KR950008655B1 - Fat-red emitting phosphor for cathode ray tube - Google Patents

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휴우즈-제이브이씨 테크놀러지 코포레이션
완다 케이. 덴슨-로우
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Abstract

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Description

음극선관용 원적외선 방출 인Far Infrared Emission Phosphor for Cathode Ray Tubes

제1도는 음극선관을 이용하는 액정 광 밸브 투사기 시스템의 개략도.1 is a schematic diagram of a liquid crystal light valve projector system using a cathode ray tube.

제2도는 정규화 방사율 및 나노미터 단위의 파장의 좌표로 나타낸, 비결정성 규소(α-Si) 광전도체의 스펙트럼 반응의 플롯.2 is a plot of the spectral response of an amorphous silicon (α-Si) photoconductor, expressed in coordinates of normalized emissivity and wavelength in nanometers.

제3도 내지 10도는 정규화 방사율 및 나노미터 단위의 파장의 좌표로 나타낸, 조성물의 함수로서 Y3-yGdyAl5-xGaxO12: Cr[(a) y=0 및 x=0(제3도), 1(제4도, 2(제5도), 3(제6도), 4(제7도) 및 5(제8도), (b) y=3 및 x=5(제9도) 및 (c) y=3 및 x=0(제10도)]의 광 출력의 플롯.3-10 show Y 3-y Gd y Al 5-x Ga x O 12 : Cr [(a) y = 0 and x = 0 as a function of the composition, expressed as coordinates of normalized emissivity and wavelength in nanometers. (FIG. 3), 1 (FIG. 4, 2 (FIG.), 3 (FIG. 6), 4 (FIG. 7) and 5 (FIG. 8), (b) y = 3 and x = 5 (Figure 9) and (c) y = 3 and x = 0 (Figure 10).

제11도 내지 15도는 정규화 방사율 및 나노미터 단위의 파장의 좌표로 나타낸, 처리 조건의 함수로서 Y3-yGdyAl5-xGaxO12: Cr[y=0 및 x=0(제11도 내지 13도) 및 y=3 및 x=5(제14도 및 15)]의 광 출력의 플롯.Figures 11 to 15 are plots of Y 3-y Gd y Al 5-x Ga x O 12 : Cr [y = 0 and x = 0 as a function of the processing conditions, expressed as coordinates of normalized emissivity and wavelength in nanometers. 11 degrees to 13 degrees) and y = 3 and x = 5 (FIGS. 14 and 15).

제16도 및 17도는 백분위수 및 마이크로미터 단위의 입자 크기의 좌표로 나타낸, 본 발명의 인의 대표적인 제조법을 위한 입자 크기 분포의 플롯.16 and 17 are plots of particle size distributions for representative methods of making phosphorous of the present invention, expressed in percentiles and coordinates of particle size in micrometers.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10 : LCLV 투사기 12 : 음극선관(CRT)10 LCLV Projector 12 Cathode Ray Tube (CRT)

14 : 액정 광 밸브 16 : 크세논 방전 램프14 liquid crystal light valve 16 xenon discharge lamp

18 : UV 필터 20 : 예비 편광 필터18: UV filter 20: pre-polarized filter

22 : 편광 거울 24 : 프리즘 V자형 창22: polarized mirror 24: prism V-shaped window

26 : 투사 렌즈26: projection lens

본 발명은 액정 디스플레이를 위한 음극선관(CRTs)에 사용되는 인, 좀 더 상세하게는 이트륨 알루미늄가네트 결정 구조를 갖는 신규 군의 인에 관한 것이다.The present invention relates to phosphorus used in cathode ray tubes (CRTs) for liquid crystal displays, and more particularly to a new group of phosphorus having a yttrium aluminum garnet crystal structure.

