KR950006176B1 - Image sensor circuit - Google Patents

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KR950006176B1 KR1019920020661A KR920020661A KR950006176B1 KR 950006176 B1 KR950006176 B1 KR 950006176B1 KR 1019920020661 A KR1019920020661 A KR 1019920020661A KR 920020661 A KR920020661 A KR 920020661A KR 950006176 B1 KR950006176 B1 KR 950006176B1
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Abstract

The circuit exactly can detect image data without crossover phenomenon between data lines, between gate address lines and between gate address line and data line. It comprises: (i) an integrated element for data processing; (ii) an integrated element for drive; (iii) photo diodes (PD111-PD11N) (PD121-PD12N) ... (PD1N1-PD1MN); and (iv) switching elements (Q111-Q11N) (Q121-Q12N) ... (Q1N1-Q1MN).

Description

이미지 센서회로Image sensor circuit

제1도 및 제2도는 종래의 이미지 센서 회로도.1 and 2 are conventional image sensor circuit diagrams.

제3도는 본 발명의 이미지 센서 회로도.3 is an image sensor circuit diagram of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 데이타 처리용 집적소자 2 : 구동용 집적소자1: integrated device for data processing 2: integrated device for driving

DA11-DA1M: 데이타 신호 GA11-GA1N: 게이트 어드레스 신호DA 11 -DA 1M : data signal GA 11 -GA 1N : gate address signal

PD111-PD11N,PD121-PD12N,…,PD1M1-PD1MN: 포토 다이오드PD 111 -PD 11N , PD 121 -PD 12N ,. , PD 1M1 -PD 1MN : Photodiode

Q111-Q11N,Q121-Q12N,…,Q1M1-Q1MN: 스위칭소자Q 111 -Q 11N , Q 121 -Q 12N,. , Q 1M1 -Q 1MN : Switching element

본 발명은 팩시밀리에 있어서, 전송한 원고의 화상에서 반사되는 광을 수광하여 전기적인 신호로 변환 출력하는 이미지 센서회로에 관한 것으로 특히, 데이타 라인들간의 사이, 게이트 어드레스 라인들간의 사이 및 게이트 어드레스 라인과 데이타 라인의 사이에서 크로스 오버(Crossover) 현상이 발생됨이 없이 화상의 데이타들을 정확히 검출할 수 있는 이미지 센서회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image sensor circuit for receiving a light reflected from an image of a transmitted document and converting the light into an electrical signal. Particularly, among data lines, between gate address lines, and gate address lines And an image sensor circuit capable of accurately detecting data of an image without a crossover phenomenon occurring between the data line and the data line.

종래의 이미지 센서회로는 제1도에 도시된 바와같이, 일렬로 배열 설치되어 원고에서 반사된 광을 수광하는 다수개의 포토아이오드(PD11-PD1N) (PD21-PD2N)…(PDM1-PDMN)들은 N개씩 분리하여 M개의 단위 블록으로 구분하고, 각각의 포토 다이오드(PD11-PD1N) (PD21-PD2N)…(PDM1-PDMN)의 에노드에는 역바이어스 전원(B-)이 인가되게 하며, 캐소드는 TFT(Thin Film Transistor)스위칭 소자(Q11-Q1N) (Q21-Q2N)…(QM1-QMN)의 소스에 접속하여 각각의 블록의 스위칭소자(Q11-Q1N) (Q21-Q2N)…(QM1-QMN)의 게이트에 게이트 어드레스 신호(GA1)(GA2)…(GAM)가 공통 인가되게 접속하고, 스위칭소자(Q11,Q21,…QM1) (Q12,Q22,…,QM2)…(Q1N,Q2N,…QMN)의 드레인에서 데이타 신호(DA1)(DA2)…(DAN)가 출력되게 구성하였다.As shown in FIG. 1, a conventional image sensor circuit includes a plurality of photodiodes PD 11 -PD 1N (PD 21 -PD 2N ) arranged in a row to receive light reflected from an original. (PD M1 -PD MN ) are divided into N unit blocks by N and each photodiode PD 11 -PD 1N (PD 21 -PD 2N ). The reverse bias power source (B-) is applied to the anode of the (PD M1 -PD MN ), and the cathode is a thin film transistor (TFT) switching element (Q 11 -Q 1N ) (Q 21 -Q 2N ). (Q M1 -Q MN ) and the switching elements Q 11 -Q 1N (Q 21 -Q 2N ) of each block. (Q -Q M1 MN) gate the address signals (GA 1) (GA 2) to the gate of ... (GA M ) are connected in common, and switching elements Q 11 , Q 21 ,... Q M1 (Q 12 , Q 22 ,..., Q M2 ). Data signal DA 1 (DA 2 )... At the drain of (Q 1N , Q 2N ,... Q MN ). (DA N ) was configured to be output.

