Claims (20)
기판, 자기 기록 라미나(lamina) 및 하나 이상의 설폰아미드[여기서, 하나 이상의 설폰아미드는 바람직한 마찰공학적 특성을 제공하기에 충분한 양으로 존재하고 탄소수 60 이하이고 화학식(1)로 나타내어진다]를 포함하는 자기 기록 매체.Substrate, magnetic recording lamina and one or more sulfonamides, wherein the one or more sulfonamides are present in an amount sufficient to provide the desired tribological properties and have up to 60 carbon atoms and are represented by formula (1). Magnetic recording media.
R1-SO2NR2R3(1)R 1 -SO 2 NR 2 R 3 (1)
상기 화학식(1)에서, R1은 탄소수 18 이하의 치환되지 않은 알킬, 또는 할로, 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 트리할로메틸, 트리할로메톡시 또는 폴리할로에톡시에 의해 치환될 수 있는 탄소수 12 이하의 방향족 잔기이고, R2및 R3은 독립적으로 수소, 탄소수 18이하의 방향족 잔기 또는 탄소수 20이하의 알킬이며, 단 R2및 R3중의 하나 이하는 수소일 수 있다.In formula (1), R 1 is substituted by unsubstituted alkyl having 18 or less carbon atoms, or by halo, methyl, ethyl, methoxy, ethoxy, trihalomethyl, trihalomethoxy or polyhaloethoxy It may be an aromatic residue having 12 or less carbon atoms, R 2 and R 3 is independently hydrogen, an aromatic residue having 18 carbons or less or alkyl having 20 carbons, provided that at least one of R 2 and R 3 may be hydrogen.
제1항에 있어서, R1이 탄소수 4 내지 10의 치환되지 않은 알킬이고 R2및 R3이 독립적으로 메틸, 옥틸, 도데실 또는 옥타데실인 자기 기록 매체.The magnetic recording medium of claim 1, wherein R 1 is unsubstituted alkyl having 4 to 10 carbon atoms and R 2 and R 3 are independently methyl, octyl, dodecyl or octadecyl.
제1항에 있어서, R2및 R3의 방향족 잔기가 환에 하나 이상의 질소원자를 포함할 수 있는 자기 기록 매체.The magnetic recording medium of claim 1, wherein the aromatic moieties of R 2 and R 3 may include one or more nitrogen atoms in the ring.
제1항에 있어서, R2및 R3의 방향족 잔기가 페녹시페닐, 페닐, 나프틸, 비페닐, 퀴놀리닐, 피리디닐, 피리다지닐 또는 피리미디닐인 자기 기록 매체.The magnetic recording medium of claim 1, wherein the aromatic residues of R 2 and R 3 are phenoxyphenyl, phenyl, naphthyl, biphenyl, quinolinyl, pyridinyl, pyridazinyl or pyrimidinyl.
제1항에 있어서, R1이 트리할로메틸 치환된 방향족 잔기이고 R2가 n-옥틸이며 R3이 n-옥틸인 자기 기록 매체.The magnetic recording medium of claim 1, wherein R 1 is a trihalomethyl substituted aromatic moiety, R 2 is n-octyl and R 3 is n-octyl.
제1항에 있어서, 하나 이상의 설폰아미드가 N-도데실벤젠설폰아미드, N-메틸-N'-페닐부탄설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸-2,4-비스(2,2,2-트리플루오로에톡시)벤젠설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸-3-트리플루오로메틸벤젠설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸-2,4-디에톡시벤젠설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸-4-(3-트리플루오로메틸페녹시)벤젠설폰아미드, N,N'-디-n-옥틸-2,4-디클로로벤젠설폰아미드, N,N'-디-n-옥틸-3,4-디플루오로벤젠설폰아미드, N, N'-디-옥틸-8-퀴놀린설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸-4-페녹시벤젠설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸-4-클로로벤젠설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸-2-나프탈렌설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸벤젠설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸부탄설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸-펜타플루오로벤젠설폰아미드, N-도데실-3-트리플루오로메틸벤젠설폰아미드 또는 N-옥타데실-3-트리플루오로메틸벤젠설폰아미드인 자기 기록 매체.The method of claim 1, wherein the one or more sulfonamides are N-dodecylbenzenesulfonamide, N-methyl-N'-phenylbutanesulfonamide, N, N'-di-n-octyl-2,4-bis (2, 2,2-trifluoroethoxy) benzenesulfonamide, N, N'-di-n-octyl-3-trifluoromethylbenzenesulfonamide, N, N'-di-n-octyl-2,4- Diethoxybenzenesulfonamide, N, N'-di-n-octyl-4- (3-trifluoromethylphenoxy) benzenesulfonamide, N, N'-di-n-octyl-2,4-dichlorobenzene Sulfonamide, N, N'-di-n-octyl-3,4-difluorobenzenesulfonamide, N, N'-di-octyl-8-quinolinesulfonamide, N, N'-di-n-octyl 4-phenoxybenzenesulfonamide, N, N'-di-n-octyl-4-chlorobenzenesulfonamide, N, N'-di-n-octyl-2-naphthalenesulfonamide, N, N'-di -n-octylbenzenesulfonamide, N, N'-di-n-octylbutanesulfonamide, N, N'-di-n-octyl-pentafluorobenzenesulfonamide, N-dodecyl-3-trifluoro Methylbenzenesulfonamide or N-octadecyl-3-trifluoromethylbene Sulfonamides of the magnetic recording medium.