휴우즈 액정 광 밸브(LCLV)에 비결정성 규소를 어드레스하기 위해 사용되는 인은 다음과 같은 조건을 갖추어야 한다 :The phosphorus used to address amorphous silicon in the fuse liquid crystal light valve (LCLV) must meet the following conditions:

비결정성 규소(α-Si) 반응에 가능한 한 밀접하게 정합되는(matched) 스펙트럼 출력; 목표 스펙트럼 범위에서의 최대 방사 에너지 출력; 100%에서 10%까지 측정된 약 10밀리초 미만의 감쇄 시간; 약 6㎛ 미만의 고해상 작용에 적합한 평균 입자 크기; 및 열적 또는 수명 유도 분해에 대한 높은 저항도.Spectral output matched as closely as possible to the amorphous silicon (α-Si) reaction; Maximum radiant energy output in the target spectral range; Decay time less than about 10 milliseconds measured from 100% to 10%; Average particle size suitable for high resolution of less than about 6 μm; And high resistance to thermal or lifetime induced degradation.

LCLV에 사용되는 α-규소의 스펙트럼 반응성은 약 740nm에서 최대이다. 결과적으로, 최적 감도를 위하여 α-규소 감광층을 활성화시키는데 사용되는 입광은 반응 커브에 대해 가능한 한 밀접하게 정합되어야 한다.The spectral reactivity of α-silicon used in LCLV is maximum at about 740 nm. As a result, the light incident used to activate the α-silicon photosensitive layer for optimum sensitivity should be matched as closely as possible to the reaction curve.

스펙트럼 방출, 감쇄 시간, 효율 및 작은 입자 크기에 관한 올바른 특성을 갖는 인을 발견하기 위하여 많은 인들에 대해 연구해 왔다. 그러한 인들의 예로서는 산화 알루미늄 : Cr, 황화 카드뮴 : Ag, 황화 아연 카드뮴 : Ag, 인산 아연 : Mn, 옥시황화 이트륨 : Eu, 산화 이트륨 알루미늄 : Eu 등을 들 수가 있다.Many phosphors have been studied to find phosphors with the correct properties regarding spectral emission, decay time, efficiency and small particle size. Examples of such phosphorus include aluminum oxide: Cr, cadmium sulfide: Ag, zinc cadmium sulfide: Ag, zinc phosphate: Mn, yttrium oxysulfide: Eu, yttrium aluminum oxide: Eu, and the like.

발광 램프에 사용되는 하나의 원적외선("원적외선'이란 약 600 내지 800nm을 의미함)이 α-규소 반응에 매우 밀접하게 정합되는 것으로 밝혀졌다. 그것은 철로 활성화된 산화 리튬 알루미늄(LiAlO2: Fe)으로 이루어진다. 상업적으로 이용가능한 물질에서, 철 함유율은 약 0.5%이다. 그러나, 이러한 인은, CRTs에 사용될 경우, 허용가능한 감쇄 시간보다 약 30밀리초 더 긴 감쇄 시간을 갖는다.One far-infrared ("far-infrared" means about 600-800 nm) used in luminescent lamps has been found to be very closely matched to the α-silicon reaction, which is iron-activated lithium aluminum oxide (LiAlO 2 : Fe). In commercially available materials, the iron content is about 0.5%, however, such phosphorus, when used in CRTs, has a decay time of about 30 milliseconds longer than the acceptable decay time.

이트륨 알루미늄 가네트(YAG) 인은 당업계에 공지되어 있다. 그들은 테르븀, 세륨, 유로퓸 등과 같은 다양한 활성 인자를 갖는다. YAG : Eu에서 에너지는 591, 608, 630 및 710nm선 사이에서 분포하지만 약 649 및 692nm에서 더 약하게 분포한다. 이러한 스펙트럼 출력때문에 이 인은 광 밸브를 효율적으로 자극하지 않는다.Yttrium aluminum garnet (YAG) phosphorus is known in the art. They have various active factors such as terbium, cerium, europium and the like. In YAG: Eu the energy is distributed between 591, 608, 630 and 710 nm lines but weaker at about 649 and 692 nm. Because of this spectral output, this phosphorus does not effectively stimulate the light valve.

상업적으로 이용가능한 인 중에서 α-규소 LCLV 요건을 만족시키는 것으로 밝혀진 것은 없다.None of the commercially available phosphorus was found to satisfy the α-silicon LCLV requirement.

