KR950033862A - Interface method and device with RAM - Google Patents

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KR950033862A KR1019950006173A KR19950006173A KR950033862A KR 950033862 A KR950033862 A KR 950033862A KR 1019950006173 A KR1019950006173 A KR 1019950006173A KR 19950006173 A KR19950006173 A KR 19950006173A KR 950033862 A KR950033862 A KR 950033862A
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마크 존스 안쏘니
윌리엄 위커 패터손 도날드
필립 로빈즈 윌리엄
필립 와이즈 애드리안
로즈메리 핀취 헬렌
윌리엄 소더랜 마틴
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데니스 피셸
디스커비젼 어소우쉬에이트
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Abstract

본 발명은 RAM으로부터 RAM의 소정의 고정 버스트 길이 N보다 M개의 워드를 억세스하는 것을 포함하여 메모리의 어드레싱 및 엑세싱하는 많은 기술들에 관한 것이다. 또한 2차원 영상과 관련된 데이타 워드를 저장 및 검색하기 위하여 동적 랜덤 억세스 메모리(DRAM)를 억세스하는 방법 및 가변 폭 데이타를 어드레싱하는데 사용되는 고정 비트 수를 가지며 폭 정의 필드 및 어드레스 필드를 갖는 고정 폭을 갖는 워드를 제공하는 과정도 또한 개시되어 있다. 또한 프레임 또는 필드로 구성된 인코드된 비디오 데이타의 버퍼링을 제어하는 방법도 개시되어 있다. 이 방법은 입력하는 디코드된 프레임 각각의 화상 번호를 결정하는 단계, 임의의 시간에 예기된 화상 번호를 결정하는 단계 및 그 화상 번호가 프레젠테이션번호상에 또는 그 이후에 있는 경우 버퍼를 준비가 되었다고 표시하는 단계를 포함하고 있다. 마지막으로, 별도의 어드레스 발생기가 RAM인터페이스가 RAM을 어드레스하는데 필요로 하는 어드레스를 발생하는 버스를 RAM에 접속하는 RAM인터페이스를 개시하고 있다. 어드레스 발생기는 2선식 인터페이스를 통하여 RAM인터페이스와 통신한다.The present invention is directed to a number of techniques for addressing and accessing memory, including accessing M words from RAM, rather than a predetermined fixed burst length N of RAM. In addition, a method of accessing a dynamic random access memory (DRAM) for storing and retrieving data words associated with a 2D image, and a fixed width having a fixed width number and an address field with a fixed number of bits used to address variable width data. The process of providing a word having is also disclosed. Also disclosed is a method of controlling the buffering of encoded video data consisting of frames or fields. The method determines the picture number of each of the input decoded frames, determines the expected picture number at any time, and indicates that the buffer is ready if the picture number is on or after the presentation number. It includes the steps. Finally, a separate address generator discloses a RAM interface that connects a bus to RAM that generates an address that the RAM interface needs to address the RAM. The address generator communicates with the RAM interface via a two-wire interface.

Description

RAM과의 인터페이스 방법 및 장치Interface method and device with RAM

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.

제1도는 본 발명의 싱크로너스 DRAM 억세스 방법을 사용한 장치의 시스템 블럭선도, 제2도는 제1도의 상태머신에 의해 수신된 고레벨 명령과, 그에 의해 발생된 저레벨 명령간의 상호관계를 나타낸 도면, 제3도는 제1도의 DRAM의 구성을 도식적으로 표현한 도면.FIG. 1 is a system block diagram of an apparatus using the synchronous DRAM access method of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the correlation between the high level commands received by the state machine of FIG. 1 and the low level commands generated by it, and FIG. A diagrammatic representation of the configuration of the DRAM of FIG.