이와같이 구성된 종래의 이미지 센서회로는 포토 다이오드(PD11-PD1N) (PD21-PD2N)…(PDM1-PDMN)의 애노드에 역바이어스 전원(B-)이 인가된 상태에서 게이트 어드레스 신호(GA1)(GA2)…(GAM)가 순차적으로 인가됨에 따라 각 블록의 스위칭소자(Q11-Q1N)(Q21-Q2N)…(QM1-(QMN)가 순차적으로 동작되면서 블록별로 데이타 신호(DA1-DAN)를 출력하는 것으로서 먼저 게이트 어드레스 신호(GA1)에 따라 스위칭소자(Q11-Q1N)가 도통상태로 되고, 포토 다이오드(PD11-PD1N)의 수광신호가 스위칭소자(Q11-Q1N)를 통해 데이타 신호(DA1-DAN)로 출력되며, 다음에는 게이트 어드레스 신호(GA2)에 따라 스위칭소자(Q21-Q2N)가 도통상태로 되고, 포토 다이오드(PD21-PD2N)의 수광신호가 스위칭소자(Q21-Q2N)를 통해 데이타 신호(DA1-DAN)로 출력되며, 이러한 동작을 순차적으로 입력되는 게이트 어드레스 신호(GA1-GAM)에 따라 반복하여 1라인분의 데이타 신호를 1블록씩 모두 순차적으로 출력한후 다시 게이트 어드레스 신호(GA1-GAM)을 순차적으로 인가하여 다음 라인의 데이타 신호를 출력하는 동작을 반복한다.The conventional image sensor circuit configured as described above has a photodiode (PD 11 -PD 1N ) (PD 21 -PD 2N ). Gate address signal GA 1 (GA 2 )... With reverse bias power supply B- applied to the anodes of PD M1 -PD MN . (GA M ) is sequentially applied, switching elements Q 11 -Q 1N (Q 21 -Q 2N ) of each block. (Q M1- (Q MN ) operates sequentially and outputs data signals DA 1 -DA N for each block. First, the switching elements Q 11 -Q 1N are in a conductive state according to the gate address signal GA 1 . The light receiving signal of the photodiodes PD 11 -PD 1N is output as the data signals DA 1 -DA N through the switching elements Q 11 -Q 1N , and then to the gate address signal GA 2 . Accordingly, the switching elements Q 21 -Q 2N become conductive, and the light receiving signal of the photodiodes PD 21 -PD 2N is transferred to the data signals DA 1 -DA N through the switching elements Q 21 -Q 2N . The operation is repeated according to the gate address signals GA 1- GA M sequentially input, and the data signals for one line are sequentially output one block at a time, and then the gate address signals GA 1 -GA M are sequentially output. ) Is sequentially applied to output the data signal of the next line.

그러나 상기와 같은 종래의 이미지 센서회로는 A4크기의 용지에 8도트/mm일 경우에 스위칭소자에 연결된 데이타 라인들간의 크로스오버 현상과, 게이트 어드레스 라인과 데이타 라인들 사이의 크로스오버 현상이 약 20만개 정도 발생하고, 이중에서 데이타 라인들 사이의 크로스오버 현상은 약 2000개 정도로 데이타를 출력할 경우에 크로스토크 현상을 유발시켜 데이타의 신호레벨이 급격하게 낮아지며, 데이타 라인과 게이트 어드레스 라인간의 크로스오버 현상을 전하의 전송시간을 길게하여 데이타의 출력시간이 길어지게 되는 문제점이 있었다.However, in the conventional image sensor circuit as described above, the crossover between the data lines connected to the switching element and the crossover between the gate address line and the data lines are weak when the A 4 size paper is 8 dots / mm. 200,000 cases occur, and crossover between data lines causes crosstalk when data is output to about 2000, and the signal level of data is drastically lowered. There is a problem in that the over phenomenon increases the output time of data by lengthening the transfer time of charge.

