KR950001133Y1 - Input/output converting circuit of sensor controller - Google Patents

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Abstract

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Description

센서콘트롤러의 입출력전환회로I / O switching circuit of sensor controller

제1도는 본 고안의 실시예에 관한 센서콘트롤러의 입출력전환회로를 도시해 놓은 전체 회로 구성도.1 is an overall circuit diagram showing an input / output switching circuit of a sensor controller according to an embodiment of the present invention.

제2도는 제1도의 NPN 입력일 때 동작 논리를 설명하기 위해 분리 구성한 회로도.2 is a circuit diagram separately configured to explain the operation logic when the NPN input of FIG.

제3도는 제1도의 PNP 입력일 때 동작 논리를 설명하기 위해 분리 구성한 회로도이다.3 is a circuit diagram separately configured to explain the operation logic when the PNP input of FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 센서 2 : 부하1: sensor 2: load

OGI : 전압레귤레이터 BD1 : 복합전류소자OGI: Voltage Regulator BD1: Complex Current Device

T1 : 트랜스포머 RY1,RT11,R12 : 릴레이T1: Transformer RY1, RT11, R12: Relay

LED1 : 발광다이오드 Q1,Q11,Q21 : 트랜지스터LED1: Light emitting diodes Q1, Q11, Q21: Transistor

G1-G4 : 낸드게이트 G12-G14 : 인버터G1-G4: NANDGATE G12-G14: Inverter

SW1-SW6 : 각종 스위치SW1-SW6: Various Switches

본 고안은 NPN, PNP 입출력 전환회로인 센서콘트롤러의 입출전환회로에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 각종 센서의 출력 형태를 달리하고 있는 PNP 및 NPN 트랜지스터 출력형을 1개의 센서콜트롤러의 앰프로서 센서출력형태(PNP 출력, NPN출력)에 관계없이 간단한 스위치 조작으로 입출력 전환이 가능하도록 된 센서콘트롤러의 입출력 전환회로에 관한 것이다.The present invention relates to an input / output switching circuit of a sensor controller, which is an NPN, PNP input / output switching circuit. More specifically, the sensor output is a PNP and NPN transistor output type having a different output form of various sensors as an amplifier of one sensor controller. Regardless of the type (PNP output, NPN output), the present invention relates to an input / output switching circuit of a sensor controller that enables input / output switching by simple switch operation.

현재, 반도체와 전자기술이 급진적으로 발전됨에 따라 전자 및 전기제품등이 다기능화 및 소형화되고 있고, 수동 및 능동 소자는 소형화되면서 산업자동화에 활용되는 각종 센서 또한 소형화로 이루어지고 있는 실정이다.At present, as semiconductors and electronic technologies are radically developed, electronic and electric products are becoming multifunctional and miniaturized. Passive and active devices are miniaturized, and various sensors used for industrial automation are also miniaturized.

즉, 센서에서 얻어지는 출력은 아주 적은 전류 또는 전압이기 때문에, 자동화회로에 필요한 릴레이부하접속을 바로 할 수 없기 때문에 센서 콘트롤러앰프를 이용하여 증폭된 부하를 각종 자동화에 적용하고 있다.In other words, since the output obtained from the sensor is very small current or voltage, relay load connection required for the automation circuit cannot be directly made, and thus the amplified load is applied to various automations using the sensor controller amplifier.

그러나, 종래의 제어기기에 있어서는 PNP 트랜지스터형 또는 NPN트랜지스터형 센서출력의 형태에 따라 2종류의 입력회로로 제작하여 사용해야 한다는 불편한 점이 많았다.However, in the conventional controller device, there are many inconveniences in that two types of input circuits must be manufactured and used according to the type of PNP transistor type or NPN transistor type sensor output.

따라서, 종래의 PNP형 센서 콘트롤러앰프와 NPN형 센서 콘트롤러앰프를 출력 형태에 따라 각각 별도로 제작해야 한다는 결점이 있었고, 또한 종래의 겸용방식으로는 회로 구성의 복잡성으로 인하여 원가상승이 되어 경제성이 떨어졌다.Therefore, the conventional PNP type sensor controller amplifier and NPN type sensor controller amplifier have to be manufactured separately according to the output type, and in the conventional combined method, the cost is increased due to the complexity of the circuit configuration and the economic efficiency is lowered. .

