KR970054273A

KR970054273A - Ccd 고체촬상소자의 제조방법

Info

Publication number: KR970054273A
Application number: KR1019950059396A
Authority: KR
Inventors: 김상식; 김성균; 양노석
Original assignee: 김광호; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1995-12-27
Filing date: 1995-12-27
Publication date: 1997-07-31

Abstract

본 발명은 마이크로 렌즈를 사각형의 볼록한 형태로 형성하며 종래의 원형의 마이크로 렌즈경우에 대각선 방향으로 이웃하는 픽셀간에 발생되는 빈공간을 제거하여 줌으로써, 집광효율을 증대시키고, 이에 따라 소자의 광감도를 향상시킬 수 있으며, 빈공간으로 입사되는 광도 마이크로 렌즈에 의해 광다이오드영역으로 집광시켜줌으로써 반사 및 굴적 현상에 의한 인접화소간의 악영향을 방지할 수 있는 CCD 고체촬상소자의 제조방법에 관한 것이다.

본 발명의 CCD 고체촬상소자의 제조방법은 실리콘 기판에 포토 다이오드 영역 및 차광막이 형성되고, 차광막을 포함하는 기판상에 평탄화막이 형성되고, 상기 포토 다이오드 영역에 대응하는 평탄화막상에 칼라필터층이 형성된 고체 촬상소자에 있어서, 칼라필터층을 포함한 평탄화막상에 보호막을 형성하는 공정과, 칼라필터층 사이의 보호막을 식각하여 반원형의 굴곡부를 형성하는 공정과, 굴곡부를 갖는 보호막상에 마이크로 렌즈용 포토 레지스트막을 도포하는 공정과, 마이크로 렌즈용 포토 레지스트막을 패터닝하여 굴곡부를 제외한 보호막상에만 남겨두는 공정과, 리플로우 공정을 수행하여, 패터닝된 마이크로 렌즈용 포토 레지스트막을 굴곡부로 리플로우시켜 사각형태의 볼록한 마이크로 렌즈를 형성하는 공정을 포함한다.

Description

CCD 고체촬상소자의 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제4도는 본 발명의 실시예에 따른 CCD 고체촬상소자의 평면 구조도.

Claims

실리콘 기판(41)에 포토 다이오드 영역(42) 및 차광막(44)이 형성되고, 차광막(44)을 포함하는 기판상에 평단화막(47)이 형성되고, 상기 포토 다이오드 영역(42)에 대응하는 평탄화막(45)상에 칼라필터층(46)이 형성된 고체 촬상소자에 있어서, 칼라필터층(46)을 포함한 평탄화막(45)상에 보호막(47)을 형성하는 공정과, 칼라필터층(46) 사이의 보호막(47)을 식각하여 반원형의 굴곡부(47-1)를 형성하는 공정과, 굴곡부(47-1)를 갖는 보호막(47)상에 마이크로 렌즈용 포토 레지스트막(48a)을 도포하는 공정과, 마이크로 렌즈용 포토 레지스트막(48a)을 패터닝하여 굴곡부(47-1)를 제외한 보호막(47)상에만 남겨두는 공정과, 리플로우 공정을 수행하여, 패터닝된 마이크로 렌즈용 포토 레지스트막(48a)을 굴곡부(47-1)로 리플로우시켜 사각형태의 볼록한 마이크로 렌즈(48)를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 CCD 고체촬상소자의 제조방법.
제1항에 있어서, 보호막(47)은 칼라필터층의 보호층으로서의 역할뿐만아니라 마이크로 렌즈의 초점 길이 조절층으로서의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 CCD 고체촬상소자의 제조방법.
제1항에 있어서, 마이크로 렌즈용 포토 레지스트막(48a)을 패터닝한 후 리플로우공정을 실시하기 전에 마이크로 렌즈의 투과율을 증가시키기 위하여 마이크로 렌즈용 포토 레지스트막(48a)을 블리칭시켜 주는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CCD 고체촬상소자의 제조방법.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.