KR930005788Y1 - Structure of stem and base for braun tube - Google Patents

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Abstract

내용 없음.No content.

Description

브라운관의 스템 및 베이스 구조CRT stem and base structure

제1도는 일반적인 브라운관의 구성을 보인 정면도.1 is a front view showing the configuration of a typical CRT.

제2a도 및 b는 종래 브라운관 스템구조의 일예를 보인 정면도 및 저면도.2a and b are a front view and a bottom view showing an example of a conventional CRT stem structure.

제3a도 및 b는 종래 브라운관 스템구조의 다른 예를 보인 정면도 및 저면도.3a and b are front and bottom views showing another example of a conventional CRT stem structure.

제4b도 내지 c는 본 고안의 브라운관 스템 및 베이스구조를 보인 것으로서 a는 스템의 구성을 보인 정면도, b는 스템의 구성을 보인 저면도, c는 베이스의 구성을 보인 저면도.Figures 4b to c shows the tube and stem structure of the present invention, a is a front view showing the configuration of the stem, b is a bottom view showing the configuration of the stem, c is a bottom view showing the configuration of the base.

제5도는 본 고안 브라운관의 스템 및 베이스구조의 결합상태를 보인 제4c도의 A-A선 단면도.Figure 5 is a cross-sectional view taken along line A-A of Figure 4c showing the coupling state of the stem and the base structure of the present invention CRT.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

11 : 브라운관 12 : 고전압공급핀11: CRT 12: High voltage supply pin

13 : 접속핀 15, 15' : 돌기부13: connection pin 15, 15 ': protrusion

20 : 베이스 21 : 결합홈20: base 21: coupling groove

22 : 보스 24 : 요입부22: boss 24: indent

26 : 절연체26: insulator

본 고안은 브라운관의 스템 및 베이스구조에 관한 것으로, 특히 브라운관의 저면에 고정된 고전압공급핀과, 이에 인접한 접속핀 사이에 돌출부를 형성하고, 상기 브라운관의 고전압공급핀이 끼워지는 베이스에 보스의 둘레에는 요입부를 형성하여 고전압공급핀과 접속핀을 완전히 분리시키는 동시에 시템부와 베이스 사이의 간격을 없앰으로써 내전압 특성을 향상시킬 수 있게 한 브라운관의 스템 및 베이스구조에 관한 것이다.The present invention relates to a stem and a base structure of the CRT, in particular, a high voltage supply pin fixed to the bottom of the CRT and a protruding portion between the adjacent connection pins, the circumference of the boss on the base to which the high voltage supply pin of the CRT is fitted The present invention relates to a stem and a base structure of a CRT tube which can improve the withstand voltage characteristics by forming a concave indentation to completely separate the high voltage supply pin and the connection pin and to eliminate the gap between the system part and the base.

제1도는 브라운관의 정면도이고, 제2a도는 종래 브라운관의 스템구조의 일예를 보인 정면도이며, 제2b도는 동 저면도로서, 이에 도시한 바와 같이, 브라운관(10)의 하측에 고정되는 스템부(1)는 고전압공급핀(2)과, 다수개의 접속핀(2)등으로 구성되어 있다.1 is a front view of the CRT, and FIG. 2A is a front view showing an example of a stem structure of a conventional CRT, and FIG. 2B is a bottom view of the same, and as shown therein, a stem part 1 fixed to the lower side of the CRT 10 ) Is composed of a high voltage supply pin (2), a plurality of connection pins (2) and the like.

상기한 고전압공급핀(2)과 접속핀(3)의 경계부에서는 고전압공급핀(2)과 접속핀(3)이 구부러질 경우에 크랙(crack)이 발생되기 쉽다.Cracks are likely to occur when the high voltage supply pin 2 and the connection pin 3 are bent at the boundary between the high voltage supply pin 2 and the connection pin 3.

