KR950006638B1 - Epoxy resin composition for encapsulating semi-conductor - Google Patents
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Abstract
Description
제1도는 본 발명에서의 에폭시 수지와 실리콘 오일을 혼합할때 헨켈믹서를 사용하여 2000rpm 교반시켰을때의 SEM결과 사진.1 is a SEM image of the result of stirring at 2000 rpm using a Henkel mixer when mixing the epoxy resin and the silicone oil in the present invention.
제2도는 본 발명에서의 에폭시 수지와 실리콘 오일을 혼합할 때 일반 교반기를 사용하여 100rpm에서 교반시켰을때의 SEM결과 사진.FIG. 2 is a SEM result photograph when the epoxy resin and the silicone oil in the present invention are mixed at 100 rpm using a general stirrer.
본 발명은 반도체 봉지제용 에폭시 수지 조성물을 제조하는데 있어서 에틸렌 옥사이드 또는 프로필렌 옥사이드가 함유된 에폭시 수지와 양말단에 반응성기를 갖는 실리콘 오일을 주성분으로 하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로 내부 응력을 저하시키고 내습 신뢰성이 향상된 반도체 전자 부품 봉지용 에폭시 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and a method of manufacturing the same, comprising an epoxy resin containing ethylene oxide or propylene oxide and a silicone oil having a reactive group at a sock end in preparing an epoxy resin composition for a semiconductor encapsulant. An object of the present invention is to provide an epoxy resin composition for encapsulating semiconductor electronic components, which reduces stress and improves moisture resistance reliability.
종래의 IC칩의 패턴은 최근 10년간에 1.2μm에서 0.5μm로 축소되어 미세화가 급속도로 진행되어 왔으며 칩의 고집적화 역시 더욱 빠르게 진행되어 디바이스는 16K에서 1M비트 내지 4M비트로 이행되어 약 6배의 고집적화가 달성되었다.The pattern of the conventional IC chip has been reduced from 1.2μm to 0.5μm in the past 10 years, and the miniaturization has progressed rapidly, and the high integration of the chip has also progressed more rapidly, and the device is shifted from 1M bits to 4M bits at 16K, which is about 6 times higher integration Was achieved.
IC의 실장 기술을 보면 VLSI칩 사이즈는 약 4배(면적비)로 대형화되었지만 그것을 실장하기 위한 펙키지(Package, PKG)의 크기는 크게 변하지 않은 것이 사실이다.According to the IC mounting technology, the size of the VLSI chip has been enlarged to about four times (area ratio), but the size of the package (PKG) for mounting it has not changed significantly.
이와 같이 VLSI의 진전과 펙키지 다양화에 의해 종래 기술만으로는 대응할 수 없는 새로운 실장 기술상의 문제가 발생되었다.As a result, the development of VLSI and the diversification of packages have caused new mounting technology problems that cannot be dealt with by the prior art alone.
종래의 수지봉지 IC의 최대 결점으로서는 봉지수지내 혹은 봉지수지와 리드 프레임 계면의 수분 및 수지내의 Na+, Cl-같은 이온성 불순물에 의한 IC칩상의 Al배선이 부식되어 단선되는 단점 내지 봉지수지의 열응력에 의한 칩페지베이션(Passivation, PV)균열에 의한 내습성의 저하등이다.The biggest drawback of conventional resin encapsulation ICs is that Al wirings on IC chips are corroded and disconnected due to moisture in the encapsulation resin, or at the interface between the encapsulation resin and the lead frame, and ionic impurities such as Na + and Cl - in the resin. Deterioration of moisture resistance due to chip crackation (Passivation, PV) cracking due to thermal stress.
최근 VLSI칩 대형화에 의해 칩의 PV결함수가 많게 된 것은 상기한 바와 같이 칩 사이즈는 커졌는데 펙키지의 외형 사이즈는 거의 변하지 않았기 때문에 수분의 진입 경로가 짧아 수분이 쉽게 배어들고, VLSI칩의 미세화, 다층화에 의한 각 층간의 단차가 심하여진데 원인이 있다.The recent increase in the size of the VLSI chip has led to the increase in the number of PV defects in the chip. As mentioned above, the chip size has increased, but the external size of the package has not changed. There is a cause that the step between each layer is increased.