본 발명에 따라서, 이트륨 알루미늄 가네트 결정 구조를 갖는 신규 군의 인이 제공된다. 본 발명의 인의 일반식은 Y3-yGdyAl5-xGaxO12: A이며, 여기서, x는 0 내지 5이고, y는 0 내지 3이며, A는 크로뮴, 철, 바나듐, 네오디뮴, 디스프로슘, 코발트, 니켈, 티타늄 또는 그의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된다.According to the present invention, a new group of phosphorus having an yttrium aluminum garnet crystal structure is provided. The general formula of phosphorus of the present invention is Y 3-y Gd y Al 5-x Ga x O 12 : A, where x is 0 to 5, y is 0 to 3, A is chromium, iron, vanadium, neodymium, Dysprosium, cobalt, nickel, titanium or mixtures thereof.

상기 일반식의 인은 액정 광 밸브 중의 α-규소 감광층의 필요에 의해 요구되는 조건 중의 그들의 스펙트럼 출력, 방사율 및 영구 특성의 변화를 나타낸다.Phosphorus of the said general formula shows the change of their spectral output, emissivity, and a permanent characteristic in the conditions required by the need of the (alpha)-silicon photosensitive layer in a liquid crystal light valve.

액정 광 밸브(LCLV)는 문헌[SID International Symposium, Digest of Technical Papers, "Video-Rate Liquid Crystal Light-Valve Using an Amorphous Silicon Photoconductor", R.D. Sterling 등 저, XXI권, 제327-328페이지(1990년)]에 기재되어 있다. 상기 참고 문헌으로부터 얻은 제1도는 용융 섬유 광학 면판(도시하지 않음)을 통하여 액정 광 밸브(14)에 결합된 입력 영상을 제공하는 음극선관(CRT)(12)로 이루어진 기본 LCLV 투사기(10)의 개략도이다. 크세논 방전 램프(16)은, LCLV(14)에 도달하기 전에 UV 필터(18)에 의해 여과되고 예비 편광 필터(20)에 의해 일정하게 편극화되는 출력광을 제공한다. 영상은 편광 거울(22), 프리즘 V자형 창(24)를 통과한 후 투사 렌즈(26)을 통과하여 스크린(도시하지 않음)상에 투사된다.Liquid crystal light valves (LCLV) are described in SID International Symposium, Digest of Technical Papers, "Video-Rate Liquid Crystal Light-Valve Using an Amorphous Silicon Photoconductor", R.D. Sterling et al., Volume XXI, pp. 327-328 (1990). Figure 1 obtained from the above reference shows a basic LCLV projector 10 consisting of a cathode ray tube (CRT) 12 which provides an input image coupled to a liquid crystal light valve 14 via a molten fiber optical faceplate (not shown). Schematic diagram. The xenon discharge lamp 16 provides output light that is filtered by the UV filter 18 and is constantly polarized by the preliminary polarization filter 20 before reaching the LCLV 14. The image passes through a polarizing mirror 22, a prism V-shaped window 24, and then passes through a projection lens 26 to be projected onto a screen (not shown).

상기 투사기는 LCLV 및 CRT의 조합물을 이용하는 장치의 예이다. LCLVs 및 CRTs의 다른 조합물도 또한 공지되어 있다. 그러한 조합물이 당업계의 숙련자에게 공지되어 있는 반면, CRTs에 본 발명의 인을 인으로서 사용하는 예는 어디에도 기재되어 있지 않다.The projector is an example of a device that uses a combination of LCLV and CRT. Other combinations of LCLVs and CRTs are also known. While such combinations are known to those skilled in the art, there is no example of using the phosphorus of the invention as phosphorus in CRTs.

LCLV는 당업계에 공지되어 있고 상기 참고 문헌에 나타낸 바와 같이 수소 첨가된 비결정성 규소 광전도체(α-Si : H)를 이용한다. α-Si 광전도체의 스펙트럼 반응을 제2도에 나타내었다. 이 곡선은 인이 효율적인 에너지 커플링을 위해 가능한 한 밀접하게 정합되어야 한다는 것을 나타낸다.LCLV utilizes hydrogenated amorphous silicon photoconductors (α-Si: H) as known in the art and as indicated in the references above. The spectral response of the α-Si photoconductor is shown in FIG. This curve indicates that phosphorus should be matched as closely as possible for efficient energy coupling.

