Claims (5)
중앙 상부에 소정 폭과 높이를 가지는 리지가 형성된 제1도전형 기판; 상기 리지의 상부를 노출하는 개구부를 가지며, 상기 리지에 인접한 부위에, 상기 리지의 상방으로 돌출되는 이브를 갖는 전류 차단층; 상기 리지의 상부와 전류 차단층위에 전면적으로 형성된 제1도전형 통전 용이층; 상기 통전 용이층상에 형성된 제1도전형 제1클래드층; 상기 제1클래드층상에 형성된 활성층; 상기 활성층상에 형성되고, 상기 기판에 대하여 수평한 면을 갖는 부위는 제2도전형 불순물로 도핑되어 있고, 상기 전류 차단층의 이브에 대응되는 경사면에는 전류 차단 역할을 하는 전류 차단 영역이 형성되어 있는 제2클래드층; 및 상기 제2클래드층상에 형성된 캡층을 포함하는 반도체 레이저 소자.A first conductive substrate having a ridge having a predetermined width and height formed in an upper portion thereof; A current blocking layer having an opening that exposes an upper portion of the ridge, and having a eve protruding upward of the ridge at a portion adjacent to the ridge; A first conductive type easy conduction layer formed entirely on the top of the ridge and on the current blocking layer; A first conductive type cladding layer formed on the conductive layer easily; An active layer formed on the first clad layer; A portion formed on the active layer and having a plane parallel to the substrate is doped with a second conductive impurity, and a current blocking region is formed on an inclined surface corresponding to the eve of the current blocking layer to serve as a current blocking function. A second cladding layer; And a cap layer formed on the second clad layer.
제1항에 있어서, 상기 전류 차단 영역에는 제1도전형 및 제2도전형 불순물이 교차되어 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the current blocking region is formed by crossing a first conductive type and a second conductive type impurity.
제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 p-형이고, 제2도전형은 n-형인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the first conductive type is p-type and the second conductive type is n-type.
제1도전형 반도체 기판의 상면에 소정 폭과 높이를 갖는 리지를 형성하는 공정; 상기 리지의 상부를 노출시키고, 상기 리지의 상부에 이브를 갖는 전류 차단층을 1차 에피텍시얼 성장 공정에 의해 형성하는 공정; 그리고 상기 전류차단층상에, 2차 에피텍시얼 성장공정에 의해 제1도전형 제1클래드층, 활성층 및 제2클래드층을 순차적으로 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.Forming a ridge having a predetermined width and height on an upper surface of the first conductive semiconductor substrate; Exposing an upper portion of the ridge and forming a current blocking layer having an eve on the ridge by a first epitaxial growth process; And sequentially forming a first conductive type first cladding layer, an active layer, and a second cladding layer on the current blocking layer by a second epitaxial growth process. Way.
제4항에 있어서, 상기 제2클래드층의 형성시에 상기 기판과 수직인 면 부위에 성장되는 부위는 제2도전형 불순물로 도핑되고, 상기 전류 차단층의 이브에 의해 형성되는 경사면 부위에는 제1도전형 및 제2도전형 불순물이 교대로 구입되어 전휴 차단 영역을 형성하도록 제2클래드층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조방법.5. The inclined surface portion of claim 4, wherein a portion grown on the surface portion perpendicular to the substrate when the second cladding layer is formed is doped with a second conductive impurity and is formed on the inclined surface portion formed by the eve of the current blocking layer. A method of manufacturing a semiconductor laser device, characterized in that the second cladding layer is formed so that the first conductive type and the second conductive type impurities are alternately purchased to form the idle blocking region.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.