KR940005331Y1 - Tank circuit for rf modulator - Google Patents
Tank circuit for rf modulator Download PDFInfo
- Publication number
- KR940005331Y1 KR940005331Y1 KR2019880019625U KR880019625U KR940005331Y1 KR 940005331 Y1 KR940005331 Y1 KR 940005331Y1 KR 2019880019625 U KR2019880019625 U KR 2019880019625U KR 880019625 U KR880019625 U KR 880019625U KR 940005331 Y1 KR940005331 Y1 KR 940005331Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- tank
- capacitor
- tuning
- arm
- modulator
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C1/00—Amplitude modulation
- H03C1/02—Details
Landscapes
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
Abstract
내용 없음.No content.
Description
제1도는 종래의 회로도.1 is a conventional circuit diagram.
제2도는 본 고안의 회로도.2 is a circuit diagram of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
VR1-VR4: 가변저항 R1-R2: 저항VR 1 -VR 4 : Variable resistor R 1 -R 2 : Resistance
C1-C5: 커패시터 L1: IFTC 1 -C 5 : Capacitor L 1 : IFT
D1-D4: 스위칭 다이오드D 1 -D 4 : Switching Diode
본 고안은 여러가지 방식의 방송을 임의로 선택하여 수신하는 것이 가능하게 되는 오디오단 다중화를 위한 RF 모듈레이터의 탱크회로에 관한 것이다.The present invention relates to a tank circuit of an RF modulator for multiplexing an audio stage, which enables to arbitrarily select and receive various types of broadcasts.
각 나라 또는 지역마다 서로 다른 방송방식(예를들면 세캄 D/K, 팔 I, 팔 B/G, NTSC 방식)을 채택함에 따라 이를 수신하기 위해서는 해당방송방식에 적합한 공진주파수의 탱크회로를 가지는 RF 모듈레이터가 필요하게 된다.As each country or region adopts different broadcasting methods (e.g., Secam D / K, Arm I, Arm B / G, NTSC), RF has a tank circuit with a resonant frequency suitable for the broadcasting system in order to receive them. A modulator is necessary.
제1도는 종래의 RF 모듈레이터의 탱크회로를 보이고 있다.1 shows a tank circuit of a conventional RF modulator.
여기에서 제1,2탱크 단자(T1,T2)는 RF 모듈레이터에 탱크회로를 접속하기 위한 단자로써, 상기 제1,2탱크단자(T1,T2)의 양단간에는 선택도 조정용 저항(R11)과 탱크 공진주파수 동조용 IFT(L11)와 탱크 공진주파수 동조용 커패시터(C11)가 병렬로 연결된다.Here, the first and second tank terminals T 1 and T 2 are terminals for connecting the tank circuit to the RF modulator, and selectivity adjusting resistors are provided between both ends of the first and second tank terminals T 1 and T 2 . R 11 ), the tank resonant frequency tuning IFT (L 11 ) and the tank resonant frequency tuning capacitor (C 11 ) are connected in parallel.
이와같이 제1,2탱크단자(T1,T2)에 접속된 RF 모듈레이터용 병렬 탱크공진회로는 주파수 동조용 IFT(L11)의 조정(코어의 상하이동)을 통하여 그 공진주파수를 조절할 수 있게 되는데, 일예로 NTSC 방식에서는 그 공진 주파수를 4.5MHz로 설정하고, 팔 B/G방식에서는 5.5MHz로 설정하고, 팔 I 방식에서는 6.0MHz로 설정하고, 세캄 D/K 방식에서는 6.5MHz로 설정하게 된다.In this way, the parallel tank resonant circuit for the RF modulator connected to the first and second tank terminals T 1 and T 2 can adjust its resonance frequency by adjusting the frequency tuning IFT (L 11 ). For example, in the NTSC method, the resonance frequency is set to 4.5 MHz, the arm B / G method is set to 5.5 MHz, the arm I method is set to 6.0 MHz, and the Sekam D / K method is set to 6.5 MHz. do.
