Claims (5)
1차 인덕턴스(L1)와 2차 인덕턴스(L2)에 교류입력전원의 에너지를 저장하고 직류/전류 변환기에서 발생한 고주파 전자파 차폐용 필터기능을 하는 트랜스포머(T)와, 트랜스포머의 1차, 2차, 인덕턴스에 연결되어 트랜스포머에 전달되는 교류에너지를 정류하는 브리지 다이오드(D1)(D2)(D3)(D4)와, 상기 트랜스포머의 1차 인덕턴스(L1)와 2차 인덕턴스(L2)에 역방향 접속된 제3, 제4다이오드(D3)(D4)의 양단에 각각 병렬로 접속하여 직류/직류 변환기 입력단에 결리는 전압과 전류의 윙상을 조절하는 스위칭 소자(S3)(S4)와, 상기 브리지 다이오드의 출력단에 접속된 콘덴서(C)로 구성함을 특징으로 하는 역률개선회로.Transformer (T) that stores energy of AC input power in primary inductance (L 1 ) and secondary inductance (L 2 ) and functions as a filter for shielding high frequency electromagnetic waves generated from DC / current converters, and primary and secondary transformers. Bridge diode (D 1 ) (D 2 ) (D 3 ) (D 4 ), which is connected to the primary and inductance to rectify the alternating energy delivered to the transformer, and the primary inductance (L 1 ) and secondary inductance ( A switching element (S 3 ) for connecting the both ends of the third and fourth diodes (D 3 ) (D 4 ) connected in the reverse direction to L 2 ) in parallel to adjust the wing phase of the voltage and current connected to the input of the DC / DC converter. (S 4 ) and a capacitor (C) connected to the output terminal of the bridge diode.
제1항에 있어서, 스위칭 소자가 트랜스포머의 1차 인덕턴스(L1)와 2차 인덕턴스(L2)에 순방향 접속된 제1다이오드(D1)와 제2다이오드(D2)에 연결된 것을 특징으로 하는 역률개선회로.The method of claim 1, wherein the switching element is connected to the first diode (D 1 ) and the second diode (D 2 ) forwardly connected to the primary inductance (L 1 ) and secondary inductance (L 2 ) of the transformer. Power factor improvement circuit.
제1항에 있어서, 스위칭 소자가 트랜스포머의 2차 인덕턴스(L2)에 순방향 접속된 제2다이오드(D1)와 역방향 접속된 제4다이오드(D4)에 연결된 것을 특징으로 하는 역률개선회로.The power factor improvement circuit according to claim 1, wherein the switching element is connected to a second diode (D 1 ) forward connected to the secondary inductance (L 2 ) of the transformer and a fourth diode (D 4 ) connected in a reverse direction.
제1항에 있어서, 상기 정류용 브리지 다이오드중 특정의 다이오드와 그 양단에 병령 접속되어 한쌍을 이루는 스위칭 소자를 하나의 트랜지스터로 구성하는 것을 특징으로 하는 역률개선회로.The power factor improvement circuit according to claim 1, wherein a pair of switching elements connected in parallel with a specific diode of the rectifying bridge diodes and a pair thereof is constituted by one transistor.
제1항에 있어서, 상기 정류용 브리지 다이오드중 특정의 다이오드와 그 양단에 병령 접속되어 한쌍을 이루는 스위칭 소자를 하나의 전계효과 트랜지스터로 구성하는 것을 특징으로 하는 역률개선회로.The power factor improvement circuit according to claim 1, wherein a pair of switching elements connected in parallel with a specific diode of the rectifying bridge diode and a pair thereof is constituted by one field effect transistor.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.