본 고안의 상기와 같은 결점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 센서의 출력 형태인 PNP 트랜지스터 출력이나 NPN트랜지스터 출력에 관계없이 1개의 센서콘트롤러앰프로 사용할 수 있도록 1개의 스위치 셀렉터에 따라 출력 트랜지스터를 턴 온 시켜주는 반도체 논리를 이용하여 간단히 회로를 구성함으로써 센서출력에 맞게 신호를 대응할 수 있는 센서콘트롤러의 입출력 전환회로를 제공함에 그 목적이 있다.In order to solve the above drawbacks of the present invention, the output transistor is turned on according to one switch selector so that it can be used as one sensor controller amplifier irrespective of the PNP transistor output or NPN transistor output which is the output form of the sensor. The purpose is to provide an input / output switching circuit of a sensor controller that can respond to a signal according to a sensor output by simply constructing a circuit using the semiconductor logic.

상기 목적을 달성하기 위한 본 고안의 입출력 전환회로는, 각종 센서(1)의 출력을 선택하는 전환용 스위치(SW2)와, 낸드게이트(G1-G4)에 의해 출력을 턴온시켜 주는 논리셀렉터, 상기 트랜지스터(Q1)가 턴 온됨에 따라 각기 통전되는 발광 다이오드(LED1)와 릴레이(RY1)로 구성된 것을 특징으로 한다.An input / output switching circuit of the present invention for achieving the above object includes a switch SW2 for selecting outputs of various sensors 1 and a logic selector for turning on the output by NAND gates G1-G4. As the transistor Q1 is turned on, each of the light emitting diodes LED1 and the relay RY1 is energized.

이하 본 고안의 실시예를 예시도면에 의거 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1도는 본 고안의 실시예에 관한 입출력 전환회로를 도시해 놓은 것으로, 2극 전환용스위치(SW2)로 입력되는 센서(1)의 PNP 또는 NPN트랜지스터형의 부하회로에 맞게 저항(R5)일측을 PNP트랜지스터 출력일 경우 -전원에 연결시키는 한편 NPN트랜지스터일 경우 +전원에 연결시키도록 되어 있다. 또 상기 저항(R5)의 일측에 다른 저항(R6)이 설치되어 있어 상기 센서(1)의 출력의 동작시 입력되는 신호가 전환용스위치(SW2)의 접속상태에 따라 PNP트랜지스터형 출력일 때 하이레벨로, NPN트랜지스터형 출력일 때 로우레벨과 각각 입력된다.1 shows an input / output switching circuit according to an embodiment of the present invention, and one side of the resistor R5 in accordance with a PNP or NPN transistor type load circuit of the sensor 1 input to the two-pole switching switch SW2. In case of PNP transistor output, it is connected to-power and in case of NPN transistor, it is connected to + power. Another resistor R6 is provided on one side of the resistor R5 so that when the signal input during the operation of the output of the sensor 1 is a PNP transistor type output according to the connection state of the switching switch SW2, As the level, it is input low and respectively when it is NPN transistor type output.

먼저, 전환용 스위치(SW)의 접점이 PNP출력일 때 하이레벨이 낸드게이트(G1)의 입력단과 낸드게이트(G4)의 한 입력단에 각기 공급되고, 한편으로 저항(R4)을 통한 로우레벨이 낸드게이트(G3)의 입력단과 낸드게이트(G2)의 한 입력단에 각기 공급된다. 상기 낸드게이트(G1)의 출력이 로우레벨로서 낸드게이트(G2)의 다른 입력단에, 상기 낸드게이트(G3)의 출력이 하이레벨로서 낸드게이트(G4)의 다른입력단에 각기 공급됨으로, 상기 낸드게이트(G2)의 출력이 하이레벨로, 다른 낸드게이트(G4)의 출력이 로우레벨로 각각의 저항(R1,R2)을 통해 출력 트랜지스터(Q1)의 베어스에 공급된다.First, when the contact point of the switching switch SW is a PNP output, a high level is supplied to one input terminal of the NAND gate G1 and one input terminal of the NAND gate G4, and a low level through the resistor R4 is supplied. The input terminal of the NAND gate G3 and the one input terminal of the NAND gate G2 are respectively supplied. The output of the NAND gate G1 is supplied to the other input terminal of the NAND gate G2 at low level, and the output of the NAND gate G3 is supplied to the other input terminal of the NAND gate G4 at high level, respectively. The output of G2 is at a high level, and the output of another NAND gate G4 is supplied at a low level to the bears of the output transistor Q1 through the respective resistors R1 and R2.