따라서 튜너의 오디오단 설계시 하나의 RF 모듈레이터를 가지고 그 탱크회로의 공진주파수를 IFT(L11)로 조정하여 다수의 방송방식중 어느 하나의 방송방식을 선택하는 것은 튜너 세트의 조립 및 조정단계에서는 가능하지만, 일단 특정 방송방식에 대한 탱크 공진주파수가 결정되고 나면 튜너세트는 해당 방송 방식외에 다른 방송방식의 TV신호는 수신할 수 없게 된다.Therefore, when designing the tuner's audio stage, having one RF modulator and adjusting the resonant frequency of the tank circuit with IFT (L 11 ) to select any one of the broadcasting methods, the assembly and adjustment stage of the tuner set is required. Although possible, once the tank resonance frequency for a particular broadcast method is determined, the tuner set cannot receive TV signals of other broadcast methods besides the broadcast method.
따라서 복수의 TV방송방식을 선택적으로 수신가능하게 하기 위해서는 해당방송방식별로 독립적인 RF 모듈레이터 및 탱크 회로가 마련해야 하기 때문에, 튜너의 오디오단의 전체회로 구성이 복잡하게 되고 또한 생산성이 떨어지는 문제가 있게 된다.Therefore, in order to selectively receive a plurality of TV broadcast methods, independent RF modulators and tank circuits must be provided for each broadcast method, and thus, the overall circuit configuration of the tuner's audio stage is complicated and productivity is reduced. .
본 고안은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 고안의 목적은 다수의 방송방식을 커버할 수 있도록 RF 모듈레이터의 탱크회로의 공진주파수가 외부 제어신호에 의해 절환되게 함으로써 사용자에 의한 방송방식의 선택이 가능하도록 하고 또한 회로구성의 간소화로 생산성향상을 기대할 수 있도록 한 오디오단 다중화를 위한 RF 모듈레이터의 탱크회로를 제공하는데 있다.The present invention is to solve the above problems, and the object of the present invention is to select the broadcasting method by the user by switching the resonance frequency of the tank circuit of the RF modulator by an external control signal so as to cover a plurality of broadcasting methods. The present invention provides a tank circuit of an RF modulator for multiplexing audio stages to enable this and to increase productivity by simplifying circuit configuration.
첨부도면에 따라 본 고안을 설명하면 다음과 같다.Referring to the present invention according to the accompanying drawings as follows.
제2도는 본 고안의 회로구성도이다. RF 모듈레이터의 제1,2탱크단자(T1,T2) 양단에는 선택도 조정용 저항(R1)과 공진주파수 동조용 IFT(L1)를 병렬로 연결한다.2 is a circuit diagram of the present invention. A selectivity adjusting resistor R 1 and a resonant frequency tuning IFT L 1 are connected in parallel to both ends of the first and second tank terminals T 1 and T 2 of the RF modulator.
상기 제1탱크단자(T1)에는 제1커패시터(C1)의 제1단자를 연결하고 상기 제1커패시터(C1)의 제2단자에는 제1-제4스위칭 다이오드(D1-D4)의 모든 캐소드와 이들 제1-제4스위칭 다이오드에 대한 바이어스 저항(R2)을 연결한다.A first terminal of the first capacitor C 1 is connected to the first tank terminal T 1 , and a first to fourth switching diode D 1 -D 4 is connected to the second terminal of the first capacitor C 1 . And bias resistors (R 2 ) for all cathodes of < RTI ID = 0.0 >)< / RTI >
상기 제2탱크단자(T2)와 제1스위칭 다이오드(D1)의 애노드 사이에는 제2커패시터(C2)을 연결하고, 제1,2스위칭 다이오드(D1,D2)의 각 애노드 사이에는 제3커패시터(C3)를 연결하고, 제2,3스위칭 다이오드(D2,D3)의 각 애노드 사이에는 제4커패시터(C4)를 연결하고 제3,4스위칭 다이오드(D3,D4)의 각 애노드 사이에는 제5커패시터(C5)를 연결한다.Wherein between the tank terminal (T 2) and the anode of each first switching diode (D 1) connecting the second capacitor (C 2) between the anode and the first and second switching diodes (D 1, D 2) of the The third capacitor C 3 is connected to each other, and the fourth capacitor C 4 is connected between the anodes of the second and third switching diodes D 2 and D 3 , and the third and fourth switching diodes D 3 , are connected to each other. A fifth capacitor C 5 is connected between each anode of D 4 ).