이러한 문제점을 해결하기 위해 수지의 고순도화 실란커플링제의 적량화, 이형제의 혼합순서 변경 또는 변성, 밀착성을 향상시킨 개질 수지등에 의한 개량, Al부식 반응을 지연시키는 첨가제 적용 및 세라믹을 이용한 칩 펙키지, 리드 프레임의 재질 변경등 다각적인 검토가 이루어지고 있다.In order to solve these problems, the high purity of the silane coupling agent of the resin, the change of the mixing order of the release agent or the modification, the modification by the modified resin that improves the adhesion, the additive application to delay the Al corrosion reaction and the chip package using the ceramic, Various studies have been conducted on material changes of lead frames.
PV, 펙키지 크랙 발생 원인은 주로 IC칩 소재인 실리콘과 펙키지 재료인 봉지수지 사이에서 발생하는 열응력에 기인하며 저응력화를 위해서는 수지의 영률감소, 열팽창 차리를 감소시키고 유리전이온도(Tg)가 일정온도(150℃)이상 유지되도록 하여 내열충격성이나 결속 와이어의 단선등을 방지시켜 줄 필요가 있다.The cause of PV and package cracks is mainly due to thermal stress generated between silicon, an IC chip material, and encapsulation resin, which is a package material.In order to reduce stress, the Young's modulus decreases, thermal expansion difference decreases, and glass transition temperature (Tg) It is necessary to prevent the thermal shock resistance and the disconnection of the binding wire by maintaining the temperature above a certain temperature (150 ℃).
또한 저팽창화를 위하여 충진제를 증량하였을 경우에는 열팽창 계수는 작아지지만 역으로 탄성율은 높아지며 아울러서 점도도 높아지기 때문에 성형성이 나빠지는 단점이 있었다.In addition, when the filler is increased for low expansion, the coefficient of thermal expansion decreases, but conversely, the elastic modulus increases and the viscosity also increases.
그런데 종래의 기술로는 높은 유리전이온도(Tg)에서 탄성율과 열팽창율이 낮은 봉지용 수지를 얻을 수가 없었다.However, the conventional technique was unable to obtain a sealing resin having a low elastic modulus and thermal expansion coefficient at a high glass transition temperature (Tg).
본 발명에 있어서는 이러한 문제점을 해결하기 위해 에틸렌 옥사이드 또는 프로필렌 옥사이드를 함유하는 신규의 에폭시 수지를 사용하여 통상의 에폭시 수지에 비해 흐름성이 양호하고 수지의 점도가 낮아 충진제의 함량을 높일 수 있으므로 경화물의 선팽창계수를 최대로 낮출 수 있는 동시에 헨켈믹서를 사용하여 실리콘 오일을 에폭시 수지에 균일하게 교반 분산시켜 반응시켜 줌으로써 높은 유리전이온도(Tg)를 유지하며 저탄성 및 우수한 내습성과 내열충격성을 가지는 반도체 장치 봉지용 에폭시 수지 조성물을 제공하는데 목적이 있다.In the present invention, in order to solve such a problem, a novel epoxy resin containing ethylene oxide or propylene oxide is used, so that the flowability is good and the viscosity of the resin is lowered, so that the content of the filler can be increased compared to the conventional epoxy resin. A semiconductor device that can lower the coefficient of linear expansion to the maximum and at the same time uniformly disperse and react silicone oil with epoxy resin using Henkel mixer to maintain high glass transition temperature (Tg) and have low elasticity, excellent moisture resistance and thermal shock resistance. It is an object to provide an epoxy resin composition for sealing.
또한 본 발명의 또 다른 목적은 상기 반도체 장치 봉지용 에폭시 수지 조성물의 제조방법을 제공하는데 있다.In addition, another object of the present invention to provide a method for producing the epoxy resin composition for sealing the semiconductor device.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반도체 장치를 봉합하는데 사용되는 에폭시 수지 조성물에 있어서, (가) 에틸렌 옥사이드(-OCH2CH2-) 또는 프로필렌 옥사이드(O-CH2CH2CH2-)부가형 에폭시 수지 및 (나) 양말단에 반응기를 갖는 실리콘 오일로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.In order to achieve the above object, the present invention is an epoxy resin composition used to seal a semiconductor device, (A) ethylene oxide (-OCH 2 CH 2- ) or propylene oxide (O-CH 2 CH 2 CH 2- ) The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, comprising an additional epoxy resin and (b) a silicone oil having a reactor at the sock end.
