KR940006318A - 단파장광원 - Google Patents

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KR940006318A
KR940006318A KR1019930010968A KR930010968A KR940006318A KR 940006318 A KR940006318 A KR 940006318A KR 1019930010968 A KR1019930010968 A KR 1019930010968A KR 930010968 A KR930010968 A KR 930010968A KR 940006318 A KR940006318 A KR 940006318A
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KR
South Korea
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diffraction grating
semiconductor laser
wavelength
waveguide
wavelength conversion
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Application number
KR1019930010968A
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English (en)
Inventor
야스오 키타오카
카즈히사 야마모토
키미노리 미즈우찌
마코토 카토
Original Assignee
모리시타 요이찌
마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 모리시타 요이찌, 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 filed Critical 모리시타 요이찌
Publication of KR940006318A publication Critical patent/KR940006318A/ko

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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 광디스크의 고밀도기록이나 화상처리등에서 요구되고 있는 소형이고 또한 안정적이고 고효율의 단파 장광원이나 계측용 광원으로 요구되고 있는 파장가변 단파장광원을 제공하는 것을 목적으로 한 것으로서, 그 구성에 있어서, 반도체레이저(101)와 분극반전형 벌크소자(102)와 회절격차(103)를 조합시키므로서, 안정된 녹색이나 청색의 단파장레이저광이 가능하게 되며, 또 분극반전층의 주기를 분할구조나 처프구조로 하고 회절격자의 각도를 변화시키므로서 파장가변의 소형이고 고효율의 단파장광을 실현할 수 있는 것을 특징으로 한 것이다.
(제1도)

Description

단파장광원
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 반도체레이저와 QPM분극 반전형 벌크소자와 회절격자의 조합에 의한 단파장광원의 개략구성도,
제2도는 본 발명의 반도체레이저와 QPM분극 반전형 벌크소자와 회절격자의 조합에 의한 단파장광원의 개략구성도,
제3도는 회절격자의 설계설명도.

Claims (8)

  1. 반도체레이저와, 피이드백을 걸기위한 회절격자와, 파장변환용 소자를 구비하고, 상기 파장변환용 소자가 반도체레이저와, 회절격자의 사이에 위치하고, 상기 파장변환소자로부터 나온 파장변환되지 않은 기본파를 회절격자에 의해 반도체레이저의 활성층에 광귀환시키므로서, 반도체레이저의 발진파장을 파장변환용 소자의 파장허용폭내에 안정화하는 것을 특징으로 하는 단파장광원.
  2. 반도체레이저와, 피이드백을 걸기위한 회절격자와, 파장변환을 위한 의사위상정합방식(QPM) 분극반전도 파로와, 반도체레이저로부터의 광을 광도파로에 인도하기 위한 결합광학계를 구비하고, 상기 QPM 분극반전도 파로가 반도체레이저와 회절격자의 사이에 위치하고, 광도파로로부터 나온 파장변환되지 않은 기본파를 회절격자에 의해 광도파로 내에 재차 광귀환시키고, 또 반도체레이저의 활성층에 광귀환시키므로서, 반도체레이저의 발진파장을 QPM 분극반전도파로의 파장허용폭내에 안정화하는 것을 특징으로 하는 단파장광원.
  3. 반도체레이저와, 피이드백을 걸기 위한 회절격자와, 분극반전형 파장변황용 소자를 구비하고, 상기 분극반 전형 파장변황용 소자가 반도체레이저와 회절격자의 사이에 위치하고, 상기 파장변환소자로부터 나온 파장변화되지 않은 기본파를 회절격자에 의해 반도체레이저의 활성층에 광귀환시키고, 상기 분극반전형 파장변환용 소자증의 분극반전주기가 분할 구조 또는 처브구조를 가지고, 회절격자의 각도를 가변시키므로서 출사되는 고조파의 파장을 가변할 수 있는 것을 특징으로 하는 단파장광원.
  4. 반도체레이저와, 피이드백을 걸기 위한 회절격자와, 파장변환을 위한 의사위상정합방식(QPM) 분극반전도파로와, 반도체레이저로부터의 광을 광도파로에 인도하기 위한 결합광학계를 구비하고, 상기 QPM 분극반전도 파로가 반도체레이저와 회절격자의 사이에 위치하고, 상기 파장변환소자로부터 나온 파장변환되지 않는 기본파를 회절격자에 의해 반도체레이저의 활성층에 광귀환시키고, 상기 QPM분극반전도파로중의 분극반전주기가 분할구조 또는 처프구조를 가지고 회절격자의 각도를 가변시키므로서 출사되는 고조파의 파장을 가변할 수 있는 것을 특징으로 하는 단파장광원.
  5. 반도체레이저와, 피이드백을 걸기 위한 회절격자와, 파장변환용 소자를 구비하고, 상기 파장변환용 소자가 반도체레이저와 회절격자의 사이에 위치하고, 상기 파장변환용 소자와 회절격자의 사이에 색선별거울을 설치해서 효율좋게 고조파광을 빼내는 것을 특징으로 하는 단파장광원.
  6. 반도체레이저와, 피이드백을 걸기 위한 회절격자와, 파장변환을 위한 의사위상정합방식(QPM) 분극반전도파로와, 반도체레이저로부터의 광을 광도파로에 인도하기 위한 결합광학계를 구비하고, 상기 QPM 분극반전도파로가 반도체레이저와 회절격자의 사이에 위치하고, 상기 QPM 분극반전도파로와 회절격자의 사이에 색선별거울을 설치해서 고조파광을 빼내는 것을 특징으로 하는 단파장광원.
  7. 제1항, 제3항, 제5항의 어느 한 항에 있어서, 상기 파장변환용 소자로서 KTP 또는 LiNb×Tal-×O3기판을 사용한 분극반전형 소자인 것을 특징으로 하는 단파장광원.
  8. 제2항, 제4항, 제6항 어느 한 항에 있어서, 상기 의사위상정합방식(QPM) 분극반전도파로로서 KTP 또는 LiNb×Tal-×O3기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 단파장광원.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930010968A 1992-06-17 1993-06-16 단파장광원 KR940006318A (ko)

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JP15768692 1992-06-17

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100719489B1 (ko) * 2000-11-07 2007-05-17 주식회사 엘지생활건강 고탄력 헤어스프레이 조성물

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