Claims (5)
웨이퍼 상에 형성되는 반도체 장치의 정렬키에 있어서, 좌우 대칭적으로 형성되는 가이드패턴과, 상기 각각의 가이드패턴의 내측 사이에서 상기 가이드패턴의 길이보다 작게 형성되는 다수의 정렬패턴과, 상기 각각의 가이드패턴의 외곽에서 상기 정렬패턴의 길이보다 작게 형성되되, 그 중심이 상기 정렬패턴의 중심과 같은 선상에 형성되는 정렬용 가이드패턴을 포함하여 이루어지는 반도체 장치의 정렬키.An alignment key of a semiconductor device formed on a wafer, comprising: a guide pattern formed symmetrically, a plurality of alignment patterns formed smaller than a length of the guide pattern between the insides of the respective guide patterns, and The alignment key of the semiconductor device, which is formed on the outside of the guide pattern to be smaller than the length of the alignment pattern, the center of which includes an alignment guide pattern formed on the same line as the center of the alignment pattern.
제1항에 있어서, 상기 가이드패턴의 길이는 44㎛ 에서 54㎛의 범위로 형성되고, 상기 정렬패턴의 길이는40㎛ 에서 50㎛의 범위로 형성되고, 상기 정렬용 가이드패턴의 길이는 30㎛로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 정렬키.The length of the guide pattern is formed in the range of 44㎛ 54㎛, the length of the alignment pattern is formed in the range of 40㎛ 50㎛, the length of the alignment guide pattern is 30㎛ The alignment key of the semiconductor device, characterized in that formed.
웨이퍼 상에 좌우 대칭적으로 형성되는 가이드패턴과, 상기 각각의 가이드패턴의 내측 사이에서 상기 가이드패턴의 길이보다 작게 형성되는 다수의 정렬패턴과, 상기 각각의 가이드패턴의 외측에서 상기 정렬패턴의 길이보다 작게 형성되되, 그 중심부위가 정렬패턴의 중심부위에 대응하여 형성되는 정렬용 가이드패턴을 포함하여 이루어지는 반도체장치의 정렬키를 이용하는 정렬방법에 있어서, 1) 상기 정렬패턴의 스캔폭을 16∼20세그먼트(segment)로 하고, 레이져로 스캔하여 반사되는 신호를 얻어내는 웨이퍼 선정렬을 실시하는 단계와, 2) 상기 정렬용 가이드패턴에서 반사되는 신호에의해 정렬패턴의 세그먼트 범위를 선택하고, 선택된 상기 세그먼트의 범위에서 반사되는 신호에 의해 웨이퍼를 자동정렬시키는 자동전면정렬(AGA)을 실시하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 장치의 정렬키를 이용하는 정렬방법.A guide pattern that is formed symmetrically on a wafer, a plurality of alignment patterns formed smaller than a length of the guide pattern between the insides of the respective guide patterns, and a length of the alignment patterns outside the respective guide patterns In a sorting method using a sorting key of a semiconductor device, wherein the sorting pattern is formed to be smaller and includes a guide pattern for alignment formed on a central portion thereof corresponding to a center portion of the alignment pattern, the method comprising: 1) a scan width of the alignment pattern is 16 to 20; Performing a wafer selection column that is a segment and scans with a laser to obtain a reflected signal; and 2) selects a segment range of the alignment pattern based on the signal reflected from the alignment guide pattern, and selects the selected segment. Performing an automatic front alignment (AGA) that automatically aligns the wafer by the signal reflected in the range of Sorting method using the sort key of the semiconductor device made in included.
제3항에 있어서, 상기 2)단계에서 상기 자동전면정렬(AGA)은 상기 정렬키에서 반사되는 신호에 의해 거시적인 정렬(macro align)을 실시하여 초기 보정값을 획득하는 1차보정을 실시하는 단계와, 상기 정렬키의 상기 정렬용 가이드패턴에서 반사되는 신호가 "하이(high)"일때 상기 정렬키에서 반사되는 신호에서 상기 정렬패턴 중심부위의 12세그먼트에서 반사되는 신호를 인식하여 상기 초기 보정값을 보정하는 2차보정을 실시하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 정렬키를 이용하는 정렬방법.4. The method of claim 3, wherein in the step 2), the AGA performs a first order correction to obtain an initial correction value by performing macro alignment by the signal reflected from the alignment key. And recognizing a signal reflected by the 12 segment on the center of the alignment pattern from the signal reflected by the alignment key when the signal reflected by the alignment guide pattern of the alignment key is "high." And a second correction step of correcting the value.
제3항에 있어서, 상기 2)단계에서 상기 자동전면정렬(AGA)은 상기 정렬키에서 반사되는 신호에 의해 거시적인 정렬(macro align)을 실시하여 초기 보정값을 획득하는 1차보정을 실시하는 단계와, 상기 정렬키의 상기 정렬용 가이드패턴에서 반사되는 신호가 "로우(low)"일때 상기 정렬키에서 반사되는 신호에서 상기 정렬패턴 중심부위의 12세그먼트의 바깥쪽 세그먼트에서 반사되는 신호를 인식하여 상기 초기 보정값을 보정하는 2차보정을 실시하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 정렬키를 이용하는 정렬방법.4. The method of claim 3, wherein in the step 2), the AGA performs a first order correction to obtain an initial correction value by performing macro alignment by the signal reflected from the alignment key. And a signal reflected from an outer segment of the 12 segment above the center of the alignment pattern from the signal reflected from the alignment key when the signal reflected by the alignment guide pattern of the alignment key is "low". And performing a second correction to correct the initial correction value.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.