Claims (16)
입력단자쌍과 제1전위공급단자 사이에 각각 형성된 제1 및 제2전계효과트랜지스터와, 출력단자쌍에 출력전압을 공급하는 제3 및 제4전계효과트랜지스터를 구비하고, 상기 제3전계효과트랜지스터의 게이트는 상기 제1입력단자 및 상기 제1전계효과트랜지스터의 소오스에 결합되고, 상기 제1전계효과트랜지스터의 게이트는 상기 제3전계효과트랜지스터의 드레인에 결합되며; 상기 제4전계효과트랜지스터의 게이트는 상기 제2입력단자 및 상기 제2전계효과트랜지스터의 소오스에 결합되고, 상기 제2전계효과형트랜지스터의 게이트는 상기 제4전계효과트랜지스터의 드레인에 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 전류앰프.First and second field effect transistors formed between an input terminal pair and a first potential supply terminal and third and fourth field effect transistors for supplying an output voltage to an output terminal pair, Wherein a gate of the first field effect transistor is coupled to a source of the first input terminal and the first field effect transistor and a gate of the first field effect transistor is coupled to a drain of the third field effect transistor; The gate of the fourth field effect transistor is coupled to the source of the second input terminal and the second field effect transistor and the gate of the second field effect transistor is coupled to the drain of the fourth field effect transistor Features a current amplifier.
제1항에 있어서, 상기 전류앰프의 활성화시에 상기 제3 및 제4전게효과트랜지스터의 소오스에 소정의 전류를 공급하는 제5전계효과트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전류앰프.The current amplifier according to claim 1, further comprising a fifth field effect transistor for supplying a predetermined current to the sources of the third and fourth field-effect transistors when the current amplifier is activated.
제1항에 있어서, 상기 제3 및 제4전계효과트랜지스터의 소오스는 상기 전류앰프의 활성 또는 비활성화를 제어하는 제어선에 공통으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전류앰프.The current amplifier according to claim 1, wherein the sources of the third and fourth field effect transistors are commonly connected to a control line for controlling activation or deactivation of the current amplifier.
제2항에 있어서, 상기 제5전계효과트랜지스터의 게이트, 드레인 및 소오스는 상기 전류앰프의 활성 또는 비활성화를 제어하는 제어선, 상기 제3및 제4전계효과트랜지스터의 소오스 및 제2전위공급단자에 각각 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전류앰프.The semiconductor device according to claim 2, wherein the gate, the drain, and the source of the fifth field effect transistor are connected to a control line for controlling activation or deactivation of the current amplifier, a source and a drain of the third and fourth field effect transistors Respectively.
제2항에 있어서, 상기 제5전계효과트랜지스터의 게이트, 드레인 및 소오스는 소정 전압선, 상기 제3 및 제4전계효과트랜지스터의 소오스 및 상기 전류앰프의 활성화 또는 비활성화를 제어하는 제어선에 각각 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 전류앰프.The method of claim 2, wherein the gate, drain, and source of the fifth field effect transistor are respectively coupled to a predetermined voltage line, a source of the third and fourth field effect transistors, and a control line for controlling activation or deactivation of the current amplifier And a current amplifier.
제1항에 있어서, 상기 출력단자쌍중의 대응하는 하나의 출력단자를 통과하는 출력전류를 각각 온/오프하는, 상기 제3 및 제4전계효과트랜지스터와는 도전형이 다른 제5 및 제6전계효과트랜지스터를 더 포함하고, 상기 제3전계효과트랜지스터의 드레인은 상기 제1전계효과트랜지스터의 게이트 및 상기 제5전계효과트랜지스터의 드레인에 접속되고, 상기 제4전계효과트랜지스터의 드레인은 상기 제2전계효과트랜지스터의 게이트 및 상기 제6전계효과트랜지스터의 드레인에 접속되고, 상기 제3 및 제4전계효과트랜지스터의 소오스는 제2전위공급단자에 공통으로 접속되고, 상기 제5 및 제6전계효과트랜지스터의 소오스는 상기 제1 및 제2출력단자에 접속되고, 상기 제5 및 제6전계효과트랜지스터의 게이트는 상기 전류앰프의 활성 또는 비활성화를 제어하는 제어선에 공통으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전류앰프.2. The semiconductor device according to claim 1, further comprising fifth and sixth transistors having different conductivity types from the third and fourth field effect transistors, respectively, which respectively turn on / off output currents passing through a corresponding one of the output terminal pairs Wherein the drain of the third field effect transistor is connected to the gate of the first field effect transistor and the drain of the fifth field effect transistor and the drain of the fourth field effect transistor is connected to the drain of the second field effect transistor A source of the third field effect transistor is connected to a gate of the field effect transistor and a drain of the sixth field effect transistor, the sources of the third and fourth field effect transistors are connected in common to a second potential supply terminal, And the gates of the fifth and sixth field effect transistors control the activation or deactivation of the current amplifier And the control signal line is commonly connected to the control line.