또한, 상기 제1스위칭 다이오드(D1)의 애노드에는 제4가변저항(VR4)으로 조정된 NTSC 방식 선국 전압(V1)이 인가되게 연결하고, 상기 제2스위칭 다이오드(D2)의 애노드에는 제3가변저항(VR3)으로 조정된 팔 B/G 방식 선국전압(V2)이 인가되게 연결하고, 상기 제3스위칭 다이오드(D3)의 애노드에는 제2가변 저항(VR2)으로 조정된 팔 I방식 선국전압(V3)이 인가되게 연결하고, 상기 제4스위칭 다이오드(D4)의 애노드에는 제1가변 저항(VR1)으로 조정된 세캄 D/K 방식선국전압(V4)이 인가되게 연결한다.In addition, the anode of the first switching diode D 1 is connected to the NTSC tuning voltage V 1 adjusted by the fourth variable resistor VR 4 to be applied, and the anode of the second switching diode D 2 is applied. It is connected to the arm B / G system tuning voltage (V 2 ) adjusted by the third variable resistor (VR 3 ), and the anode of the third switching diode (D 3 ) to the second variable resistor (VR 2 ). The regulated arm I method tuning voltage V 3 is applied and the anode of the fourth switching diode D 4 is a Secam D / K method tuning voltage V 4 adjusted with a first variable resistor VR 1 . ) To be applied.
이와 같이 구성된 본 고안의 일실시예에 대한 작용 및 효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.If described in detail the operation and effect of the embodiment of the present invention configured as described above.
제2도에서 제4가변저항(VR4)에 NTSC방식 선국전압(V1)이 인가되면 제1스위칭 다이오드(D1)가 턴온되어 제1,2커패시터(C1,C2)는 직렬로 연결된다.In FIG. 2, when the NTSC method voltage V 1 is applied to the fourth variable resistor VR 4 , the first switching diode D 1 is turned on so that the first and second capacitors C 1 and C 2 are connected in series. Connected.
따라서, NTSC방식의 IF 주파수는 4.5MHz이므로 주파수 동조용 IFT(L1)의 인덕턴스가 8.5μH라고 할 때로부터 제1,2커패시터(C1,C2)의 커패시턴스를 각각 구할 수 있다.Therefore, since the IFSC of NTSC is 4.5MHz, the inductance of frequency tuning IFT (L 1 ) is 8.5μH. The capacitances of the first and second capacitors C 1 and C 2 can be obtained, respectively.
즉, 합성커패시턴스이므로 제1커패시터(C1)는 300PF, 제2커패시터(C2)는 288PF이 된다.That is, composite capacitance Therefore, the first capacitor C 1 is 300PF, and the second capacitor C 2 is 288PF.
한편, 제3가변저항(VR3)에 팔 B/G 방식선국전압(V2)이 인가되면 제2스위칭 다이오드(D2)가 턴온되어 제1-제3커패시터(C1-C3)는 직렬로 연결된다. 이때의이 된다.On the other hand, when the arm B / G system tuning voltage V 2 is applied to the third variable resistor VR 3 , the second switching diode D 2 is turned on to form the first to third capacitors C 1 to C 3 . Are connected in series. At this time Becomes
또한, 팔 I 방식 또는 세캄 D/K 방식선국전압(V3)는 또는 (V4)이 선택적으로 제2 또는 제1가변 저항(VR2) 또는 (VR1)에 인가되면, 제3 또는 제4스위칭 다이오드(D3) 또는 (D4)가 턴온되어, 팔 I 방식인 경우의 합성 커패시턴스이 되고, 세캄 D/K 방식인 경우의 합성커패시턴스이 된다.Further, when the arm I system or Secam D / K system tuning voltage V 3 is applied to the second or first variable resistor VR 2 or VR 1 , or (V 4 ) is selectively applied, Synthesis capacitance when four switching diodes (D 3 ) or (D 4 ) are turned on and are arm I type And the combined capacitance in case of the Secam D / K system Becomes
따라서 팔 B/G 방식에서의 IF 주파수는 5.5MHz이므로공식으로부터 이때의 합성커패시터의 값은 98.5PF이 되어야 하므로에서 제3커패시터(C3)의 값은 300PF으로 계산된다.Therefore, IF frequency in ARM B / G system is 5.5MHz From the formula, the value of composite capacitor at this time should be 98.5PF. The value of the third capacitor C 3 is calculated as 300PF.