Claims (28)

RAM으로부터의 판독 및 그것으로의 기록을 선택적으로 인에이블(enable)및 디스에이블(disable)할 수 있는 인에이블 라인을 포함하는 RAM의 소정의 고정버스트 길이(fixed burst length)N보다 작은 M개의 워드를 상기 RAM으로부터 억세스 하는 방법에 있어서, 상기 RAM으로부터 판독될 또는 그것으로 기록될 N개의 워드를 정렬(order)하는 단계와; M(M은 N보다 작음)개의 워드를 상기 RAM으로부터 판독 또는 그것으로 기록한 때를 결정하는 단계 및 M개의 워드가 상기 RAM으로부터 판독 또는 그것으로 기록한 것을 결정하고 나서 상기 RAM을 디스에이블하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 RAM억세스 방법.M words less than a predetermined fixed burst length, N, of RAM, including an enable line that can selectively enable and disable reading from and writing to RAM CLAIMS What is claimed is: 1. A method of accessing from a RAM, the method comprising: ordering N words to be read from or written to the RAM; Determining when M (M is less than N) words have been read from or written to the RAM and disabling the RAM after determining that M words have been read from or written to the RAM; RAM access method characterized in that. RAM으로부터의 판독을 선택적으로 인에이블(enable)및 디스에이블(disable)할 수 있는 인에이블 라인을 포함하는 RAM의 소정의 고정버스트 길이(fixed burst length)N보다 작은 M개의 워드를 상기 RAM으로부터 판독하는 방법에 있어서, 상기 RAM으로부터 판독될 N개의 워드를 정렬(order)하는 단계와, M(M은 N보다 작음)개의 워드를 상기 RAM으로부터 판독한 때를 결정하는 단계 및 M개의 워드가 상기 RAM으로부터 판독한 것을 결정하고 나서 상기 RAM을 디스에이블하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 RAM 판독방법.Read M words from the RAM that are less than a predetermined fixed burst length N of RAM, including an enable line that can selectively enable and disable reads from RAM A method comprising: ordering N words to be read from the RAM, determining when M (M is less than N) words are read from the RAM and M words being the RAM. And disabling the RAM after determining what has been read from the RAM. RAM으로의 기록을 선택적으로 인에이블(enable)및 디스에이블(disable)할 수 있는 인에이블 라인을 포함하는 RAM의 소정의 고정 버스트 길이(fixed burst length)N보다 작은 M개의 워드를 상기 RAM으로 기록하는 방법에 있어서, 상기 RAM으로 기록될 N개의 워드를 정렬(order)하는 단계와, M(M은 N보다 작음)개의 워드를 상기 RAM으로 기록한 때를 결정하는 단계 및 M개의 워드가 상기 RAM으로 기록한 것을 결정하고 나서 상기 RAM을 디스에이블하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 RAM 기록방법.Write to the RAM M words less than a predetermined fixed burst length N of RAM, including an enable line that can selectively enable and disable writing to RAM. A method comprising: ordering N words to be written to the RAM, determining when M (M is less than N) words are written to the RAM and M words to the RAM. And disabling said RAM after determining what has been written. 2차원 영상과 관련된 데이타 워드를 저장 및 검색하기 위해 동적 랜덤 억세스 메모리(DRAM)을 억세스하는 방법에 있어서, 상기 DRAM은 별도의 뱅크를 2개 포함하고 있으며, 상기 각 뱅크는 데이타 워드를 판독 및 기록하기 위하여 페이지 모드로 동작할 수 있으며, 상기 2차원 영상은 2차원 그리드 패턴의 셀로 구성되어 있고, 상기 셀은 MxN 매트릭스의 픽셀을 포함하고 있으며, 상기 워드는 한 페이지 정도의 뱅크를 차지하는 각 셀과 간련되어 있으며, (a)특정 셀과 관련된 모든 데이타가 워드가 그 특정 뱅크의 특정 한 페이지로부터 판독 및 그것으로 기록되도록 각 셀에 2개의 뱅크중 특정 하나를 할당하는 단계로서 상기 셀로의 뱅크의 할당은 각 셀이 동일한 행 또는 동일한 열에도 있는 경계에 있는 셀과 다른 뱅크와 관련되어 있도록 행해지게 되어 있는 할당 단계와, (b)픽셀 매트릭스로 구성되어 있으며 2차원 그리드 패턴을 따라 정렬되지 않았지만 2차원 그리드 패턴내의 셀에서의 픽셀을 따라서 정렬되어 있는 셀과 관련된 데이타 워드를 판독하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 DRAM 억세스 방법A method of accessing a dynamic random access memory (DRAM) for storing and retrieving data words associated with a two-dimensional image, wherein the DRAM includes two separate banks, each of which reads and writes data words. In order to operate in the page mode, the 2D image is composed of cells of a 2D grid pattern, the cell includes pixels of an MxN matrix, and the word includes each