또한 반도체 장치를 봉합하는데 사용되는 에폭시 수지 조성물에 있어서, (가) 에틸렌 옥사이드(-OCH2CH2-) 또는 프로필렌 옥사이드(-OCH2CH2CH2-)부가형 에폭시 수지, (나) 양말단에 반응기를 갖는 실리콘 오일 및 (다) 경화제, 난연제, 무기충진제, 이형제, 착색제 및 경화 촉진제로 구성된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.In addition, in the epoxy resin composition used to seal a semiconductor device, (A) ethylene oxide (-OCH 2 CH 2- ) or propylene oxide (-OCH 2 CH 2 CH 2- ) addition epoxy resin, (B) sock end An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation comprising a silicone oil having a reactor and (c) a curing agent, a flame retardant, an inorganic filler, a releasing agent, a coloring agent, and a curing accelerator.
좀더 상세히 설명하면, 본 발명에서는 반도체 장치 봉지용 에폭시 수지 조성물에 있어서 (가) 하기 구조식 (Ⅰ), (Ⅱ) 또는 (Ⅲ)과 같이 분자내 에틸렌 옥사이드(-OCH2CH2-) 또는 프로필렌 옥사이드(-OCH2CH2CH2-)를 함유한 에폭시 수지 100중량부와, (나) 하기 구조식 (Ⅳ)를 갖는 양말단에 반응성기를 갖는 실리콘 오일 5~50중량부를 헨켈믹서에 넣고 100~150°, 1000~3000rpm에서 1~5시간 동안 반응시킨 후, (다) 여기에 경화제, 난연제, 무기충진제, 이형제, 착색제(카본블랙) 경화촉진제를 첨가하여 수지를 제조한다.In more detail, in the present invention, in the epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device, (A) intramolecular ethylene oxide (-OCH 2 CH 2- ) or propylene oxide as shown in the following structural formula (I), (II) or (III) 100 parts by weight of an epoxy resin containing (-OCH 2 CH 2 CH 2- ), and (b) 5 to 50 parts by weight of silicone oil having a reactive group in a sock end having the following structural formula (IV) in a Henkel mixer. After the reaction for 1 to 5 hours at °, 1000 ~ 3000rpm (C) to the resin is prepared by adding a curing agent, flame retardant, inorganic filler, mold release agent, coloring agent (carbon black) curing accelerator.
상기 구조식 (Ⅰ) , (Ⅱ) 및 (Ⅲ)에서In the above formulas (I), (II) and (III)
A는 (-OCH2CH2-)n 또는 (-OCH2CH2CH2-)n A is (-OCH 2 CH 2- ) n or (-OCH 2 CH 2 CH 2- ) n
n은 0<n<20 n is 0 <n <20
상기 구조식(Ⅳ)에서, R은 -CH3,이고, X는 -R'OH, -R'NH2, -R'COOH,여기서,R'는 탄소수가 1~3개인 알킬그룹 n은 2~200이다.In the formula (IV), R is -CH 3 , X is -R'OH, -R'NH 2 , -R'COOH, Here, R 'is an alkyl group n having 1 to 3 carbon atoms is 2 to 200.
이하 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.
본 발명에 사용된 에폭시 수지 (가)는 통상의 에폭시 수지에 에틸렌 옥사이드(-OCH2CH2CH2-), 또는 프로필렌 옥사이드(-OCH2CH2CH2-)가 부가될 구조식(Ⅰ)의 비스페놀 에이 디 글리시딜 에테르(DGEBA)형의 에폭시와 구조식(Ⅱ)의 페놀 포름 알데하이드 노볼락 에폭시 또는 구조식(Ⅲ)의 테트라 브로모 비스페놀에이 디글리시딜 에테르(DGEBA)형의 에폭시 수지를 100중량부로 사용하는 것이 바람직하다.Epoxy resin (A) used in the present invention is of the formula (I) to which ethylene oxide (-OCH 2 CH 2 CH 2- ) or propylene oxide (-OCH 2 CH 2 CH 2- ) is added to a conventional epoxy resin. Epoxy resin of bisphenol diglycidyl ether (DGEBA) type and phenol formaldehyde novolac epoxy of Formula (II) or tetrabromo bisphenol A diglycidyl ether of Formula (III) It is preferable to use by weight part.
