KR930003017Y1

KR930003017Y1 - Switching circuit selecting rf band pass filter

Info

Publication number: KR930003017Y1
Application number: KR2019900016550U
Authority: KR
Inventors: 문웅한
Original assignee: 삼성전기 주식회사; 서주인
Priority date: 1990-10-31
Filing date: 1990-10-31
Publication date: 1993-05-27
Also published as: KR920008531U

Abstract

내용 없음.No content.

Description

RF Bandpass Filter Selection Switching Circuit

제1도는 본 고안의 회로도.1 is a circuit diagram of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

F₁-F_n: 밴드패스필터단 BPF₁-BPF_n: 밴드패스필터F ₁ -F _n : Band pass filter stage BPF ₁ -BPF _n : Band pass filter

D₁₁-D_n4: 스위칭 다이오드 R₁₁-R_n7: 저항D ₁₁ -D _n4 : Switching diode R ₁₁ -R _n7 : Resistance

C₁₁-C_n4: 콘덴서C ₁₁ -C _n4 : Capacitor

본 고안은 RF 대역의 밴드 선택시 필요한 밴드만 선택적으로 통과시키게 되는 RF 밴드패스필터 선택 스위칭 회로에 관한 것이다. RF 수신기를 구성하는 경우 필요한 대역만을 선택하여 수신할 필요가 있다. 왜냐하면 안테나로 입력되는 다양한 RF 신호를 튜너에서 그대로 처리할 경우 인접밴드의 신호가 선택된 밴드의 신호에 영향을 미쳐 수신 특성저하를 초래하기 때문이다.The present invention relates to an RF bandpass filter selection switching circuit that selectively passes only a band necessary for selecting a band of an RF band. When configuring an RF receiver, it is necessary to select and receive only a required band. This is because when the tuner processes various RF signals input to the antenna as they are, the signals of the adjacent bands affect the signals of the selected bands, resulting in deterioration of reception characteristics.

이에따라 통상 튜너 전단에는 특정 밴드만 선택하기 위한 밴드패스필터가 사용되고 있지만 밴드패스필터의 주파수 범위가 한정되어 있기 때문에 넓은 범위의 밴드에 걸쳐 안정된 수신을 할 수 없는 문제가 나타나고 있었다. 이러한 문제점을 고려하여 제안된 밴드패스필터 중에는 가변용량 다이오드를 이용하여 단일의 밴드패스필터로부터 비교적 넘은 범위의 밴드를 커버할 수 있도록한 가변 밴드패스필터가 있다.Accordingly, a band pass filter for selecting only a specific band is generally used in front of the tuner. However, since the frequency range of the band pass filter is limited, there is a problem that stable reception cannot be performed over a wide range of bands. In consideration of this problem, one of the proposed band pass filters includes a variable band pass filter that can cover a band over a relatively wide range from a single band pass filter using a variable capacitance diode.

그러나 이러한 밴드패스필터의 유용성은 뛰어나지만 그 특성상에 문제가 있게된다. 즉 하나의 복합회로를 이용하게 됨에 따라 인접소자의 영향을 고려하지 않으면 안되므로 설계상, 상당한 어려움이 따르게 된다.However, although the usefulness of the band pass filter is excellent, there is a problem in its characteristics. In other words, as one composite circuit is used, the influence of neighboring elements must be taken into consideration, resulting in considerable design difficulties.

본 고안은 상기한 문제점을 해소하면서 안정된 주파수 특성을 얻을 수 있는 밴드패스필터를 제안한다.The present invention proposes a band pass filter which can obtain stable frequency characteristics while solving the above problems.

본 고안은 RF 입력신호가 임의의 갯수로 정해지는 복수의 밴드패스필터단을 거쳐 출력되게 함에 있어, 상기 복수의 밴드패스필터단은 해당 밴드선택전압으로 스위칭되는 스위칭다이오드에 의해 각각 선택적으로 동작되게 구성하는데 특징을 두고있다.The present invention allows the RF input signal to be output through a plurality of band pass filter stages, which are determined by an arbitrary number, so that the plurality of band pass filter stages are selectively operated by switching diodes switched to the corresponding band selection voltages. It is characterized by the composition.

