Claims (53)
(a) 단일 층의 기재를 방사선과 접촉시켜 상기 기재에 복수의 기공을 생성하므로써 일체형 비층상 금형을 형성하는 단계 : 및 (b) 상기 금형의 상기 기공에 제1형광물질을 부착시키므로써 상기 금형의 각 기공에 상기 제1형광물질을 충전시키고, 불연속 형광물질 소자 배열을 포함하는 픽셀화된 형광물질 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 픽셀화된 형광물질 구조체의 제조 방법.(a) contacting a single layer of substrate with radiation to form a plurality of pores in the substrate to form an integral, non-layered mold: and (b) attaching a first fluorescent material to the pores of the mold to Filling each of the pores with the first fluorescent material, and forming a pixelated fluorescent material structure comprising a discontinuous fluorescent element array.
제1항에 있어서, 상기 금형의 상부에 연속적인 형광물질 층을 형성하여 상기 불연속 형광물질 소자의 상기 배열이 상기 연속적인 형광물질 층으로부터 돌출되도록 하는 단계를 또한 포함하는 방법.2. The method of claim 1, further comprising forming a continuous phosphor layer on top of the mold such that the array of discontinuous phosphor elements protrudes from the continuous phosphor layer.
제2항에 있어서, 상기 픽셀화된 형광물질 구조체를 상기 금형으로부터 분리하는 단계를 또한 포함하는 방법.3. The method of claim 2, further comprising separating the pixelated phosphor structure from the mold.
제3항에 있어서, 분리된 픽셀화된 형광물질 구조체의 상기 불연속 형광물질 소자 사이의 영역에 제2형광 물질을 충전시키는 단계를 또한 포함하는 방법.4. The method of claim 3, further comprising filling a second fluorescent material in a region between the discrete phosphor elements of a separate pixelated phosphor structure.
제4항에 있어서, 상기 제2형광물질의 조성이 상기 제1형광물질의 조성과 다른 방법.The method of claim 4, wherein the composition of the second phosphor is different from the composition of the first phosphor.
제3항에 있어서, 상기 픽셀화된 이광 물질 구조체가 제1 및 제2주요 대향 표면을 포함하고, 상기 방법이 형광물질 구조체의 제1 및 제2주요 대향 표면의 적어도 하나를 평면화시켜 상기 픽셀화된 형광물질 구조체상에서 적어도 하나의 평면화된 표면을 형성하는 단계를 또한 포함하는 방법.4. The method of claim 3, wherein the pixelated diminishing material structure comprises first and second major opposing surfaces, and the method planarizes the pixelation by planarizing at least one of the first and second major opposing surfaces of the phosphor structure. And forming at least one planarized surface on the formed phosphor structure.
제6항에 있어서, 상기 픽셀화된 형광물질 구조체의 상기 적어도 하나의 평면화된 표면을 제2기재에 부착시키는 단계를 또한 포함하는 방법.7. The method of claim 6, further comprising attaching the at least one planarized surface of the pixelated phosphor structure to a second substrate.
제1항에 있어서, 상기 불연속 형광물질 소자 각각의 종횡비 (이때, 종횡비는 상기 불연속 형광물질 소자 각각의 너비에 대한 상기 불연속 형광물질 소자 각각의 높이의 비율을 나타낸다)가 약 1：1 내지 약 20：1의 범위인 방법.The aspect ratio of claim 1, wherein an aspect ratio of each of the discontinuous fluorescent elements, wherein the aspect ratio represents a ratio of the height of each of the discontinuous fluorescent elements to the width of each of the discontinuous fluorescent elements, is from about 1: 1 to about 20 : Method in range of 1.
제8항에 있어서, 상기 불연속 형광물질 소자 각각의 종횡비가 2 : 1 내지 8： 1의 범위인 방법.9. The method of claim 8, wherein an aspect ratio of each of said discontinuous fluorescent element is in the range of 2: 1 to 8: 1.
제1항에 있어서, 상기 불연속 형광물질 소자 각각이 벽을 포함하고, 상기 불연속 형광물질 소자 각각의 상기 벽상에 라커 층을 형성하는 단계; 및 상기 라커 층상에 은 층을 형성하는 단계를 또한 포함하는 방법.The method of claim 1, wherein each of the discrete phosphor devices comprises a wall, and forming a lacquer layer on the walls of each of the discrete phosphor devices; And forming a silver layer on the lacquer layer.
