KR940005870Y1 - Multi input detecting device - Google Patents
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Abstract
내용 없음.No content.
Description
제1도는 종래의 2-입력 검출장치.1 is a conventional two-input detection device.
제2도는 본 고안에 따른 2-입력 검출장치.2 is a two-input detection device according to the present invention.
제3도는 본 고안에 따른 N-입력 검출장치.3 is an N-input detection device according to the present invention.
제4도는 본 고안에 따른 2-입력 검출장치의 동작상태표.4 is an operation state table of the two-input detection device according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
Inv, Inv' : 인버터 A1-A4: 앤드게이트Inv, Inv ': Inverter A 1 -A 4 : End gate
OR : 오아게이트 P1-Pn: P모스OR: Oagate P 1 -P n : P Mos
Rx, Regv, R1-Rn: 저항 C0-C5n: 비교기Rx, Regv, R 1 -R n : Resistor C 0 -C5 n : Comparator
N1-Nn: 노드 Q0-Qn: 출력N 1 -N n : Node Q 0 -Q n : Output
VN1-NNn: 각 노드에 걸리는 전압 Cs : A/D 콘버터V N1 -N Nn : Voltage at each node Cs: A / D converter
Rds1-RdSn: P모스의 내부저항Rds 1 -RdS n : Internal resistance of PMOS
본 고안은 다중 입력 검출장치에 관한 것으로, 특히 다중 입력에서 로우레벨이나 하이레벨을 검출하고 다중 입력 카운팅에 적당하도록 한 다중 입력 검출장치에 관한 것이다.The present invention relates to a multi-input detection device, and more particularly, to a multi-input detection device that detects a low level or a high level in a multi-input and is suitable for multi-input counting.
종래의 기술구성은 제1도에서 보는 바와 같이 입력 "A"는 앤드게이트(A1,A2)일단자로 입력되며 인버터(I2)를 통해 앤드게이트(A3,A4)의 일단자에 입력되고, 입력 "B"는 앤드게이트(A1,A3)의 타단자로 입력되며, 인버터(I1)를 통해 앤드게이트(A2,A4)의 타단자에 입력이 되어 앤드게이트(A1)에서 출력(Q2)되고, 앤드게이트(A2,A3)의 출력을 오아게이트(OR)를 통하여 출력(Q1)하며, 앤드게이트(A4)를 통하여 출력(Q0)하는 구성으로 상기 회로구성의 동작상태를 살펴보면 다음과 같다.In the prior art configuration, as shown in FIG. 1, the input "A" is input to one end of the end gates A 1 and A 2 and is connected to one end of the end gates A 3 and A 4 through the inverter I 2 . The input "B" is input to the other terminals of the AND gates A 1 and A 3 , and is input to the other terminals of the AND gates A 2 and A 4 through the inverter I 1 , and the AND gate ( A 1 ) is output (Q 2 ), the output of the AND gate (A 2 , A 3 ) is output (Q 1 ) through the oragate (OR), the output (Q 0 ) through the AND gate (A 4 ) Looking at the operating state of the circuit configuration to the configuration as follows.
제1도에서 입력(A,B)이 모두 로우레벨이면 앤드게이트(A1)의 입력은 모두 로우레벨이므로 출력(Q2)은 로우레벨이고, 앤드게이트(A2)의 입력은 로우레벨과 하이레벨이고 앤드게이트(A3)의 입력은 하이레벨과 로우레벨이므로 오아게이트(OR)의 입력은 모두 로우레벨이 되어 출력(Q1)은 로우레벨이 되며, 앤드게이트(A4)의 입력은 모두 하이레벨이므로 출력(Q0)은 하이레벨이 된다.In FIG. 1, if the inputs A and B are all low level, the input of the AND gate A 1 is low level, so the output Q 2 is low level, and the input of the AND gate A 2 is low level. Since the high level and the inputs of the AND gate A 3 are high level and low level, the inputs of the OR gate OR are all low level, and the output Q 1 is low level, and the input of the AND gate A 4 is low. Are all at high level, so output Q 0 is at high level.