상기 트랜지스터(Q1)가 턴 온됨에 따라 정전압 레귤레이터(OGI)로 공급되는 DC12V의 Vcc전압이 발광 다이오드(LDE1)와 릴레이(RY1)을 각각 통전시켜 주게 되고, 상기 릴레이(RY1)의 통전 상태에 따라 스위치 접점이 변경되어 상기 스위치접점측의 부하(2)가 동작된다. 여기서 상기 정전압레귤레이터(OGI)에는 콘덴서(C1)를 매개로 복합전류소자(BD1)가 접속되고, 이 복합 전류소자(BD1)에는 트랜스포머(T1)를 매개로 110/220 전환스위치(SW1)가 접속되어 AC 110V/220V를 공급받게 된다.As the transistor Q1 is turned on, a Vcc voltage of 12 V DC supplied to the constant voltage regulator OGI energizes the light emitting diode LDE1 and the relay RY1, and according to the energization state of the relay RY1. The switch contact is changed to operate the load 2 on the switch contact side. Here, the complex current element BD1 is connected to the constant voltage regulator OGI via a capacitor C1, and the 110/220 switching switch SW1 is connected to the complex current element BD1 via a transformer T1. AC 110V / 220V is supplied.

한편, 전환용 스위치(SW2)의 접점이 NPN일 때 로우레벨이 낸드게이트(G1)의 입력단과 다른 낸드게이트(G4)의 한 입력단에 각기 공급되는 한편, 저항(R4)를 통한 하이레벨이 낸드게이트(G3)의 입력단과 다른 낸드게이트(G2)의 한 입력단에 각기 공급된다.On the other hand, when the contact point of the switch SW2 is NPN, the low level is supplied to the input terminal of the NAND gate G1 and one input terminal of the other NAND gate G4, respectively, while the high level through the resistor R4 is NAND. The input terminal of the gate G3 and the one input terminal of the other NAND gate G2 are respectively supplied.

상기 낸드게이트(G1)의 출력이 하이레벨로서 낸드게이트(G2)의 다른 입력단에, 상기 낸드게이트(G3)의 출력이 로우레벨로 낸드게이트(G4)의 다른 입력단에 각기 공급됨으로, 상기 낸드게이트(G2)의 출력이 로우레벨로, 다른 낸드게이트(G4)의 출력이 하이레벨로 각각의 저항(R1,R2)을 통해 출력 트랜지스터(Q1)의 베이스에 공급된다.The output of the NAND gate G1 is supplied to the other input terminal of the NAND gate G2 as the high level, and the output of the NAND gate G3 is supplied to the other input terminal of the NAND gate G4 at the low level, respectively. The output of G2 is at a low level, and the output of another NAND gate G4 is supplied at a high level to the base of the output transistor Q1 through the respective resistors R1 and R2.

이로부터 상기 출력 트랜지스터(Q1)가 턴 온됨에 따라 정전압 레귤레이터(OGI)로 공급되는 DC12V의 Vcc전압이 발광 다이오드(LED1)와 릴레이(RY1)를 각각 통전시켜 주게 되고, 상기 릴레이(RY1)의 통전상태에 따라 스위치 접점이 변경되어 스위치접점측의 부하(2)가 작동된다.As the output transistor Q1 is turned on, the Vcc voltage of DC12V supplied to the constant voltage regulator OGI energizes the light emitting diode LED1 and the relay RY1, respectively, and energizes the relay RY1. The switch contact is changed according to the state so that the load 2 on the switch contact side is activated.