본 발명의 인 조성물은 일반식 Y3-yGdyAl5-xGaxO12: A로 표시되며, 여기서, x는 0 내지 5이고, y는 0 내지 3이고, A는 크로뮴, 철, 바나듐, 네오디뮴, 디스프로슘, 코발트, 니켈, 티타늄 또는 그의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된다.The phosphorus composition of the present invention is represented by the general formula Y 3-y Gd y Al 5-x Ga x O 12 : A, wherein x is 0 to 5, y is 0 to 3, A is chromium, iron, Vanadium, neodymium, dysprosium, cobalt, nickel, titanium or mixtures thereof.

크로뮴, 네오디뮴 및 철 중의 1종 이상을 이용하는 것이 바람직하다. 크로뮴을 이용하는 것이 가장 바람직하며, 약 0.33 내지 2at%의 범위에서 이용되는 것이 특히 바람직하다. 이 범위 밖에서는 광 출력이 바람직하지 않게 감쇄된다.Preference is given to using at least one of chromium, neodymium and iron. Most preferably, chromium is used, particularly preferably in the range of about 0.33 to 2 at%. Outside this range, the light output is undesirably attenuated.

바람직한 조성물은 특정 성질에 좌우된다. 예를들면, 최고 휘도 조성물(가장 높은 상대 출력)은 크로뮴-활성화된 이트륨 알루미늄 가네트, Y3Al5O12: Cr(YAG1: Cr)로서 이루어지며, 최단 감쇄 시간은 크로뮴 활성화된 가도리늄 갈륨 가네트, Gd3Ga5O12: Cr(GGG : Cr)로 이루어진다. 최고 휘도 및 최단 감쇄 시간을 성취하기 위한 가장 바람직한 조성물은 Y3Al2Ga3O12: Cr이다. 이 결과를 아래에 나타내었다.Preferred compositions depend on the specific properties. For example, the highest luminance composition (highest relative power) consists of chromium-activated yttrium aluminum garnet, Y 3 Al 5 O 12 : Cr (YAG1: Cr), and the shortest decay time is chromium activated gadolinium gallium garnet , Gd 3 Ga 5 O 12 : Cr (GGG: Cr). The most preferred composition for achieving the highest brightness and shortest decay time is Y 3 Al 2 Ga 3 O 12 : Cr. This result is shown below.

조 성 물 상대 출력 감쇄 시간Composition Relative Output Decay Time

YAG : Cr 100 5-6밀리초YAG: Cr 100 5-6 milliseconds

GGG : Cr 45 1밀리초GGG: Cr 45 1 millisecond

Y3Al2Ga3O12: Cr 76 2밀리초Y 3 Al 2 Ga 3 O 12 : Cr 76 2 milliseconds

본 발명의 인의 가네트 군의 제조방법은 산업 분야에서 사용되는 통상의 방법에 따른다. 출발 물질은 각 원소의 산화물로 이루어진다. 잘 혼합된 균질 혼합물을 제조하기 위해 화학양론적 비율로 혼합하고 볼 밀 분쇄시킨다. 반응물을 분쇄하고 건조시킨 후에, 제1가공 후에, 제1가공 단계에서 공기와 같은 산화 분위기하에 약 1500°내지 1600℃에서 약 2 내지 8시간 동안 가열시킨다.The manufacturing method of the garnet group of phosphorus of this invention is based on the conventional method used in the industrial field. The starting material consists of an oxide of each element. Mix in stoichiometric ratio and ball mill grind to produce a well mixed homogeneous mixture. After the reaction is pulverized and dried, after the first processing, it is heated in the first processing step at about 1500 ° to 1600 ° C. for about 2 to 8 hours under an oxidizing atmosphere such as air.

별법으로, 산화물을 제2가공 단계에서 공기와 같은 산화 분위기하에 약 1200℃에서 1 내지 4시간 동안 가열하고 약 1500°내지 1600℃에서 약 2 내지 8시간 동안 가열한다.Alternatively, the oxide is heated in the second processing step at about 1200 ° C. for 1 to 4 hours under an oxidizing atmosphere such as air and at about 1500 ° to 1600 ° C. for about 2 to 8 hours.