또한, 상기한 계산방식으로 제4커패시터(C4)와 제5커패시터(C5)의 값은 각각 524PF과 468PF 임을 상기 식으로부터 쉽게 구할 수 있다.In addition, the values of the fourth capacitor C 4 and the fifth capacitor C 5 are 524 PF and 468 PF, respectively, by the above calculation method.
이러한 회로에서 선택도(Q)는 저항(R1)을 조정하는 것으로 조정할 수 있게 되는데 상기 저항(R1)의 값이 6.9K일때 Q의 값은 20-28.7의 매우 좋은 값을 가진다.In this circuit the selectivity (Q) is the value of the resistance (R 1) there is a can be adjusted by adjusting when the 6.9K value of the resistance (R 1) Q has a very good value of 20 to 28.7.
이상에서 설명한 바와 같은 본 고안은 단순히 상기에서 예로든 4개의 방송방식에만 한정 적용되는 것이 아니라 그 이상의 다수 방송방식 선택이 가능하도록 구성할 수 있기 때문에 세계각국의 방송방식에 대해 호환성을 가지게 되며, 특히 멀티 RF 모듈레이터 시스템의 구성이 간단하게 되는 효과가 있게 된다.The present invention as described above is not limited to only the four broadcast methods described above, but can be configured to allow the selection of more than one broadcast method, and thus has compatibility with the broadcasting systems of the world. There is an effect that the configuration of the multi-RF modulator system is simplified.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019880019625U KR940005331Y1 (en) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | Tank circuit for rf modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019880019625U KR940005331Y1 (en) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | Tank circuit for rf modulator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900010980U KR900010980U (en) | 1990-06-04 |
| KR940005331Y1 true KR940005331Y1 (en) | 1994-08-10 |
Family
ID=19281745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019880019625U KR940005331Y1 (en) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | Tank circuit for rf modulator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940005331Y1 (en) |
-
1988
- 1988-11-30 KR KR2019880019625U patent/KR940005331Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900010980U (en) | 1990-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940005381B1 (en) | Tuning circuit for multiband tuner | |
| US3980957A (en) | Circuit arrangement for tuning and range or band switching of an RF resonant circuit | |
| KR930004133B1 (en) | The interstage coupling network | |
| JPS61205016A (en) | Tuner switching circuit layout for switching several frequency ranges | |
| US4288875A (en) | Controlled local oscillator with apparatus for extending its frequency range | |
| KR19990067818A (en) | Synchronous demodulating circuit | |
| KR940005331Y1 (en) | Tank circuit for rf modulator | |
| US4710973A (en) | Varactor diode tuner with band switched coils and lines | |
| US4658437A (en) | Tuning voltage tracking arrangement | |
| US6665022B1 (en) | Input circuit of TV tuner | |
| US4628540A (en) | Tuning arrangement having a substantially constant frequency difference between an RF-circuit and an oscillator circuit | |
| KR200143249Y1 (en) | Band pass filter | |
| EP1104103B1 (en) | Switchable band filter | |
| EP1522186B1 (en) | Television receiver with isolated inputs | |
| EP1467487B1 (en) | Tuned filter | |
| JPS62283Y2 (en) | ||
| KR100406353B1 (en) | Switching circuit for input tuning in television tuner | |
| KR920001998Y1 (en) | Audio if filter device of multi-system tv | |
| KR910007984Y1 (en) | Double conversion tv tuner | |
| KR910001643Y1 (en) | Rf modulator of tv tuner for multi-broadcasting system | |
| KR820000767B1 (en) | Digital channel selecting apparatus | |
| KR930004655Y1 (en) | Tv receiver | |
| JPH0210684Y2 (en) | ||
| KR0177688B1 (en) | High frequency synthesizing circuit of tunner | |
| KR950000103Y1 (en) | If bandwidth conversion circuit |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 19981127 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |