KR930009425B1 - System initial reset circuit - Google Patents

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이희
오영한
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삼성전자 주식회사
김광호
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K21/00Details of pulse counters or frequency dividers
    • H03K21/38Starting, stopping or resetting the counter

Abstract

This circuit comprises a capacitor section (1), which connects with a node and earth terminal for charging the node to a supply voltage level in case of power on, a pumping section (2) for discharging electric charges charged in the capacitor (1) into the earth terminal at pumping rate according to the period of clock pulse, a buffer section (3) for generating reset signal by buffering the node voltage, and an electric charge transferring circuit (4).

Description

시스템 초기리세트회로System initial reset circuit

제 1 도는 종래의 파워 온 리세트회로의 회로도이다.1 is a circuit diagram of a conventional power-on reset circuit.

제 2 도는 제 1 도의 동작 타이밍도이다.2 is an operation timing diagram of FIG.

제 3 도는 본 발명의 파워 온 리세트회로의 바람직한 실시예의 회로도이다.3 is a circuit diagram of a preferred embodiment of the power-on reset circuit of the present invention.

제 4 도는 제 3 도의 동작타이밍도이다.4 is an operation timing diagram of FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 커패시터수단 2 : 전하펌핑수단1 capacitor means 2 charge pumping means

3 : 버퍼수단 4 : 전하전달회로3: buffer means 4: charge transfer circuit

P1, P2, P3 : PMOS 트랜지스터 N1, N2, N3 : NMOS 트랜지스터P1, P2, P3: PMOS transistors N1, N2, N3: NMOS transistors

Cj : 접합커패시턴스 C1, C2, C3, C4 : 커패시터Cj: junction capacitance C1, C2, C3, C4: capacitor

TG : 전송게이트TG: Transmission Gate

INV1, INV2, INV3, INV4, INV5, INV6 : 인버터INV1, INV2, INV3, INV4, INV5, INV6: Inverter

CK1, CK2 : 클럭입력CK1, CK2: Clock input

본 발명은 시스템 초기회로에 관한 것으로, 특히 파워 온시에 시스템 초기 리세트회로에 관한 것이다.The present invention relates to a system initial circuit, and more particularly, to a system initial reset circuit at power on.

파워 온 리세트회로는 전원전압이 공급되었을때 시스템을 정해진 초기상태로 가져가기 위해서 사용된다. 파워 온 리세트회로는 통상적으로 전원전압과 접지전압과 접지전압 사이에 커패시터와 직렬 연결된 저항을 구비한다.The power-on reset circuit is used to bring the system back to a predetermined initial state when the supply voltage is applied. The power-on reset circuit typically includes a resistor connected in series with the capacitor between the power supply voltage and the ground voltage and the ground voltage.

이러한 배열은 파워 온 피세트펄스가 지연후에 공급전압의 변화를 따르도록 한다. 이러한 지연은 저항 및 커패시터의 결합의 시정수와 공급전압의 상승시간에 의해서 결정된다.This arrangement allows the power-on-set pulse to follow the change in supply voltage after a delay. This delay is determined by the time constant of the coupling of the resistor and capacitor and the rise time of the supply voltage.

제 1 도는 종래의 파워 온 리세트회로의 일례를 나타낸 것으로서 제 2 도의 동작 타이밍도를 이용하여 제 1 도의 동작을 설명하면 다음과 같다.FIG. 1 shows an example of a conventional power-on reset circuit. The operation of FIG. 1 will be described with reference to the operation timing diagram of FIG.

전원전압이 공급되면 부하(P1, P2, P3) 저항과 드라이버(N1) 저항의 분할된 값으로 저항 및 커패시터 결합의 시정수와 공급전압의 상승시간에 따라서 커패시터(C1)가 충전되기 시작하고 커패시터(C2)도 충전된다. 커패시터(C1)의 전압이 인버터(INV1)의 임계치가 되면 커패시터(C2)에 충전되었던 전하들이 인버터(INV1)를 통하여 방전된다. 커패시터(C2)의 전하들이 인버터(INV2)의 임계치가 되면 커패시터(C3)는 충전되기 시작한다. 커패시터(C3)에 충전되는 전하가 인버터(INV3)의 임계치가 되면 버터(INV3, INV4)는 반전되고 버퍼하여 파워온 리세트펄스(POR)를 발생한다.When the power supply voltage is supplied, the capacitor C1 begins to charge according to the time constant of the resistor and capacitor combination and the rise time of the supply voltage as the divided values of the load (P1, P2, P3) resistance and the driver (N1) resistance. (C2) is also charged. When the voltage of the capacitor C1 reaches the threshold of the inverter INV1, the charges charged in the capacitor C2 are discharged through the inverter INV1. When the charges of the capacitor C2 reach the threshold of the inverter INV2, the capacitor C3 starts to charge. When the charge charged in the capacitor C3 reaches the threshold of the inverter INV3, the butters INV3 and INV4 are inverted and buffered to generate a power-on reset pulse POR.