cell occupying a bank of about one page. (A) allocating one of two banks to each cell such that all data associated with a particular cell is read from and written to a particular page of that particular bank, thereby allocating a bank to that cell. Is done so that each cell is associated with a different bank than the cell at the boundary that is also in the same row or column. And (b) reading a data word associated with a cell composed of a pixel matrix and not aligned along a two dimensional grid pattern but aligned along a pixel in a cell within the two dimensional grid pattern. DRAM access method 제4항에 있어서, 상기 DRAM은 제1 및 제2뱅크를 포함하고 있으며, 상기 비정렬된 셀과 관련된 데이타워드를 판독하는 단(b)가(c)2차원 그리드 패턴내의 어떤 셀이 비정렬된 셀과 관련된 데이타 워드를 포함하고 있는가를 식별하는 단계와, (d)DRAM의 제1뱅크로부터 비정렬된 셀과 관련된 데이타 워드를 포함하고 있는 것으로 식별된 그리드 패턴내의 셀중의 하나와 관련된 데이타 워드를 판독하는 단계와, (e)DRAM의 제2뱅크로부터 비정렬된 셀과 관련된 데이파 워드를 포함하고 있는 것으로 식별된 그리드 패턴내의 셀중의 다른 하나와 관련된 데이타 워드를 판독하는 단계와, (f)비정렬된 셀과 관련된 모든 데이타 워드가 판독될 때까지 단계(d)및 (e)를 반복하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 RAM 억세스 방법.5. The DRAM of claim 4, wherein the DRAM includes first and second banks, wherein (b) (c) reading a dataword associated with the unaligned cell is unaligned by any cell in the two-dimensional grid pattern. Identifying a data word associated with a cell that has been identified and (d) identifying a data word associated with one of the cells in a grid pattern identified as containing a data word associated with an unaligned cell from a first bank of DRAM. (E) reading a data word associated with another one of the cells in the grid pattern identified as containing a data word associated with an unaligned cell from a second bank of DRAM; (f) And repeating steps (d) and (e) until all data words associated with the unaligned cell have been read. 2차원 영상과 관련된 데이타 워드를 저장 및 검색하기 위해 동적 랜덤 억세스 메모리(DRAM)을 억세스하는 방법에 있어서, 상기DRAM은 별도의 뱅크를 2개 포함하고 있으며, 상기 각 뱅크는 데이타 워드를 판독 및 기록하기 위하여 페이지 모드로 동작할 수 있으며, 상기 2차원 영상은 2차원 그리드 패턴의 셀로 구성되어 있고, 상기 셀은 MxN 매트릭스의 픽셀을 포함하고 있으며, 상기 워드는 한 페이지 정도의 뱅크를 차지하는 각 셀과 관련되어 있으며, (a)특정 셀과 관련된 모든 데이타가 워드가 그 특정 뱅크의 특정 한 페이지로부터 판독 및 그것으로 기록되도록 각 셀의 2개의 뱅크중 특정 하나를 할당하는 단계로서 상기 셀로의 뱅크의 할당은 각 셀이 동일한 행 또는 동일한 열에도 있는 경계에 있는 셀과 다른 뱅크와 관련되어 있도록 행해지게 되어 있는 할당 단계와, (b) MxN 픽셀 메트릭스로 구성되어 있으며 2차원 그리드 패턴을 따라 정렬되지 않았지만 2차원 그리드 패턴내의 셀에서의 픽셀을 따라서 정렬되어 있는 셀과 관련된 데이타 워드를 판독하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 DRAM 억세스 방법A method of accessing a dynamic random access memory (DRAM) for storing and retrieving data words associated with a two-dimensional image, wherein the DRAM includes two separate banks, each of which reads and writes data words. In order to operate in the page mode, the 2D image is composed of cells of a 2D grid pattern, the cell includes pixels of an MxN matrix, and the word includes each cell occupying a bank of about one page. (A) allocating a particular one of two banks of each cell such that all data associated with a particular cell is read from and written to a particular page of that particular bank, thereby allocating a bank to that cell. Is to be done so that each cell is associated with a different bank than the cell at the border that is also in the same row or in the same column. And (b) reading a data word associated with a cell consisting of MxN pixel metrics and not aligned along a two dimensional grid pattern but aligned along a pixel in a cell within the