이와 같은 논리로 입력(A,B)을 모두 하이레벨로 하면 출력(Q2)이 하이레벨이고 나머지 출력(Q0,Q1)은 로우레벨이 되며, 입력(A)은 하이레벨, 입력(B)은 로우레벨이면 앤드게이트(A2)의 출력이 하이레벨이 되어 출력(Q1)이 하이레벨이 되고, 입력(A)은 로우레벨, 입력(B)은 하이레벨로 하면 앤드게이트(A3)의 출력이 하이레벨이 되어 출력(Q1)이 하이레벨이 된다.With this logic, if the inputs (A, B) are all at the high level, the output (Q 2 ) is at the high level, and the remaining outputs (Q 0 , Q 1 ) are at the low level, and the input (A) is at the high level, the input ( When B) is low level, the output of the AND gate A 2 becomes high level, and the output Q 1 becomes high level, when the input A is low level and the input B is high level, The output of A 3 ) becomes high level and the output Q 1 becomes high level.
이상과 같은 종래의 기술에 있어선 입력갯수가 둘이면 앤드게이트(A1-A4) 4개, 오아게이트(OR) 1개, 인버터(I1,I2) 2개가 필요하므로 모두 7개의 게이트가 필요하며 입력갯수가 셋이면 게이트는 앤드게이트 9개, 오아게이트 2개, 인버터 3개로써 모두 14개가 필요하다고 입력이 4개가 되면 앤드게이트 16개, 오아게이트 3개, 인버터 4개로써 모두 23개의 게이트가 필요하게 된다.In the conventional technology described above, if the number of inputs is two, four AND gates (A 1 -A 4 ), one OA gate (OR), and two inverters (I 1 , I 2 ) are required. If the number of inputs is 3, the gates are 9 endgates, 2 oragates, and 3 inverters, and 14 are all required.When the inputs are 4, 16 endgates, 3 oragates, and 4 inverters are used. You will need a gate.
즉, 입력의 갯수가 N이면 이에 필요한 게이트의 수 n=N2+2N-1개가 된다. 그러므로 입력의 갯수가 증가함에 따라 필요한 게이트의 수는 기하급수적으로 늘어나게 되는 것이다.That is, if the number of inputs is N, the number of gates required for this is n = N 2 + 2N-1. Therefore, as the number of inputs increases, the number of gates required increases exponentially.
이에 따라 상기한 문제점을 개선시킨 본 고안의 회로구성을 첨부된 도면에 따라 설명하면 다음과 같다.Accordingly, the circuit configuration of the present invention to improve the above problems will be described according to the accompanying drawings.
제2도는 본 고안에 따른 2입력 검출장치를 나타낸 것으로 그의 연결구성을 살펴보면, P모스(P1,P2) 2개를 병렬연결하여 일측은 전원(VDD)에 연결하고, 타측은 저항(Rx)을 통해 접지시켜 게이트에는 입력(A,B)이 인버터(Inv,Inv')를 통하여 연결되며, 접지측의 노드(N1)에서 3개의 각 비교기(C1-C3)의 "+"단자로 연결되고, 상기 3개의 각 비교기(C1-C3)의 "-"단자에는 저항(Regv,R2,R4)의 갯수에 의해 일정한 차를 갖는 기준전압이 연결되도록 한다.2 shows a two-input detection apparatus according to the present invention. Looking at the connection configuration thereof, two PMOSs (P 1 and P 2 ) are connected in parallel to one side of the power supply (V DD ) and the other side of the resistor ( Grounded through Rx), the inputs (A, B) are connected to the gates through inverters (Inv, Inv '), and "+" of each of the three comparators (C 1 -C 3 ) at node N 1 on the ground side. The "terminal" is connected, and the "-" terminals of each of the three comparators C 1 -C 3 are connected to a reference voltage having a constant difference by the number of resistors Regv, R 2 and R 4 .
전원(VDD)과 접지사이에 저항(Regv,R2,R4)이 직렬연결되어 비교기(C1)의 "-"단자에는 전원(VDD2)이 저항(Regv)을 통해 연결되며 비교기(C2)의 "-"단자에는 전원(VDD2)이 저항(Regv) 및 저항(R2)을 통하여 연결되며, 비교기(C3)의 "-"단자에는 전원(VDD2)이 저항(Regv,R2,R4)을 통해 연결되도록 구성된다.The resistors (Regv, R 2 , R 4 ) are connected in series between the power supply (V DD ) and ground, so that the power supply (V DD2 ) is connected through the resistor (Regv) to the "-" terminal of the comparator (C 1 ). C 2) of the "-" terminal is connected through a power supply (V DD2) the resistance (Regv) and a resistor (R 2), a comparator (C 3) of the "-" terminal of the power supply (V DD2) the resistance (Regv , R 2 , R 4 ).
이와 같은 본 고안의 2입력 검출장치의 동작상태 및 작용효과를 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation state and the effect of the two-input detection device of the present invention as follows.