또 본 발명에서 사용되는 실리콘 오일(Ⅳ)은의 반복 단위구조를 갖는 상온 액상형이 좋은데, 예를들면 디메틸 실리콘 오일이나 메틸 페닐 실리콘 오일로서 양 말단에 반응성기, 즉 아미노변성, 에폭시변성, 카르복실변성, 플루오르변성, 하이드록시변성, 메트켑토변성 또는 안하이드라이변성 실리콘 오일등을 사용할 수 있다.In addition, the silicone oil (IV) used in the present invention A normal temperature liquid type having a repeating unit structure of is preferable, for example, dimethyl silicone oil or methyl phenyl silicone oil, and reactive groups at both ends, that is, amino modification, epoxy modification, carboxy modification, fluorine modification, hydroxy modification, and methamto modification. Or an anhydride-modified silicone oil can be used.
상기 실리콘 오일은 에폭시 수지 100중량부에 대해 5 내지 50중량부를 사용하며, 특히 바람직하게는 10 내지 30중량부로 사용하는 것이 바람직하다.The silicone oil is used 5 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin, particularly preferably 10 to 30 parts by weight.
만일 사용 비율이 5중량부 미만의 경우에는 내습성, 내열충격성 및 저응력화에 효과가 충분하지 못하며 50중량부 이상일 때는 경화물 표면에 실리콘 오일이 부상하게 되어 봉지제가 오염되며 강도가 저하된다.If the use ratio is less than 5 parts by weight, the effect on moisture resistance, thermal shock resistance and low stress is not sufficient, and when it is 50 parts by weight or more, the silicone oil floats on the surface of the cured product, contaminating the encapsulant and lowering the strength.
또한 본 발명은 반도체 장치를 봉합하는데 사용되는 에폭시 수지 조성물을 제조하는데 있어서, (A) 에틸렌 옥사이드(-OCH2CH2-), 또는 프로필렌 옥사이드(O-CH2CH2CH2-)부가형 에폭시 수지 및 (B) 양말단에 반응기를 갖는 실리콘 오일을 헨켈믹서에서 100~150℃, 1000~3000rpm, 1~5시간 반응시키는 것을 특징으로 하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 제조방법에 관한 것이다.In addition, the present invention is to prepare an epoxy resin composition used to seal a semiconductor device, (A) ethylene oxide (-OCH 2 CH 2- ), or propylene oxide (O-CH 2 CH 2 CH 2- ) addition epoxy resin And (B) a method of producing an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, comprising reacting a silicone oil having a reactor at a sock end with a Henkel mixer at 100 to 150 ° C, 1000 to 3000 rpm, for 1 to 5 hours.
즉, 본 발명에서는 발명의 효과를 높이기 위해서 (가) 성분과 (나) 성분을 헨켈믹서를 사용하여 혼합가열하여 반응시키는데 일반 교반기(100rpm)를 사용하여 반응시켰을 때는 (가) 성분과 (나) 성분의 상용성 불량으로 균일한 분산이 곤란하여 충분히 저응력화된 봉지제의 제조가 불가능하다. (제1도 및 제2도 참조) 또한 만일 반응온도가 100℃이하 일때는 헨켈믹서의 부하가 커져 교반이 불가능해지며, 3000rpm이상에서는 교반이 너무 강해서 믹서내의 기벽에 반응물이 붙어 겔화되기 쉽고 1000rpm미만에서는 충분히 작고 균일한(평균 입경 1μm정도) 입자를 얻을 수 없게 된다.That is, in the present invention, in order to increase the effect of the invention (A) component and (B) component by mixing and heating using a Henkel mixer, when reacted using a general stirrer (100rpm) (A) component and (B) Uniform dispersion is difficult due to poor compatibility of the components, making it impossible to prepare a sufficiently low stress encapsulant. Also, if the reaction temperature is below 100 ℃, the load of the Henkel mixer becomes large and stirring is impossible, and above 3000rpm, the stirring is so strong that the reactant adheres to the base wall of the mixer and is easily gelled. Below, it becomes impossible to obtain particles that are sufficiently small and uniform (about 1 μm in average particle diameter).
충분한 저응력화 효과를 얻기 위해서는 분산된 실리콘 오일 입자 크기가 0.1μm~50μm인 것이 양호하며 0.5μm~10μm이 더욱 양호하다.In order to obtain a sufficient low stress effect, the dispersed silicone oil particle size is preferably 0.1 μm to 50 μm, and more preferably 0.5 μm to 10 μm.