따라서 상기한 크랙현상을 방지하기 위한 강도 향상의 목적으로 고전압공급핀(2)과 접속핀(3)의 주변을 환형돌출부(4)로 지지하였다.Therefore, the periphery of the high voltage supply pin 2 and the connection pin 3 was supported by the annular projection 4 for the purpose of improving the strength to prevent the crack phenomenon.

또한, 상기한 고전압공급핀(2)은 5kv 이상의 고전압을 공급함으로써 다른 접속핀(3)과의 절연이 매우 중요하며, 따라서 고전압공급핀(2)과 인접한 접속핀(3)과의 간격을 6mm정도 유지시키는 동시에 오염으로 인한 연면방전을 방지하기 위하여 고전압공급핀(2) 주의 환형돌출부(4) 양측에는 절연체(5)(5')을 형성하였다.In addition, since the high voltage supply pin 2 is supplied with a high voltage of 5kv or more, insulation with other connection pins 3 is very important, and therefore, the distance between the high voltage supply pins 2 and the adjacent connection pins 3 is 6 mm. Insulators 5 and 5 'were formed on both sides of the annular projection 4 of the high voltage supply pin 2 to prevent the creeping discharge due to contamination.

그러나 이와 같은 스템구조에 있어서는 고전압공급핀(2)과 그 양측의 절연체(5)(5')가 인접해 있으므로 절연체(5)(5')에 방전루트가 형성되는 문제점이 있었으며, 스템부(1)를 베이스(도시되지 않음)에 조립하였을 경우에는 절연체(5)(5')의 두께만큼 스템부(1)의 접촉면과 베이스의 접촉면 사이에 0.5mm정도의 간격이 유지됨으로써 먼지등의 오염으로 인하여 전기적 누설이 발생되는 문제점이 있었다.However, in such a stem structure, since the high voltage supply pin 2 and the insulators 5 and 5 'on both sides thereof are adjacent to each other, there is a problem in that a discharge route is formed in the insulators 5 and 5'. When 1) is assembled to a base (not shown), the thickness of the insulators 5 and 5 'is maintained between the contact surface of the stem 1 and the contact surface of the base so that the dust is contaminated. Due to this there was a problem that the electrical leakage occurs.

상기한 문제점을 해소하기 위한 종래 스템구조의 다른 예를 설명하면 다음과 같다.Another example of a conventional stem structure for solving the above problems is as follows.

제3도에 도시한 바와 같이, 돌출부(6)(7)를 분리형성하여 고전압공급핀(2)을 다른 접속핀(3)과 완전하게 분리시키고, 그 고전압공급핀(2)에 인접하여 분리된 절연체(8)(8')을 형성한 구조로서, 이와 같은 스템부(1')는 돌출부(6)(7)가 완전하게 분리됨으로서 고전압공급핀(2)과 접속핀(3) 사이의 연면거리가 증가되어 내전압을 향상시키는 효과는 있으나, 스템부(1')를 베이스에 조립할 경우에는 ,베이스의 접촉면은 평면인데 반하여 스템부(1')은 제3a도에 도시한 바와 같이 고전압공급핀(2) 주위에 요입부(9)(9')가 형성되어 있으므로 스템부(1)와 베이스는 완전하게 밀착되지 않게 되며 따라서 상기한 접촉면 사이에는 약간의 틈새가 생기게 되어 먼지등의 오염으로 인한 전기적 누설을 배제할 수 없는 문제점이 있었다.As shown in FIG. 3, the protrusions 6 and 7 are separated to completely separate the high voltage supply pin 2 from the other connection pins 3 and adjacent to the high voltage supply pin 2. In which the insulators 8 and 8 'are formed, such a stem 1' is provided between the high voltage supply pin 2 and the connecting pin 3 by completely separating the protrusions 6 and 7. The creepage distance is increased to increase the breakdown voltage. However, when the stem portion 1 'is assembled to the base, the contact surface of the base is flat while the stem portion 1' is supplied with a high voltage as shown in FIG. Since the indentations 9 and 9 'are formed around the pin 2, the stem 1 and the base do not come into close contact with each other. Therefore, a small gap is formed between the contact surfaces, and contaminated by dust or the like. There was a problem that can not be excluded due to electrical leakage.

따라서 본 고안은 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위하여 안출한 것으로, 브라운관의 저면에 고전압공급핀과 접속핀을 고정하고, 상기 고전압공급핀과 이에 인접한 접속핀 사이에 돌기부를 형성하며, 상기 고전압공급핀이 끼워지는 베이스의 보스 둘레에는 요입부를 형성하여 그 요입부에 절연체를 채운후 그 브라운관의 스템부를 결합시킴으로써 고전압공급핀과 접속핀을 완전히 분리시키는 동시에 스템부와 베이스 사이의 간격을 없애 내전압 특성을 향상시킬 수 있도록 구성한 것인바, 이를 첨부된 도면에 의하여 설명하면 다음과 같다.Therefore, the present invention has been devised to solve the conventional problems as described above, fixing the high voltage supply pin and the connecting pin on the bottom of the CRT, and forming a projection between the high voltage supply pin and the adjacent connecting pin, A recess is formed around the boss of the base into which the high voltage supply pin is inserted, and an insulator is filled in the recess to join the stem portion of the CRT so that the high voltage supply pin and the connecting pin are completely separated and the gap between the stem portion and the base is eliminated. It is configured to improve the withstand voltage characteristics, which will be described with reference to the accompanying drawings.

제4a도는 본 고안 브라운관의 스템구조를 보인 정면도이고, 제4b도는 동 저면도이며, 제5도는 본 고안에 의한 스템 및 베이스의 결합상태 확대 단면도로서, 도면중 11은 브라운관을 보인 것이고, 12는 고전압공급핀을 보인 것이며, 13은 다수개의 접속핀을 보인 것이고, 20은 베이스를 보인 것이다.Figure 4a is a front view showing the stem structure of the present invention tube, Figure 4b is a bottom view, Figure 5 is an enlarged cross-sectional view of the coupling state of the stem and the base according to the present invention, 11 is a view of the tube, 12 is A high voltage supply pin is shown, 13 is a plurality of connection pins, 20 is a base.

상기 고전압공급핀(2)과 인접한 접속핀(13)의 사이에는 돌기부(15)(15')가 각각 형성되어 있고, 상기 베이스(20)의 저면(21)는 결합홈(21)이 형성되어 있으며, 그 결합홈(21)의 일측에는 고전압공급핀(12)이 삽입되는 핀공(22)을 보유한 보스(23)가 형성되어 있고, 상기 보스(23)의 주위에는 부채꼴형상의 요입부(24)가 형성되어 있으며, 상기 고전압공급핀(12)에 인접하여 다수개의 핀공(25)이 형성된 구조로 되어 있다.Protrusions 15 and 15 'are respectively formed between the high voltage supply pin 2 and the adjacent connection pin 13, and the bottom surface 21 of the base 20 has a coupling groove 21 formed therein. A boss 23 having a pin hole 22 into which the high voltage supply pin 12 is inserted is formed at one side of the coupling groove 21, and a fan-shaped recess 24 is formed around the boss 23. ) Is formed, and a plurality of pin holes 25 are formed adjacent to the high voltage supply pin 12.

이와 같이 구성된 본 고안에 의한 스템부와 베이스의 구조는, 먼저 베이스(20)의 요입부(24)에 절연체(26)를 채운후, 그 베이스(20)의 핀공(22), (25)에 브라운관(11)의 고전압공급핀(12) 및 접속핀(13)이 삽입됨으로써 조립이 완료된다.The structure of the stem and the base according to the present invention configured as described above is first filled with the insulator 26 in the recessed portion 24 of the base 20, and then into the pin holes 22 and 25 of the base 20. The assembly is completed by inserting the high voltage supply pin 12 and the connection pin 13 of the CRT 11.