two dimensional grid pattern. DRAM access method 제6항에 있어서, 상기 DRAM은 상기 제1 및 제2뱅크를 포함하고 있으며, 상기 비정렬된 셀과 관련된 데이타 워드를 판독하는 단계(b)가 (c)DRAM의 제1뱅크로부터 비정렬된 셀과 관련된 데이타 워드를 포함하고 있는 그리드 패턴내의 셀중의 하나와 관련된 데이타 워드를 판독하는 단계와, (d)DRAM의 제2뱅크로부터 비정렬된 셀과 관련된 데이타 워드를 포함하고 있는 그리드 패턴내의 셀중의 다른 하나와 관련된 데이타 워드를 판독하는 단계와, (e)비정렬된 셀과 관련된 모든 데이타 워드가 판독될 때까지 단계(c)및 (d)를 반복하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 DRAM억세스 방법.7. The DRAM of claim 6, wherein the DRAM comprises the first and second banks, and wherein (b) reading a data word associated with the unaligned cell comprises (c) unaligned from the first bank of DRAM. Reading a data word associated with one of the cells in the grid pattern containing the data word associated with the cell, and (d) among the cells in the grid pattern containing the data word associated with the unaligned cell from the second bank of DRAM. Reading a data word associated with the other one of the following, and (e) repeating steps (c) and (d) until all data words associated with the unaligned cell have been read. Access method. 제6항에 있어서, 상기 DRAM은 상기 제1 및 제2뱅크를 포함하고 있으며, 상기 비정렬된 셀과 관련된 데이타 워드를 판독하는 단계(b)가 (d)소정의 셀의 순서로 비정렬된 셀과 관련된 데이타 워드를 포함하는 그리드 패턴으로된 각 셀과 관련된 데이타 워드를 판독하는 단계를 포함하고 있으며, 상기 소정의 셀의 순서는 그 결과 계속되는 셀들로부터 판독된 데이타 워드가 그대로 교대로 있는 뱅크로부터 판독되게 되는 것을 특징으로 하는 RAM 기록방법.7. The DRAM of claim 6, wherein the DRAM comprises the first and second banks, and wherein (b) reading a data word associated with the unaligned cell is (d) unordered in a predetermined cell order. Reading a data word associated with each cell in a grid pattern containing a data word associated with the cell, wherein the order of the predetermined cells is as a result from a bank in which data words read from subsequent cells are intact. RAM writing method, characterized in that to be read. 제8항에 있어서, 상기 소정의 순서는 비정렬된 셀과 관련된 데이타 워드를 포함하는 그리드 패턴으로된 셀의 시계방향 회전인 것을 특징으로 하는 RAM기록 방법.9. The method of claim 8, wherein the predetermined order is clockwise rotation of cells in a grid pattern that includes data words associated with unaligned cells. 제8항에 있어서, 상기 소정의 순서는 비정렬된 셀과 관련된 데이타 워드를 포함하는 그리드 패턴으로된 셀의 반시계 방향 회전인 것을 특징으로 하는 RAM기록방법.9. The method of claim 8, wherein the predetermined order is counterclockwise rotation of cells in a grid pattern containing data words associated with unaligned cells. 제6항에 있어서, 상기 DRAM은 상기 제1 및 제2뱅크롤 포함하고 있으며, 상기 비정렬된 셀과 관련된 데이타 워드를 판독하는 단계(b)가 (c)2차원 그리드 패턴내의 어떤 셀이 비정렬된 셀과 관련된 데이타 워드를 포함하고 있는가를 식별하는 단계와, (d)DRAM은 제1뱅크로부터 비정렬된 셀과 관련된 데이타 워드를 포함하고 있는 것으로 식별된 그리드 패턴내의 셀중의 하나와 관련된 데이타 워드를 판독하는 단계와, (e)DRAM의 제2뱅크로부터 비정렬된 셀과 관련된 데이타 워드를 포함하고 있는 것으로 식별된 그리드 패턴내의 셀중의 다른 하나와 관련된 데이타 워드를 판독하는 단계와, (f)비정렬된 셀과 관련된 모든 데이타 워드가 판독될때까지 단계(d) 및 (e)를 반복하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 DRAM 억세스 방법.7. The DRAM of claim 6, wherein the DRAM comprises the first and second bankrolls, and wherein (b) reading a data word associated with the unaligned cell comprises: (c) which cells in the two-dimensional grid pattern Identifying whether it contains a data word associated with the sorted cell, and (d) the data word associated with one of the cells in the grid pattern identified as containing the data word associated with the unaligned cell from the first bank. (E) reading a data word associated with another one of the cells in the grid pattern identified as containing a data word associated with an unaligned cell from the second bank of DRAM; and (f) And repeating steps (d) and (e) until all data words associated with the unaligned cell have been read. 