그후 헨켈믹서를 사용하여 반응시킨 반응물에 경화제, 난연제, 무기충진제, 이형제, 착색제(카본블랙), 경화촉진제등을 혼합하고 가열로울러 가열히이터, 니어더 등으로 70~80℃에서 3~15분간 용융혼련하여 제조한다.After that, a curing agent, a flame retardant, an inorganic filler, a releasing agent, a coloring agent (carbon black), a curing accelerator, and the like are mixed with the reactants reacted using a Henkel mixer and melted for 3 to 15 minutes at 70 to 80 ° C with a heating heater or a near roller. It is prepared by kneading.
본 발명에서 사용한 경화제로는 페놀 수지를 사용했는데 경화제는 에폭시 경화물의 특성을 결정하는 중요한 요인이므로, 가공방법, 최종성형품의 크기, 형태 및 요구특성을 고려하여 선정해야 한다.Phenolic resin was used as the curing agent used in the present invention. Since the curing agent is an important factor in determining the properties of the epoxy cured product, the curing method should be selected in consideration of the processing method, the size, form and required characteristics of the final molded product.
페놀수지로는 페놀노볼락 수지가 가장 양호하며, 일반적으로 공지 되어 있는 페놀노볼락 수지이면 어떤 것이든지 적합하다. 경화제 배합량은 전체 봉지제 100중량부에 대하여 5~15중량부가 적합하다.As the phenol resin, phenol novolac resin is the best, and any phenol novolac resin generally known is suitable. 5-15 weight part is preferable with respect to 100 weight part of whole sealing agents.
본 발명에서는 HRJ(166, HRJ 2210, 미국 Schenectady사제품)과 BRN 556,557,558(일본 소화 유니온사 제품)을 사용했으며 경화촉진제로는 TPP(트리페놀 포스핀, 일본호크사 제품)와 DBU 818인 디아조바이씨클로-(5,4,0)-운데켄-7(일본 SanApro사 제품)을 사용했다. 첨가량은 전체 봉지제 100중량%에 대하여 0.1~1중량%가 적당하다.In the present invention, HRJ (166, HRJ 2210, manufactured by Schenectady, USA) and BRN 556,557,558 (manufactured by Japan Fire Union Co., Ltd.) were used as a curing accelerator. Bicyclo- (5,4,0) -Undeken-7 (manufactured by SanApro, Japan) was used. The amount of addition is preferably 0.1 to 1% by weight based on 100% by weight of the total sealing agent.
난연제는 전기 전자용 재료 사용이 과부하에 의한 연소 현상이 일어날 수 있으므로 사용하는데 본 발명에서는 Sb2O3(일본 주우사 제품)를 사용했으며 Patox-c(일보 니혼세이코사 제품), Sb2O3(일본 하야시퓨어사 제품), AN-800, AN-900, SR-700(일본 다이시 도쿄 세이야쿠사 제품)도 사용 가능하며 전체 봉지제 100중량부에 대하여 2~10중량부가 적당하다.Flame retardants are used because the electrical and electronic materials may cause combustion due to overload. In the present invention, Sb 2 O 3 (manufactured by Japan Chusa) is used, and Patox-c (manufactured by Nihon Seiko Co., Ltd.), Sb 2 O 3 (Made by Hayashi Pure Co., Ltd.), AN-800, AN-900, and SR-700 (made by Daishi Tokyo Seiyaku Co., Ltd.) are also available.
무기 충진제는 칼신드클레이(Calcined Clay) 알루미늄 트리 하이드레이트(aluminium trihydrate), 비정질 실리카, 알루미나, 용융실리카, 구상실라카, 결정실리카, 하이드로스클레어(hydrous clay) 탄산칼슘, 산화마그네슘, 황산바륨, 마이카, 탈크(talc)등이 사용 가능하다.Inorganic fillers include calcined clay, aluminum trihydrate, amorphous silica, alumina, fused silica, spheroidal silica, crystalline silica, hydrous clay calcium carbonate, magnesium oxide, barium sulfate, mica , Talc and the like can be used.
