Claims (9)
웨이퍼가 안착되는 밀폐된 챔버와, 상기 챔버 외주부에 설치된 가열수단과, 상기 챔버의 상단에 설치된 분사박스와, 상기 챔버의 하단에 고정설치된 배기라인 및 세정액 배출라인으로 이루어진 건조부와, 건조매체를 저장하는 앰플과, 상기 앰플외부에 설치된 가열수단과 상기 앰플과 상기 건조부의 챔버를 연통하는 연결라인 및 상기 앰플에 연결되어 건조매체의 기화를 유발하는 보조가스의 공급라인으로 이루어진 건조 매체 공급부로 구성되어 상기 보조가스 공급라인을 통하여 건조매체가 저장된 상기 앰플내로 보조가스를 공급하여 건조매체를 증기화시키며, 상기 연결라인 및 상기 분사박스를 통하여 증기화된 건조매체를 상기 챔버내부로 분사, 각 웨이퍼 표면에 접촉시킴으로서 웨이퍼 표면을 건조시키는것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조장치.A drying unit including a sealed chamber in which a wafer is seated, heating means installed at the outer periphery of the chamber, an injection box provided at an upper end of the chamber, an exhaust line fixed at the lower end of the chamber, and a cleaning liquid discharge line; A drying medium supply unit comprising an ampoule for storing, a heating unit installed outside the ampoule, a connection line for communicating the chamber between the ampoule and the drying unit, and a supply line for an auxiliary gas connected to the ampoule to cause vaporization of a drying medium. And supply auxiliary gas into the ampoule in which the dry medium is stored through the auxiliary gas supply line to vaporize the dry medium, and spray the vaporized dry medium into the chamber through the connection line and the injection box, each wafer. Wafer drying apparatus, characterized in that for drying the wafer surface by contacting the surface.
제1항에 있어서, 상기 건조매체는 이소프로필 알콜, 상기 보조가스는 질소(N2)가스인 것을 특징으로 하는웨이퍼 건조장치.The wafer drying apparatus according to claim 1, wherein the drying medium is isopropyl alcohol and the auxiliary gas is nitrogen (N 2 ) gas.
제1항에 있어서, 상기 챔버와 상기 분사박스간에는 분사된 건조매체를 상기 챔버내부에 수용된 웨이퍼에균일하게 공급하기 위한 분배판이 설치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조장치.The wafer drying apparatus of claim 1, wherein a distribution plate is provided between the chamber and the spray box to uniformly supply the sprayed dry medium to the wafer accommodated in the chamber.
제1항에 있어서, 상기 챔버는 세정액의 배출 및 건조기능을 완료한 건조매체의 배출을 위한 세정액 배출라인 및 진공압 공급라인을 더 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조장치.The wafer drying apparatus according to claim 1, wherein the chamber further comprises a cleaning liquid discharge line and a vacuum pressure supply line for discharging the cleaning medium having completed the discharge of the cleaning liquid and the drying function.
제1항에 있어서, 상기 건조매체가 공급되는 상기 챔버는 그 내부의 온도가 100℃ 내지 200℃인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조장치.The wafer drying apparatus of claim 1, wherein the chamber to which the drying medium is supplied has a temperature of 100 ° C. to 200 ° C. in the chamber.
제4항에 있어서, 상기 진공압의 압력은 약 20 ㎜H2O 인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조장치.5. The wafer drying apparatus of claim 4, wherein the vacuum pressure is about 20 mmH 2 O.
웨이퍼 건조방법에 있어서, 증발성이 우수한 건조매체에 상기 건조매체의 기화를 유발하는 보조가스를 공급하는 단계와, 상기 기화된 건조매체를 밀폐된 챔버내에 수용된 웨이퍼에 분사, 공급하는 단계와, 웨이퍼에 대한 건조과정을 완료한 건조매체를 상기 챔버 외부로 강제 배기시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.A wafer drying method comprising the steps of: supplying an auxiliary gas for evaporating the dry medium to a dry medium having excellent evaporation, spraying and supplying the vaporized dry medium to a wafer contained in a closed chamber, and a wafer Comprising the step of forcibly evacuating the drying medium completed the drying process for the outside of the chamber.
제7항에 있어서, 상기 건조매체는 이소프로필 알콜, 상기 보조가스는 질소(N2)가스인 것을 특징으로 하는웨이퍼 건조방법.8. The method of claim 7, wherein the dry medium is isopropyl alcohol, and the auxiliary gas is nitrogen (N 2 ) gas.
제7항에 있어서, 상기 건조매체가 공급되는 상기 챔버는 그 내부의 온도가 100℃ 내지 200℃인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조방법.The wafer drying method according to claim 7, wherein the chamber to which the drying medium is supplied has a temperature of 100 ° C to 200 ° C.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.