이하 첨부한 도면을 참고로하여 본 고안을 설명하면 다음과 같다. 제1도에서 도시하고 있는바와 같이, 안테나로 부터 입력되는 RF 입력 신호는 복수로 구성된 밴드패스필터단(F₁-F_n)을 거쳐 출력되게 구성한다. 이들 복수의 밴드패스 필터단(F₁-F_n)은 도면상 그 구성 요소에 대한 참조부호가 다르게 부여되어 있지만 실질적으로 동일한 구성을 가진다. 그러므로 이하에서는 대표적인 밴드패스필터단(F₁)만 설명한다. RF 입력신호는 커플링 콘텐서(C₁₁)와 순방향 스위칭 다이오드(D₁₁)를 거쳐 밴드패스필터(BPF₁)로 입력되게 연결하고, 상기 밴드패스필터(BPF₁)에서 출력되는 신호는 다시 역방향 스위칭 다이오드(D₁₄)와 커플링 콘덴서(C₁₄)를 차례로 거쳐 출력되게 연결한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. As shown in FIG. 1, the RF input signal input from the antenna is configured to be output through a plurality of band pass filter stages F ₁ -F _n . These plurality of bandpass filter stages F ₁ -F _n have different reference numerals for the components in the drawings, but have substantially the same configuration. Therefore, only a representative band pass filter stage F ₁ will be described below. The RF input signal is connected to the band pass filter BPF ₁ via the coupling capacitor C ₁₁ and the forward switching diode D ₁₁ , and the signal output from the band pass filter BPF ₁ is reversed again. It is connected to the output through the switching diode (D ₁₄ ) and the coupling capacitor (C ₁₄ ) in order.

상기 각 커플링 콘텐서(C₁₁,C₁₄)가 연결된 각 스위칭 다이오드(D₁₁,D₁₄)의 애노드 측에는 각각 바이어스저항(R₁₁,R₁₇)을 통한 밴드선택전압(Vsw₁)이 공통으로 인가되게 연결하고, 상기 각 스위칭다이오드(D₁₁,D₁₄)의 캐소드 측에는 각각 바이어스 저항(R₁₂,R₁₆)을 연결한다. 또한 상기 각 스위칭다이오드(D₁₁,D₁₄)의 캐소드 측, 즉 밴드패스필터(BPF₁) 양단에는 스위칭다이오드(D₁₂) 및 바이패스 콘텐서(C₁₂)의 직렬회로를 연결하고, 상기 각 스위칭 다이오드(D₁₂)의 애노드 측에는 각각 저항(R₁₃,R₁₄) 및 저항(R₁₅)을 통한 전원전압(B⁺)이 인가되게 연결한다.On the anode side of each of the switching diodes D ₁₁ and D ₁₄ to which the coupling capacitors C ₁₁ and C ₁₄ are connected, band selection voltages Vsw ₁ through bias resistors R ₁₁ and R ₁₇ are common. It is connected to each other, and the bias resistors R ₁₂ and R ₁₆ are connected to the cathode sides of the switching diodes D ₁₁ and D ₁₄ , respectively. In addition, a series circuit of the switching diode D ₁₂ and the bypass capacitor C ₁₂ is connected to the cathode side of each of the switching diodes D ₁₁ and D ₁₄ , that is, both ends of the band pass filter BPF ₁ . An anode side of the switching diode D ₁₂ is connected such that a power supply voltage B ⁺ is applied through the resistors R ₁₃ and R ₁₄ and the resistor R _15, respectively.

이하 밴드패스필터단(F₃-F_n)의 구성은 상기한 밴드패스필터단(F₁)의 구성과 동일하므로 여기에 대한 설명은 생략한다.Hereinafter, since the configuration of the band pass filter stages F ₃ -F _n is the same as that of the band pass filter stage F ₁ , the description thereof will be omitted.

다음은 본 고안의 작용 및 효과를 설명한다. 가령 밴드선택전압(Vsw₁)이 발생되면 밴드패스필터단(F₁)이 선택된다. 이때에는 각각의 저항(R₁₁,R₁₇)을 통한 상기 밴드선택전압(Vsw₁)에 의해 스위칭다이오드(D₁₁,D₁₄)가 온되므로 커플링 콘덴서(C₁₁)를 통한 RF 입력신호가 스위칭다이오드(D₁₁)와 밴드패스필터(BPF₁)와 스위칭 다이오드(D₁₄)와 커플링 콘덴서(C₁₄)를 차례로 거쳐 해당밴드의 신호가 출력된다.The following describes the operation and effects of the present invention. For example, when the band selection voltage Vsw ₁ is generated, the band pass filter stage F ₁ is selected. At this time, since the switching diodes D ₁₁ and D ₁₄ are turned on by the band selection voltage Vsw ₁ through the resistors R ₁₁ and R ₁₇ , the RF input signal through the coupling capacitor C ₁₁ is switched. The signal of the corresponding band is output through the diode D ₁₁ , the band pass filter BPF ₁ , the switching diode D ₁₄ , and the coupling capacitor C ₁₄ .