또는, 제3가공 단계에서 약 1200℃에서 1 내지 4시간 동안, 약 1550℃에서 1 내지 4시간 동안 및 약 1590℃에서 약 1 내지 4시간 동안 가열하였다.Alternatively, heating was performed at about 1200 ° C. for 1 to 4 hours, at about 1550 ° C. for 1 to 4 hours, and at about 1590 ° C. for about 1 to 4 hours in the third processing step.

이러한 방법은 당업계에 공지되어 있으며 본 발명의 일부를 구성하지는 않는다.Such methods are known in the art and do not form part of the invention.

인의 광 방출 특성이 작은 입자 크기에 의해 개선되므로 가열로서 약 6㎛ 미만의 평균 입자 크기를 갖는 입자의 생성을 조절해야 한다.Since the light emission properties of phosphorus are improved by small particle size, it is necessary to control the production of particles having an average particle size of less than about 6 μm as heating.

졸-겔 가공법도 또한 인의 생산에 이용될 수 있다. 이러한 경우에서 출발 물질 성분은 Y, Al 및 Cr의 질산염 또는 염화물로 이루어진다. 이러한 성분들은 화학양론적 비율로 탈이온수 중에 용해된다. 다음 단계는 화학양론적 필요량보다 과량으로 수산화 암모늄의 용액을 첨가하여 모든 금속의 수산화물을 침전시키는 것이다. 침전물을 적당히 분해하고 안정화시킨 후에, 여과시키고, 전체적으로 세척하고 건조시킨다. 목적하는 인을 얻기 위해 상기 가열 과정이 이 출발 물질에 사용될 수 있다. 이러한 과정은 공지되어 있으며 본 발명의 일부를 구성하지는 않는다.Sol-gel processing can also be used for the production of phosphorus. In this case the starting material component consists of nitrates or chlorides of Y, Al and Cr. These components are dissolved in deionized water in stoichiometric proportions. The next step is to add a solution of ammonium hydroxide in excess of the stoichiometric requirement to precipitate out the hydroxides of all metals. After the precipitate has been properly decomposed and stabilized, it is filtered, washed thoroughly and dried. The heating process can be used for this starting material to obtain the desired phosphorus. Such procedures are known and do not form part of the invention.

별법으로, 출발 물질은 이트륨, 가도리늄, 알루미늄 및 질산 갈륨의 화학양론적 양으로 구성될 수 있다. 출발 물질을 수용액에 용해하고 수산화물을 수산화 암모늄으로 침전시킨다. 세척한 후에, 소정 비율의 활성화 산화물을 볼 밀에 의해 물질에 혼합할 수 있다. 상기한 바와 같이 볼 밀 분쇄한 후에, 혼합물을 건조시키고 상기와 동일한 조건에서 가열하였다. 그러한 방법은 공지되어 있으며 본 발명의 일부를 구성하지 않는다.Alternatively, the starting material may consist of stoichiometric amounts of yttrium, gadolinium, aluminum and gallium nitrate. The starting material is dissolved in aqueous solution and the hydroxide is precipitated with ammonium hydroxide. After washing, a proportion of the activated oxide can be mixed into the material by a ball mill. After ball mill grinding as described above, the mixture was dried and heated under the same conditions as above. Such methods are known and do not form part of the present invention.

또 다른 공지된 별법은 이트륨, 알루미늄, 가도리늄 및 갈륨의 및 활성화 인자로 개시하는 것이며 상기 처리한 바와 같이 수산화 암모늄으로 수산화물을 침전시킨다.Another known alternative is to start with yttrium, aluminum, gadolinium and gallium and as activating factors and precipitate the hydroxide with ammonium hydroxide as treated above.

본 발명의 기술에 따른 가네트 형성 인을 생산하는 통상적인 방법이 기재되어 있다. 이러한 두 단계 방법은 신규한 것으로 고려되지 않으며, 본 발명의 일부를 구성하지 않는다.Conventional methods for producing garnet forming phosphorus according to the techniques of the present invention have been described. These two step methods are not considered novel and do not form part of the present invention.

