KR940002252Y1 - Error operating prevent circuit of microwave oven - Google Patents

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Abstract

내용 없음.No content.

Description

히터 내장형 전자렌지의 오동작 방지회로Malfunction prevention circuit of heater built-in microwave oven

제 1 도는 본 고안에 따른 히터 내장형 전자렌지의 일실시 회로도.1 is a circuit diagram of an embodiment of a microwave oven with a heater according to the present invention.

제 2 도는 본 고안을 설명하기 위한 도표.2 is a diagram for explaining the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

3 : 구동신호비교제어부 R1-R3: 저항3: driving signal comparison control unit R 1 -R 3 : resistance

Q1-Q4: 트랜지스터 G1: NAND 게이트Q 1 -Q 4 : Transistor G 1 : NAND Gate

본 고안은 히터 내장형 전자렌지의 오동장 방지 회로에 관한 것으로, 특히 초고주파 발생장치 및 히터장치가 동시에 작동되어 전자 렌지가 과열되는 이상 작동을 방지토록 되어진 오동작 방지 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a circuit for preventing a malfunction of a microwave oven with a heater, and more particularly, to a malfunction prevention circuit for preventing abnormal operation when the microwave oven is overheated by operating the microwave generator and the heater at the same time.

종래의 전자렌지에서는 마이컴의 오동작을 감안하고 있지 않다.The conventional microwave oven does not take into account the malfunction of the microcomputer.

그러나 전자렌지 내부의 온도상승 및 환경변화에 따라 마이컴은 오동작을 할 수 있고, 또한 마이컴 출력제어부가 파괴되어 오동작을 할 수도 있다.However, due to the temperature rise inside the microwave oven and environmental changes, the microcomputer may malfunction, and the microcomputer output control unit may be destroyed and malfunction.

만약, 마이컴의 출력제어부가 오동작을 하여 초고주파 발생장치 구동신호 및 히터장치 구동신호가 모두 하이레벨일 경우 초고주파 발생장치 및 히터장치가 동시에 구동케되어 정격용량을 초과하게 되며(특히 100-120v 정력제품)각 부품에는 과부하가 걸리게 되어 파손의 우려가 있고, 또한 과열로 인한 재해의 위험이 있어 이에 대한 안전회로의 구성이 요구되었다.If the output control part of the microcomputer malfunctions and both the high frequency generator driving signal and the heater device driving signal are high level, the ultra high frequency generator and the heater are driven simultaneously and exceed the rated capacity (especially 100-120v energized product). Each part is overloaded, which may cause damage, and there is a risk of disaster due to overheating.

이에 본 고안은 상기와 같은 점에 착안하여 안출된 것으로 마이컴과 부하 구동부 사이에 구동신호 비교제어부를 구성하여 마이컴에서의 초고주파 발생장치 구동신호 및 히터장치 구동신호가 모두 하이레벨일 경우 부하 구동부의 작동을 차단하도록 된 것으로 이를 첨부된 예시 도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Therefore, the present invention was conceived based on the above-mentioned point and constitutes a drive signal comparison control unit between the microcomputer and the load driver to operate the load driver when both the high frequency generator drive signal and the heater device drive signal in the microcomputer are high level. When described in detail with reference to the accompanying drawings, which are intended to block as follows.

제 1 도는 본 고안에 따른 히터 내장형 전자렌지의 일실시 회로도로서 프로그램에 따른 부하 구동신호를 송출하는 마이컴(1)과, 상기 마이컴(1)으로 부터의 부하 구동신호를 받아 초고주파 발생장치(MGT) 및 히터장치(H1)를 구동시키는 부하 구동부(2)로 이루어진 히터 내장형 전자렌지에 있어서, 저항(R1-R3), 스위칭수단인 트랜지스터(Q1-Q4) 및 비교수단인 NAND 게이트(G1)로 된 구동신호 비교 제어부(3)를 구성하여서 된 것이다.1 is a circuit diagram of a microwave oven with a heater according to the present invention, a microcomputer 1 for transmitting a load driving signal according to a program, and receiving a load driving signal from the microcomputer 1, an ultra-high frequency generator (MGT). And a load driving unit (2) for driving the heater (H 1 ), comprising: a resistor (R 1- R 3 ), a transistor (Q 1 -Q 4 ) as a switching means, and a NAND gate as a comparison means. The drive signal comparison control unit 3 constitutes (G 1 ).

미설명 부호 RY1, RY2는 릴레이이다.Unexplained symbols RY 1 and RY 2 are relays.

제 2b 도에서와 같이 마이컴(1)의 출력단자(PO1)가 로우레벨이고, 또 다른 출력단자(PO2)가 하이레벨이면 NAND 게이트(G1)의 출력단자(V1)가 하이레벨로 되어 트랜지스터(Q1, Q3)의 베이스 단자에 각각 하이레벨의 신호를 인가하게 되며, 또한 또다른 트랜지스터(Q2, Q4)의 베이스 단자에는 상기 마이컴(1)의 출력단자(PO1, PO2)에서 송출되어지는 로우레벨의 신호와 하이레벨의 신호가 각각 인가되어지므로 트랜지스터(Q3, Q4)가 턴 온되어 릴레이(RY2)를 작동시켜 히터 장치(H1)에 전원이 공급되도록 한다.As shown in FIG. 2B, when the output terminal PO 1 of the microcomputer 1 is at a low level and another output terminal PO 2 is at the high level, the output terminal V 1 of the NAND gate G 1 is at a high level. The high level signal is applied to the base terminals of the transistors Q 1 and Q 3 , respectively, and the output terminal PO 1 of the microcomputer 1 is applied to the base terminals of the other transistors Q 2 and Q 4 . , The low level signal and the high level signal transmitted from PO 2 ) are applied, respectively, so that the transistors Q 3 and Q 4 are turned on to operate the relay RY 2 to power the heater device H 1 . To be supplied.

또한, 제 2c 도에서와 같이 마이컴(1)의 출력단자(PO1)가 하이레벨이고, 또 다른 출력단자(PO2)가 로우레벨이면 역시 NAND게이트(G1)의 출력단자(V1)가 하이레벨로 되어 트랜지스터(Q1, Q3)의 베이스 단자에 각각 하이레벨 신호를 인가하게 되며, 또 다른 트랜지스터(Q2, Q4)의 베이스 단자에는 상기 마이컴(1)의 출력단자(PO1, PO2)에서 송출되어지는 하이레벨의 신호와 로우레벨의 신호가 각각 인가되어지므로 이번에는 트랜지스터(Q1, Q2)가 턴 온되어 릴레이(RY2)를 작동시켜 초고주파 발생장치(MGT)에 전원이 공급되도록 한다.In addition, as shown in FIG. 2C, when the output terminal PO 1 of the microcomputer 1 is high level and another output terminal PO 2 is low level, the output terminal V 1 of the NAND gate G 1 is also low. Becomes a high level to apply a high level signal to the base terminals of the transistors Q 1 and Q 3 , respectively. The output terminal PO of the microcomputer 1 is applied to the base terminal of the other transistors Q 2 and Q 4 . Since the high level signal and the low level signal transmitted from 1 and PO 2 are respectively applied, the transistors Q 1 and Q 2 are turned on to operate the relay RY 2 to operate the ultra-high frequency generator (MGT). Make sure power is supplied to the

한편, 제 2d 도에서와 같이 마이컴(1)의 출력단자(PO1, PO2)가 모두 하이레벨로 되면 NAND 게이트(G1)의 출력단자(V1)가 로우레벨로 되어 트랜지스터(Q1, Q3)의 베이스 단자에 각각 로우레벨의 신호를 인가하게 되므로 또 다른 트랜지스터(Q2, Q4)의 베이스 단자에 상기 마이컴(1)의 출력단자(PO1, PO2)에서 송출되어지는 하이레벨의 신호가 인가되어지더라도 트랜지스터(Q1-Q4)는 모두 턴 오프로 되어 릴레이(RY1, RY2)의 작동을 차단하게 된다.On the other hand, as shown in FIG. 2D, when the output terminals PO 1 and PO 2 of the microcomputer 1 are all at the high level, the output terminal V 1 of the NAND gate G 1 is at the low level and the transistor Q 1 is reduced. , Q 3 ) is applied to the low level signal to the base terminal of the other transistors (Q 2 , Q 4 ) is output from the output terminal (PO 1 , PO 2 ) of the microcomputer (1) Even when a high level signal is applied, the transistors Q 1 -Q 4 are all turned off to block the operation of the relays RY 1 and RY 2 .