그런데 제 1 도에 보여진 파워온 리세트회로를 사용하게 되면 시스템마다 전원공급시간이 길거나 전원공급 부분이 다소 불안하게 되면 시스템의 초기화가 불안하여 오동작 하는 경우가 많다. 그 이유는 종래의 파워온 리세트 타입이 수십㎲ ~ 수백 ㎲정도로 작기 때문에 파워 온 리세트가 풀렸을때 시스템이 불안상태에 서 동작하기 때문이다. 따라서 시스템이 안정해 질때까지 파워 온 리세트 타임을 길게 해줌으로서 시스템이 안정해진 상태에서 정상적인 동작을 하게 된다.However, when the power-on reset circuit shown in FIG. 1 is used, when the power supply time is long for each system or the power supply part becomes somewhat unstable, the initialization of the system is often unstable and malfunctions. The reason is that the conventional power-on reset type is small in the order of tens to hundreds of microwatts, so the system operates in an unstable state when the power-on reset is released. Therefore, by lengthening the power-on reset time until the system is stable, the system operates normally in a stable state.

종래의 파워 온 리세트회로를 가지고 해결할 수 있는 방법은 커패시터를 크게 하던가 또는 커패시터를 여러개 사용하는 방법이 있는데 그 방법을 사용할 경우에 파워 온 리세트타임을 수 ms 정도까지 개선할 수 있으나 수십 ms까지는 개선할 수 없고 수 ms까지 개선했다 하더라도 커패시터(C1, C2, C3)가 큰 값을 가져야 하기 때문에 집적화시에 칩사이즈에 크게 영향을 주게 되고 전원이 오프되었을때도 커패시터에 충전되어 있던 전하들이 빨리 방전되지 않는 문제점이 있었다.Conventional power-on reset circuits can be solved by increasing the number of capacitors or by using multiple capacitors. In this case, the power-on reset time can be improved by several ms. Even if it can not be improved and improved to several ms, the capacitors (C1, C2, C3) should have a large value, which greatly affects the chip size during integration and quickly discharges the charges stored in the capacitor even when the power is turned off. There was a problem.

본 발명의 목적은 시스템의 초기화를 안정하게 시켜 주기 위해서 파워 온 리세트타임을 길게 하는 파워 온 리세트회로를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a power on reset circuit which lengthens the power on reset time in order to stabilize the initialization of the system.

본 발명의 또다른 목적은 커패시터의 크기와 숫자를 줄여서 집적화시에 집적화 형태의 구현이 용이한 파워 온 리세트회로를 제공하는데 있다.It is still another object of the present invention to provide a power-on reset circuit which reduces the size and number of capacitors and makes it easy to implement an integrated form when integrated.

이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 시스템 초기 리세트회로는 전원공급단자와 노드사이에 연결되어 초기 파워 온시 상기 노드를 공급전압레벨로 충전시키기 위한 커패시터 수단 ; 상기 노드와 접지단자사이에 연결되어 상기 노드에 충전된 전하를 클럭펄스의 주기에 따른 펌핑율로 접지단자로 방전시키기 위한 전하 펌핑수단 ; 및 상기 노드에 걸리는 전위차를 버퍼링하여 리세트 신호를 발생하는 버퍼수단을 구비하여서 된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the system initial reset circuit of the present invention comprises: capacitor means connected between a power supply terminal and a node to charge the node to a supply voltage level at initial power-on; Charge pumping means connected between the node and the ground terminal for discharging the charge charged in the node to the ground terminal at a pumping rate according to a cycle of a clock pulse; And buffer means for buffering the potential difference applied to the node to generate a reset signal.

첨부한 도면을 참조로 하여 본 발명의 파워 온 리세트 회로의 구성을 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, the configuration of the power-on reset circuit of the present invention will be described.

제 3 도에 있어서, 커패시터수단(C4)는 공급전압단자와 노드(C)사이에 연결되어 있다. 전하펌핑수단(2)는 방전회로(N2, N3)와 방전시간조정 커패시턴스(Cj)로 구성되어 있다.In FIG. 3, the capacitor means C4 is connected between the supply voltage terminal and the node C. As shown in FIG. The charge pumping means 2 consists of the discharge circuits N2 and N3 and the discharge time adjusting capacitance Cj.

