to be modified in the flash memory is moved to RAM, and the part to be deleted of the flash memory is backed up in itself, wasted memory can be reduced, It is possible to provide a method of overwriting a flash memory having an effect of making it cheaper.

이 발명의 이러한 효과는 컴퓨터 포맷 분야에 이용될 수 있다.This effect of the invention can be used in the computer format field.

Claims

The method comprising the steps of: backing up contents of a block to a self memory; transferring only the contents to be modified of the contents of the block to an external memory and correcting and storing the contents; erasing the contents of the block; ), And then writing the backed up contents.

The overwriting method of a flash memory according to claim 1, wherein, in the step of replacing only the contents to be corrected in the external memory and correcting and storing the contents, the external memory is an overwriteable RAM.

※ Note: It is disclosed by the contents of the first application.