KR970004238Y1 - Magnetoresistive element - Google Patents
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- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Abstract
내용없음No content
Description
제1도는 종래의 자기저항소자에서 패턴을 나타낸 평면도1 is a plan view showing a pattern in a conventional magnetoresistive element
제2도는 본 고안에 따른 자기저하소자의 정단면 구조도2 is a front cross-sectional structure diagram of a magnetic reduction device according to the present invention
제3도는 본 고안의 따른 실시예에 의한 자기저항 소자의 정단면도3 is a sectional front view of a magnetoresistive element according to an embodiment of the present invention
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
10 : 기판 11 : 소자패턴10 substrate 11 element pattern
12 : 감지패턴 13 : 더미패턴12 detection pattern 13 dummy pattern
14 : 절면막 15 : 비자성 금속막14: section film 15: non-magnetic metal film
본 고안은 자지저항소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판의 자기저항소자 특성을 나타내는 감지패턴부 상측으로 열의 분산을 위한 더미패턴을 연결형성하고, 상기 감지패턴상에 절연막을 도포한 후 비자성 금속막을 적측하여 상기 감지패턴과 연결함으로 인하여 자기저항소자에 전압을 인가시 발생되는 열을 유효하게 방출시켜 기판의 온도증가를 감소시키고 이에 따라서 자기저항 변화률을 높일수 있도록 한 자기저항소자에 관한 것이다.The present invention relates to a magnetoresistive element, and more particularly, a dummy pattern for dispersing heat is formed on the sensing pattern portion indicating a magnetoresistive element characteristic of a substrate, and an insulating film is coated on the sensing pattern. The present invention relates to a magnetoresistive element capable of reducing the temperature increase of a substrate and thus increasing the magnetoresistance change rate by effectively dissipating heat generated when a voltage is applied to the magnetoresistive element by connecting a metal film to the sensing pattern. .
일반적으로 알려져 있는 종래의 자기저항소자의 구조에 있어서는 제1도에 나타낸 바와같이, 기판(10)상에 소자 패턴(11)이 형성되고 상기 소자패턴(11)의 일측에는 자기지향소자의 특성을 나타내는 감지패턴(12)이 형성되는 구조로 이루어진다.In the structure of a conventional magnetoresistive element that is generally known, as shown in FIG. 1, an element pattern 11 is formed on a substrate 10, and one side of the element pattern 11 has characteristics of a magneto-oriented element. The sensing pattern 12 is formed.
상기와 같이 구성된 종래의 자기저항소자는, 통상 5-12V의 전압이 인가된 상태에서 외부로 부터 자기저항소자의 기판(10)에 형성된 감지패턴(12)에 인가되는 전압에 의해 저항이 변화하게되어 자계를 감지하게 되는 것이다.In the conventional magnetoresistive element configured as described above, the resistance is changed by a voltage applied to the sensing pattern 12 formed on the substrate 10 of the magnetoresistive element from the outside in a state where a voltage of 5-12V is generally applied. It is to sense the magnetic field.
그리나, 상기와 같은 종래의 자기저항소자에 있어서는 기판(10)의 소자패턴(11)의 일단으로 단순히 감지패턴(12)이 연설되어 있음으로 인하여, 상기 자기저항소자의 감지패턴(12)에 소정의 전압인가시 이때 발생되는 열을 감지패턴(12)자체로서는 방열할수 없게 되며, 이에 따라서 고열의 발생에 의해 자기저항소자의 특성을 나타내는 감지패턴(12)의 특성이 현저하게 저하되는 커다란 문제점이 있었던 것이다.However, in the conventional magnetoresistive element as described above, since the sensing pattern 12 is simply spoken to one end of the element pattern 11 of the substrate 10, the sensing pattern 12 of the magnetoresistive element is predetermined. When the voltage is applied, heat generated at this time cannot be radiated by the sensing pattern 12 itself. Accordingly, a large problem is that the characteristic of the sensing pattern 12, which represents the characteristics of the magnetoresistive element, is significantly degraded by the generation of high heat. It was.
본 고안은 상기와 같은 종래의 여러 문제점을 개선하기 위한 것으로서 그 목적은, 자기저항소자의 기판에 인쇄된 감지패턴에 전압을 인가시 발생되는 고열을 유효하게 방출시켜 기판의 온도증가를 감소시키며, 자기저헝변화률을 높일 수 있게 됨은 물론, 이에 따라 자기지향 소자의 특성을 가일층 향상시킬 수 있는 자지저항소자를 제공하는데 있다.The present invention is to improve the various problems as described above, the purpose of which is to effectively release the high heat generated when applying a voltage to the sensing pattern printed on the substrate of the magnetoresistive element to reduce the temperature increase of the substrate, The magnetic resistance change rate can be increased, and accordingly, a magnetoresistive element capable of further improving the characteristics of the magneto-oriented element is provided.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 기술적인 구성으로서 본 고안은, 기판상에 패턴이 형성되고 상기 패턴의 일측에 감지패턴이 돌출형성되어 있는 자기저하소자에 있어서 상기 패턴에 절연이 이루어지도록 방열부재가 도포되고 상기 방열부재는 패턴과 연결되어 있는 검에 있다.The present invention as a technical configuration for achieving the above object, the heat dissipation member is formed so that the pattern is formed on the substrate and the sensing pattern protrudes on one side of the pattern so that the insulation is made on the pattern The heat dissipation member is applied and is in a sword connected with the pattern.