산화물 성분을 출발 물질로 하여 인 10g을 생산하는 것이 바람직하다는 추측하에, 필요량(이하의 수식 참조)의 산화물을 약 9mm의 직경을 갖는 소결 알루미나 볼 약 30g과 함께 2온스 볼 밀에 놓아두었다. 탈이온수 15ml를 첨가하고 밀을 밀폐하고 롤러 위에 놓아두었다. 공지된 바와 같이 더 많은 양의 인을 생산하기 위해서는 적당한 비율로 늘릴 필요가 있다.Assuming that it is desirable to produce 10 g of phosphorus using the oxide component as a starting material, the required amount of oxide (see formula below) is placed in a 2-ounce ball mill with about 30 g of sintered alumina balls having a diameter of about 9 mm. 15 ml of deionized water was added and the mill was sealed and placed on a roller. As is known, in order to produce higher amounts of phosphorus it is necessary to increase it in an appropriate ratio.

2시간 동안 롤링시킨 후, 산화물을 친밀하게 혼합시키고 그들의 크기를 다소 감소시키는 동안 밀을 롤로부터 제거하고, 성분들을 깨끗한 리셉터클에 내려놓는다. 밀로부터의 헹굼수를 주로 덤프 충전물에 첨가하였다. 약 110℃의 오븐에서 건조시킨 후에, 분말을 70 스테인레스 스틸 메쉬에 통과시켰다. 이것을 소결 알루미나 보우트에 놓아두고 400℃의 로(furnace)에 두었다. 온도를 1200℃로 상승시켜 2시간 동안 유지하였다. 결국에는 온도를 400℃로 낮추고, 이 시점에서 보우트를 로로부터 제거하였다. 가열 중의 로의 대기는 공기인 것이 바람직하다. 재료를 다시 체별하고, 입자 크기를 측정하였다. 재료를 로에 다시 놓아둔 후, 온도를 1600℃로 상승시키고 그 상태로 2시간 동안 유지시켰다. 로를 400℃로 냉각시키고 보우트를 제거하였다. 최종 재료를 막자로 모르타르 중에서 분쇄시키고, 체별하고, 입자 크기를 측정하여 즉시 사용가능하도록 하였다.After rolling for 2 hours, the mills are removed from the rolls while the oxides are intimately mixed and their size is somewhat reduced, and the ingredients are placed in a clean receptacle. Rinse water from the mill was mainly added to the dump charge. After drying in an oven at about 110 ° C., the powder was passed through a 70 stainless steel mesh. This was placed in a sintered alumina boat and placed in a furnace at 400 ° C. The temperature was raised to 1200 ° C. and maintained for 2 hours. Eventually the temperature was lowered to 400 ° C. at which point the boat was removed from the furnace. The atmosphere in the furnace during heating is preferably air. The material was sifted again and the particle size was measured. After the material was placed back in the furnace, the temperature was raised to 1600 ° C. and maintained for 2 hours. The furnace was cooled to 400 ° C. and the boat was removed. The final material was ground in mortar with a pestle, sieved and particle size was measured for immediate use.

상기의 방법을 이용하여 많은 조성물을 제조하였다. 다양한 특성에 대한 몇가지 조성물의 효과를 이하의 표 1에 나타내었다. 600 내지 800nm의 파장 범위에서 스펙트로라디오메터로 방사율을 측정하여 상대 출력을 계산하였다. 이러한 데이타는 각 값을 최고 방사율 값으로 나눔으로써 상대 출력으로 전환된다. 감쇄 시간은 밀리초 단위로 측정하였다. 각 경우에서의 가열 온도는 1200℃에 이어서 1600℃였다. 조성의 함수로서 의 스펙트럼 분포를 표시된 도면에 나타내었다.Many compositions were prepared using the above method. The effects of some compositions on various properties are shown in Table 1 below. Relative power was calculated by measuring emissivity with spectroradiometer in the wavelength range of 600-800 nm. This data is converted to relative power by dividing each value by the highest emissivity value. Decay time was measured in milliseconds. The heating temperature in each case was 1200 degreeC and then 1600 degreeC. The spectral distribution as a function of composition is shown in the figures shown.