제1항에 있어서, 상기 금형 형성 단계가 단충 기재의 복수의 부위중 하나에 패턴을 한정하는 마스크를 놓는 단계; 상기 마스크를 거쳐 상기 기재의 상기 부위중 상기 한 부위를, 상기 기재의 상기 부위중 상기 한 부위 영역을 융식시키는 방사선에 노출시키는 단계 (이때, 상기 방사선에 대한 각각의 상기 기재의 상기 부위중 상기 한 부위의 노출은 각각의 상기 기재의 상기 부위중 상기 한 부위의 영역을 원하는 깊이로 융식시키기에 불충분한 강도이다); 상기 기재 및 상기 마스크를 서로에 대해 이동시켜 상기 마스크를 상기 기재중 상기 부위의 또다른 부위위에 놓는 단계; 상기 기재중 상기 부위의 상기 또다른 부위를 상기 마스크를 거쳐 상기 방사선에 노출시키는 단계; 상기 기재 및 상기 마스크를 서로에 대해 이동시켜 상기 마스크가 상기 기재의 상기 부위 각각에 여러번 놓이고, 상기 기재의 상기 부위 각각을 상기 마스크를 거쳐 상기 방사선에 여러번 노출시켜 상기 방사선에 대한 상기 기재중 상기 부위의 여러번의 노출이 각각의 상기 영역을 상기 원하는 깊이로 융식시키는 누적 효과를 갖는 단계를 또한 포함하는 방법.The method of claim 1, wherein the forming of the mold comprises: placing a mask defining a pattern at one of a plurality of portions of the short substrate; Exposing said one of said areas of said substrate to said radiation that melts said one region of said area of said substrate via said mask, wherein said one of said sites of each said substrate for said radiation Exposure of the site is insufficient strength to melt a region of said one of said sites of each said substrate to the desired depth); Moving the substrate and the mask relative to each other to place the mask on another portion of the portion of the substrate; Exposing the another portion of the portion of the substrate to the radiation via the mask; The substrate and the mask are moved relative to each other so that the mask is placed on each of the sites of the substrate several times, and each of the sites of the substrate is exposed to the radiation multiple times through the mask to allow the substrate to be exposed to the radiation. Multiple exposures of the site also have a cumulative effect of melting each of said areas to said desired depth.
제11항에 있어서, 상기 기재 및 상기 마스크를 서로에 대해 이동시키는 상기 단계가 상기 마스크의 치수보다 적은 거리 만큼 상기 기재 및 상기 마스크를 서로에 대해 이동시킴을 포함하는 방법.The method of claim 11, wherein moving the substrate and the mask relative to each other comprises moving the substrate and the mask relative to each other by a distance less than the dimensions of the mask.
제1항에 있어서, 상기 금형의 상기 기공내에 상기 제1인광 물질을 부착시키는 상기 단계가 상기 제1형광 물질을 상기 금형의 상기 기공내에 압축시키는 접촉 면적을 한정하는 한쌍의 캘린더링 롤 사이에 상기 금형을 통과시켜 상기 기공내에서 공극의 형성을 감소시킴을 포함하는 방법.The method of claim 1, wherein the step of attaching the first phosphor material within the pores of the mold defines the contact area between the pair of calendering rolls that defines a contact area for compressing the first phosphor material into the pores of the mold. Passing the mold to reduce the formation of voids in the pores.
제1항에 있어서, 상기 기공 각각의 횡단면이 정사각형, 원형, 직사각형 및 육각형 중 하나에 상응하는 방법.The method of claim 1, wherein the cross section of each of the pores corresponds to one of square, circular, rectangular, and hexagonal.
(a) 단일 층의 기재를 방사선과 접촉시켜 기재에 복수의 제1기공을 생성하므로써 일체형 비층상 마스터 금형을 형성하는 단계; (b) 복수의 제2기공을 갖는, 상기 마스터 금형의 일련의 하나 이상의 레플리카 세대를 형성하고; (c) 제1형광물질을 상기 하나 이상의 레플리카 세대의 하나의 제2기공에 부착시키므로써 레플리카의 상기 하나 이상의 세대중 상기 하나의 상기 제2기공 각각에 상기 제1형광물짙을 충전시키고, 불연속 형광물질 소자 배열을 포함하는 픽셀화된 형광물질 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 픽셀화된 형광물질 구조체의 제조 방법.(a) contacting a single layer of substrate with radiation to form a plurality of first pores in the substrate to form an integral, non-layered master mold; (b) forming a series of one or more replica generations of said master mold having a plurality of second pores; (c) filling each of said second pores of said one of said one or more generations of replicas with said first phosphor density by attaching a first fluorescent material to one second pore of said one or more replica generations, and discontinuous A method of making a pixelated phosphor structure comprising forming a pixelated phosphor structure comprising a phosphor element array.