첨가량은 전체 봉지제 조성물 100중량부에 대하여 50~80중량부가 적당하다. 첨가량이 50중량부 이하인 경우는 경화물의 열팽창계수가 커져 불량품이 많아지며 80중량부 이상인 경우는 조성물의 유동성이 현저히 저하되어 가공성이 불량한 문제가 발생한다.50-80 weight part is suitable with respect to 100 weight part of whole sealing agent compositions. If the amount is 50 parts by weight or less, the coefficient of thermal expansion of the cured product is increased, resulting in a large amount of defective products. When the amount is 80 parts by weight or more, the fluidity of the composition is significantly lowered, resulting in poor workability.
결과적으로 상술한 조성범위를 산술하면, 상기 (가)의 에폭시 수지 및 (나)의 실리콘 오일은 상기 첨가제로 함유하는 최종 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 대해 10~20중량%로 구성되는 것이 바람직하다.As a result, when the above-described composition range is arithmetic, it is preferable that the epoxy resin of (a) and the silicone oil of (b) are composed of 10 to 20% by weight based on the epoxy resin composition for final semiconductor encapsulation containing the additive. .
본 발명은 하기 실시예 및 비교예를 통해 더욱 상세하게 설명하기로 한다. 그러나 하기 예들이 본 발명의 범주를 한정하는 것은 아니다.The present invention will be described in more detail with reference to the following examples and comparative examples. However, the following examples do not limit the scope of the present invention.
[실시예 1]Example 1
(가) 구조식(Ⅱ)와 같은 구조에서 A가 (-OCH2CH2-)n=1인 올소 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(연화온도 : 70℃, 에폭시 당량 240) 100중량부 (나) 양말단에 반응성기를 갖는 아미노 변성 디메틸 실리콘 오일(상품명 : X-22-161C, 점도(25℃) 72포이즈, 비중(25℃) 0.971, 당량 : 1940, 일본 ShinEtsu사 제품) 15중량부를 120℃에서 3000rpm으로 3시간 동안 헨켈믹서에서 혼합 가열하여 반응시킨 후 냉각하여 분쇄한 후 (다) 이를 15중량부 취하여 여기에 (라) 난연제 Sb2O3(상품명 : Sb2O3일본 주우사 제품) 2중량부 (마) 이형제로 카나바왁스(상품명 : 카나바왁스, 블라질 machado사 제품) 2중량부 (바) 무기 충진제(상품명 : Fuselex ZA-30, 일본 다스모리사 제품) 70중량부 (사) 착색제로 카본블랙 1중량부 (아) 경화제로 페놀수지(제품명 : HRJ 1166, 미국 Schenectady사 제품) 9중량부 (자) 경화촉진제로 DBU(상품명 : DBU, 일본 SanApro사 제품) 1중량부를 헨켈믹서에서 상온으로 혼합한 후 가열로울러(tworoll mill)에서 70℃로 3분간 밀링하여 미리경화시킨 후 분쇄하여 정제를 제조했다.(A) 100 parts by weight of an olso cresol novolac-type epoxy resin (softening temperature: 70 ° C., epoxy equivalent 240) in which A is (-OCH 2 CH 2- ) n = 1 in the structure shown in formula (II) However, 15 parts by weight of amino-modified dimethyl silicone oil having a reactive group (brand name: X-22-161C, viscosity (25 ° C) 72 poise, specific gravity (25 ° C) 0.971, equivalent weight: 1940, ShinEtsu Co., Ltd. Japan) is 3000rpm at 120 ° C. After mixing, heating and reacting in a Henkel mixer for 3 hours, the mixture was cooled and pulverized. (C) 15 parts by weight of this was added to (D) flame retardant Sb 2 O 3 (trade name: Sb 2 O 3 manufactured by JAPAN CO., LTD.) Part (e) 2 parts by weight of canava wax (trade name: product made by Canava wax, Blasil machado) (release) 70 parts by weight of inorganic filler (product name: Fuselex ZA-30, manufactured by Dasmori, Japan) 1 part by weight of carbon black as a coloring agent (h) 9 parts by weight of phenolic resin as a curing agent (product name: HRJ 1166, manufactured by Schenectady, USA) DBU (trade name: DBU, SanApro Japan Co., Ltd.) 1 part by weight was pre-cured by milling for 3 minutes in a 70 ℃ Henkel mixer at a heat roller (tworoll mill) were mixed at room temperature to produce a tablet by pulverization.
