Claims (6)
메모리셀 어레이와, 상기 메모리셀 어레이를 구성하는 다수개의 메모리셀 블락과, 상기 각각의 메모리셀 블락을 구성하는 2개 이상의 메인셀 세그먼트와, 상기 각각의 메인셀 세그먼트에 하나씩 할당되고 제어신호에 따라 상기 메인셀 세그먼트를 선택하는 2개 이상의 메인 X-데코더를 구비하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 결함구제 방법에 있어서, 상기 메인 X-데코더에 의해 선택되는 메인셀 세그먼트단위로, 결함이 있는 메인셀 세그먼트를 상기 메인셀 세그먼트와 동일한 크기로 리던던트셀 세그먼트로 대체시키는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 결함구제 방법A memory cell array, a plurality of memory cell blocks constituting the memory cell array, two or more main cell segments constituting each memory cell block, and one each of the main cell segments and according to a control signal A method for repairing a defect of a nonvolatile semiconductor memory device having two or more main X-decoder for selecting the main cell segment, wherein the main cell segment selected by the main X-decoder is defective. To replace the redundant cell segment with the same size as that of the main cell segment.
제1항에 있어서, 상기 불휘발성 메모리장치의 최소 소거동작 단위가 2개 이상의 메인셀 세그먼트로 구성되는 블락 단위인 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 결함구제 방법.The method of claim 1, wherein the minimum erase operation unit of the nonvolatile memory device is a block unit including two or more main cell segments.
제1항에 있어서, 상기 불휘발성 메모리장치의 소거동작을 수행할 때는 상기 2개 이상의 메인셀 세그먼트와 상기 리던던트셀 세그먼트를 동시에 선택하여 수행되고, 프로그램 및 리드동작을 수행할 때는 상기 리던던트셀만을 선택하여 수행되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 결함구제 방법.The method of claim 1, wherein the erase operation of the nonvolatile memory device is performed by simultaneously selecting the two or more main cell segments and the redundant cell segment, and when performing the program and read operations, only the redundant cells are selected. The defect repair method of a nonvolatile semiconductor memory device, characterized in that carried out.
메모리셀 어레이와, 상기 메모리셀 어레이를 구성하는 다수개의 메모리셀 블락과, 상기 각각의 메모리셀 블락을 구성하는 2개 이상의 메인셀 세그먼트와, 상기 각각의 메인셀 세그먼트에 하나씩 할당되고 제어신호에 따라서 상기 메인셀 세그먼트를 선택하는 2개 이상의 메인 X-데코더와, 상기 메인 X-데코더의 제어신호를 생성하는 X-프로데코더를 구비하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 리던던시 회로에 있어서, 상기 2개 이상의 메인 X-데코더의 임의의 어느 하나에 의해서 상기 2개 이상의 메인셀 세그먼트 중 결함이 존재하는 메인셀 세그먼트가 선택될 때, 이에 따라 출력신호를 활성화시키는 리던던트 스토리지 어드레서 데코더; 상기 리던던트 스토리지 어드레스 데코더의 출력신호가 활성화될 때 인에이블되는 리던던시 X-데코더; 상기 리던던시 X-데코더가 인에이블될 때 선택되는 상기 메인셀 세그먼트와 동일한 크기의 리던던트셀 세그먼트; 상기 리던던트 스토리지 어드레스 데코더의 출력신호에 따라 상기 X-프리데코더의 상태를 결정하는 출력신호를 발생시키는 메인셀 블락킹회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 리던던시 회로.A memory cell array, a plurality of memory cell blocks constituting the memory cell array, at least two main cell segments constituting each memory cell block, and one of each of the main cell segments, according to a control signal 2. A redundancy circuit of a nonvolatile semiconductor memory device, comprising: at least two main X-decoder for selecting the main cell segment and an X-decoder for generating a control signal of the main X-decoder; A redundant storage addresser decoder for activating an output signal when a main cell segment having a fault among the two or more main cell segments is selected by any one of an X-decoder; A redundancy X-decoder enabled when the output signal of the redundant storage address decoder is activated; A redundant cell segment having the same size as the main cell segment selected when the redundant X-decoder is enabled; And a main cell blocking circuit for generating an output signal for determining a state of the X-predecoder according to the output signal of the redundant storage address decoder.
제4항에 있어서, 상기 메인셀 블락킹회로의 출력신호는, 소거동작시에는, 상기 리던던트 스토리지 어드레스 데코더의 출력신호와 무관하게 항상 "하이"로 인에이블됨으로써, 상기 리던던트셀 세그먼트와 상기 2개 이상의 메인셀 세그먼트가 동시에 선택되어 소거되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 리던던시 회로.5. The redundant cell segment and the two redundant cells of claim 4, wherein the output signal of the main cell blocking circuit is always enabled “high” regardless of the output signal of the redundant storage address decoder during an erase operation. The redundancy circuit of the nonvolatile semiconductor memory device, wherein the main cell segments are selected and erased simultaneously.
제4항에 있어서, 상기 메인셀 블락킹회로의 출력신호는, 프로그램 및 리드동작시에는, 결함이 존재하는 메인셀 세그먼트가 선택될 때 상기 리던던트 스토리지 어드레스 데코더의 활성화되는 출력신호에 의해 "로우"로 디스에이블됨으로써, 상기 X-프리데코더의 출력신호를 "로우"로 비활성화 시키고, 이에 따라 결함이 존재하는 메인셀 세그먼트가 선택되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 리던던시 회로.5. The output signal of the main cell blocking circuit of claim 4, wherein the output signal of the main cell blocking circuit is " low " by the activated output signal of the redundant storage address decoder when a main cell segment having a defect is selected during program and read operations. By disabling the output signal of the X-predecoder to " low ", thereby preventing the selection of the main cell segment in which the defect exists.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.