[표 1]TABLE 1

특성에 대한 가열 온도의 효과는 이하의 표 2에 나타내었다. 모든 경우에서, 나타낸 온도에서의 가열 시간은 2시간이다. 스펙트럼 분포에 대한 가열 온도의 효과는 표시된 도면에 나타내었다.The effect of heating temperature on the properties is shown in Table 2 below. In all cases, the heating time at the indicated temperature is 2 hours. The effect of heating temperature on the spectral distribution is shown in the figures shown.

[표 2]TABLE 2

상대 출력에 대한 다양한 추가 조성물의 효과는 이하의 표 3에 나타내었다. 2가지 조성물에 대한 스펙트럼 분포는 도면 제16도 및 제17도에 나타내었다.The effect of the various additional compositions on the relative power is shown in Table 3 below. Spectral distributions for the two compositions are shown in FIGS. 16 and 17.

[표 3]TABLE 3

상기한 바와 같이 제조된 바람직한 조성을 갖는 인의 입자 크기 분포는 제18도 및 19도에 나타내었다. 제18도는 Cr 활성화 인자가 1.0%인 GGG에 대한 것이다. 평균입자 크기는 6.31㎛이며, 입자의 10%가 1.32㎛ 미만이고 입자의 10%의 21.15㎛를 초과한다. 제19도는 Cr 활성화 인자가 0.5%인 YAG에 대한 것이다. 평균 입자 크기는 6.54㎛이며, 입자의 10%가 1.76㎛ 미만이며 입자의 10%가 14.12㎛를 초과한다.Particle size distributions of phosphorus having the preferred composition prepared as described above are shown in FIGS. 18 and 19. Figure 18 is for GGG with a Cr activating factor of 1.0%. The average particle size is 6.31 μm, with 10% of the particles being less than 1.32 μm and greater than 21.15 μm of the 10% of the particles. 19 is for YAG with a Cr activating factor of 0.5%. The average particle size is 6.54 μm, with 10% of the particles being less than 1.76 μm and 10% of the particles exceeding 14.12 μm.

이렇게, 본 발명은 필수적으로 Y3-yGdyAl5-xGaxO12: A(여기서, x는 0 내지 5이고, y는 0 내지 3이고, A는 크로뮴, 철, 바나듐, 네오디뮴, 디스프로슘, 코발트, 니켈, 티타늄, 또는 그의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택됨)로 이루어진 원적외선 방출 인에 관한 것이다. 명백한 본질에 대한 다양한 변화 및 변형은 당업계의 통상의 기술을 가진 자에 의해 쉽게 이루어질 수 있으며 이러한 모든 변화 및 변형은 첨부된 특허청구 범위에 의해 한정되는 본 발명의 영역내에서 이루어져야 한다.Thus, the present invention is essentially Y 3-y Gd y Al 5-x Ga x O 12 : A (where x is 0 to 5, y is 0 to 3, A is chromium, iron, vanadium, neodymium, Far infrared emitting phosphorus) selected from the group consisting of dysprosium, cobalt, nickel, titanium, or mixtures thereof. Various changes and modifications to the apparent nature may be readily made by those skilled in the art and all such changes and modifications should be made within the scope of the present invention as defined by the appended claims.

Claims (12)