제1항에 있어서, 자기 기록 라미나가 미립자인 자기 기록 매체.The magnetic recording medium of claim 1, wherein the magnetic recording lamina is fine particles.
제1항에 있어서, 자기 기록 라미나가 박막인 자기 기록 매체.The magnetic recording medium of claim 1, wherein the magnetic recording lamina is a thin film.
제1항에 있어서, 금속 증발 테이프인 자기 기록 매체.The magnetic recording medium of claim 1, which is a metal evaporation tape.
탄소수가 60 이하이고 화학식(1)로 나타내어지는 하나 이상의 설폰아미드를 자기 기록 매체의 표면에 도포시켜, 표면에 평균 두께가 1 내지 1000Å인 설폰아미드 막을 제공함을 포함하여, 자기 기록 매체를 윤활화시키는 방법.A method of lubricating a magnetic recording medium comprising applying to the surface of the magnetic recording medium one or more sulfonamides having 60 or less carbon atoms and represented by the formula (1), thereby providing a sulfonamide membrane having an average thickness of 1 to 1000 GPa on the surface. .
R1-SO2NR2R3(1)R 1 -SO 2 NR 2 R 3 (1)
상기 화학식(1)에서, R1은 탄소수 18 이하의 치환되지 않은 알킬, 또는 할로, 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 트리할로메틸, 트리할로메톡시 또는 폴리할로에톡시에 의해 치환될 수 있는 탄소수 12 이하의 방향족 잔기이고, R2및 R3은 독립적으로 수소, 탄소수 18이하의 방향족 잔기 또는 탄소수 20이하의 알킬이며, 단 R2및 R3중의 하나 이하는 수소일 수 있다.In formula (1), R 1 is substituted by unsubstituted alkyl having 18 or less carbon atoms, or by halo, methyl, ethyl, methoxy, ethoxy, trihalomethyl, trihalomethoxy or polyhaloethoxy It may be an aromatic residue having 12 or less carbon atoms, R 2 and R 3 is independently hydrogen, an aromatic residue having 18 carbons or less or alkyl having 20 carbons, provided that at least one of R 2 and R 3 may be hydrogen.
제10항에 있어서, R1이 탄소수 4 내지 10의 치환되지 않은 알킬이고 R2및 R3이 독립적으로 메틸, 옥틸, 도데실 또는 옥타데실인 방법.The method of claim 10, wherein R 1 is unsubstituted alkyl of 4 to 10 carbon atoms and R 2 and R 3 are independently methyl, octyl, dodecyl or octadecyl.
제10항에 있어서, R2및 R3의 방향족 잔기가 환에 질소원자를 1개 이상 함유하는 방법.The method of claim 10 wherein the aromatic moieties of R 2 and R 3 contain at least one nitrogen atom in the ring.
제10항에 있어서, R2및 R3의 방향족 잔기가 페녹시페닐, 페닐, 나프틸, 비페닐, 퀴놀리닐, 피리디닐, 피리다지닐 또는 피리미디닐인 방법.The method of claim 10, wherein the aromatic moieties of R 2 and R 3 are phenoxyphenyl, phenyl, naphthyl, biphenyl, quinolinyl, pyridinyl, pyridazinyl or pyrimidinyl.
제10항에 있어서, R2및 R3의 방향족 잔기가 페닐, 나프틸, 퀴놀리닐 또는 페녹시페닐인 방법.The method of claim 10, wherein the aromatic moieties of R 2 and R 3 are phenyl, naphthyl, quinolinyl or phenoxyphenyl.
