KR930010141B1 - Contact image sensor - Google Patents

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KR930010141B1
KR930010141B1 KR1019910014271A KR910014271A KR930010141B1 KR 930010141 B1 KR930010141 B1 KR 930010141B1 KR 1019910014271 A KR1019910014271 A KR 1019910014271A KR 910014271 A KR910014271 A KR 910014271A KR 930010141 B1 KR930010141 B1 KR 930010141B1
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황학인
이한구
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삼성전자 주식회사
김광호
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof

Abstract

The device comprises a light source (11) LED, light emitting diode for radiating some light for sensing the shading of a manuscript, a signal processing circuit (16) for amplifing and converting the signal of the sensed light, a drive ball plate (18), a connector (20), a reflecting mirror (21), a sensor base plate (17), an image sensor chip (15), a mirror (12). The device improves the construction of a contact image sensor, and decreases the size.

Description

밀착형 이메지 센서Tight image sensor

제 1 도는 종래 기술에 의한 밀착형 이메지 센서의 단면도.1 is a cross-sectional view of a close-type image sensor according to the prior art.

제 2 도는 제 1 도의 동작 특성을 나타내는 블록.2 is a block representing the operating characteristics of FIG.

제 3 도는 제 1 도의 기능 부품 구성의 해석을 나타내는 구성도.3 is a block diagram showing an analysis of the functional part configuration of FIG.

제 4 도는 본 발명에 의한 밀착형 이메지 센서의 단면도.4 is a cross-sectional view of a close-up image sensor according to the present invention.

본 발명은 화상을 감지하기 위한 이메지 센서에 관한 것으로, 특히 밀착형 이메지 센서의 구조에 관한 것이다. 통상적으로 이메지 센서란 임의의 화상을 감지하여 소정의 신호를 출력하는 것으로, 그 응용분야가 전자복사기, 전자화일, 모사전송기(facsimile), 이메지 프로세서 및 금융기기 등에 광범위하게 적용되는 부품이다.The present invention relates to an image sensor for sensing an image, and more particularly, to a structure of a close type image sensor. In general, an image sensor detects an image and outputs a predetermined signal, and its application field is a component widely applied to an electronic copy machine, an electronic file, a facsimile, an image processor, and a financial device.

종래 기술에 의한 밀착형 이메지 센서의 구조에 관하여 제 1 도에 도시하였다. 상기 제 1 도는 단면도로 도시하였으며 상기 제 1 도의 구성에 따른 동작 특성을 블록화하여 제 2 도에 도시하였다. 그리고 상기 제 1 도의 기능부품 구성에 따른 해석도를 제 3 도에 도시하였다. 상기 종래 기술에 의한 제 1 도는 1989년 2월에 발간된 "미쓰비시 이메지 센서"라는 카타로그(catalogue)를 인용한 것으로, 하기하는 설명 이외의 것은 상기 카타로그를 참조하기 바란다.The structure of the close-type image sensor according to the prior art is shown in FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view, and the operation characteristic according to the configuration of FIG. 1 is blocked and shown in FIG. 3 is a diagram illustrating an analysis of the functional components of FIG. 1. FIG. 1 of the prior art is a catalog of "Mitsubishi image sensor" published in February 1989. Please refer to the catalog except the following description.