제15항에 있어서, 상기 금형의 상부에 연속적인 형광물질 층을 형성하여 상기 불연속 형광물질 소자의 상기 배열이 상기 연속적인 형광물질 층으로부터 돌출되도록 하는 단계를 또한 포함하는 방법.16. The method of claim 15, further comprising forming a continuous phosphor layer on top of the mold such that the array of discontinuous phosphor elements protrudes from the continuous phosphor layer.
제16항에 있어서, 상기 픽셀화된 형광물질 구조체를 상기 금형으로부터 분리하는 단계를 또한 포함하는 방법.17. The method of claim 16, further comprising separating the pixelated phosphor structure from the mold.
제17항에 있어서, 분리된 픽셀화된 형광물질 구조체의 상기 불연속 형광물질 소자 사이의 영역에 제2형광물질을 충전시키는 단계를 또한 포함하는 방법.18. The method of claim 17, further comprising filling a second phosphor in a region between the discrete phosphor elements of a separated pixelated phosphor structure.
제18항에 있어서 상기 제2형광물질의 조성이 상기 제1형광물질의 조성과 다른 방법.19. The method of claim 18 wherein the composition of the second phosphor is different from the composition of the first phosphor.
제17항에 있어서, 상기 픽셀화된 이광 물질 구조체가 제1및 제2주요 대향 표면을 포함하고, 상기 방법이 형광물질 구조체의 제1 및 제2주요 대향 표면의 적어도 하나를 평면화시켜 상기 픽셀화된 형광물질 구조체상에서 적어도 하나의 평면화된 표면을 형성하는 단계를 또한 포함하는 방법.18. The method of claim 17, wherein the pixelated diminishing material structure comprises a first and a second major opposing surface, and wherein the method planarizes the pixelation by planarizing at least one of the first and second major opposing surfaces of the phosphor structure. And forming at least one planarized surface on the formed phosphor structure.
제20항에 있어서, 상기 픽셀화된 형광물질 구조체의 상기 적어도 하나의 평면화된 표면을 제2기재에 부착시키는 단계를 또한 포함하는 방법.21. The method of claim 20, further comprising attaching the at least one planarized surface of the pixelated phosphor structure to a second substrate.
제15항에 있어서, 상기 기재가 제1물질을 포함하고, 상기 일련의 하나 이상의 레플리카 세대를 형성하는 상기 단계 (b)가 제2물질을 상기 마스터 금형에 부착시키고, 제2물질을 상기 마스터 금형에서 분리하므로써 상기 마스터 금형의 네가티브 금형을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1형광물질의 부착 단계 (c)가 상기 제1형광물질을 상기 네가티브 레플리카의 상기 제2기공에 부착시키는 것을 포함하는 방법.16. The method of claim 15, wherein said step (b) wherein said substrate comprises a first material and forming said series of one or more replica generations attaches a second material to said master mold and a second material to said master mold. Forming a negative mold of said master mold by separating from said method, and said attaching said first fluorescent material comprises attaching said first fluorescent material to said second pore of said negative replica. .
제15항에 있어서, 상기 기재가 제1물질을 포함하고, 상기 일련의 하나 이상의 레플리카 세대를 형성하는 상기 단계 (b)가 제2물질을 상기 마스터 금형에 부착시키고, 제2물질을 상기 마스터 금형에서 분리하므로써 상기 마스터 금형의 네가티브 금형을 형성하는 단계 및 제3물질을 상기 네가티브 레플리카에 부착시키고 상기 제3물질을 상기 네가티브 레플리카로부터 분리하는 단계를 포함하고, 상기 제1형광물질의 부착 단계 (c)가 상기 제1형광물질을 상기 포지티브 레플리카의 상기 제2기공에 부착시키는 것을 포함하는 방법.16. The method of claim 15, wherein said step (b) wherein said substrate comprises a first material and forming said series of one or more replica generations attaches a second material to said master mold and a second material to said master mold. Forming a negative mold of the master mold by separating from and attaching a third material to the negative replica and separating the third material from the negative replica, the attaching the first fluorescent material (c ) Attaching the first fluorescent material to the second pore of the positive replica.