상기 방전회로(2)는 NMOS트랜지스터(N2)의 제어전극에는 클럭(CK1), NMOS트랜지스터(N3)의 제어전극에는 클럭(CK2)을 입력하고 NMOS트랜지스터(N2)의 드레인은 노드 B에 접속하고 NMOS트랜지스터(N2)의 소오스는 NMOS트랜지스터(N3)의 드레인과 접속하고 NMOS트랜지스터(N3)의 소오스는 접지전압에 접속하여 구성되어 있다.The discharge circuit 2 inputs the clock CK1 to the control electrode of the NMOS transistor N2, the clock CK2 to the control electrode of the NMOS transistor N3, and the drain of the NMOS transistor N2 is connected to the node B. The source of the NMOS transistor N2 is connected to the drain of the NMOS transistor N3, and the source of the NMOS transistor N3 is connected to the ground voltage.

상기 방전시간조정 커패시터는 NMOS트랜지스터(N2)의 소오스와 NMOS트랜지스터(N3)의 드레인의 접합부에 형성되는 접합 커패시턴스(Cj)이다.The discharge time adjustment capacitor is a junction capacitance Cj formed at the junction of the source of the NMOS transistor N2 and the drain of the NMOS transistor N3.

전하전달회로(4)는 두개의 NMOS트랜지스터로 된 전송게이트(TG)의 각 드레인과 각 소오스는 공통 접속하고 전송게이트(TG)의 제어전극에는 전원공급단자를 연결하여 노드 B와 노드 C 사이에 접속하여 구성되어 있다.The charge transfer circuit 4 has a common connection between each drain and each source of the transfer gate TG of two NMOS transistors, and a power supply terminal is connected to the control electrode of the transfer gate TG. It is constructed by connecting.

버퍼회로(3)는 파워 온 리세트 커패시터(1)에 연결되어 파형을 정형하고 파워 온 리세트 펄스를 발생한다.The buffer circuit 3 is connected to the power on reset capacitor 1 to shape a waveform and generate a power on reset pulse.

상기 구성에 의거한 본 발명의 동작을 제 4 도를 이용하여 설명하면 다음과 같다.The operation of the present invention based on the above configuration will be described with reference to FIG.

전원전압 (Vcc)이 공급되면 전하가 커패시터(C4)에 충전되고 전송게이트(TG)가 온된다. 커패시터(C4)에 충전된 전하는 전송게이트(TG)를 통하여 방전회로(2)를 통하여 방전하게 된다. 방전은 클럭입력신호(CK1, CK2)가 두개의 NMOS트랜지스터(N2, N3)의 제어전극에 인가되어 이루어지게 된다. 여기에서 클럭입력신호(CK2)의 주파수는 클럭입력신호(CK1)의 주파수보다 높은 것으로 한다. 클럭입력신호(CK1)는 NMOS트랜지스터(N2)의 제어전극에 인가되어 전송 게이트(TG)를 통하여 접합커패시턴스(Cj)를 통하여 방전하게 된다. 클럭(CK1)펄스 타임동안 접합 커패시턴스(Cj)를 통하여 방전이 이루어지고 나면 클럭입력신호(CK2)가 온되어 NMOS트랜지스터(N3)를 통하여 접합 커패시턴스(Cj)에 충전된 전하를 방전하게 된다.When the power supply voltage Vcc is supplied, the charge is charged in the capacitor C4 and the transfer gate TG is turned on. Charge charged in the capacitor C4 is discharged through the discharge circuit 2 through the transfer gate TG. The discharge is performed by applying the clock input signals CK1 and CK2 to the control electrodes of the two NMOS transistors N2 and N3. Here, the frequency of the clock input signal CK2 is higher than the frequency of the clock input signal CK1. The clock input signal CK1 is applied to the control electrode of the NMOS transistor N2 to discharge through the junction capacitance Cj through the transfer gate TG. After discharge is performed through the junction capacitance Cj during the clock CK1 pulse time, the clock input signal CK2 is turned on to discharge the charge charged in the junction capacitance Cj through the NMOS transistor N3.

접합 커패시턴스(Cj)는 방전시간 조정커패시터로서 접합 커패시턴스(Cj)의 크기를 크게 하면 노드 B의 전하를 노드 A로 많이 이동시킴으로서 방전시간이 짧아지고 파워 온 리세트 타임도 짧아진다.The junction capacitance Cj is a discharge time adjustment capacitor. When the junction capacitance Cj is increased in size, the discharge time is shortened and the power-on reset time is shortened by moving the charge of the node B to the node A a lot.