제6항에 있어서, 상기 DRAM 은 제1 및 제2뱅크를 포함하고 있으며, 상기 비정렬된 셀과 관련된 데이타 워드를 판독하는 단계(b)가 (c)2차원 그리드 패턴내의 어떤 셀이 비정렬된 셀과 관련된 데이타 워드를 포함하고 있는가를 식별하는 단계와, (d)소정의 셀의 순서로 비정렬된 셀과 관련된 데이타 워드를 포함하는 것으로 식별된 그리드 패턴으로된 각 셀과 관련된 데이타 워드를 판독하는 단계를 포함하고 있으며, 상기 소정의 셀의 순서는 그 결과 계속되는 셀들로부터 판독된 데이타 워드가 교대로 있는 뱅크로부터 판독되게 되는 것을 특징으로 하는 DRAM 억세스 방법.7. The DRAM of claim 6, wherein the DRAM comprises first and second banks, and wherein (b) reading a data word associated with the unaligned cell comprises (c) unaligning any cell in the two-dimensional grid pattern. Identifying whether it contains a data word associated with a cell that has been identified, and (d) reading the data word associated with each cell in a grid pattern identified as containing the data word associated with the cell unaligned in a predetermined cell order. And the order of the predetermined cells is such that the data words read from the subsequent cells are read from an alternate bank. 제12항에 있어서, 상기 소정의 순서는 비정렬된 셀과 관련된 데이타 워드를 포함하는 것으로 식별된 그리드 패턴으로된 셀의 시계 방향 회전인 것을 특징으로 하는 DRAM 억세스 방법.13. The method of claim 12, wherein the predetermined order is clockwise rotation of cells in a grid pattern identified as containing data words associated with unaligned cells. 제12항에 있어서, 상기 소정의 순서는 비정렬된 셀과 관련된 데이타 워드를 포함하는 것으로 식별된 그리드 패턴으로된 셀의 반시계 방향 회전인 것을 특징으로 하는 DRAM 억세스 방법.13. The method of claim 12 wherein the predetermined order is counterclockwise rotation of cells in a grid pattern identified as containing data words associated with unaligned cells. 메모리 어드레싱 방법에 있어서, 가변 폭 데이타를 어드레싱하는데 사용되는 소정의 고정 비트수를 갖는 고정 폭 워드를 제공하는 단계와, 폭 정의 필드 및 어드레스 필드를 갖는 고정 폭 워드를 정의하는 단계와, 폭 정의 필드에 종료 마커로서 역할을 하는 적어도 한 비트를 제공하는 단계와, 데이타의 어드레스를 정의하는 복수의 비트를 갖는 어드레스 필드를 정의하는 단계와, 가변 폭 데이타의 크기에 역비례 관계로 어드레스 필드내의 비트의 크기를 변경시키는 단계와, 가변 폭 데이타의 크기에 정비례 관계로 폭 정의 필드내의 비트의 수를 변경시키는 단계 및 폭 정의 필드 및 어드레스 필드의 폭을 변경시키는 동안에 가변 폭 데이타를 어드레싱 하기 위한 고정 폭 워드를 유지시키는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 어드레싱 방법.A memory addressing method, comprising: providing a fixed width word having a predetermined fixed number of bits used to address variable width data, defining a fixed width word having a width definition field and an address field, and a width definition field Providing at least one bit serving as an end marker in the step; defining an address field having a plurality of bits defining an address of the data; and size of the bit in the address field in inverse proportion to the size of the variable width data. A fixed width word for addressing the variable width data while changing the number of bits in the width definition field and changing the width of the width definition field and the address field in direct proportion to the size of the variable width data. And maintaining the memory. 