이와 같이 본 고안은 마이컴(1)과 부하 구동부(2)사이에 구동신호 비교제어부(3)를 구성하여 마이컴(2)에서의 초고주파 발생장치 구동신호 및 히터장치 구동신호와 모두 하이레벨인때 부하구동부(2)의 작동이 차단되도록 하므로서 제품의 손상등 위험을 방지하여 제품의 신뢰성을 도모할 수 있는 등의 장점이 있다.As described above, the present invention configures the drive signal comparison control unit 3 between the microcomputer 1 and the load driver 2 so that the high frequency generator driving signal and the heater device driving signal of the microcomputer 2 are both at high level. Since the operation of the drive unit 2 is blocked, there is an advantage such that the risk of damage to the product can be prevented and the reliability of the product can be promoted.

Claims (4)

프로그램에 따른 부하구동신호를 송출하는 마이컴(1)과, 상기 마이컴(1)으로 부터의 부하구동신호를 받아 초고주파 발생장치(MGT) 및 히터장치(H1)를 구동시키는 부하구동부(2)로 이루어진 히터 내장형 전자렌지에 있어서, 상기 마이컴(1)에서의 초고주파 발생장치 구동신호 및 히터장치 구동신호가 모두 하이레벨인때 부하구동부(2)의 작동을 차단하는 구동신호 비교제어부(3)를 구성하여서 된 것을 특징으로 하는 히터 내장형 전자렌지의 오동작 방지 회로.To the microcomputer (1) for transmitting a load drive signal according to the program, and the load driver (2) for driving the ultra-high frequency generator (MGT) and the heater (H 1 ) in response to the load drive signal from the microcomputer (1) In the microwave oven with built-in heater, the drive signal comparison control unit (3) for blocking the operation of the load driver 2 when the high frequency generator driving signal and the heater device driving signal in the microcomputer (1) is high level Malfunction prevention circuit of a built-in heater microwave oven, characterized in that. 제 1 항에 있어서, 구동신호 비교제어부(3)는 저항(R1-R3), 스위칭 수단 및 비교수단으로 구성됨을 특징으로 하는 히터 내장형 전자렌지의 오동작 방지 회로.2. The malfunction prevention circuit of a heater-type microwave oven according to claim 1, wherein the drive signal comparison control section (3) comprises a resistor (R 1 -R 3 ), a switching means and a comparison means. 제 2 항에 있어서, 구동신호 비교제어부(3)의 스위칭 수단은 마이컴(1)에서의 출력신호와 비교수단에서의 출력신호가 동시에 하이레벨인때 스위칭되어지는 트랜지스터(Q1-Q4)로 된 것을 특징으로 하는 내장형 전자렌지의 오동작 방지회로.3. The switching means of the drive signal comparison control section 3 is a transistor Q 1 -Q 4 which is switched when the output signal from the microcomputer 1 and the output signal from the comparison means are at a high level at the same time. Malfunction prevention circuit of the built-in microwave oven, characterized in that. 제 2 항에 있어서, 구동신호 비교제어부(3)의 비교수단은 마이컴(1)에서의 출력신호가 모두 하이레벨인때 그 출력이 로우레벨로 되어지는 NAND 게이트(G1)로 된 것을 특징으로 하는 히터내장형 전자렌지의 오동작 방지 회로.3. The comparison means of the drive signal comparison control section (3) is characterized in that the NAND gate (G 1 ), whose output becomes low level when the output signals from the microcomputer (1) are all high level. Malfunction prevention circuit of built-in heater.
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