제15항에 있어서, 상기 불연속 형광물질 소자 각각의 종횡비 (이때, 종횡비는 상기 불연속 형광물질 소자 각자의 너비에 대한 상기 불연속 형광물질 소자 각각의 높이의 비율을 나타낸다)가 약 1 : 1 내지 약 20：1의 범위인 방법.16. The method of claim 15, wherein an aspect ratio of each of the discrete phosphor devices, wherein the aspect ratio represents a ratio of the height of each of the discrete phosphor devices to the width of each of the discrete phosphor devices is between about 1: 1 and about 20. : Method in range of 1.
제24항에 있어서, 상기 불연속 형광물질 소자 각각의 종횡비가 2 : 1 내지 8 : 1의 범위인 방법.25. The method of claim 24, wherein an aspect ratio of each of said discrete phosphor elements is in the range of 2: 1 to 8: 1.
제15항에 있어서, 상기 불연속 형광물질 소자 각각이 벽을 포함하고, 상기 불연속 형광물질 소자 각각의 상기 벽상에 라커 층을 형성하는 단계; 및 상기 라커 층상에 은 층을 형성하는 단계를 또한 포함하는 방법.16. The method of claim 15, wherein each of the discrete phosphor elements comprises a wall, and forming a lacquer layer on the walls of each of the discrete phosphor elements; And forming a silver layer on the lacquer layer.
제15항에 있어서, 상기 마스터 금형의 상기 제조 단계가 상기 기재의 복수의 부위중 하나에 패턴을 한정하는 마스크를 놓는 단계; 상기 마스크를 거쳐 상기 기재의 상기 부위중 상기 한 부위를 상기 방사선에 노출시키고, 상기 기재의 상기 부위중 상기 한 부위 영역을 방사선 융식시키는 단계 (이때, 상기 방사선에 대한 각각의 상기 기재의 상기 부위중 상기 한 부위의 노출은 각각의 상기 기재의 상기 부위중 상기 한 부위의 영역을 원하는 깊이로 융식시키기에 불충분한 강도이다); 및 상기 기재 및 상기 마스크를 서로에 대해 이동시켜 상기 마스크를 상기 기재중 상기 부위의 또다른 부위위에 놓는 단계; 상기 기재중 상기 부위의 상기 또다른 부위를 상기 마스크를 거쳐 상기 방사선에 노출시키는 단계; 상기 기재 및 상기 마스크를 서로에 대해 이동시켜 상기 마스크가 상기 기재의 상기 부위 각각에 여러번 놓이고, 상기 기재의 상기 부위 각각을 상기 마스크를 거쳐 상기 방사선에 여러번 노출시켜 상기 방사선에 대한 상기 기재중 상기 부위의 여러번의 노출이 각각의 상기 영역을 원하는 깊이 융식시키는 누적 효과를 갖는 단계를 또한 포함하는 방법.16. The method of claim 15, wherein said manufacturing of said master mold comprises: placing a mask defining a pattern in one of a plurality of portions of said substrate; Exposing the one portion of the portion of the substrate to the radiation via the mask, and radiation fusion of the one region of the portion of the portion of the substrate, wherein the portion of the portion of each substrate for the radiation Exposure of said one site is insufficient strength to melt a region of said one of said sites of each said substrate to a desired depth); And moving the substrate and the mask relative to each other to place the mask on another portion of the portion of the substrate; Exposing the another portion of the portion of the substrate to the radiation via the mask; The substrate and the mask are moved relative to each other so that the mask is placed on each of the sites of the substrate several times, and each of the sites of the substrate is exposed to the radiation multiple times through the mask to allow the substrate to be exposed to the radiation. Wherein the multiple exposures of the site also have a cumulative effect of melting each of said areas to a desired depth.
제27항에 있어서. 상기 기재 및 상기 마스크를 서로에 대해 이동시키는 상기 단계가 상기 마스크의 치수 보다 적은 거리 만큼 상기 기재 및 상기 마스크를 서로에 대해 이동시킴을 포함하는 방법.The method of claim 27. Moving the substrate and the mask relative to each other includes moving the substrate and the mask relative to each other by a distance less than the dimensions of the mask.
제15항에 있어서. 상기 금형의 상기 기공내에 상기 제1인광 물질을 부착시키는 상기 단계가 상기 제1형광물질을 상기 금형의 상기 기공내에 압축시키는 접촉 면적을 한정하는 한쌍의 캘린더링 롤사이에 상기 금형을 통과시켜 상기 기공내에서 공극의 형성을 감소시킴을 포함하는 방법.The method of claim 15. The step of attaching the first phosphor to the pores of the mold passes the mold between a pair of calendering rolls defining a contact area for compressing the first phosphor into the pores of the mold. Reducing the formation of voids therein.
제15항에 있어서, 상기 기공 각각의 횡단면이 정사각형, 원형, 직사각형 및 육각형중 하나에 상응하는 방법.The method of claim 15, wherein the cross section of each of the pores corresponds to one of square, circular, rectangular, and hexagonal.
(a) 기재에 기계적 공구를 적용하여 상기 기재에 복수의 기공을 형성하므로써 일체형 비층상 금형을 형성하는 단계 ; (b) 상기 금형의 상기 기공에 제1형광물질을 부착시키므로써 상기 금형의 상기 각 기공에 제1형광물질을 충전시키는 단계; (c) 상기 금형의 상부에 연속적인 형광물질 충을 형성하므로써 상기 연속적인 형광물질 층에서 돌출된 불연속 형광물질 소자의 배열을 포함하는 픽셀화된 형광물질 구조체를 형성하는 단계 및 (d) 상기 금형으로부터 상기 픽셀화된 형광물질 구조체를 분리하는 단계를 포함하는 픽셀화된 형광물질 구조체의 제조 방법.(a) applying a mechanical tool to the substrate to form a plurality of pores in the substrate to form an integral non-layered mold; (b) filling a first fluorescent material in each of the pores of the mold by attaching a first fluorescent material to the pores of the mold; (c) forming a continuous phosphor charge on top of the mold to form a pixelated phosphor structure comprising an array of discontinuous phosphor elements protruding from the continuous phosphor layer; and (d) And separating the pixelated phosphor structure from the pixelated phosphor structure.
제31항에 있어서, 상기 픽셀화된 형광물질 구조체가 제1 및 제2주요 평행 표면을 포함하고, 상기 공정이 상기 픽셀화된 형광물질 구조체의 제1 및 제2주요 표면중 적어도 하나를 평면화시켜 상기 픽셀화된 형광물질 구조체상에 적어도 하나의 평면화된 표면을 형성하는 단계를 또한 포함하는 방법,32. The method of claim 31, wherein the pixelated phosphor structure comprises first and second major parallel surfaces, and wherein the process planarizes at least one of the first and second major surfaces of the pixelated phosphor structure. Forming at least one planarized surface on said pixelated phosphor structure,
제32항에 있어서, 상기 픽셀화된 형광물질 구조체의 상기 적어도 하나의 평면화된 표면을 제2기재에 부착시키는 단계를 또한 포함하는 방법.33. The method of claim 32, further comprising attaching the at least one planarized surface of the pixelated phosphor structure to a second substrate.
제33항에 있어서, 분리된 픽셀화된 형광물질 구조체의 상기 불연속 형광물질 소자 사이의 영역에 제2형광물질을 충전시키는 단계를 또한 포함하는 방법.34. The method of claim 33, further comprising filling a second phosphor in a region between the discrete phosphor elements of a separated pixelated phosphor structure.
제34항에 있어서, 상기 제2형광물질의 조성이 상기 제1형광물질의 조성과 다른 방법.35. The method of claim 34, wherein the composition of the second phosphor is different from the composition of the first phosphor.
제31항에 있어서, 상기 불연속 형광물질 소자 각각의 종횡비 (이때, 종횡비는 상기 불연속 형광물질 소자 각각의 너비에 대한 상기 불연속 형광물질 소자 각각의 높이의 비율을 나타낸다)가 약 1 : 1 내지 약 20 : 1의 범위인 방법.The aspect ratio of claim 31, wherein an aspect ratio of each of said discrete phosphor elements, wherein the aspect ratio represents a ratio of the height of each of said discrete phosphor elements to the width of each of said discrete phosphor elements. : Method in the range of 1.
제36항에 있어서, 상기 불연속 형광물질 소자 각각의 종횡비가 2：1 내지 8： 1의 범위인 방법.37. The method of claim 36, wherein an aspect ratio of each of said discontinuous fluorescent element is in the range of 2: 1 to 8: 1.
제31항에 있어서, 상기 금형의 상기 기공내에 상기 제1인광 물질을 부착시키는 상기 단계가 상기 제1형광물질을 상기 금형의 상기 기공내에 압축시키는 접촉 면적을 한정하는 한쌍의 캘린더링 롤사이에 상기 금형을 통과시켜 상기 기공내에서 공극의 형성을 감소시킴을 포함하는 방법.32. The method of claim 31, wherein the step of attaching the first phosphor in the pores of the mold defines the contact area between the pair of calendering rolls defining a contact area for compressing the first phosphor in the pores of the mold. Passing the mold to reduce the formation of voids in the pores.
(a) 기재된 기계적 공구를 적용하여 상기 기재에 복수의 제1기공을 생성하므로써 일체형 비층상 마스터 금형을 형성하는 단계; (b) 복수의 제2기공을 갖는, 상기 마스터 금형의 일련의 하나 이상의 레플리카 세대를 형성하고; (c) 제1형광물질을 하나 이상의 레플리카 세대의 하나의 제2기공에 부착시키므로써 레플리카의 하나 이상의 세대중 상기 하나의 상기 제2기공 각각에 제1형광물질을 충전시키고, 불연속 형광물질 소자 배열을 포함하는 픽셀화된 형광물질 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 픽셀화된 형광물질 구조체의 제조 방법.(a) forming an integral, non-layered master mold by applying a mechanical tool as described to create a plurality of first pores in the substrate; (b) forming a series of one or more replica generations of said master mold having a plurality of second pores; (c) attaching a first fluorescent material to one second pore of one or more replica generations to fill each of said second pores of said one or more generations of replicas with a first fluorescent material, discontinuous fluorescent element arrangement Forming a pixelated phosphor structure comprising the step of forming a pixelated phosphor structure.
제39항에 있어서, (d) 상기 하나 이상의 레플리카 세대중 상기 하나의 상부에 연속적인 형광물질 충을 형성하므로써 상기 불연속 형광물질 소자의 배열이 상기 연속적인 형광물질 층에서 돌출되는 단계를 또한 포함하는 방법.40. The method of claim 39, further comprising the step of (d) forming a continuous phosphor charge on top of said one of said one or more replica generations such that said array of discontinuous phosphor elements protrude from said continuous phosphor layer. Way.
제40항에 있어서, 상기 픽셀화된 형광물질 구조체를 상기 금형으로부터 분리하는 단계를 또한 포함하는 방법.41. The method of claim 40, further comprising separating the pixelated phosphor structure from the mold.
제41항에 있어서, 분리된 픽셀화된 형광물질 구조체의 상기 불연속 형광물질 소자 사이의 영역에 제2형광물질을 충전시키는 단계를 또한 포함하는 방법.42. The method of claim 41, further comprising filling a second phosphor in a region between the discrete phosphor elements of a separate pixelated phosphor structure.
제42항에 있어서, 상기 제2형광물질의 조성이 상기 제1형광물질의 조성과 다른 방법.43. The method of claim 42, wherein the composition of the second phosphor is different from the composition of the first phosphor.
제41항에 있어서, 상기 픽셀화된 이광 물질 구조체가 제1 및 제2주요 대향 표면을 포함하고, 상기 방법이 형광물질 구조체의 제1 및 제2주요 대향 표면의 적어도 하나를 평면화시켜 상기 픽셀화된 형광물질 구조체상에서 적어도 하나의 평면화된 표면을 형성하는 단계를 또한 포함하는 방법.42. The method of claim 41, wherein the pixelated diminishing material structure comprises first and second major opposing surfaces, and wherein the method planarizes the pixelation by planarizing at least one of the first and second major opposing surfaces of the phosphor structure. And forming at least one planarized surface on the formed phosphor structure.
제44항에 있어서, 상기 픽셀화된 형광물질 구조체의 상기 적어도 하나의 평면화된 표면을 제2기재에 부착시키는 단계를 또한 포함하는 방법.45. The method of claim 44, further comprising attaching the at least one planarized surface of the pixelated phosphor structure to a second substrate.