이와 같이 조립이 완료된 상태에서는 고전압공급핀(12)이 베이스(20)의 보스(23)에 형성한 핀공(22)에 삽입되어 고전압공급핀(12)을 보스(23)가 둘러싸고 있는 동시에 브라운관(11)의 돌기부(15)(15')와 베이스(20)의 요입부(24) 사이의 공간에 절연체(26)가 채워져 있으며, 또한 고전압공급핀(12)의 양측에 돌기부(15)(15')가 각각 위치하고, 뿐만 아니라 베이스(20)의 요입부(24)로 인하여 형성된 양측벽(24a)(24a')으로서, 고전압공급핀(12)을 둘러싸고 있다.In this state, the high voltage supply pin 12 is inserted into the pin hole 22 formed in the boss 23 of the base 20 so that the boss 23 surrounds the high voltage supply pin 12 and the cathode tube ( The insulator 26 is filled in the space between the protrusions 15 and 15 'of the 11 and the recess 24 of the base 20, and the protrusions 15 and 15 on both sides of the high voltage supply pin 12. Are respectively positioned and surround the high voltage supply pins 12 as both side walls 24a and 24a 'formed by the recesses 24 of the base 20.

따라서 상기한 바와 같이 고전압공급핀(12)을 4중으로 겹겹이 둘러싸고 있음으로써 내전압 특성은 더욱 향상되는 것이다.Therefore, as described above, the high-voltage supply pin 12 is surrounded by a stack of quadruple, and thus the withstand voltage characteristic is further improved.

또한, 베이스(20)의 결합홈(21)에 형성한 걸림턱(21a)에 브라운관(11)의 저면(11a)이 접촉하게 되어 베이스(20)와 브라운관(11)의 틈새를 없앨 수 있다.In addition, the bottom surface 11a of the CRT 11 contacts the locking step 21a formed in the coupling groove 21 of the base 20, thereby eliminating the gap between the base 20 and the CRT 11.

이와 같이, 고전압공급핀(12)과 다른 접속핀(13) 사이를 완벽히 차단하는 동시에 스템부와 베이스(20) 사이의 틈새를 완전하게 배제하여 먼지등의 오염으로 인한 전기적 누설을 방지하게 되는 현저한 효과가 있다.In this way, the high voltage supply pin 12 and the other connecting pin 13 is completely blocked and at the same time completely eliminates the gap between the stem portion and the base 20 to prevent electrical leakage due to contamination of dust, etc. It works.

Claims (1)

브라운관의 스템부에 베이스가 결합되는 것에 있어서, 상기 브라운관 (11)의 저면에 고정한 고전압공급핀(12)과 이에 인접한 접속핀(13) 사이에 돌기부(15)(15')를 각각 형성하고, 상기 베이스(20)의 결합홈(21) 일측에 형성되어 상기 고전압공급핀(12)이 끼워지는 보스(23)의 둘레에는 요입부(24)를 형성하며, 상기 브라운관(11)의 돌기부(15)(15') 및 베이스(20)의 요입부(24) 사이의 공간에 절연체(26)를 채워서 된 것을 특징으로 하는 브라운관의 스템 및 베이스구조.When the base is coupled to the stem of the CRT, projections 15 and 15 'are respectively formed between the high voltage supply pin 12 fixed to the bottom of the CRT and the connecting pin 13 adjacent thereto. The concave portion 24 is formed around the boss 23 formed at one side of the coupling groove 21 of the base 20 to which the high voltage supply pin 12 is fitted, and the protrusion 15 of the CRT 11 is formed. A stem and a base structure of a CRT tube, characterized in that the insulator 26 is filled in the space between the cavities 15 'and the recesses 24 of the base 20.
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