제2도에서 입력(A,B)에 의하면 전류(I)는 3가지의 값을 갖는다.According to the inputs A and B in FIG. 2, the current I has three values.
즉, 입력(A,B)이 모두 하이레벨인 경우 인버터(Inv,Inv')을 통하여 P모스(P1,P2)의 게이트에는 로우레벨이 가하여져 P모스(P1,P2)는 모두 동작하지 않으므로 전류(I)는 "Imax"로 하고 입력(A,B)이 모두 로우레벨이면 P모스(P1,P2)는 모두 동작하지 않으므로 전류(I)는 "0"이고, 입력(A,B)중 하나는 하이레벨이고, 다른 하나는 로우레벨일때 P모스(P1,P2)중에서 하나만 도통하고 전류(I)는 ""가 된다. 여기서, 3종류의 전류(0,,Imax)를 "Imax"로 나누면 "0, ½ ,1"이 된다(제4a도 참조).That is, when the inputs A and B are both at high level, a low level is applied to the gates of the P-MOSs P 1 and P 2 through the inverters Inv and Inv ', so that the P-MOSs P 1 and P 2 Since the current I is set to "Imax" because both are not operated and the inputs A and B are all at the low level, since the P-MOSs P 1 and P 2 are not operated at all, the current I is "0". When one of (A, B) is high level, the other is low level, only one of the PMOS (P 1 , P 2 ) is conducting and the current (I) is " Where the three types of currents (0, , Imax) divided by " Imax " yields " 0, ½, 1 " (see FIG. 4A).
"Imax"는 입력(A,B)이 모두 하이레벨일 때 발생하고 이때 P모스(P1,P2)는 같은 특성을 가져야 하며 내부저항을 "Rds"라 하면, 전압원(VDD)과 노드(N1) 사이의 저항(Ry)은 P모스(P1,P2)는 병렬연결이므로 증가저항(Ry)은 P모스(P1,P2)는 병렬연결이므로 증가저항(Ry)은 ""가 된다."Imax" is input (A, B) are both generated when the high level, and wherein P MOS (P 1, P 2) will have the same characteristics, and if the internal resistance is referred to "Rds", a voltage source (V DD) and the node Since resistance (Ry) between (N 1 ) is PMOS (P 1 , P 2 ) is parallel connection, increasing resistance (Ry) is PMOS (P 1 , P 2 ) is parallel connection, so increasing resistance (Ry) is " "Becomes.
이때 저항(Ry)이 저항(Rx)보다 매우 크면 ""이고 노드(N1)에 걸리는 존업(VN1)은 ""이다.If the resistance Ry is much larger than the resistance Rx, "And the zone (V N1 ) over node (N 1 ) is" "to be.
이러한 식으로 입력하나만 하이레벨이면 전류(I)는 ""가 되고 이때의 노드(N1)에 걸리는 전압(VN1)은 ""이다.If the input is high level in this way, current (I) is " And the voltage V N1 at node N 1 at this time is " "to be.
이러한 식으로 입력 하나만 하이레벨이면 전류(I)는 ""가 되고 이때의 노드(N1)에 걸리는 전압(VN1)은 ""이다.In this way, if only one input is high level, current (I) is " And the voltage V N1 at node N 1 at this time is " "to be.
입력(A,B)이 모두 로우레벨이면 P모스(P1,P2)는 동작하지 않으므로 노드(N1)에 걸리는 전압은 "0[V]"가 된다(제4b도 참조)If the inputs A and B are both at low level, the PMOS P 1 and P 2 do not operate, so the voltage across the node N 1 becomes "0 [V]" (see also FIG. 4b).
다음으로 A/D 콘버터(Cs)에 대하여 설명하면 저항(Regv)은 저항(Ry)과 같고, 저항이므로 노드(N2)에 걸리는 전압(VN2)은이고, 노드(N3)에 걸리는 전압(VN3)은 "이며, 노드(N4)에 인가되는 전압은 0[V]가 되고(제4b도 참조) 비교기(C1-C3)는 단자(+)와 단자(-)에 들어오는 전압이 같으면 하이레벨 전압을 내보낸다.Next, the A / D converter Cs will be described. The resistor Regv is equal to the resistor Ry, and the resistor Therefore, the voltage across node (N 2 ) (V N2 ) And the voltage across node N 3 (V N3 ) is " The voltage applied to the node N 4 becomes 0 [V] (see also FIG. 4b), and the comparators C 1 -C 3 have a high level voltage if the voltages coming into the terminal (+) and the terminal (-) are the same. Export
비교기(C1)의 입력단자(-)에는 전압(VN2), 즉가 인가되고 비교기(C2)의 입력단자(-)에는 전압(VN3) 즉,가 인가되며, 비교기(C3)의 입력단자(-)에는 "0[V]"가 인가된다.The input terminal (-) of the comparator C 1 has a voltage V N2 , that is, Is applied to the input terminal (-) of the comparator (C 2 ), that is, the voltage (V N3 ), Is applied, and "0 [V]" is applied to the input terminal (-) of the comparator C 3 .