그리고 독일의 지멘스(Siemens)사에서 개발 및 사용하고 있는 이미지 센서회로는 제2도에 도시된 바와 같이, 각 블록의 스위칭소자(Q11-Q1N) (Q21-Q2N)…(QM1-QMN)의 드레인을 각기 공통으로 접속하여 데이타신호(DA1)(DA2)…(DAM)를 출력하게 하고, 스위칭소자(Q11,Q21,…,QM1) (Q12,Q22,…QM2)…(Q1N,Q2N,…QMN)의 게이트에는 게이트 어드레스 신호(GA1)(GA2)…(GAN)가 인가되게 구성하였다.As shown in FIG. 2, the image sensor circuit developed and used by Siemens, Germany, has the switching elements Q 11 -Q 1N (Q 21 -Q 2N ). (Q -Q M1 MN) by connecting the drain of each of the common data signal (DA 1) (DA 2) ... Outputs DA M , and switches Q 11 , Q 21 ,..., Q M1 (Q 12 , Q 22 ,... Q M2 ). (Q 1N, Q 2N, ... Q MN) gate to the gate address signal (GA 1) (GA 2) of ... (GA N ) was configured to be applied.

이와같이 구성된 종래의 이미지 센서회로의 다른 예는 게이트 어드레스 신호(GA1)(GA2)…(GAN)에 따라 각 블록내의 스위칭소자(Q11,Q21,…,QM1) (Q12,Q22,…,QM2)…(Q1N,Q2N,…QMN)가 도통상태로 되어 데이타 신호(DA1,DA2,…DAM)를 출력하는 것으로서 게이트 어드레스 신호(GA1)에 따라 스위칭소자(Q11,Q21,…,QM1)가 도통상태로 되고, 포토 다이오드(PD11,PD21,…PDM1)의 수광신호가 스위칭소자(Q11,Q21,…QM1)를 통해 데이타 신호(DA1,DA2,…,DAM)로 출력되며, 다음에는 게이트 어드레스 신호(GA2)에 따라 스위칭소자(Q12,Q22,…QM2)가 도통 상태로 되고, 포토 다이오드(PD12,PD22,…PDM2)의 수광신호가 스위칭소자(Q12,Q22,…QM2)를 통해 데이타 신호(DA1,DA2,…DAM)로 출력되며, 이러한 동작을 순차적으로 입력되는 게이트 어드레스 신호(GA1-GAN)에 따라 반복하여 1라인분의 데이타 신호(DA1-DAM)를 출력한후 다시 게이트 어드레스 신호(GA1-GAN)에 따라 반복하여 1라인분의 데이타 신호(DA1-DAM)를 출력한후 다시 게이트 어드레스 신호(GA1-GAN)에 따라 다음라인의 데이타 신호(DA1-DAM)를 출력하는 것을 반복한다.Another example of the conventional image sensor circuit configured in this manner is a gate address signal GA 1 (GA 2 ). The switching elements Q 11 , Q 21 ,..., Q M1 in each block according to (GA N ) (Q 12 , Q 22 ,..., Q M2 ). (Q 1N , Q 2N ,... Q MN ) is in a conductive state and outputs data signals DA 1, DA 2 ,... DA M , and according to the gate address signal GA 1 , switching elements Q 11 , Q 21. , ..., a Q M1) and in a conductive state, a photodiode (PD 11, PD 21, ... PD M1) data signal (DA 1 the received signal through a switching element (Q 11, Q 21, ... Q M1) of, DA 2 ,..., DA M ), and then switching elements Q 12 , Q 22 ,... Q M2 become conductive according to the gate address signal GA 2 , and photodiodes PD 12 , PD 22. The received signal of the PD M2 is output to the data signals DA 1 , DA 2 , DA M through the switching elements Q 12 , Q 22 , Q M2 , and the gate address sequentially inputs these operations. Repeats the signal GA 1 -GA N to output one line of data signal DA 1 -DA M , and then repeats the output signal of the one line signal based on the gate address signal GA 1 -GA N. After outputting (DA 1- DA M ) The data signal DA 1 -DA M of the next line is repeated according to the gate address signals GA 1 -GA N.

