Claims (5)
고농도의 제1전도대(8)와 제2전도대(7)가 소정의 간격으로 교대로 형성되어 있는 전도층과, 상기 전도층 위에 농도차이를 갖도록 순차로 형성된 제1 및 제2에피택셜층(6, 5)으로 구성되는 반도체 스위칭 소자의 기판구조.Highly conductive first and second conductive bands 8 and 7 are formed alternately at predetermined intervals, and first and second epitaxial layers 6 sequentially formed to have a difference in concentration on the conductive layer. , 5) a substrate structure of a semiconductor switching element.
제1항에 있어서, 상기 제1전도대(8) 및 상기 제2전도대(7) 중 어느 하나는 N+형으로 형성되고, 다른 하나는 P+형으로 형성되며, 상기 제1에피택셜층(6)은 N층, 상기 제2에피택셜층(5)은 N-층으로 각각 형성되는 반도체 스위칭 소자의 기판 구조The method of claim 1, wherein any one of the first conductive band 8 and the second conductive band 7 is formed of an N + type, the other is formed of a P + type, the first epitaxial layer 6 is N-layer, the second epitaxial layer 5 is a substrate structure of a semiconductor switching element each formed of an N- layer
제1항에 있어서, 상기 제1전도대(7) 및 상기 제2전도대(6)는 각각 1018atom/㎤ 이상의 농도를 갖고, 상기 제1에피택셜층(6)은 1015~1017atom/㎤, 상기 제2에피택셜층(5)은 1015atom/㎤ 이하의 농도를 갖는 반도체 스위칭 소자의 기판 구조The method of claim 1, wherein the first conductive band (7) and the second conductive band (6) each have a concentration of 10 18 atom / cm 3 or more, the first epitaxial layer (6) is 10 15 ~ 10 17 atom / Cm 3, the second epitaxial layer 5 has a substrate structure of a semiconductor switching element having a concentration of 10 15 atoms / cm 3 or less.
고농도의 제1도전형의 전도층 위에, 마스크(11)를 씌우고 상기 전도층으로 제2전도형의 불순물을 주입하고 열처리하여, 제1도전형의 제1전도대(8)와 제2도전형의 제2전도대(7)를 소정의 간격으로 교대로 형성하는 단계와; 상기 전도층 위에 상기 전도층의 농도보다 상대적으로 낮은 농도의 제1도전형의 제1에피택셜층(6)과, 이 제1에피택셜층(6) 보다 상대적으로 낮은 농도의 제1도전형의 제2에피택셜층(5)을 순차로 형성하여 이중 에피택셜 웨이터를 제작하는 단계와; 상기 전도층의 표면 위에 금을 중착하고, 웨이퍼를 가열한 후, 표면에 남아있는 금을 제거하는 단계와; 웨이퍼의 뒷면에 스며든 금을 상기 제2에피택셜층(5)으로 확산시키는 단계를 포함하는 반도체 스위칭 소자의 기판 그 제조방법On the conductive layer of the first conductive type having a high concentration, a mask 11 is put on, and the second conductive type impurity is injected into the conductive layer and heat treated, so that the first conductive band 8 of the first conductive type and the second conductive type are heated. Alternately forming second conductive bands (7) at predetermined intervals; A first epitaxial layer 6 having a first conductivity type at a concentration lower than that of the conductive layer on the conductive layer and a first conductive type having a lower concentration than the first epitaxial layer 6 Forming a second epitaxial layer 5 in sequence to produce a double epitaxial waiter; Depositing gold on the surface of the conductive layer, heating the wafer, and then removing the gold remaining on the surface; A method of manufacturing a substrate of a semiconductor switching device comprising the step of diffusing the gold impregnated on the back side of the wafer into the second epitaxial layer (5)
제4항에 있어서, 상기 제1전도대(8)는 N+층으로 이루어지고, 상기 제2전도대(7)는 P+층으로 이루어지며, 상기 제1에피택셜층(6)과 상기 제2에피택셜층(5)은 각각 N층과 N-층으로 이루어지는 반도체 스위칭 소자의 기판 구조 및 그 제조방법The method of claim 4, wherein the first conductive band 8 is formed of an N + layer, the second conductive band 7 is formed of a P + layer, and the first epitaxial layer 6 and the second epitaxial layer are formed. (5) shows a substrate structure of a semiconductor switching element consisting of N layers and N-layers and a method of manufacturing the