제2도는 제1도는 NPN입력일때 동작 논리를 설명하기 위해 분리 구성한 등가 회로도로서, 센서(1)의 출력형태가 NPN트랜지스터로 스위치(SW3)를 온 시키면 +Vcc전압이 저항(R6)을 통해 논리 셀렉터의 스위치(SW4)를 온 시킨다. 이때 상기 스위치(SW4)를 통해 인가된 +Vcc 전압은 저항(R15,R14)를 통해 논리 셀렉터의 인버터(G13)에 공급됨으로 NPN입력을 받을 수 있는 조건이 구성된다.FIG. 2 is an equivalent circuit diagram separately configured to explain the operation logic when the NPN input is applied. When the output form of the sensor 1 is turned on with the NPN transistor, the switch SW3 is turned on, and the + Vcc voltage is driven through the resistor R6. Turn the selector switch SW4 on. At this time, the + Vcc voltage applied through the switch SW4 is supplied to the inverter G13 of the logic selector through the resistors R15 and R14, so that a condition for receiving the NPN input is configured.

따라서, 논리 셀렉터의 인버터(G13,G14)를 통한 출력신호가 로우 레벨로서 온 상태의 스위치(SW4)와 저항(R12)을 통해 출력 트랜지스터(Q11)의 베이스에 공급되고, 이로부터 상기 출력 트랜지스터(Q11)가 턴온 됨에 따라 릴레이(RY11)가 통전되어 제1도에 도시된 바와 같이 부하를 동작시키게 된다.Therefore, the output signal through the inverters G13 and G14 of the logic selector is supplied to the base of the output transistor Q11 through the switch SW4 and the resistor R12 in the on state as the low level, and from there the output transistor ( As Q11) is turned on, the relay RY11 is energized to operate the load as shown in FIG.

제3도는 제1도의 PNP입력일때 동작 논리를 설명하기 위해 분리 구성한 등가 회로도로서, 센서(1)의 출력형태가 PNP트랜지스터로 스위치(SW6)를 온 시키면 저항(R26)을 통해 논리 셀렉터의 스위치(SW5)를 온 시킨다.FIG. 3 is an equivalent circuit diagram separately configured to explain the operation logic when the PNP input of FIG. 1 is used. When the output type of the sensor 1 turns on the switch SW6 with the PNP transistor, the switch of the logic selector SW5) is turned on.

이때 스위치(SW6)을 통해 인가된 전압이 저항(R25,T24)를 통해 논리 셀렉터의 인버터(G12)에 공급됨으로 PNP입력을 받을 수 있도록 회로 구성이 된다.At this time, the voltage applied through the switch SW6 is supplied to the inverter G12 of the logic selector through the resistors R25 and T24 so that the PNP input can be received.

따라서, 논리 셀렉터의 인버터(G12)를 통한 출력신호가 로우 레벨로서 온상태의 스위치(SW5)와 저항(R21)을 통해 출력트랜지스터(Q21)의 베이스에 공급되고, 이로부터 상기 출력트랜지스터(Q21)가 턴 온 됨에 따라 릴레이(RY12)가 통전되어 도시되지 않는 부하를 작동시키게 된다.Therefore, the output signal through the inverter G12 of the logic selector is supplied to the base of the output transistor Q21 through the switch SW5 and the resistor R21 in an on state at a low level, and from there the output transistor Q21 is provided. As it is turned on, the relay RY12 is energized to operate a load (not shown).

이상 설명한 바와 같이 본 고안에 의하면, 센서의 출력형태인 PNP트랜지스터 출력이나 NPN트랜지스터 출력에 관계없이 1개의 센서콘트롤러앰프로 사용할 수 있도록 스위치 셀렉터에 따라 출력 트랜지스터를 턴 온 시켜 주는 논리 셀렉터를 간단히 회로 구성함으로 센서출력에 맞게 신호를 대응할 수 있는 센서 콘트롤러의 입출력 전환회로를 제공할 수 있다.As described above, according to the present invention, a logic selector for turning on an output transistor according to a switch selector can be used simply as a sensor controller amplifier regardless of a PNP transistor output or an NPN transistor output which is an output form of a sensor. Therefore, it is possible to provide an input / output switching circuit of a sensor controller that can respond to a signal according to a sensor output.