필수적으로 α-규소 및 그와 기능적으로 조합되어 있는 원 적외선 방출 인으로 이루어진 감광층을 포함한 액정 광 밸브에 있어서, 상기 인이 필수적으로 Y3-yGdyAl5-xGaxO12: A(여기서, x는 0 내지 5이고, y는 0 내지 3이고, A는 크로뮴, 철, 바나듐, 네오디뮴, 디스프로슘, 코발트, 니켈, 티타늄, 또는 그의 혼합물로 이루어진 군에서 선택됨)로 이루어짐을 특징으로 하는 조합물.In a liquid crystal light valve comprising a photosensitive layer consisting essentially of α-silicon and far-infrared emitting phosphorus functionally combined therewith, the phosphorus is essentially Y 3-y Gd y Al 5-x Ga x O 12 : A Wherein x is 0 to 5, y is 0 to 3, and A is selected from the group consisting of chromium, iron, vanadium, neodymium, dysprosium, cobalt, nickel, titanium, or mixtures thereof. Combination. 제1항에 있어서, x가 0이고, y가 0이며, A가 크로뮴임을 특징으로 하는 조합물.The combination of claim 1, wherein x is 0, y is 0 and A is chromium. 제1항에 있어서, x가 5이고, y가 3이며, A가 크로뮴임을 특징으로 하는 조합물.The combination of claim 1, wherein x is 5, y is 3 and A is chromium. 제1항에 있어서, x가 2이고, y가 0이며, A가 크로뮴임을 특징으로 하는 조합물.The combination of claim 1, wherein x is 2, y is 0 and A is chromium. 수소 첨가된 비결정성 규소 광전도체에 적색 인으로부터 방출된 빛으로부터 얻은 에너지를 커플링시키는 방법에 있어서, 필수적으로 Y3-yGdyAl5-xGaxO12: A(여기서, x는 0 내지 5의 범위내의 값을 가지고, y는 0 내지 3의 범위내의 값을 가지며, A는 크로뮴 및 네오디뮴으로 이루어진 군에서 선택되며, 크로뮴은 약 0.33 내지 2at% 범위내의 값을 가지며, 네오디뮴은 약 1at%의 값을 가짐)로 이루어진 화합물을 적색 인으로서 제공함을 특징으로 하는 개량 방법.In a method of coupling energy from light emitted from red phosphorus to a hydrogenated amorphous silicon photoconductor, essentially Y 3-y Gd y Al 5-x Ga x O 12 : A, where x is 0 Has a value in the range of 5 to 5, y has a value in the range of 0 to 3, A is selected from the group consisting of chromium and neodymium, chromium has a value in the range of about 0.33 to 2 at%, and neodymium is about 1 at Having a value of%) as a red phosphorus. 제5항에 있어서, x가 0이고, y가 0이며, A가 크로뮴임을 특징으로 하는 방법.6. The method of claim 5 wherein x is 0, y is 0 and A is chromium. 제5항에 있어서, x가 5이고, y가 3이며, A가 크로뮴임을 특징으로 하는 방법.6. The method of claim 5 wherein x is 5, y is 3 and A is chromium. 제5항에 있어서, x가 2이고, y가 0이며, A가 크로뮴임을 특징으로 하는 방법.6. The method of claim 5 wherein x is 2, y is 0 and A is chromium. 수소 첨가된 비결정성 규소 광전도체에 적색 인으로부터 방출된 빛으로부터 얻은 에너지를 커를링시키기 위해 그위에 적색 인을 갖는 스크린을 함유시키는 음극선관의 제조방법에 있어서, 필수적으로 Y3-yGdyAl5-xGaxO12: A(여기서, x는 0 내지 5의 범위내의 값을 가지고, y는 0 내지 3의 범위내의 값을 가지며, A는 크로뮴 및 네오디뮴으로 이루어진 군에서 선택되며, 크로뮴은 약 0.33 내지 2at% 범위내의 값을 가지며, 네오디뮴은 약 1at%의 값을 가짐)로 이루어진 화합물을 적색 인으로서 제공함을 특징으로 하는 개량 방법.In a method for producing a cathode ray tube in which a hydrogenated amorphous silicon photoconductor contains a screen having red phosphorus thereon for kerring energy from light emitted from red phosphorus, essentially Y 3-y Gd y Al 5-x Ga x O 12 : A, where x has a value in the range of 0 to 5, y has a value in the range of 0 to 3, A is selected from the group consisting of chromium and neodymium, and chromium Is in the range of about 0.33 to 2 at%, and neodymium has a value of about 1 at%). 제9항에 있어서, x가 0이고, y가 0이며, A가 크로뮴임을 특징으로 하는 방법.10. The method of claim 9 wherein x is 0, y is 0 and A is chromium. 제9항에 있어서, x가 5이고, y가 3이며, A가 크로뮴임을 특징으로 하는 방법.10. The method of claim 9, wherein x is 5, y is 3 and A is chromium. 제5항에 있어서, x가 2이고, y가 0이며, A가 크로뮴임을 특징으로 하는 방법.6. The method of claim 5 wherein x is 2, y is 0 and A is chromium.
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