상기 제 1 도의 구성은, 발광다이오드(LED) 어레이(1)와, 유리(2)와 상기 유리(2)의 상단에 밀착되어 이송되는 원고(3)와, 로드렌즈 어레이(4)와, 이메지 센서칩(또는 광전변환 소자라고도 함)(5)과, 신호처리 회로부(6)와, 센서기판(7)과, 하우징(8)과, 컨넥터(9)와, 플렉시블(flexible) PCB(printed circuit board)(10)로 구성되어 있다. 상기 구성에서, 상기 센서기판(7)이 상기 이메지 센서칩(5)과 상기 신호처리 회로부(6)를 탑재함을 유의하기 바란다. 그리고 상기 하우징(8)이라 함은, 예를 들어 "틀"과 같은 말로 이 분야에 통용되는 말로서 상기 제 1 도의 구성에서는 상기 발광다이오드 어레이(1)와 상기 유리(2)와 상기 로드렌즈 어레이(4)와 상기 센서기판(7)을 탑재한다. 상기 제 1 도의 구성에 의거하여 그 동작 특성을 상기 제 2 도를 참조하여 설명한다. 상기 발광다이오드 어레이(1)의 광원으로부터 방사된 빛은 상기 유리(2)를 통하여 상기 원고(3)에 조사된다. 상기 원고(3)의 농담에 따라서 상기 원고(3)가 예를 들어 흑색(black)일 경우에는 상기 조사된 빛이 흡수되기 때문에 그에 따른 반사빛은 상기 로드렌즈 어레이(4)에 조사되지 않고, 상기 원고(3)가 예를 들어 옅거나 흰색(white)일 경우에는 상기 조사된 빛이 반사되고 그에 따라 반사광원 커서인 상기 로드렌즈 어레이(4)에 접속되어 정립등 배상이 되어 상기 센서기판(7)상의 광전변화 소자인 상기 이메지 센서 칩(5)에 입사된다. 그리고 상기의 입사된 빛은 광전류로 변환되며 상기 원고(3)의 농담에 따라 25~50mV로 출력되며 상기 신호처리 회로부(6)에 의해 안정화 및 증폭되어 상기 컨넥터(9)를 통해 출력된다.The configuration of FIG. 1 includes a light emitting diode (LED) array 1, a document 2 that is brought into close contact with glass 2 and an upper end of the glass 2, a rod lens array 4, and an image. Sensor chip (also called photoelectric conversion element) 5, signal processing circuit section 6, sensor substrate 7, housing 8, connector 9, flexible printed circuit board (PCB) board) 10. Note that in the above configuration, the sensor substrate 7 mounts the image sensor chip 5 and the signal processing circuit portion 6. The housing 8 is a word commonly used in this field, such as, for example, a “frame”. In the configuration of FIG. 1, the light emitting diode array 1, the glass 2, and the rod lens array ( 4) and the sensor substrate 7 are mounted. Based on the structure of FIG. 1, the operation characteristic is demonstrated with reference to FIG. Light emitted from the light source of the light emitting diode array 1 is irradiated onto the document 3 through the glass 2. When the original 3 is black, for example, according to the shade of the original 3, since the irradiated light is absorbed, the reflected light is not irradiated to the rod lens array 4, When the document 3 is light or white, for example, the irradiated light is reflected and is connected to the rod lens array 4, which is a reflected light source cursor, to be uprighted and to compensate for the sensor substrate ( The image sensor chip 5, which is a photoelectric change element of 7), is incident. The incident light is converted into a photocurrent, and is output at 25 to 50 mV according to the shade of the document 3, stabilized and amplified by the signal processing circuit 6, and output through the connector 9.