비교기(C1-C3)의 입력단자(+)에는 전압(VN1)이 인가되므로 제4b도의 전압(VN1)과 같은 상태로 변화한다.Since the voltage V N1 is applied to the input terminals + of the comparators C 1 -C 3 , the voltage V N1 is changed to the same state as the voltage V N1 of FIG. 4b.
그러므로 제4b도에서 보는 바와 같이 입력(A,B)이 모두 로우레벨이면 비교기(C3)의 입력(VN1,VN4)이 서로 0[V]로써 같으므로 출력(Q0)이 하이레벨이 되고 입력(VN1,VN3)중 하나만 하이레벨이 되면, 비교기(C2)의 입력(VN1,VN3)이 서로로써 같으므로 출력(Q1)이 하이레벨이 되며, 입력(A,B)이 모두 하이레벨이면 비교기(C1)의 입력(VN1,VN2)이 서로로써 같으므로 출력(Q2)이 하이레벨이 된다(제4c도 참조).Therefore, as shown in FIG. 4B, if the inputs A and B are all at the low level, the outputs Q 0 are at the high level because the inputs V N1 and V N4 of the comparator C 3 are equal to each other as 0 [V]. If this is the only one type of high level (V N1, V N3), the input (V N1, V N3) of the comparator (C 2) to each other Since the output Q 1 is at the high level, and the inputs A and B are at the high level, the inputs V N1 and V N2 of the comparator C 1 are different from each other. As a result, the output Q 2 is at a high level (see also 4c).
이와 같은 방법으로 입력이 많은 경우, 제3도에서 보는 바와 같이 입력갯수에 따라 입력갯수 만큼의 P모스(P1,Pn)를 서로 병렬연결하고, 각 P모스(P1-Pn)의 게이트에 입력신호를 인가하여 내부저항(Rds)를 합성한 저항(Rds1//Rds2//…Rdsn")과 등가저항(Ry)인 저항(Regv)를 연결하고 저항(Rx)을 출력(Q0-Q7)의 갯수로 나눈값과 동일한 저항(R1-R7)을 각 비교기(C0-Cn)의 입력단자(-) 사이에 연결하면 된다.If there are many inputs in this way, as shown in FIG. 3, PMOS (P 1 , P n ) as many as the number of inputs are connected in parallel according to the number of inputs, and each PMOS (P 1 -P n ) The input signal is applied to the gate to connect a resistor (Rds 1 // Rds 2 //… Rds n ") synthesized with an internal resistance (Rds) and a resistor (Regv), which is an equivalent resistance (Ry), and outputs a resistor (Rx). The same resistance (R 1 -R 7 ) divided by the number of (Q 0 -Q 7 ) can be connected between the input terminals (-) of each comparator (C 0 -C n ).
따라서, 본 고안에 따른 다중 입력검출 장치는 이상의 설명에서와 같이 입력의 증가에 따른 논리소자의 기하급수적인 증가가 없이 입력증가에 따라 P모스, 인버터, 비교기, 저항 각 1개씩 증가로써 다중 입력장치를 구성할 수 있는 효과를 갖게 된다.Therefore, the multi-input detection device according to the present invention is a multi-input device by increasing one PMOS, inverter, comparator, and resistance according to the input increase without increasing the exponential logic element according to the increase of the input as described above. It will have the effect that can be configured.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019880017990U KR940005870Y1 (en) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | Multi input detecting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR2019880017990U KR940005870Y1 (en) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | Multi input detecting device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR900009224U KR900009224U (en) | 1990-05-04 |
KR940005870Y1 true KR940005870Y1 (en) | 1994-08-26 |
Family
ID=19280993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR2019880017990U KR940005870Y1 (en) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | Multi input detecting device |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR940005870Y1 (en) |
-
1988
- 1988-10-31 KR KR2019880017990U patent/KR940005870Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR900009224U (en) | 1990-05-04 |
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