그러나 상기한 종래의 이미지 선세회로의 다른 예는 데이타 라인간의 크로스오버 현상을 제거하여 크로스토크 현상의 발생을 많이 제거할 수 있으나 데이타 라인과 게이트 어드레스 라인의 사이 및 게이트 어드레스 라인들간의 사이에는 여전히 크로스 오버현상이 존재하여 크로스토크 현상이 발생하는 문제점이 있었다.However, another example of the conventional image predecessor circuit can eliminate the crosstalk phenomenon by eliminating the crossover phenomenon between the data lines, but still cross between the data line and the gate address line and between the gate address lines. There was a problem that the cross-talk phenomenon occurs because of the over phenomenon.

본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점들을 해결하기 위하여 창안한 것으로서, 각각의 수광블록의 스위칭소자의 드레인은 공통 접속하여 수광블록이 각기 하나의 데이타 신호를 출력하고 하고, 수광블록의 첫번째 스위칭 소자의 게이트부터 마지막 스위칭 소자의 게이트를 인접된 전,후의 수광블록의 마지막 스위칭소자의 게이트부터 첫번째 스위칭 소자의 게이트에 순차적으로 접속하여 데이타 라인들간의 사이, 게이트어드레스 라인들간의 사이 및 게이트 어드레스 라인과 데이타 라인의 사이에서 크로스오버 현상이 발생됨이 없이 화상의 데이타들을 정확히 검출할 수 있도록 하는 이미지 센서회로를 제공하는데 그 목적이 있는 것으로 이를 첨부된 제3도의 도면을 참조하여 상세히 설명한다.The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems. The drains of the switching elements of each light receiving block are commonly connected to each other so that the light receiving blocks output one data signal, and the first switching element of the light receiving block. The gates of the last switching element from the gate of the last switching element are sequentially connected from the gates of the last switching element of the adjacent light receiving block to the gates of the first switching element, and between the data lines, between the gate address lines and between the gate address lines and It is an object of the present invention to provide an image sensor circuit capable of accurately detecting data of an image without crossover between data lines, which will be described in detail with reference to the accompanying drawings of FIG.

제3도는 본 발명의 이미지 센서회로도로서 이에 도시된 바와같이, 일렬로 배열 설치되어 원고의 반사광을 수광하는 포토 다이오드(PD111-PD11N) (PD121-PD12N)…(PD1M1-PD1MN)의 애노드에 역바이어스 전원(B-)이 인가되게 접속되고, 캐소드는 스위칭소자(Q111-Q11N) (Q121-Q12N)…(Q1M1-Q1MN)의 드레인에 각기 접속하여 단위블록으로 수광블록(11-1M)을 형성하고, 각각의 수광블록(11-1M)의 스위칭소자(Q111-Q11N) (Q121-Q12N)…(Q1M1-Q1MN)의 드레인을 각기 공통접속하여 데이타 처리용 집적소자(1)로 데이타 신호(DA11) (DA12)…(DA1M)를 출력하게 하고, 각각의 수광블록(11-1M)의 첫번째 스위칭소자(PD111) (PD121)…(PD1M1)의 마지막 스위칭소자(PD11N) (PD12N)…(PD1MN)의 게이트를 인접된 수광블록(11-1M)의 마지막 스위칭소자(PD11N) (PD12N)…(PD1MN)의 게이트부터 첫번째 스위칭소자(PD111) (PD121)…(PD1M1)의 게이트에 순차적으로 공통 접속하여 구동용 집적소자(2)에서 출력되는 게이트 어드레스 신호(GA11) (GA12)…(GA1N)가 인가되게 구성하였다.The third turn as illustrated In an image sensor circuit of the present invention, are arranged in a line installing the photodiode (PD PD 111- 11N) for receiving the reflected light of the document (PD 121 -PD 12N) ... (PD 1M1 -PD 1MN) is connected to be applied with a reverse bias power supply (B-) of the anode, the cathode has a switching element (Q 111 -Q 11N) (Q 121 -Q 12N) ... A switching element (Q 111 -Q 11N) of the light-receiving block (11-1M), and each of the drain respectively connected to form a light-receiving block (11-1M) into unit blocks (Q 1M1 -Q 1MN) (Q 121 - Q 12N )…. The drains of the Q 1M1 to Q 1MN are connected in common to the data processing integrated device 1 and the data signal DA 11 (DA 12 ). Outputs DA 1M , and the first switching element PD 111 (PD 121 ) of each light receiving block 11-1M. Finally the switching device (PD 11N) (PD 12N) of (PD 1M1) ... The gate of the PD 1MN is connected to the last switching element PD 11N PD 12N of the adjacent light receiving block 11-1M. First switching element PD 111 (PD 121 ) from the gate of PD 1MN . Gate address signals GA 11 (GA 12 )... Outputted from the driving integrated element 2 by sequentially common connection to the gates of the PD 1M1 . (GA 1N ) was configured to be applied.

이와같이 구성된 본 발명의 이미지 센서회로는 전원(B-)이 인가된 상태에서 구동용 집적소자(2)가 순차적으로 출력하는 게이트 어드레스 신호(GA11) (GA12)…(GA1N)에 따라 수광블록(11-1M)의 스위칭소자(Q111-Q11N) (Q121-Q12N)…(Q1M1-Q1MN)중에서 하나가 선택적으로 도통상태로 되면서 각기 데이타 신호(DA11-DA1M)를 출력하여 데이타 처리용 집적소자(1)로 입력되는 것으로 먼저 구동용 집적소자(2)가 게이트 어드레스 신호(GA11)를 출력할 경우에 스위칭소자(Q111) (Q12N) (Q131)…(Q1MN)가 도통상태로 되고, 포토다이오드(PD111) (PD12N) (PD131)…(PD1MN)의 수광신호가 스위칭 소자(Q111) (Q12N) (Q131)…(Q1MN)를 통해 데이타 신호(DA11-DA1M)로 출력되어 데이타 처리용 집적소자(1)에 입력되고, 게이트 어드레스 신호(GA12)를 출력할 경우에 스위칭 소자(Q112) (Q12N-1) (Q132)…(Q1MN-1)가 도통상태로 되면서 포토 다이오드(PD112) (PD12N-1) (PD132)…(PD1MN-1)의 수광신호가 스위칭 소자(Q112) (Q12N-1) (Q132)…(Q1MN-1)를 통해 데이타 신호(DA11-DA1M)로 출력되어 데이타 처리용 집적소자(1)에 입력되며, 이러한 동작을 순차적으로 출력하는 게이트 어드레스 신호(GA11-GA1N)에 따라 수행하여 1라인분의 데이타 신호(DA11-DA1M)를 출력한후 다시 게이트 어드레스 신호(GA11-GA1N)에 따라 반복하여 다음 라인의 데이타 신호(DA11-DA1M)를 출력하는 것을 반복한다.The image sensor circuit of the present invention configured as described above has the gate address signals GA 11 (GA 12 )... Which are sequentially outputted from the driving integrated device 2 in the state where the power supply B- is applied. A switching element (Q 111 -Q 11N) (Q 121 -Q 12N) of the light-receiving block (11-1M) in accordance with the (GA 1N) ... One of (Q 1M1 -Q 1MN ) is selectively in a conductive state, and outputs data signals DA 11 -DA 1M to be input to the data processing integrated device 1. Switching element Q 111 (Q 12N ) Q 131 ... When outputting gate address signal GA 11 . Q 1 MN is brought into a conductive state and the photodiodes PD 111 (PD 12N ) (PD 131 ). The light receiving signal of the PD 1MN is the switching element Q 111 Q 12 N Q 131 . A switching element Q 112 (Q) is outputted as a data signal DA 11 -DA 1M through Q 1MN and input to the data processing integrated device 1, and outputs a gate address signal GA 12 . 12N-1 ) (Q 132 )... Q 1 MN-1 becomes conductive and the photodiode PD 112 (PD 12N-1 ) (PD 132 ). The light receiving signal of the PD 1MN-1 is the switching element Q 112 Q 12N-1 Q 132 . The data is output as the data signals DA 11 -DA 1M through Q 1MN-1 and input to the data processing integrated device 1, and the gate address signals GA 11- GA 1N sequentially output such operations. After outputting the data signal DA 11 -DA 1M for one line and repeating the output according to the gate address signal GA 11 -GA 1N , the data signal DA 11 -DA 1M is outputted. Repeat that.

이러한 본 발명의 이미지 센서회로는 각각의 수광블록의 스위칭소자의 드레인은 공통 접속하여 수광블록이 각기 하나의 데이타 신호를 출력하게 하고, 수광블록의 첫번째 스위칭 소자의 게이트 부터 마지막 스위칭 소자의 게이트를 인접한 전, 후의 수광블록의 마지막 스위칭 소자의 게이트부터 첫번째 스위칭 소자의 게이트에 순차적으로 접속함으로써 데이타 라인들간의 사이, 게이트 어드레스 라인들간의 사이 및 게이트 어드레스 라인과 데이타 라인의 사이에서 크로스오버 현상이 발생됨이 없이 화상의 데이타들을 정확히 검출할 수 있다.In the image sensor circuit of the present invention, the drains of the switching elements of each light receiving block are connected in common so that each of the light receiving blocks outputs one data signal, and the gates of the last switching element are adjacent to the gates of the first switching element of the light receiving block. By sequentially connecting the gates of the last switching element to the gates of the first switching element of the light receiving block before and after, a crossover phenomenon occurs between data lines, between gate address lines, and between gate address lines and data lines. The data of the image can be detected accurately without.

Claims (1)

일렬로 배열 설치되어 원고의 반사광을 수광하는 포토 다이오드(PD111-PD11N) (PD121-PD12N)…(PD1N1-PD1MN)의 애노드에 역바이어스 전원(B-)이 인가되게 접속하고, 캐소드는 스위칭소자(Q111-Q11N) (Q121-Q12N)…(Q1M1-Q1MN)의 드레인에 각기 접속하여 단위블록으로 수광블록(11-1M)을 형성하고, 각각의 수광블록(11-1M)의 스위칭소자(Q111-Q11M) (Q121-Q12N)…(Q1M1-Q1MN)의 드레인을 각기 공통 접속하여 데이타 처리용 집적소자(1)로 데이타 신호(DA11) (DA12)…(DA1M)를 출력하게 하고, 각각의 수광블록(11-1M)의 첫번째 스위칭소자(PD111) (PD121)…(PD1M1)의 게이트부터 마지막 스위칭소자(PD11N) (PD12N)…(PD1MN)의 게이트를 인접된 수광블록(11-1M)의 마지막 스위칭소자(PD11N) (PD12N)…(PD1MN)의 게이트부터 첫번째 스위칭소자(PD111) (PD121)…(PD1M1)의 게이트에 순차적으로 공통 접속하여 구동용 집적소자(2)에서 출력되는 게이트 어드레스 신호(GA11) (GA12)…(GA1N)가 인가되게 구성함을 특징으로 하는 이미지 센서회로.Photo diodes (PD 111 -PD 11N ) (PD 121 -PD 12N ) arranged in a line to receive the reflected light of the document. (PD 1N1 -PD 1MN) anode reverse bias power supply (B-) it is to be connected to this, and the cathode is a switching element (Q 111 -Q 11N) (Q 121 -Q 12N) ... A switching element (Q 111 -Q 11M) of each light-receiving block (11-1M) respectively connected to the drain to form a light-receiving block (11-1M) to the unit block and the (Q 1M1 -Q 1MN) (Q 121 - Q 12N )…. The drains of the Q 1M1 to Q 1MN are connected in common to the data processing integrated device 1 and the data signal DA 11 (DA 12 ). Outputs DA 1M , and the first switching element PD 111 (PD 121 ) of each light receiving block 11-1M. ... Last switching element PD 11N PD 12N from gate of PD 1M1 . The gate of the PD 1MN is connected to the last switching element PD 11N PD 12N of the adjacent light receiving block 11-1M. First switching element PD 111 (PD 121 ) from the gate of PD 1MN . Gate address signals GA 11 (GA 12 )... Outputted from the driving integrated element 2 by sequentially common connection to the gates of the PD 1M1 . (GA 1N ) is configured to be applied to the image sensor circuit.
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