메모리 어드레싱 벙법에 있어서, 데이타를 어드레싱하는데 사용되는 소정의 고정 비트수를 갖는 고정 폭 워드를 제공하는 단계와, 어드레스 필드와 교체 필드를 갖는 고정 폭 워드를 정의하는 단계와, 데이타의 어드레스를 정의하는 복수의 비트를 갖는 어드레스 필드를 정의하는 단계와, 적어도 하나의 교체 비트를 갖는 가변 폭 교체 필드를 정의하는 단계로서 이 교체 필드는 어드레스 필드와 교체 필드사이에서 종료 마커로서 역할을 하는 적어도 하나의 비트를 가지게 되는 단계와, 별도의 어드레싱 소스로부터의 교체 비트를 나타내기 위하여 교체 필드를 사용하는 단계 및 어드레스 필드의 폭과 교체 필드의 폭을 역으로 변경시키는 동안 가변폭 데이타를 어드레싱하기 위해서 고정 폭 워드를 유지시키는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 어드레싱 방법.A memory addressing method comprising the steps of: providing a fixed width word having a predetermined number of fixed bits used to address data, defining a fixed width word having an address field and a replacement field, and defining an address of the data Defining an address field having a plurality of bits, and defining a variable width replacement field having at least one replacement bit, the replacement field serving as an end marker between the address field and the replacement field. A fixed width word to address variable width data while changing the width of the address field and the width of the replacement field, and inversely changing the width of the address field and the step of using the replacement field to indicate replacement bits from a separate addressing source. Maintaining the memory Addressing method. 메모리내의 가변 폭 데이타의 어드레싱 방법에 있어서, 소정의 폭의 워드를 가지며 부분 워드로 구성되어 있는 메모리를 제공하는 단계와, 최하위 비트 자리맞춤에 억세스되도록 부분 워드를 회전시키는 단계와, 억세스된 워드가 부분 워드로서 인식되도록 워드의 나머지 부분을 확장시키는 단계와, 워드의 나머지 부분을 복원하는 단계 및 부분 워드가 원래의 위치로 복원될 때까지 워드를 회전시키는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 메모리내의 가변 폭 데이타의 어드레싱 방법.A method of addressing variable width data in a memory, the method comprising: providing a memory having a word of a predetermined width and consisting of a partial word; rotating the partial word to access the least significant bit alignment; Expanding the remainder of the word to be recognized as a partial word, restoring the remainder of the word, and rotating the word until the partial word is restored to its original position. Method of addressing width data. 프레임으로 구성된 인코드된 비디오 데이타의 버퍼링을 제어하는 방법에 있어서, 프레임의 화상 번호를 결정하는 단계와, 프레임의 소망의 프레젠테이션 번호를 결정하는 단계 및 화상번호가 소망의 프레젠테이션 번호상에 있거나 그 이후에 있는 경우 버퍼가 준비되어 있다고 표시하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 비디오 데이타 버퍼링 제어 방법.A method of controlling the buffering of encoded video data consisting of frames, the method comprising: determining a picture number of a frame, determining a desired presentation number of the frame, and the picture number being on or after the desired presentation number. And if present, indicate that the buffer is ready. 버스를 RAM에 접속하는 RAM 인터페이스에 있어서, 복수의 데이타 워드를 버스로부터 수신하여 이 수신된 데이타 워드를 버퍼링하는 수단과, 복수의 데이타 워드와 관련된 어드레스를 버스로부터 수신하는 수단과, 버퍼링된 데이타 워드가 기록될 RAM에서의 수신된 어드레스로부터 도출된 일련의 어드레스를 발생하는 수단 및 발생된 어드레스에서 RAM으로 버퍼링된 데이타 워드를 기록하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 RAM 인터페이스.A RAM interface for connecting a bus to RAM, the RAM interface comprising: means for receiving a plurality of data words from the bus and buffering the received data words, means for receiving an address associated with the plurality of data words from the bus, and a buffered data word Means for generating a series of addresses derived from a received address in the RAM to be written, and means for writing a data word buffered into the RAM at the generated address. 제19항에 있어서, 데이타 워드 수신 및 버퍼링 수단은 스윙 버퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 RAM 인터페이스.20. The RAM interface of claim 19 wherein the data word receiving and buffering means comprises a swing buffer. 제19항에 있어서, 상기 RAM은 페이지 어드레싱 모드로 동작하며 어드레스 발생 수단은 수신된 어드레스에 근거하여 행 어드레스를 발생하는 수단 및 열 어드레스를 발생하는 수단을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 RAM 인터페이스.20. The RAM interface of claim 19 wherein the RAM operates in page addressing mode and wherein the address generating means comprises means for generating a row address based on the received address and means for generating a column address. 