상기와 같이 제조된 조성물을 저압 트랜스퍼 성형기(175℃, 80kg/㎠, 120초)를 이용하여 표면에 PSG(인규산유리)막을 가지는 대형 펠릿 평가용 시료소자(8mm×8mm)를 봉합한다.The composition prepared as described above is sealed using a low pressure transfer molding machine (175 ° C., 80 kg / cm 2, 120 seconds) to seal a sample element (8 mm × 8 mm) for evaluation of a large pellet having a PSG (phosphate silicate) film on its surface.
이와 같이 얻어진 시료 소자에 대하여 내열충격성 및 내습성을 평가하기 위하여 열충격 시험(TCT) 및 내습열화시험(PCT)를 다음과 같이 실시한다.In order to evaluate the thermal shock resistance and moisture resistance of the sample element thus obtained, a thermal shock test (TCT) and a moisture deterioration test (PCT) are performed as follows.
1) 내열충격성1) Thermal shock resistance
-195℃, 210℃의 용액에 각각 30초씩 번갈아 침적시켜 칩 50개중 크랙이 발생한 칩수의 %% Of the number of cracked chips out of 50 chips that were alternately deposited for 30 seconds in -195 ℃ and 210 ℃ solutions, respectively.
2) P.C.T(내습열화시험)2) P.C.T (moisture deterioration test)
121℃×상대습도 100%에서 칩 50개중 알루미늄 와이어가 부식된 칩수.The number of chips with aluminum wire corroded in 50 chips at 121 ° C x 100% relative humidity.
또 금형오염성, 바이러스 PCT, 응력, 겔입자의 항목을 다음과 같이 실시한다.In addition, the items of mold contamination, virus PCT, stress, and gel particles are carried out as follows.
3) 금형오염성3) Mold contamination
몰드 세정없이 작업 가능한 성형횟수Number of moldings that can work without mold cleaning
4)바이어스 P.C.T4) Bias P.C.T
121℃×상대습도 100%에 DC 20V전압을 걸어 칩 50개중 알루미늄 와이어가 부식된 칩수The number of the chips which aluminum wire was corroded among 50 chips by applying DC 20V voltage to 121 degrees Celsius X relative humidity 100%
5) 응력5) stress
스틸링 방법에 의해 내경이 20mm, 두께 1mm, 높이 20mm인 스틸링을 사용하여 내벽에 게이지를 부착시킨 후 170℃, 75kg/㎠으로 10mm두께로 성형시킨 다음 25℃로 냉각시켜 스틸링의 변형정도를 측정.The steel ring is attached to the inner wall using a steel ring with an inner diameter of 20 mm, a thickness of 1 mm, and a height of 20 mm by the steel ring method, and then formed into a 10 mm thickness at 170 ° C. and 75 kg / cm 2 and then cooled to 25 ° C. to deform the steel ring. Measuring.
6) 겔입자6) gel particles
샘플 10g을 아세톤 50g과 함께 넣고 30분간 초음파 세척기를 통과시켜 60메쉬 체를 통과시킬때 통과하지 못하고 남아있는 겔입자의 mmg으로 3회 실시한 평균값.10 g of sample was added with 50 g of acetone and passed through an ultrasonic cleaner for 30 minutes and passed through 60 mesh sieves.
이와 같은 6개 항목에 대한 결과를 하기 표 1에 기재하였다.The results for these six items are listed in Table 1 below.
[실시예 2]Example 2
실시예 1에 있어서 (나)의 양말단에 반응성기를 갖는 아미노 변성 실리콘 오일 15중량부 대신 양말단에 반응성기를 갖는 카르복시변성 실리콘 오일(점도 : 25℃, 207포이즈, 비중(25℃) : 0.980, 당량 : 2330, 상품명 : X-22-162C, 일본 ShinEtsu사 제품) 15중량부를 사용하여 실시예 1과 동일한 조성과 방법으로 조성물을 제조하고 동일한 평가시험을 실시하여 이에 대한 결과를 표 1에 나타내었다.In Example 1 (B) carboxy modified silicone oil having a reactive group in the sock end instead of 15 parts by weight of the amino modified silicone oil having a reactive group in the sock end (viscosity: 25 ℃, 207 poise, specific gravity (25 ℃): 0.980, Equivalent weight: 2330, trade name: X-22-162C, manufactured by ShinEtsu Co., Ltd.) Using 15 parts by weight, a composition was prepared in the same composition and method as in Example 1, and the same evaluation test was carried out. The results are shown in Table 1 below. .