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 고안의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제2도는 본 고안에 따른 자기저항소자의 정단면 구조도로서, 자기저항소자의 기판(10)상에 형성된 소자 패턴(11)의 일단으로 감지패턴(12)이 인쇄되어 일체로 연설되며, 상기 감지패턴(12)일측에는 지기저항소자의 특성에 영향을 미치지 않으면서 자속의 접속 및 열의 분산 역할을 수행하는 더미패턴(13)이 형성된다.2 is a front cross-sectional structure diagram of a magnetoresistive element according to the present invention, in which a sensing pattern 12 is printed and integrated into one end of an element pattern 11 formed on a substrate 10 of a magnetoresistive element. On one side of the pattern 12, a dummy pattern 13 is formed, which serves to connect magnetic flux and disperse heat without affecting the characteristics of the ground resistance element.
또한, 상기 소자패턴(11)의 상측에는 감지패턴(12)을 보호하는 절연막(14)과 열의 방출을 위한 비자성 금속막(15)을 도포토록 된다.In addition, an insulating film 14 protecting the sensing pattern 12 and a nonmagnetic metal film 15 for dissipating heat are formed on the upper side of the device pattern 11.
이에, 상기 비자성 금속막(15)은 비자성체로 감지패턴(12)으로 부터 발생되는 고열을 외부로 용이하게 방출토록 방열이 잘되는 재료로서, 예컨대 알루미늄이 가장 바람직한 것이다.Accordingly, the nonmagnetic metal film 15 is a nonmagnetic material, and is a material that is well radiated so as to easily discharge high heat generated from the sensing pattern 12 to the outside, for example, aluminum is most preferable.
또한, 감지패턴(12)을 보호하는 절연막(14)은 알루미나(Al2O3)계열이나 실리카(SiO2)계열이 사용되는 구성으로 이루어진다.In addition, the insulating layer 14 that protects the sensing pattern 12 has a configuration in which an alumina (Al 2 O 3) series or a silica (SiO 2) series is used.
이와같은 구조로 구성된 본 고안의 자기저항소자는 제2도에 도시한 바와 같이, 통상 5-12V의 전압이 인가된 상태에서 외부로 부터 자기저항소자의 기판(10)에 형성된 감지패턴(12)에 자계가 인가되면 저항값이 변화되어 그 변화된 자계를 감지하게 된다.As shown in FIG. 2, the magnetoresistive element of the present invention having such a structure has a sensing pattern 12 formed on the substrate 10 of the magnetoresistive element from the outside in a state where a voltage of 5-12V is generally applied. When the magnetic field is applied, the resistance value changes to detect the changed magnetic field.
이때, 상기 자기저항소자에 전압인가시 감지패턴(12)에서 발생되는 고열은, 그 일측에 형성된 더미패턴(13)과 비자성 금속막(15)을 통해서 대기중으로 방열됨으로써 자기저항소자의 온도상승을 억제 및 감소시키게 되며, 이에 따라 자기변화률을 높이게 된다.At this time, the high heat generated in the sensing pattern 12 when the voltage is applied to the magnetoresistive element is radiated to the atmosphere through the dummy pattern 13 and the nonmagnetic metal film 15 formed on one side thereof, thereby increasing the temperature of the magnetoresistive element. It is suppressed and reduced, thereby increasing the magnetic change rate.
제3도는 본 고안에 따른 자기저항소자의 다른 실시예를 나타낸 것으로서, 기판(10)상측으로 형성된 비자성금속막(15)이 상측에 절연막(14)이 도포되고, 상기 절연막(14)에는 감지패턴의 역할을 수행하는 패턴(12)과, 상기 패턴(12)의 일측으로 열의 방출을 위한 더미패턴(13)이 형성되어 있다.3 illustrates another embodiment of the magnetoresistive element according to the present invention, in which an insulating film 14 is coated on an upper side of a nonmagnetic metal film 15 formed on a substrate 10, and the insulating film 14 is detected. A pattern 12 serving as a pattern and a dummy pattern 13 for dissipating heat are formed at one side of the pattern 12.
그러므로, 상기 자기저항소자는 기판(10)상의 패턴(12)과 더미패턴(13) 및 비자성금속막(15)이 상호 연결되어 자기저항소자에 소정의 전압인가시 발생되는 열을 효과적으로 방열할 수 있게 되는 것이다.Therefore, in the magnetoresistive element, the pattern 12 on the substrate 10, the dummy pattern 13, and the nonmagnetic metal film 15 are interconnected to effectively dissipate heat generated when a predetermined voltage is applied to the magnetoresistive element. It will be possible.
이상에서와 같이 본 고안에 따른 자기저항소자에 의하면, 기판에 인쇄된 감지패턴에 전압의 인가시 발생되는 고열을 외부로 유효하게 방출시켜 기판의 온도증가를 감소시키며, 자기저항의 변화률을 높일수 있도록 됨은 물론, 이에 따라 자기저항소자소자의 특성을 가일층 향상시킬수 있는 우수한 효과가 있다.As described above, according to the magnetoresistive element according to the present invention, the high heat generated when the voltage is applied to the sensing pattern printed on the substrate can be effectively released to the outside to reduce the temperature increase of the substrate and increase the rate of change of the magnetoresistance. Of course, there is an excellent effect that can further improve the characteristics of the magnetoresistive element device.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019930022431U KR970004238Y1 (en) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | Magnetoresistive element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019930022431U KR970004238Y1 (en) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | Magnetoresistive element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950012505U KR950012505U (en) | 1995-05-17 |
| KR970004238Y1 true KR970004238Y1 (en) | 1997-05-07 |
Family
ID=19366666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019930022431U KR970004238Y1 (en) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | Magnetoresistive element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970004238Y1 (en) |
-
1993
- 1993-10-29 KR KR2019930022431U patent/KR970004238Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950012505U (en) | 1995-05-17 |
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