제10항에 있어서, 하나 이상의 설폰아미드가 N-도데실벤젠설폰아미드, N-메틸-N'-페닐부탄설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸-2,4-비스(2,2,2-트리플루오로메톡시)벤젠설폰아미드, N, N'-디-옥틸-n-3-트리플루오로메틸벤젠설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸-2,4-디에톡시벤젠설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸-4-(3-트리플루오로메틸페녹시)벤젠설폰아미드, N,N'-디-n-옥틸-2,4-디클로로벤젠설폰아미드, N,N'-디-n-옥틸-3,4-디플루오로벤젠설폰아미드, N, N'-디-옥틸-8-퀴놀린설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸-4-페녹시벤젠설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸-4-클로로벤젠설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸-2-나프탈렌설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸벤젠설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸부탄설폰아미드, N, N'-디-n-옥틸-펜타플루오로벤젠설폰아미드, N-도데실-3-트리플루오로메틸벤젠설폰아미드 또는 N-옥타데실-3-트리플루오로메틸벤젠설폰아미드인 방법.The method of claim 10, wherein the at least one sulfonamide is N-dodecylbenzenesulfonamide, N-methyl-N'-phenylbutanesulfonamide, N, N'-di-n-octyl-2,4-bis (2, 2,2-trifluoromethoxy) benzenesulfonamide, N, N'-di-octyl-n-3-trifluoromethylbenzenesulfonamide, N, N'-di-n-octyl-2,4-die Oxybenzenesulfonamide, N, N'-di-n-octyl-4- (3-trifluoromethylphenoxy) benzenesulfonamide, N, N'-di-n-octyl-2,4-dichlorobenzenesulphone Amide, N, N'-di-n-octyl-3,4-difluorobenzenesulfonamide, N, N'-di-octyl-8-quinolinesulfonamide, N, N'-di-n-octyl- 4-phenoxybenzenesulfonamide, N, N'-di-n-octyl-4-chlorobenzenesulfonamide, N, N'-di-n-octyl-2-naphthalenesulfonamide, N, N'-di- n-octylbenzenesulfonamide, N, N'-di-n-octylbutanesulfonamide, N, N'-di-n-octyl-pentafluorobenzenesulfonamide, N-dodecyl-3-trifluoromethyl Benzenesulfonamide or N-octadecyl-3-trifluoromethylbene Sulfonamide manner.
자기 기록 매체를 제조하는 동안에 하나 이상의 설폰아미드[여기서, 하나 이상의 설폰아미드는 탄소수 60이하이고, 하기 화학식(1)로 나타내어진다]를 미립자 자기 기록 라미나가 설폰아미드를 0.001 내지 10중량% 함유하도록 미립자 자기 기록 라미나 속으로 도입함을 포함하여, 자기 기록 매체를 윤활화시키는 방법.During the preparation of the magnetic recording medium, the particulate magnetic recording lamina contains 0.001 to 10% by weight of one or more sulfonamides, wherein the one or more sulfonamides are 60 or less carbon atoms and represented by the following general formula (1). A method of lubricating a magnetic recording medium, comprising introducing into a magnetic recording lamina.
R1-SO2NR2R3(1)R 1 -SO 2 NR 2 R 3 (1)
상기 화학식(1)에서, R1은 탄소수 18 이하의 치환되지 않은 알킬, 또는 할로, 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 트리할로메틸, 트리할로메톡시 또는 폴리할로에톡시로 치환될 수 있는 탄소수 12 이하의 방향족 잔기이고, R2및 R3은 독립적으로 수소, 탄소수 18이하의 방향족 잔기 또는 탄소수 20 이하의 알킬이며, 단 R2및 R3중의 하나 이하는 수소일 수 있다.In formula (1), R 1 may be substituted with unsubstituted alkyl having 18 or less carbon atoms, or with halo, methyl, ethyl, methoxy, ethoxy, trihalomethyl, trihalomethoxy or polyhaloethoxy. An aromatic residue having 12 or less carbon atoms, R 2 and R 3 are independently hydrogen, an aromatic residue having 18 or less carbon atoms, or alkyl having 20 or less carbon atoms, provided that one or less of R 2 and R 3 may be hydrogen.
제16항에 있어서, R1이 탄소수 4 이하의 치환되지 않은 알킬이고, R2및 R3이 서로 독립적으로 메틸, 옥틸 또는 도데실인 방법.The method of claim 16, wherein R 1 is unsubstituted alkyl having up to 4 carbon atoms and R 2 and R 3 are independently of each other methyl, octyl or dodecyl.
제16항에 있어서, R2및 R3의 방향족 잔기가 환에 질소원자를 1개 이상 함유하는 방법.The method of claim 16, wherein the aromatic moieties of R 2 and R 3 contain at least one nitrogen atom in the ring.
제16항에 있어서, R2및 R3의 방향족 잔기가 페녹시페닐, 페닐, 나프틸, 비페닐, 퀴놀리닐, 피리디닐, 피리다지닐 또는 피리미디닐인 방법.The method of claim 16, wherein the aromatic moieties of R 2 and R 3 are phenoxyphenyl, phenyl, naphthyl, biphenyl, quinolinyl, pyridinyl, pyridazinyl or pyrimidinyl.
제16항에 있어서, R2및 R3의 방향족 잔기가 페닐, 나프틸, 퀴놀리닐 또는 페녹시페닐인 방법.The method of claim 16, wherein the aromatic moieties of R 2 and R 3 are phenyl, naphthyl, quinolinyl or phenoxyphenyl.
※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.