접합 커패시턴스(Cj)의 크기가 작으면 노드 B의 전하를 노드 A로 조금씩 이동시킴으로써 방전시간이 길어지고 파워온 리세트 타임도 길어진다. 커패시터(C4)에 충전된 전하는 위와 같은 방법으로 방전이 이루어지고 버퍼회로(3)는 노드 C의 전압이 인버터(INV5)의 임계치 이하이면 버퍼회로(INV5, INV6)는 파워 온리세트펄스(POR)를 로우레벨로 버퍼한다.If the junction capacitance Cj is small in size, the discharge time is longer and the power-on reset time is longer by moving the charge of the node B to the node A little by little. The electric charge charged in the capacitor C4 is discharged in the same manner as above, and when the voltage of the node C is less than or equal to the threshold of the inverter INV5, the buffer circuits INV5 and INV6 generate power ON reset pulses (POR). Buffers to a low level.

여기에서 버퍼회로(INV5, INV6)의 임계치를 조정하여 리세트타임을 조정할 수 있다.Here, the reset time can be adjusted by adjusting the thresholds of the buffer circuits INV5 and INV6.

따라서 본 발명의 시스템 초기 리세트회로는 리세트 타임을 길게하여 시스템의 초기화를 안정하게 시킬수 있다. 또한 본 발명의 시스템 초기 리세트회로는 커패시터의 크기와 숫자를 줄여서 집적화시에 칩의 면적을 줄일 수 있다.Therefore, the system initial reset circuit of the present invention can make the initialization of the system stable by lengthening the reset time. In addition, the system initial reset circuit of the present invention can reduce the area of the chip during integration by reducing the size and number of capacitors.

Claims (6)

전원공급단자와 노드사이에 연결되어 초기 파워온시 상기 노드를 공급전압레벨로 충전시키기 위한 커패시터수단 ; 상기 노드와 접지단자 사이에 연결되어 상기 커패시터에 충전된 전하를 클럭펄스의 주기에 따른 펌핑율로 접지단자로 방전시키기 위한 전하 펌핑수단 ; 및 상기 노드에 걸리는 전압을 버퍼링하여 리세트 신호를 발생하는 버퍼수단을 구비하여서 된 것을 특징으로 하는 시스템 초기 리세트회로.Capacitor means connected between a power supply terminal and a node to charge the node to a supply voltage level at initial power-on; Charge pumping means connected between the node and the ground terminal to discharge the charge charged in the capacitor to the ground terminal at a pumping rate according to a cycle of a clock pulse; And buffer means for buffering the voltage across the node to generate a reset signal. 제 1 항에 있어서, 상기 전하펌핑수단은 상기 노드에 드레인이 연결되고 제 1 클럭펄스가 게이트에 인가되며 소오스를 가진 제 1NMOS트랜지스터와, 상기 제 1 NMOS트랜지스터의 소오스에 드레인이 연결되고 제 2 클럭펄스가 게이트에 인가되면 소오스가 접지단자에 연결되는 제 2 NMOS트랜지스터를 구비하여서 된 것을 특징으로 하는 시스템 초기 리세트회로.The first NMOS transistor of claim 1, wherein the charge pumping means has a drain connected to the node, a first clock pulse applied to a gate, and a drain connected to a source of the first NMOS transistor. And a second NMOS transistor having a source connected to the ground terminal when a pulse is applied to the gate. 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 클럭펄스의 주파수가 제 1 클럭펄스의 주파수보다 높은 것을 특징으로 하는 시스템 초기 리세트회로.3. The system initial reset circuit of claim 2, wherein a frequency of the second clock pulse is higher than a frequency of the first clock pulse. 제 3 항에 있어서, 상기 노드와 상기 전하 펌핑 수단의 사이에 공급전압에 의해 도통되는 전하전송게이트를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 시스템 초기 리세트회로.4. The system initial reset circuit according to claim 3, further comprising a charge transfer gate conducted by a supply voltage between said node and said charge pumping means. 제 4 항에 있어서, 상기 버퍼수단은 CMOS인버터를 2단 종속접속한 것을 특징으로 하는 시스템 초기 리세트회로.5. The system initial reset circuit according to claim 4, wherein said buffer means has cascaded CMOS inverters. 제 5 항에 있어서, 상기 리세트신호의 펄스폭은 상기 CMOS인버터의 임계치에 따라 설정되는 것을 특징으로 하는 시스템 초기 리세트회로.6. The system initial reset circuit according to claim 5, wherein the pulse width of said reset signal is set according to a threshold of said CMOS inverter.
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