Claims (9)
유전 강도가 강하고, 전기적 코어 및 이 코어를 절연시키기 위한 제1 폴리머 유전층을 포함하는 DC전력케이블에 있어서, 상기 제1 폴리머 유전층은 그의 최종 전도도가 10-14S/cm 이하로 될 정도의 중량 농도가 최소한 하나 이상의 전도성 폴리머를 함유하는 절연성 폴리머 매트릭스에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 DC전력 케이블.In a DC power cable having a strong dielectric strength and comprising an electrical core and a first polymer dielectric layer for insulating the core, the first polymer dielectric layer has a weight concentration such that its final conductivity is 10 -14 S / cm or less. Wherein the DC power cable is constituted by an insulating polymer matrix containing at least one conductive polymer.
유전 강도가 강하고, 전기적 코어 및 이 코어를 절연시키기 위한 제1 폴리머 유전층을 포함하는 AC전력 케이블에 있어서, 상기 제1 폴리머 유전층은 그의 최종 전도도가 10-10S/cm 이하로 될 정도의 중량 농도로 최소한 하나 이상의 전도성 폴리머를 함유하는 절연성 폴리머 매트릭스에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 AC전력 케이블.In an AC power cable having a strong dielectric strength and comprising an electrical core and a first polymer dielectric layer for insulating the core, the first polymer dielectric layer has a weight concentration such that its final conductivity is 10 -10 S / cm or less. AC power cable, characterized in that consisting of an insulating polymer matrix containing at least one conductive polymer.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전도성 폴리머는 논-도프(non-doped) 또는 디-도프(de-doped)되며 상기 폴리머 매트릭스에서 그 농도가 약 5중량% 이하인 폴리머인 것을 특징으로 하는 케이블.The method of claim 1, wherein the conductive polymer is non-doped or de-doped and is a polymer having a concentration of about 5% by weight or less in the polymer matrix. cable.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전도성 폴리머는 상기 폴리머 매트릭스에서 그 농도가 약 2중량% 이하인 셀프-도프(self-doped)폴리머인 것을 특징으로 하는 케이블.The cable of claim 1 or 2, wherein the conductive polymer is a self-doped polymer having a concentration of about 2% by weight or less in the polymer matrix.
제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 전기적 코어와 상기 제1 유전층 사이의 내부 반도체 스크린 및 상기 제1 유전층과 외부 보호 외장 사이의 외부 반도체 스크린을 더 포함하고; 상기 반도체 스크린을 각각은 이들의 전도도가 1S/cm보다 크게 되지 않을 정도의 중량 농도로 전도성 폴리머를 함유하는 절연성 폴리머 매트릭스에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 케이블.The device of claim 1, further comprising an internal semiconductor screen between the electrical core and the first dielectric layer and an external semiconductor screen between the first dielectric layer and an outer protective enclosure; Wherein each of said semiconductor screens is constituted by an insulating polymer matrix containing conductive polymers at a weight concentration such that their conductivity is not greater than 1 S / cm.
제5항에 있어서, 상기 전도성 폴리머는 5중량% 내지 70 중량% 범위에 있는 상기 반도체 스크린의 상기 폴리머 매트릭스 내에서의 농도로 논-도프 또는 디-도프되는 폴리머인 것을 특징으로 하는 케이블.6. The cable of claim 5, wherein the conductive polymer is a polymer non-doped or de-doped at a concentration within the polymer matrix of the semiconductor screen in the range of 5% to 70% by weight.
제5항에 있어서, 상기 전도성 폴리머는 상기 반도체 스크린의 상기 폴리머 매트릭스 내에서의 농도가 5 중량% 이상인 셀프-도프 폴리머인 것을 특징으로 하는 케이블.6. The cable of claim 5, wherein the conductive polymer is a self-doped polymer having a concentration in the polymer matrix of the semiconductor screen of at least 5% by weight.
제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 유전층(3)의 밑에 있는 추가의 제2 내부 유전층(7), 및 상기 제1 유전층(3)을 덮고 있는 추가의 제3 외부 유전층(8)을 더 포함하고; 제2 내부 유전층(7) 및 제3 외부 유전층(8)들 각각은 논-도프 폴리며, 디-도프 폴리머 및 셀프-도프 폴리머로부터 선택된 전도성 폴리머를 함유하는 절연성 폴리머 매트릭스에 의해 구성되며; 상기 제2 및 제3 유전층들의 전도도가 DC사용에 있어서는 10-14S/cm 내지 1S/cm의 범위 내에 있고, AC사용에 있어서는 10-10S/cm 내지 1S/cm의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 케이블.8. A further second inner dielectric layer (7) below the first dielectric layer (3) and a further third outer dielectric layer covering the first dielectric layer (3). (8) further; Each of the second inner dielectric layer 7 and the third outer dielectric layer 8 is a non-doped poly and is constituted by an insulating polymer matrix containing a conductive polymer selected from a di-doped polymer and a self-doped polymer; The conductivity of the second and third dielectric layers is in the range of 10 -14 S / cm to 1 S / cm for DC use, and in the range of 10 -10 S / cm to 1 S / cm for AC use. Cable.
제8항에 있어서, 상기 제2 및 제3 유전층들 중 최소한 하나의 유전층은 전도성 폴리머의 농도가서로 다른 다수의 서브층들을 포함하고; 상기 제2 유전층의 연속적인 서브층들의 농도는 최내각 서브층부터 감소하기 시작하고, 상기 제3 유전층의 연속적인 서브층들의 농도는 최내각 서브층부터 증가하기 시작하는 것을 특징으로 하는 케이블.9. The method of claim 8, wherein at least one of the second and third dielectric layers comprises a plurality of sublayers having different concentrations of conductive polymer; Wherein the concentration of successive sublayers of the second dielectric layer begins to decrease from the innermost sublayer, and the concentration of successive sublayers of the third dielectric layer begins to increase from the innermost sublayer.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.