입력단자쌍중 대응하는 하나의 입력단자에 전류를 각각 공급하는 제1 및 제2전계효과트랜지스터와, 상기 입력단자쌍에 각각 게이트가 접속된 제3 및 제4전계효과트랜지스터를 구비하고, 상기 제3전계효과트랜지스터의 드레인, 상기 제1전계효과트랜지스터의 게이트, 및 상기 제2전계효과트랜지스터의 드레인은 제2출력단자에 결합되고, 상기 제4전계효과트랜지스터의 드레인, 상기 제2전계효과트랜지스터의 게이트, 및 상기 제1전계효과트랜지스터의 드레인은 제1출력단자에 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 전류앰프.First and second field effect transistors each for supplying a current to a corresponding one of input terminal pairs and third and fourth field effect transistors each having a gate connected to the input terminal pair, The drain of the third field effect transistor, the gate of the first field effect transistor, and the drain of the second field effect transistor are coupled to the second output terminal, and the drain of the fourth field effect transistor, A gate, and a drain of the first field effect transistor are coupled to a first output terminal.
제7항에 있어서, 상기 제3 및 제4전계효과트랜지스터의 소오스는 상기 전류앰프의 활성 또는 비활성화를 제어하는 제어선에 공통으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전류앰프.The current amplifier according to claim 7, wherein the sources of the third and fourth field effect transistors are commonly connected to a control line for controlling activation or deactivation of the current amplifier.
제7항에 있어서, 상기 전류앰프의 활성시, 상기 제3 및 제4전계효과트랜지스터의 소오스에 소정 전류를 공급하는 제5전계효과트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전류앰프.The current amplifier according to claim 7, further comprising a fifth field effect transistor for supplying a predetermined current to the sources of the third and fourth field effect transistors when the current amplifier is activated.
제9항에 있어서, 상기 제5전계효과트랜지스터의 게이트, 드레인 및 소오스는, 상기 전류앰프의 활성 또는 비활성화를 제어하는 제어선, 상기 제3 및 제4전계효과트랜지스터의 소오스 및 제2전위공급단자에 각각 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전류앰프.10. The semiconductor device according to claim 9, wherein the gate, the drain, and the source of the fifth field effect transistor are connected to a control line for controlling activation or deactivation of the current amplifier, a source of the third and fourth field effect transistors, Respectively. ≪ Desc / Clms Page number 13 >
제9항에 있어서, 상기 제5전계효과트랜지스터의 게이트, 드레인 및 소오스는, 상기 앰프의 활성 또는 비활성화를 제어하는 제어선, 상기 제3 및 제4전계효과트랜지스터의 소오스 및 제2전위공급단자에 각각 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전류앰프.10. The semiconductor device according to claim 9, wherein the gate, the drain, and the source of the fifth field effect transistor are connected to a control line for controlling activation or deactivation of the amplifier, a source and a second potential supply terminal of the third and fourth field effect transistors Respectively.
제9항에 있어서, 상기 제5전계효과트랜지스터의 게이트, 드레인 및 소오스는, 소정 전압선, 상기 제3 및 제4전계효과트랜지스터의 소오스 및 상기 전류앰프의 활성 또는 비활성화를 제어하는 제어선에 각각 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전류앰프.10. The semiconductor device according to claim 9, wherein the gate, the drain, and the source of the fifth field effect transistor are connected to a predetermined voltage line, a source of the third and fourth field effect transistors, and a control line for controlling activation or deactivation of the current amplifier, And a current amplifier.