제39항에 있어서, 상기 일련의 하나 이상의 레플리카 세대를 형성하는 상기 단계 (b)가 물질을 상기 마스터 금형에 부착시키고, 상기 물질을 상기 마스터 금형에서 분리하므로써 상기 마스터 금형의 네가티브 금형을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1형광물질의 부착 단계 (c)가 상기 제1형광물질을 상기 네가티브 레플리카의 상기 제2기공에 부착시키는 것을 포함하는 방법.40. The method of claim 39, wherein step (b) of forming the series of one or more replica generations comprises forming a negative mold of the master mold by attaching a material to the master mold and separating the material from the master mold. Wherein the step (c) of attaching the first phosphor comprises attaching the first phosphor to the second pore of the negative replica.
제39항에 있어서, 상기 일련의 하나 이상의 레플리카 세대를 형성하는 상기 단계 (b)가 제2물질을 상기 마스터 금형에 부착시키고, 제2물질을 상기 마스터 금형에서 분리하므로써 상기 마스터 금형의 네가티브 금형을 형성하는 단계 및 제3물질을 상기 네가티브 레플리카에 부착시키고, 상기 제3물질을 상기 테가티브 레플리카로부터 분리하는 단계를 포함하고, 상기 제1형광물질의 부착 단계 (C)가 상기 제1형광물질을 상기 포지티브 레플리카의 상기 제2기공에 부착시키는 것을 포함하는 방법.40. The negative mold of claim 39, wherein step (b) of forming the series of one or more replica generations attaches a second material to the master mold and separates the second material from the master mold. Forming and attaching a third material to the negative replica, and separating the third material from the negative replica, wherein attaching the first fluorescent material (C) comprises the first fluorescent material. Attaching to the second pores of the positive replica.
제39항에 있어서, 상기 불연속 형광물질 소자 각각의 종횡비 (이때, 종횡비는 상기 불연속 형광물질 소자 각각의 너비에 대한 상기 불연속 형광물질 소자 각각의 높이의 비율을 나타낸다)가 약 1： 1 내지 약 20 : 1의 범위인 방법.The aspect ratio of claim 39, wherein an aspect ratio of each of the discontinuous fluorescent elements, wherein the aspect ratio represents a ratio of the height of each of the discontinuous fluorescent elements to the width of each of the discontinuous fluorescent elements, is from about 1: 1 to about 20. : Method in the range of 1.
제48항에 있어서, 상기 불연속 형광물질 소자 각각의 종횡비가 2 : 1 내지 8 : 1의 범위인 방법.49. The method of claim 48, wherein an aspect ratio of each of said discontinuous fluorescent element is in the range of 2: 1 to 8: 1.
(a) 제1형광물질의 시이트를 제공하는 단계, (b) 각각이 제1형광물질을 통해 연장되고 2개의 기공을 갖는 복수의 불연속 구멍을 제1형광물질에 형성시키는 단계 및 (c) 제2형광물질을 제1형광물질상에 부착시켜 픽셀화된 형광물질 구조체를 형성하여, 상기 제2형광물질의 적어도 일부분이 상기 제1철광물질안의 상기 복수의 불연속 구멍으로 부착되는 단계를 포함하는 픽셀화된 형광물질 구조체의 제조 방법.(a) providing a sheet of the first phosphor, (b) forming a plurality of discrete holes in the first phosphor, each extending through the first phosphor and having two pores; and (c) Attaching a second phosphor onto the first phosphor to form a pixelated phosphor structure, wherein at least a portion of the second phosphor is attached to the plurality of discrete holes in the first ferrous material Method for producing a fluorescence substance structure.
제50항에 있어서, 상기 제2형광물질의 조성이 상기 제1형광물질의 조성과 다른 방법.51. The method of claim 50, wherein the composition of the second phosphor is different from the composition of the first phosphor.
제50항에 있어서, 상기 제1형광물질내 상기 복수의 불연속 구멍이 상기 제1형광물질을 기계적 천공에 의해 형성되는 방법.51. The method of claim 50, wherein the plurality of discrete holes in the first fluorescent material are formed by mechanical drilling of the first fluorescent material.
제50항에 있어서, 상기 픽셀화된 형광물질 구조체가 제1 및 제2주요 평행 표면을 포함하고, 상기 공정이 상기 픽셀화된 형광물질 구조체의 제1 및 제2주요 표면중 적어도 하나를 평면화시켜 적어도 하나의 평면화된 표면을 형성하는 단계를 또한 포함하는 방법.51. The method of claim 50, wherein the pixelated phosphor structure comprises first and second major parallel surfaces, and wherein the process planarizes at least one of the first and second major surfaces of the pixelated phosphor structure. And forming at least one planarized surface.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.