제21항에 있어서, RAM은 DRAM이고, 버스는 2선식 인터페이스를 포함하고 있으며, 데이타 워드 수신 및 버퍼링 수단은 2선식 인터페이스를 포함하고 있으며, 어드레스 수신 수단은 2선식 인터페이스를 포함하고 있으며, 복수의 데이타 워드는 토큰의 형태로 되어 있으며 수신된 어드레스는 토큰의 형태로 되어 있는 것을 특징으로 하는 RAM 인터페이스.22. The system of claim 21, wherein the RAM is a DRAM, the bus comprises a two wire interface, the data word receiving and buffering means comprises a two wire interface, the address receiving means comprises a two wire interface, and a plurality of RAM word, characterized in that the data word is in the form of a token and the received address is in the form of a token. 제19항에 있어서, 데이타 워드 수신 수단이 복수의 데이타 워드를 수신 및 버퍼링하였는지의 여부를 결정하는 수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 RAM 인터페이스.20. The RAM interface of claim 19 further comprising means for determining whether the data word receiving means has received and buffered a plurality of data words. 버스를 RAM에 접속시키는 RAM인터페이스에 있어서, 소정의 어드레스에서 RAM에 저장된 복수의 데이타 워드와, 버스로부터 복수의 데이타 워드와 관련된 RAM 어드레스를 수신하기 위한 수단과, RAM내의 복수의 데이타 워드를 어드레싱하기 위하여 수신된 어드레스로부터 도출된 일련의 RAM 어드레스를 발생하는 수단과, RAM으로부터 판독된 데이타 워드를 버퍼링하는 수단 및 어드레스 발생 수단에 의해 발생된 일련의 RAM 어드레스를 사용하여 복수의 데이타 워드를 RAM으로부터 판독하여 이 데이타 워드를 버퍼 수단에 기록하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 RAM 인터페이스.A RAM interface for connecting a bus to a RAM, the RAM interface comprising: a plurality of data words stored in the RAM at a predetermined address, means for receiving a RAM address associated with the plurality of data words from the bus, and addressing the plurality of data words in the RAM Reading a plurality of data words from the RAM using means for generating a series of RAM addresses derived from the received address, a means for buffering data words read from the RAM, and a series of RAM addresses generated by the address generating means. And means for writing this data word to the buffer means. 제23항에 있어서, 데이타 워드 버퍼링 수단은 스윙 버퍼를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 RAM 인터페이스.24. The RAM interface of claim 23 wherein the data word buffering means comprises a swing buffer. 제23항에 있어서, RAM은 페이지 어드레싱 모드로 동작하며 어드레스 발생 수단은 수신된 어드레스에 근거하여 행 어드레스를 발생하는 수단 및 열 어드레스를 발생하는 수단을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 RAM 인터페이스.24. The RAM interface of claim 23, wherein the RAM operates in page addressing mode and wherein the address generating means includes means for generating a row address based on the received address and means for generating a column address. 제26항에 있어서, RAM은 DRAM이고, 버스는 2선식 인터페이스를 포함하고 있으며, 데이타 워드 버퍼링 수단은 2선식 인터페이스를 포함하고 있으며, 어드레스 수신 수단은 2선식 인터페이스를 포함하고 있으며, 수신된 어드레스는 토큰의 형태로 되어 있는 것을 특징으로 하는 RAM 인터페이스.27. The apparatus of claim 26, wherein the RAM is a DRAM, the bus comprises a two wire interface, the data word buffering means comprises a two wire interface, the address receiving means comprises a two wire interface, and the received address is RAM interface, characterized in that it is in the form of a token. 제24항에 있어서, 데이타 워드 수신 수단이 복수의 데이타 워드를 수신 및 버퍼링하였는지의 여부를 결정하는 수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 RAM 인터페이스.25. The RAM interface of claim 24 further comprising means for determining whether the data word receiving means has received and buffered a plurality of data words. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
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