제7항에 있어서, 상기 출력단자쌍중 대응하는 하나의 출력단자를 통과하는 출력전류를 각각 온/오프하는, 상기 제3 및 제4전계효과트랜지스터와는 도전형이 다른 제5 및 제6전계효과트랜지스터를 더 포함하고, 상기 제3전계효과트랜지스터의 드레인은 상기 제1전계효과트랜지스터의 게이트 및 상기 제6전계효과트랜지스터의 드레인에 접속되고, 상기 제4전계효과트랜지스터의 드레인은 상기 제2전계효과트랜지스터의 게이트 및 상기 제5전계효과트랜지스터의 드레인에 접속되고, 상기 제3 및 제4전계효과트랜지스터의 소오스는 제2전위공급단자에 공통으로 접속되고, 상기 제6전계효과트랜지스터의 소오스는 상기 제2전계효과트랜지스터의 드레인 및 제2출력단자에 접속되고, 상기 제5전계효과트랜지스터의 소오스는 상기 제1전계효과트랜지스터의 드레인 및 제1출력단자에 접속되고, 상기 제5 및 제6전계효과트랜지스터의 게이트는 상기 전류앰프의 활성 또는 비활성화를 제어하는 제어선에 공통으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전류앰프.8. The semiconductor device according to claim 7, further comprising fifth and sixth electric fields, which are different in conduction type from the third and fourth field effect transistors, respectively, which respectively turn on / off output currents passing through a corresponding one of the output terminal pairs Effect transistor, the drain of the third field effect transistor is connected to the gate of the first field effect transistor and the drain of the sixth field effect transistor, and the drain of the fourth field effect transistor is connected to the second electric field The source of the third field effect transistor is connected to the gate of the second field effect transistor and the gate of the second field effect transistor is connected to the gate of the second field effect transistor, The source of the fifth field effect transistor is connected to the drain and the second output terminal of the second field effect transistor, And the second is connected to the first output terminal, the fifth and the sixth gate of the field effect transistor is a current amplifier, characterized in that it is connected in common to a control line for controlling the activation or deactivation of said current amplifier.
제7항에 있어서, 제어신호에 따라 상기 전류앰프의 출력전류를 온-오프하는 제5 및 제6전계효과트랜지스터를 더 포함하고, 상기 제1 및 제2전계효과트랜지스터의 드레인은 상기 제5 및 제6전계효과트랜지스터의 소오스에 각각 접속되고, 상기 제3 및 제4전계효과트랜지스터의 소오스는 제2전위공급단자에 공통으로 접속되고, 상기 제5전계효과트랜지스터의 드레인은 상기 제2전계효과트랜지스터의 게이트, 상기 제4전계효과트랜지스터의 드레인 및 제1출력단자에 접속되고, 상기 제6전계효과트랜지스터의 드레인은 상기 제1전계효과트랜지스터의 게이트, 상기 제3전계효과트랜지스터의 드레인 및 상기 제2출력단자에 접속되고, 상기 제5 및 제6전계효과트랜지스터의 게이트는 상기 전류앰프의 활성 또는 비활성화를 제어하는 제어선에 공통으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전류앰프.8. The semiconductor device according to claim 7, further comprising fifth and sixth field effect transistors for turning on / off the output current of the current amplifier in accordance with a control signal, and the drains of the first and second field effect transistors Each of the third and fourth field effect transistors being connected in common to a second potential supply terminal and the drain of the fifth field effect transistor being connected to the source of the sixth field effect transistor, The drain of the sixth field effect transistor is connected to the gate of the second field effect transistor, the gate of the third field effect transistor, the drain of the third field effect transistor, And the gates of the fifth and sixth field effect transistors are connected in common to a control line for controlling activation or deactivation of the current amplifier And a current amplifier.
입력선쌍으로서 제1데이터버스쌍을 각각 사용하고, 전부 또는 일부가 자신의 출력단자쌍을 통해 제2데이터버스선쌍에 접속되어 있는 복수의 제1전류앰프, 및 입력선쌍으로서 상기 제2데이터버스선쌍을 사용하는 제2전류앰프를 포함하는 데이터버스회로에 있어서, 상기 제2전류앰프는 상기 제2데이터버스선쌍중 대응하는 하나의 데이터버스선에 각각 접속되어 데이터버스선상의 전위에 의해 그 컨덕턴스가 제어되는 전계효과트랜지스터쌍을 갖는 로우입력임피던스회로를 포함하고; 상기 각 제1전류앰프는 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 전류앰프인 것을 특징으로 하는 데이터버스회로.A plurality of first current amplifiers each using a first data bus pair as an input line pair and all or a part of which is connected to a second data bus line pair through its output terminal pair, Wherein the second current amplifier is connected to a corresponding one of the second data bus line pairs, and the second current amplifier is connected to a corresponding one of the data bus lines by a potential on the data bus line, A low input impedance circuit having a controlled pair of field effect transistors; Wherein each of the first current amplifiers is a current amplifier according to any one of claims 1 to 15.
제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 배열로 구성된 전류앰프; 및 상기 전류앰프의 입력데이터버스선쌍에 접속되는 레벨조정회로를 포함하고; 상기 레벨조정회로는 게이트가 소정 전위에 바이어스되고, 소오스가 상기 전류앰프의 활성 또는 비활성상태에 따라 제어되는 전계효과트랜지스터쌍을 갖는 것을 특징으로 하는 데이터버스회로.A current amplifier configured by an arrangement according to any one of claims 1 to 14; And a level adjusting circuit connected to an input data bus line pair of the current amplifier; Wherein the level adjustment circuit has a pair of field effect transistors whose gates are biased to a predetermined potential and whose sources are controlled according to the active or inactive states of the current amplifiers.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: It is disclosed by the contents of the first application.