상기 제 1 도의 발광다이오드 어레이(1)는 통상적으로 기판상에 발광다이오드 칩(chip)(1A) 및 칩저항으로 구성되는데, 이들 부품을 실장하기 위해서는 최소한 6mm의 기판폭이 필요하며 또한 상기 원고(3) 표면에서 길이방향으로 일정한 광량 분포를 유지하기 위해서는 상기 제 3 도에 도시된 바와 같이 발광다이오드 칩(A) 표면으로부터 상기 원고(3) 표면까지의 거리인 h에 의해 결정된다.(여기에서, 통상적으로 SMD형 발광다이오드 칩인 경우에는 상기 h가 10mm일 시에 칩간 피치(pitch)는 7.8~8.0mm이고, CDB형 발광다이오드 칩인 경우에는 칩간 피치가 4.0mm이다) 또한 상기 제 3 도에 도시된 바와 같이 최적의 광원배열을 위해 상기 로드렌즈 어레이(4)의 광축과 45°가 되도록 상기 발광다이오드 칩(1A)의 최대 방사축을 배열시켰다. 그리고 상기 원고(3) 표면으로부터 상기 이미지센서 칩(5)간의 거리는 상기 로드렌즈 어레이(4)의 TC(total conjugate)에 의해 결정되어지며 통상적으로 상기 로드렌즈 어레이(4)가 기존의 제품인 예를 들어 SLA20인 경우에는 상기 TC가 14.4mm(파장 570나노미터 (nm))이다. 따라서 상기 제 1 도와 같은 구조에서는 부품 구성상 밀착형 이메지 센서로 최적화해도 폭 "16mm", 높이 "17mm" 이하로는 소형화가 어렵게 된다. 또한 사익 이미지센서 칩(5)과 상기 신호 처리 회로부(6)가 동일 센서기판(7)상에 탑재되어 있으므로 상기 컨넥터(9)를 상기 센서기판(7)에 직접 연결할 경우 접속시에 기계적인 충격이 상기 이미지센서 칩(5)까지 전달되어서 출력 특성에 변화를 줄 위험이 있으므로 실제로 상기 컨넥터(9)는 상기 플렉시블 PCB(10)를 통하여 상기 센서기판(7)에 연결되어 있다. 따라서 상기 플렉시블 PCB(10)와 상기 컨넥터(9)간의 연결 및 상기 발광다이오드 어레이(1)의 전원선을 상기 컨넥터(9)와 연결할때 솔더링(soldering : 예를 들어 "납땜"과 같은것)을 손작업해야 하므로 생산성이 좋지 않으며 제조 원가가 높아진다.The light emitting diode array 1 of FIG. 1 is typically composed of a light emitting diode chip 1A and a chip resistor on a substrate, and at least 6 mm of substrate width is required to mount these components. 3) In order to maintain a constant light quantity distribution on the surface, it is determined by h, which is the distance from the surface of the light emitting diode chip A to the surface of the original 3, as shown in FIG. In the case of the SMD type LED chip, when the h is 10 mm, the pitch between the chips is 7.8-8.0 mm, and in the case of the CDB type LED chip, the pitch between the chips is 4.0 mm. As described above, the maximum radiation axis of the light emitting diode chip 1A is arranged to be 45 ° with the optical axis of the rod lens array 4 for an optimal light source arrangement. The distance between the surface of the document 3 and the image sensor chip 5 is determined by a total conjugate (TC) of the rod lens array 4, and the rod lens array 4 is a conventional product. For example, in the case of SLA20, the TC is 14.4 mm (wavelength 570 nanometers (nm)). Therefore, in the structure as shown in the first diagram, even if optimized as a close-type image sensor in terms of components, it is difficult to reduce the size to less than the width "16mm" and the height "17mm". In addition, since the spiral image sensor chip 5 and the signal processing circuit part 6 are mounted on the same sensor substrate 7, when the connector 9 is directly connected to the sensor substrate 7, mechanical impact at the time of connection is achieved. The connector 9 is actually connected to the sensor substrate 7 through the flexible PCB 10 because there is a risk that the output characteristics of the image sensor chip 5 are transferred to the image sensor chip 5. Therefore, when the flexible PCB 10 and the connector 9 are connected and the power line of the light emitting diode array 1 is connected with the connector 9, soldering is performed. Handwork requires poor productivity and high manufacturing costs.

또한 상기 발광다이오드 어레이(1)의 광원이 상기 원고(3)면에 입사시 상기 유리(2)를 통과하므로 이때 "스넬의 법칙"{이는 다음과 같은 수식을 나타낸다. "T"=|R/A|2", "π=n2cos θ2/n1(cosθ1×|T/A|2", "Rp/Ap=tan(θ1-θ2)/tan(θ12)","Rs/As=-sin(θ12)/sin(θ12)" 상기 수식에서, T : 에너지 반사율, π : 에너지 투과율, A : 입사광 벡타의 진폭, R : 반사광 벡타의 진폭, T : 굴철광 벡타의 진폭, P : 입사면내 진동하는 성분, S : 입사면내 수직 진동하는 성분을 나타냄이 법칙은 이분야에 공지된 사항이므로 상세한 설명은 생략함}에 의하여 상기 유리(2)에서의 광투과율은 약 95%로 제한되는 문제점이 따른다. 따라서 본 발명의 목적은, 밀착형 이메지 센서의 구성상 각 기능 부품의 배열에 있어서의 최적의 공간 활용을 통하여 점유 면적을 최족화한 밀착형 이메지 센서를 제공함에 있다. 또한 본 발명의 다른 목적은, 부품수의 절감 및 제조 공정상의 생산성 향상과 자동화를 통해 원가절감이 이루어지는 밀착형 이메지 센서를 제공함에 있다.In addition, since the light source of the light emitting diode array 1 passes through the glass 2 when it enters the surface of the document 3, "Snell's law" {this represents the following equation. "T" = | R / A | 2 " ," π = n 2 cos θ 2 / n 1 (cosθ 1 × | T / A | 2 " ," Rp / Ap = tan (θ 1- θ 2 ) / tan (θ 1 + θ 2 ) "," Rs / As = -sin (θ 12 ) / sin (θ 1 + θ 2 ) "In the above formula, T: energy reflectance, π: energy transmittance, A: incident light The amplitude of the vector, R: the amplitude of the reflected light vector, T: the amplitude of the oyster beta vector, P: the component oscillating in the plane of incidence, S: the component oscillating vertically in the plane of incidence. The light transmittance in the glass 2 is limited to about 95% by the omission of the present invention. Accordingly, an object of the present invention is to provide an optimal space in the arrangement of the functional components in the configuration of the close-up image sensor. It is another object of the present invention to reduce the number of parts, to improve productivity in the manufacturing process, and to reduce cost through automation. There yimeji the sensor to provide.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 소정의 원고를 지지하는 투명체를 구비하고 상기 투명체를 통한 빛의 입사 및 반사를 이용해 상기 원고의 농담을 감지함과 그에 따른 출력이 이루어지는 밀착형 이메지 센서에 있어서, 상기 투명체의 하단부에 위치하고 소정의 감지된 빛을 광전류로 변환시키는 광전변환 소자의 내장된 센서기판과, 상기 투명체의 하단부에 상기 센서기판과 분리되어 위치하고 소정의 빛을 방사하는 광원부 및 증폭용 신호처리 회로부를 내장한 구동기판을 구비한 밀착형 이메지 센서임을 특징으로 한다. 상기에서, 상기 센서기판과 상기 구동기판의 신호처리부는 플렉시블 PCB에 의해 전기적으로 접속됨을 알아두기 바란다.In order to achieve the object of the present invention, the present invention is a close-type image sensor having a transparent body for supporting a predetermined document and detecting the light and shade of the original using the incident and reflection of light through the transparent body and the output accordingly An integrated sensor substrate of a photoelectric conversion element positioned at a lower end of the transparent body and converting a predetermined sensed light into a photocurrent, and a light source unit amplifying a predetermined light located separately from the sensor substrate at a lower end of the transparent body and amplifying the light. It is characterized in that the close-up image sensor having a driving substrate with a built-in signal processing circuit for the. In the above, it should be noted that the signal processing portion of the sensor substrate and the driving substrate is electrically connected by the flexible PCB.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 설명에 앞서 본 발명은 원고의 하단부에 위치한 반사거울을 사용하여 그 입사각 및 반사각을 조정하여 상기 원고의 결상점을 임의로 조절할 수 있음을 유의하기 바란다. 본 발명의 따른 밀착형 이메지 센서를 제 4 도에 도시하였다. 상기 제 4 도의 구성은, 원고의 수직 하단부에 위치한 발광다이오드 어레이(11)와, 유리(12)와, 상기 유리(12)의 상단에서 이송되는 상기 원고(13)와, 상기 유리(12)의 하단부에 위치하며 상기 유리(12)면에 평행한 로드렌즈 어레이(14)와, 상기 로드렌즈 어레이(14)를 통해 들어오는 빛의 농담을 감지하는 이메지 센서 칩(15)과, 신호처리 회로부(16)와, 상기 이메지 센서 칩(15)을 탑재한 센서기판(17)과, 상기 신호처리 회로부(16) 및 발광다이오드 어레이를 탑재한 구동기판(18)과, 상기 구동기판(18), 센서기판(17) 및 상기 로드렌즈 어레이(14)를 탑재한 하우징(19)과, 상기 구동기판의 하단부에 위치한 컨넥터(20)와, 상기 원고(13)의 명암을 상기 로드렌즈 어레이(14)로 반사하기 위한 반사거울(21)과, 상기 신호처리 회로부(6) 및 센서기판(17)을 전기적으로 연결하는 플렉시블 PCB(22)로 이루어 진다. 상기 구성에 의거한 상기 제 4 도의 동작 특성을 설명한다. 상기 반사거울(21)의 반사 표면은 상기 유리(12)의 로드렌즈 어레이(14) 방향쪽 표면에 메탈(metal : 예를 들어 크롬, 알루미늄등) 및 산화막등으로 코팅(coating)하여 형성되며 상기 반사거울(21) 표면에서 반사된 반사광과 상기 로드렌즈 어레이(14)의 광축은 일치된다. 또한 상기의 반사광과 같은 입사각을 갖는 원고(13)면상에서 상기 원고(13)면의 수직방향 아래로 상기 구동판(18)상의 발광다이오드 어레이(11)가 구성된다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to the description, it should be noted that the present invention can arbitrarily adjust the imaging point of the document by adjusting the incident angle and the reflection angle using a reflection mirror located at the bottom of the document. A close-up image sensor according to the invention is shown in FIG. The configuration of FIG. 4 includes the light emitting diode array 11 located at the vertical lower end of the original, the glass 12, the original 13 conveyed from the upper end of the glass 12, and the glass 12. A load lens array 14 positioned at a lower end and parallel to the surface of the glass 12, an image sensor chip 15 for detecting a light and shade of light entering through the rod lens array 14, and a signal processing circuit unit 16. ), A sensor substrate 17 on which the image sensor chip 15 is mounted, a drive substrate 18 on which the signal processing circuit portion 16 and a light emitting diode array are mounted, the drive substrate 18, and a sensor substrate (17) and the housing (19) on which the rod lens array (14) is mounted, the connector (20) located at the lower end of the driving substrate, and the contrast of the original (13) are reflected to the rod lens array (14). Flexible to electrically connect the reflection mirror 21, the signal processing circuit section 6 and the sensor substrate 17 for It is made of a PCB (22). The operation characteristic of FIG. 4 based on the said structure is demonstrated. The reflective surface of the reflective mirror 21 is formed by coating with a metal (for example, chromium, aluminum, etc.) and an oxide film on the surface of the glass lens 12 in the direction of the rod lens array 14. The reflected light reflected from the reflective mirror 21 surface coincides with the optical axis of the rod lens array 14. Further, a light emitting diode array 11 on the drive plate 18 is formed on the surface of the original 13 having the same angle of incidence as the reflected light above and below the surface of the original 13.

따라서 상기 발광다이오드 어레이(11)에서 방사된 빛은 상기 원고(13)면에 수직으로 입사되며 상기 원고(13)면에서 상기 원고(13)의 농담에 따라 예를 들어 상기 원고(13)의 농도가 옅거나 백색인 경우 상기 원고(13)의 표면에서 방사된 빛은 반사거울(21)에서 재 반사되어 상기 로드렌즈 어레이(11)의 광축과 일치되어 입사되며 집속되어 정립등배상이 되고 상기 센서기판(17)상의 광전변환 소자인 상기 이메지 센서 칩(15)에 입사된다. 그리고 입사된 빛은 광전 변환에 의해 광전류로 변환되어 상기 신호 처리 회로부(16)에 의해 신호변환 및 증폭되어 상기 컨넥터(20)를 통해 출력된다. (상기에서 상기 신호처리 회로부(16)와 센서기판(17)과는 상기 플렉시블 PCB(22)에 의해 전기적으로 접속됨)Therefore, the light emitted from the light emitting diode array 11 is incident perpendicularly to the surface of the original 13 and, for example, the density of the original 13 depends on the lightness of the original 13 on the surface of the original 13. Is light or white, the light emitted from the surface of the document 13 is reflected back from the reflecting mirror 21, is incident to the optical axis of the rod lens array 11, is focused, is upright equilibrium compensation and the sensor The image sensor chip 15 which is a photoelectric conversion element on the substrate 17 is incident. The incident light is converted into photocurrent by photoelectric conversion, signal converted and amplified by the signal processing circuit 16, and output through the connector 20. (In the above, the signal processing circuit 16 and the sensor substrate 17 is electrically connected by the flexible PCB 22)

상기 제 4 도에 도시된 밀착형 이메지 센서는 본 발명의 사상을 실현한 최적의 실시예로서, 각 구성소자의 위치는 약간 바뀌어 질 수 있음을 알아야 할 것이다.It should be noted that the close-type image sensor shown in FIG. 4 is an optimal embodiment for realizing the idea of the present invention, and the position of each component may be slightly changed.

상술한 바와 같이 본 발명에 의한 밀착형 이메지 센서는 센서기판과 구동기판을 분리하여 상기 센서기판을 최소화하였으며, 상기 발광다이오드 어레이(1)와 신호 처리 회로부(6)를 동일 PCB 기판상에 탑재함에 의해 종래에서 문제시된 수작업에 의한 솔더링 작업을 본 발명에서는 생략할 수 있으며 그에 따른 생산성을 향상시켜 원가를 절감할 수 있다. 또한 본 발명에서는 밀착형 이메지 센서의 구성을 최적화하여 종래의 밀착형 이메지 센서보다 36%정도의 사이즈(size)축소가 실현된다.As described above, the close-type image sensor according to the present invention separates the sensor substrate from the driving substrate to minimize the sensor substrate, and mounts the light emitting diode array 1 and the signal processing circuit part 6 on the same PCB substrate. As a result, the soldering operation by manual labor, which is a problem in the related art, may be omitted in the present invention, and thus, the cost may be reduced by improving productivity. In addition, the present invention optimizes the configuration of the close-type image sensor to achieve a size reduction of about 36% compared to the conventional close-type image sensor.

Claims (7)

소정의 원고를 지지하는 투명체를 구비하고 상기 투명체를 통한 빛의 입사 및 반사를 이용해 상기 원고의 농담을 감지하고 그에 따른 출력이 이루어지는 밀착형 이메지 센서에 있어서, 상기 원고의 농담을 감지하기 위해 소정의 빛을 방사하는 광원부와 감지된 빛의 신호변환 및 증폭을 위한 신호 처리 회로부가 내장된 구동기판을 상기 투명체의 하단부에 구비함을 특징으로 하는 밀착형 이메지 센서.A close-up image sensor comprising a transparent body for supporting a predetermined original and detecting the lightness of the original by using the incidence and reflection of light through the transparent body, and outputting accordingly, the predetermined image sensor for detecting the lightness of the original A close-up image sensor comprising a driving substrate having a light source unit for emitting light and a signal processing circuit unit for signal conversion and amplification of the detected light at the lower end of the transparent body. 제 1 항에 있어서, 상기 밀착형 이메지 센서가, 상기 광원부로부터 방사되어 상기 투명체로 입사되고 반사되는 빛을 재반사하는 반사거울과, 상기 반사거울로부터 재 반사된 빛의 진행방향에 광축이 일치되는 로드렌즈 어레이와, 상기 로드렌즈 어레이의 후단에 위치하여 상기 로드렌즈 어레이를 통해 나온 빛을 광전류로 변환시키는 광전변환 소자가 내장된 센서기판을 더 구비함을 특징으로 하는 밀착형 이메지 센서.The optical image sensor of claim 1, wherein the close-up image sensor comprises a reflection mirror for reflecting light reflected from the light source and re-reflecting light reflected from the light source, and an optical axis coinciding with a traveling direction of light reflected from the reflection mirror. And a sensor substrate having a rod lens array and a photoelectric conversion element disposed at a rear end of the rod lens array to convert light emitted through the rod lens array into photocurrent. 제 1 항에 있어서, 상기 반사거울로부터 재반사된 빛이 상기 로드렌즈 어레이의 광축과 일치되어 입사되며 집속되어 정립등배상으로 됨을 특징으로 하는 밀착형 이메지 센서.The close-type image sensor according to claim 1, wherein the light reflected back from the reflecting mirror is incident to and coincided with the optical axis of the rod lens array and is focused upright. 소정의 원고를 지지하는 투명체를 구비하고 상기 투명체를 통한 빛의 입사 및 반사를 이용해 상기 원고의 농담을 감지함과 그에 따른 출력이 이루어지는 밀착형 이메지 센서에 있어서, 상기 투명체의 하단부에 위치하고 소정의 감지된 빛을 광전류로 변환시키는 광전변환 소자가 내장된 센서기판과, 상기 투명체의 하단부에 상기 센서기판과 분리되어 위치하고 소정의 빛을 방사하는 광원부 및 증폭용 신호 처리 회로부를 내장한 구동기판을 구비함을 특징으로 하는 밀착형 이메지 센서.A close-up image sensor having a transparent body for supporting a predetermined document and detecting the shade of the original using the incident light and reflection of light through the transparent body, and outputting the same, wherein the image is located at a lower end of the transparent body and has a predetermined sense. And a sensor substrate incorporating a photoelectric conversion element for converting the converted light into a photocurrent, and a driving substrate incorporating a light source unit which is separated from the sensor substrate and emits a predetermined light at a lower end of the transparent body, and a signal processing circuit unit for amplification. Close-type image sensor, characterized in that. 제 4 항에 있어서, 상기 밀착형 이메지 센서가, 상기 구동기판이 광원부로부터 방사되어 상기 투명체로 입사되고 반사되는 소정의 빛을 재반사하기 위한 반사거울과, 상기 반사거울과 상기 센서만 사이에 위치하고 상기 반사거울로부터 재반사된 빛의 진행방향에 광축이 일치되는 로드렌즈 어레이를 더 구비함을 특징으로 하는 밀착형 이메지 센서.The method according to claim 4, wherein the close-up image sensor is located between the reflective mirror and the reflective mirror for reflecting back predetermined light reflected by the driving substrate is emitted from the light source unit and reflected into the transparent body, And a rod lens array having an optical axis coinciding with a traveling direction of light reflected back from the reflection mirror. 제 4 항에 있어서, 상기 센서 기판과 상기 구동기판의 신호 처리 회로부가 플레시블 프린트 서킷보드(printed circuit board)에 의해 전기적으로 접속됨을 특징으로 하는 밀착형 이메지 센서.5. The close-up image sensor according to claim 4, wherein the signal processing circuit portion of the sensor substrate and the driving substrate are electrically connected by a flexible printed circuit board. 소정의 원고를 지지하는 투명체를 구비하고 상기 투명체를 통한 빛의 입사 및 반사를 이용해 상기 원고의 농담을 감지하고 그에 따른 출력이 이루어지는 밀착형 이메지 센서에 있어서, 상기 투명체의 하단부에 위치하고 소정의 감지된 빛을 광전류로 변환시키는 광전변환 소자가 내장된 센서기판과, 상기 투명체 하단부에 위치하고 상기 원고의 농담을 감지하기 위해 소정의 빛을 방사하는 광원소자부와, 상기 광원소자와 함께 동일 기판에 형성되고 상기 광전류로 변환된 신호의 변환 및 증폭을 위한 신호 처리 회로부와, 상기 구동기판의 광원소자부로부터 방사되어 상기 투명체로 입사되고 반사되는 소정의 빛을 재반사하기 위한 반사거울과, 상기 반사거울과 상기 센서기판 사이에 위치하고 상기 반사거울로부터 재반사된 빛의 진행방향에 광축이 일치되는 로드렌즈 어레이를 구비함을 특징으로 하는 밀착형 이메지 센서.A close-type image sensor having a transparent body for supporting a predetermined document and detecting the light and shade of the original using the incident and reflection of light through the transparent body, and outputting the same, wherein the image is located at the lower end of the transparent body A sensor substrate incorporating a photoelectric conversion element for converting light into a photocurrent, a light source element portion disposed at a lower end of the transparent body, and emitting a predetermined light to detect a shade of the original, and formed on the same substrate together with the light source element A signal processing circuit unit for converting and amplifying the signal converted into the photocurrent, a reflection mirror for reflecting back predetermined light emitted from the light source element unit of the driving substrate and reflected on the transparent body, and the reflection mirror; The optical axis is located between the sensor substrates and in the traveling direction of the light reflected back from the reflection mirror. Yimeji contact type sensor that is characterized by having a rod lens array in which a value.
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