Claims (3)

센서(1), 부하(2), 정전압 레귤레이터(OGI), 복합전류소자(BD1), 트랜스포머(T1) 및 110/220 전환스위치(SW1)로 구성되는 센서콘트롤러에 있어서, 상기 센서(1)의 출력에 전환용스위치(SW2)를 통해 각각의 저항(R5,R6)이 연결되고, 상기 저항(R5)에 저항(R4)과 콘덴서(C3)을 통해 낸드게이트(G3)의 입력단과 낸드게이트(G2)의 한입력단과 각기 연결되며, 상기저항(R6)에 낸드게이트(G1)의 입력단과 낸드게이(G4)의 한입력단이 각기 연결되고, 상기 낸드게이트(G1)의 출력이 낸드게이트(G2)의 다른입력단에, 상기 낸드게이(G3)의 출력이 낸드게이(G4)의 다른입력단에 각기 연결되며, 상기 낸드게이(G2,G4)의 출력이 저항(R1,R2)을 통해 출력트랜지스터(Q1)에 연결되고, 상기 복합전류소자(BD1)에 접속된 출력트랜지스터(Q1)에 저항(R3)을 통한 발광다이오드(LED1)와 릴레이(R1)가 각기 연결된 것을 특징으로 하는 센서콘트롤러의 입출력전환회로.A sensor controller comprising a sensor (1), a load (2), a constant voltage regulator (OGI), a composite current element (BD1), a transformer (T1), and a 110/220 selector switch (SW1), The resistors R5 and R6 are connected to the output through the switch SW2, and the input terminal and the NAND gate of the NAND gate G3 are connected to the resistor R5 through the resistor R4 and the capacitor C3. One input terminal of G2) is connected to each other, and an input terminal of NAND gate G1 and one input terminal of NAND gate G4 are respectively connected to the resistor R6, and an output of the NAND gate G1 is connected to the NAND gate G2. At the other input terminal of the NAND, the output of the NAND gay G3 is connected to the other input terminal of the NAND gay G4, respectively, and the outputs of the NAND gays G2 and G4 are output through the resistors R1 and R2. Q1) connected to the output transistor Q1 connected to the composite current device BD1 and the light emitting diode LED1 through the resistor R3 and the relay R1 are respectively connected to each other. Input / output switching circuit of the sensor controller, characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 센서(1)와 출력트랜지스터(Q11)사이에는 스위치(SW3)가 각각의 저항(R15,R16)을 통해 저항(R14)과 스위치(SW4)에 각기 연결되고, 상기저항(R14)이 인버터(G13,G14)를 통해 상기 스위치(SW4)에 연결되며, 상기 스위치(SW4)가 저항(R11,R12)을 통해 상기 출력트랜지스터(Q11)에 연결된 것을 특징으로 하는 센서콘트롤러의 입출력전환회로.The switch SW3 is connected to the resistor R14 and the switch SW4 through the resistors R15 and R16, respectively, between the sensor 1 and the output transistor Q11. R14 is connected to the switch SW4 through inverters G13 and G14, and the switch SW4 is connected to the output transistor Q11 through resistors R11 and R12. I / O switching circuit. 제1항에 있어서, 상기 센서(1)와 출력트랜지스터(Q21)사이에는 스위치(SW6)가 저항(R23,R26)을 통해 저항(R24)과 스위치(SW5)에 각기 연결되고, 상기 저항(R24)이 인버터(G12)를 통해 상기 스위치(SW5)에 연결되며, 상기 스위치(SW5)가 저항(R21,R22)을 통해 상기 출력트랜지스터(Q21)에 연결된 것을 특징으로 하는 센서콘트롤러의 입출력전환회로.2. The switch R6 of claim 1, wherein a switch SW6 is connected to the resistor R24 and the switch SW5 through the resistors R23 and R26, respectively, between the sensor 1 and the output transistor Q21. ) Is connected to the switch (SW5) through an inverter (G12), the switch (SW5) is connected to the output transistor (Q21) via a resistor (R21, R22), the input and output switching circuit of the sensor controller.
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