[실시예 3]Example 3
실시예 1에 있어서 (가)대신에 구조식(Ⅰ)에서 A가 프로필렌 옥사이드(OCH2CH2CH2)n=1이고 에폭시 당량이 450인 에폭시 수지를 100중량부 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조성과 방법으로 조성물을 제조하고 동일한 평가시험을 실시하여 이에 대한 결과를 표 1에 나타내었다.In Example 1, except that (a) in Example 1 except that 100 parts by weight of an epoxy resin in which A is propylene oxide (OCH 2 CH 2 CH 2 ) n = 1 and an epoxy equivalent of 450 is used in Structural Formula (I). The composition was prepared in the same composition and method as described above, and the same evaluation test was carried out.
[실시예 4]Example 4
실시예 1에 있어서 (바)의 무기충진제 70중량부 대신 75중량부를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조성과 방법으로 조성물을 제조하고 동일한 평가시험을 실시하여 이에 대한 결과를 표 1에 나타내었다.Except for using 75 parts by weight instead of 70 parts by weight of the inorganic filler in (1) was prepared in the same composition and method as in Example 1 and subjected to the same evaluation test and the results are shown in Table 1 It was.
[비교예 1]Comparative Example 1
실시예 1에 있어서 (가)대신 구조식 (Ⅱ)에서 A가 없는 통상의 올소 크레졸 노볼락 폴리글리시딜 에테르형 에폭시 수지(연화점 74℃, 에폭시 당량 205~230, 상품명 : EOCN-1025, 일본화약사제품)를 100중량부 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조성과 방법으로 조성물을 제조하고 동일한 평가시험을 실시하여 이에 대한 결과를 표 1에 나타내었다.In Example 1, instead of (A), an ordinary oxo cresol novolac polyglycidyl ether type epoxy resin without A in structural formula (II) (softening point 74 ° C, epoxy equivalent 205 to 230, trade name: EOCN-1025, Japanese painting) Except for using 100 parts by weight of a pharmacist product) was prepared in the same composition and method as in Example 1 and subjected to the same evaluation test are shown in Table 1 the results.
[비교예 2]Comparative Example 2
실시예 1에 있어서 (가)와 (나) 대신 구조식(Ⅱ)에서 A가 없는 통상의 올소 크레졸 노볼락 폴리 글리시딜 에테르형 에폭시 수지(연화점 740℃, 에폭시 당량 205~230, 상품명 : EOCN-1025, 일본 일본화약사제품) 15중량부를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조성과 방법으로 조성물을 제조하고 동일한 평가시험을 실시하여 이에 대한 결과를 표 1에 나타내었다.In Example 1, instead of (A) and (B), an ordinary oxo cresol novolac poly glycidyl ether type epoxy resin without A in structural formula (II) (softening point 740 ° C, epoxy equivalent 205 to 230, trade name: EOCN- 1025, manufactured by Nippon Kayaku Pharmaceutical Co., Ltd.), except that 15 parts by weight were used, the composition was prepared in the same composition and method as in Example 1, and the same evaluation test was carried out.
[표 1]TABLE 1
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 장치 봉합용 에폭시 수지 조성물은 높은 유리전이온도(Tg)를 유지하는 동시에 저탄성 및 내습성 내열 충격성이 우수하다.As described above, the epoxy resin composition for sealing a semiconductor device according to the present invention maintains a high glass transition temperature (Tg) and is excellent in low elasticity and moisture resistance heat shock resistance.
Claims (12)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019890020574A KR950006638B1 (en) | 1989-12-30 | 1989-12-30 | Epoxy resin composition for encapsulating semi-conductor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019890020574A KR950006638B1 (en) | 1989-12-30 | 1989-12-30 | Epoxy resin composition for encapsulating semi-conductor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910012054A KR910012054A (en) | 1991-08-07 |
KR950006638B1 true KR950006638B1 (en) | 1995-06-21 |
Family
ID=19294618
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
KR1019890020574A KR950006638B1 (en) | 1989-12-30 | 1989-12-30 | Epoxy resin composition for encapsulating semi-conductor |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR950006638B1 (en) |
-
1989
- 1989-12-30 KR KR1019890020574A patent/KR950006638B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR910012054A (en) | 1991-08-07 |
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