KR940007814Y1 - Photo sensor sensitivity multi-detecting circuit - Google Patents
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Abstract
내용 없음.No content.
Description
제 1 도는 종래 광센서 감도 검출회로도.1 is a conventional optical sensor sensitivity detection circuit diagram.
제 2 도는 본 고안 광센서 감도 다중 검출회로도.2 is an optical sensor sensitivity multiple detection circuit diagram of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
10 : 광센서 20 : 비교부10: light sensor 20: comparison unit
30 : 비교값변환부 40 : 디코더30: comparison value converter 40: decoder
50 : 비교출력부 PH : 발광부50: comparative output unit PH: light emitting unit
Q1 : 수광부 OP1 : 오피앰프Q1: Receiver OP1: Op amp
NOR1-NOR4 : 노아게이트NOR1-NOR4: Noah Gate
본 고안은 광센서 감도 검출에 관한 것으로, 특히 반도체 공정중에 플라스틱 슬리브 유무검출과 플라스틱 슬리브내의 집적소자 유무검출을 동시에 할 수 있도록 한 광센서 감도 다중 검출회로에 관한 것이다.The present invention relates to optical sensor sensitivity detection, and more particularly, to an optical sensor sensitivity multiple detection circuit which enables the detection of the presence or absence of a plastic sleeve and the presence of an integrated device in the plastic sleeve during a semiconductor process.
제 1 도는 종래 광센서 감도 검출회로도로서, 이에 도시된 바와같이 발광부(PH)에서 발산하는 광을 수광부(Q1)에서 받아 전기적신호를 출력하는 광센서(10)와, 상기 광센서(10)의 출력신호를 저항(R1)과 가변저항(VR1)에 의한 기준전압(Vref)과 비교하여 출력하는 비교부(20)로 구성한다.1 is a conventional photosensor sensitivity detection circuit diagram, as shown in the light sensor 10 for receiving the light emitted from the light emitting unit (PH) at the light receiving unit (Q1) and outputs an electrical signal, and the light sensor 10 The comparator 20 is configured to compare the output signal with the reference voltage Vref by the resistor R 1 and the variable resistor VR 1 .
이와같이 구성된 종래 광센서 감도 검출회로는 광센서(10)의 발광부(PH)가 광을 발산하면 수광부(Q1)는 이 광을 전기적신호로 변환하여 오피앰프(OP1)의 반전단자(-)로 출력한다.In the conventional optical sensor sensitivity detection circuit configured as described above, when the light emitting unit PH of the optical sensor 10 emits light, the light receiving unit Q1 converts the light into an electrical signal to the inverting terminal (-) of the op amp OP1. Output
이에따라, 상기 비교부(20)의 오피앰프(OP1)는 상기 광센서(10)로 부터 출력된 전기적신호와 저항(R1)과 가변저항(VR1)에 의해 비반전단자(+)에 세팅된 기준전압(Vref)을 비교하여 출력하는데, 만약 상기 광센서(10)의 출력이 기준전압(Vref)보다 크면 고전위를 출력하고, 기준전압(Vref)보다 작으면 저전위를 출력한다.Accordingly, the op amp OP1 of the comparison unit 20 is set to the non-inverting terminal (+) by the electrical signal, the resistor R 1 and the variable resistor VR 1 output from the optical sensor 10. The reference voltage Vref is compared and output. When the output of the optical sensor 10 is greater than the reference voltage Vref, a high potential is output, and when the output is smaller than the reference voltage Vref, a low potential is output.
그러나, 상기에서 설명한 종래 광센서 감도 검출회로는 오피앰프(OP1)의 비반전단자(+)에 저항(R1)과 가변저항(VR1)에 의한 기준전압(Vref)이 미리 세팅되어 있기 때문에 광센서의 센서 출력에 따라 한가지 상태만 검출되므로 다양한 센서출력검출을 할 수가 없는 문제점이 있었다.However, in the conventional optical sensor sensitivity detection circuit described above, the reference voltage Vref by the resistor R 1 and the variable resistor VR 1 is set in advance in the non-inverting terminal + of the op amp OP1. Since only one state is detected according to the sensor output of the optical sensor, various sensor outputs cannot be detected.
본 고안은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 외부데이타의 변화값에 따라 광센서의 감도를 다중으로 출력되어지도록 하여 반도체 공정중에 플라스틱 슬리브 유무검출과 플라스틱 슬리브내의 집적소자 유무검출을 동시에 할 수 있도록 한 광센서 감도 다중 검출회로를 제공함에 목적이 있다.In order to solve this problem, the present invention allows the sensitivity of the optical sensor to be multiplexed according to the change of external data so that the optical sensor can detect the presence of the plastic sleeve and the integrated device in the plastic sleeve at the same time during the semiconductor process. It is an object to provide a sensitivity multiple detection circuit.
본 고안은 이러한 목적을 달성하기 위하여 발광수단과 수광수단 사이의 측정수단을 통과하는 빛에너지를 전기적신호를 변환하여 출력하는 광감지수단과, 외부데이타를 아날로그신호로 변화하여 출력하는 비교값변환수단과, 상기 비교값변환수단의 출력신호와 상기 광감지수단의 출력신호를 비교하여 출력하는 비교수단과, 상기 외부데이타를 디코딩하는 디코더와, 상기 비교수단의 출력신호와 상기 디코더의 출력신호를 조합하여 다중 데이타를 출력하는 비교출력수단으로 구성하는 것으로, 이를 첨부한 도면을 실시예로 하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The present invention has a light sensing means for converting and outputting the light energy passing through the measuring means between the light emitting means and the light receiving means to convert the electrical signal, and the comparison value converting means for converting the external data into an analog signal to achieve this purpose And a comparison means for comparing and outputting the output signal of the comparison value converting means and the output signal of the optical sensing means, a decoder for decoding the external data, a combination of the output signal of the comparing means and the output signal of the decoder. It consists of a comparative output means for outputting multiple data to be described in detail with reference to the accompanying drawings as an embodiment as follows.
제 2 도는 본 고안 광센서 감도 다중 검출회로도로서, 이에 도시한 바와같이 발광부(PH)와 수광부(Q1)사이의 측정소자를 통과하는 빛에너지를 전기적신호를 변환하여 출력하는 광센서(10)와, 외부데이타를 아날로그신호로 변화하여 출력하는 비교값변환부(30)와, 상기 비교값변환부(30)의 출력신호와 상기 광센서(10)의 출력신호를 비교하여 출력하는 비교부(20)와, 상기 외부데이타를 디코딩하는 디코더(40)와, 4개의 노아게이트(NOR1-NOR4)로 구성되어 상기 비교부(20)의 출력신호와 상기 디코더(40)의 출력신호를 조합하여 다중 데이타를 출력하는 비교출력부(50)로 구성한 것으로, 미설명 부호 B1, B2는 버퍼이다.2 is an optical sensor sensitivity multiple detection circuit diagram of the present invention, and as shown therein, an optical sensor 10 for converting and outputting electric energy of light energy passing through a measuring element between the light emitting unit PH and the light receiving unit Q1. And a comparison value conversion unit 30 for converting and outputting external data into an analog signal, and a comparison unit for comparing and outputting the output signal of the comparison value conversion unit 30 and the output signal of the optical sensor 10 ( 20), a decoder 40 for decoding the external data, and four NOR gates NOR1 to NOR4, each of which combines the output signal of the comparator 20 and the output signal of the decoder 40, It consists of the comparison output part 50 which outputs data, and unexplained code | symbol B1, B2 is a buffer.
이와같이 구성한 본 고안의 작용 및 효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation and effects of the present invention configured in this way as follows.
본 고안은 광센서(10)의 발광부(PH)과 수광부(Q1) 사이에 위치하는 측정소자(플라스틱 슬리브 및 내부에 집적소자가 있는 플라스틱 슬리브)의 유무를 검출하는 것으로, 상기 발광부(PH)와 수광부(Q1)사이에 측정소자가 없는 경우에는 발광부(PH)에서 발산하는 빛은 모두 수광부(Q1)로 도달되므로 상기 광센서(10)는 이에 대한 검지결과값을 비교부(20) 오피앰프(OP1)의 반전단자(-)로 인가한다.The present invention detects the presence or absence of a measuring element (a plastic sleeve and a plastic sleeve having an integrated element therein) positioned between the light emitting unit PH and the light receiving unit Q1 of the optical sensor 10. If there is no measuring element between the light receiving unit Q1 and the light emitted from the light emitting unit PH all reach the light receiving unit Q1, the optical sensor 10 compares the detected result with the comparison unit 20. It is applied to the inverting terminal (-) of the amplifier OP1.
반면, 상기 발광부(PH)와 수광부(Q1)사이에 반투명 상태의 플라스틱 슬리브만 있는 경우에는 발광부(PH)의 빛은 절반만 수광부(Q1)로 전달되고 상기 광센서(10)는 그에 대한 검지결과값을 오피앰프(OP1)의 반전단자(-)로 인가한다.On the other hand, when there is only a translucent plastic sleeve between the light emitting unit PH and the light receiving unit Q1, only half of the light of the light emitting unit PH is transmitted to the light receiving unit Q1 and the light sensor 10 is The detection result is applied to the inverting terminal (-) of the operational amplifier OP1.
또한, 상기 발광부(PH)와 수광부(Q1)사이에 슬리브내에 집적소자가 있는 경우에는 발광부(PH)의 발산하는 빛은 집적소자에 의해 차단되어 수광부(Q1)로 전달되지 않는다.In addition, when there is an integrated element in the sleeve between the light emitting unit PH and the light receiving unit Q1, the light emitted from the light emitting unit PH is blocked by the integrated element and is not transmitted to the light receiving unit Q1.
이에따라 광센서(10)는 그에 대한 검지결과값을 오피앰프(OP1)의 반전단자(-)로 인가한다.Accordingly, the optical sensor 10 applies the detection result thereof to the inverting terminal (-) of the operational amplifier OP1.
이때, 그 오피앰프(OP1)의 비반전단자(+)에는 외부 데이타가 비교값변환부(30)를 통해 아날로그신호로 변환되어 인가된다.At this time, external data is converted into an analog signal through the comparison value converting unit 30 and applied to the non-inverting terminal (+) of the op amp OP1.
그러면, 상기 오피앰프(OP1)는 측정소자상태에 따른 광센서(10)의 검지결과값과 상기 비교값변환부(30)의 출력값을 비교하여 이를 버퍼(B1)(B2)를 차례로 통해 비교출력부(50)의 노아게이트(NOR1-NOR4)일측단을 인가되며, 또한 상기의 외부데이타는 디코더(40)를 통해 디코딩되어 상기 비교출력부(50)의 노아게이트(NOR1-NOR4)일측단으로 인가된다.Then, the op amp OP1 compares the detection result of the optical sensor 10 according to the state of the measuring element with the output value of the comparison value converting unit 30 and compares them through the buffers B1 and B2 in order. One end of the NOA gates NOR1-NOR4 of the unit 50 is applied, and the external data is decoded through the decoder 40 to one end of the NOA gates NOR1-NOR4 of the comparison output unit 50. Is approved.
이에따라, 상기 노아게이트(NOR1-NOR4)는 상기 비교부(20)와 디코더(40)의 출력을 조합하여 광센서(10)가 감지한 측정소자상태를 출력(OUT1-OUT4)으로 나타내게 된다.Accordingly, the NOA gates NOR1-NOR4 combine the outputs of the comparator 20 and the decoder 40 to represent the state of the measuring device detected by the optical sensor 10 as outputs OUT1-OUT4.
이때, 외부 데이타는 상기 측정소자의 3가지 상태에 따라 가변되게 되며, 그 외부데이타의 가변에 따라 상기 측정소자의 상태를 비교출력부(50)가 다중으로 출력하게 된다.In this case, the external data is varied according to the three states of the measuring element, and the comparison output unit 50 outputs multiple states of the measuring element according to the change of the external data.
따라서, 그 비교출력부(50)의 출력상태를 판단하여 반도체 공정중에 플라스틱 슬리브의 유무검출과 플라스틱 슬리브내의 집적소자 유무검출을 동시에 할 수 있게 된다.Therefore, by determining the output state of the comparison output section 50, it is possible to simultaneously detect the presence or absence of the plastic sleeve and the presence or absence of integrated devices in the plastic sleeve during the semiconductor process.
이상에서 설명한 바와같이 본 고안은 외부데이타의 가변에 따라 한 종류의 센서로 반도체 공정중에 플라스틱 슬리브 유무검출과 플라스틱 슬리브내의 집적소자 유무검출을 동시에 할 수 있는 유용한 효과가 있다.As described above, the present invention has a useful effect of simultaneously detecting the presence or absence of a plastic sleeve and the detection of an integrated device in the plastic sleeve with a kind of sensor according to the change of external data.
Claims (1)
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|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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| KR2019910022684U KR940007814Y1 (en) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | Photo sensor sensitivity multi-detecting circuit |
Publications (2)
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|---|---|
| KR930016212U KR930016212U (en) | 1993-07-28 |
| KR940007814Y1 true KR940007814Y1 (en) | 1994-10-24 |
Family
ID=19324579
Family Applications (1)
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| KR2019910022684U KR940007814Y1 (en) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | Photo sensor sensitivity multi-detecting circuit |
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| KR (1) | KR940007814Y1 (en) |
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1991
- 1991-12-18 KR KR2019910022684U patent/KR940007814Y1/en not_active IP Right Cessation
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|---|---|
| KR930016212U (en) | 1993-07-28 |
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