이때 저항(R₁₂,R₁₆)은 스위칭 다이오드(D₁₁,D₁₄)의 전류통로를 형성하기 위한 바이패스 저항이다. 또한 각각의 저항(R₁₃,R₁₄) 및 저항(R₁₅)을 통한 전원전압(B⁺)이 각각의 애노드측에 인가되는 스위칭다이오드(D₁₂,D₁₃)는 각각 그들의 캐소드 측의 역바이어스 전압(즉 저항(R₁₁,R₁₇)과 스위칭 다이오드(D₁₁,D₁₄)을 통한 밴드선택전압(Vsw₁)에 의해 오프상태로 된다.In this case, the resistors R ₁₂ and R ₁₆ are bypass resistors for forming current paths of the switching diodes D ₁₁ and D ₁₄ . In addition, the switching diodes D ₁₂ and D ₁₃ to which the power supply voltage B ⁺ through each of the resistors R ₁₃ and R ₁₄ and the resistor R ₁₅ are applied to the respective anode sides are respectively reverse biased at their cathode sides. It is turned off by the voltage (ie, the resistors R ₁₁ and R ₁₇ ) and the band select voltage Vsw ₁ through the switching diodes D ₁₁ and D ₁₄ .

한편, 밴드선택전압(Vsw₁)이 발생되지 않으면 스위칭 다이오드(D₁₁,D₁₄)의 바이어스 전압이 공급되지 못하므로 이때에는 RF 입력신호가 밴드패스필터단(F₁)의 출력측에 나타나지 않게 되지만, 입력되는 RF신호은 매우 높은 주파수 이기때문에 스위칭 다이오드(D₁₁,D₁₄)를 미세하게 통과 하게된다. 이러한 누설신호를 상기한 스위칭다이오드(D₁₂,D₁₃)와 바이패스 콘덴서(C₁₂,D₁₃)를 통하여 그라운드로 빠져나가게 되므로 실질적으로 밴드패스필터단(F₁)의 출력측에는 RF신호가 나타나지 않게된다. 왜냐하면, 상기 스위칭 다이오드(D₁₂,D₁₃)은 바이패스 저항(R₁₂,R₁₆)과 저항(R₁₃,R₁₄) 및 저항(R₁₅)을 통한 전원전압(B⁺)에 의해 바이어스 되어 온 상태로 되기때문이다.On the other hand, if the band selection voltage Vsw ₁ is not generated, the bias voltages of the switching diodes D ₁₁ and D ₁₄ are not supplied. At this time, the RF input signal does not appear at the output side of the band pass filter stage F ₁ . Since the RF signal is very high frequency, it passes through the switching diodes D ₁₁ and D ₁₄ finely. Since the leakage signal is passed to the ground through the switching diodes D ₁₂ and D ₁₃ and the bypass capacitors C ₁₂ and D ₁₃ , the RF signal does not appear on the output side of the band pass filter stage F ₁ . Will not. Because the switching diodes (D ₁₂ , D ₁₃ ) are biased by the supply voltage (B ⁺ ) through the bypass resistors (R ₁₂ , R ₁₆ ) and resistors (R ₁₃ , R ₁₄ ) and resistor (R ₁₅ ). Because it is on.

한편 또다른 밴드패스필터단(F₂-F_n) 또한 동일구성이므로 각각의 밴드선택전압(Vsw₂-Vsw_n)에 의한 이들의 동작은 동일하다. 따라서 본 고안은 복수의 밴드패스필터단 중에서 특정 밴드패스필터단만 선택적으로 발생되는 해당 밴드선택전압에 의해 동작하고 그외의 다른 밴드패스필터단은 RF신호의 필터링 출력을 내지 못하게 되므로, 해당 밴드의 안정되고 양호한 RF 필터링 출력을 얻을 수 있게 되는 특유의 효과가 나타나게된다.On the other hand, since the other band pass filter stages F ₂ -F _{n have the} same configuration, their operation by the respective band selection voltages Vsw _2- Vsw _n are the same. Therefore, the present invention is operated by the corresponding band selection voltage, in which only a specific band pass filter stage is selectively generated among the plurality of band pass filter stages, and the other band pass filter stages do not generate the filtering output of the RF signal. The unique effect of achieving a stable and good RF filtering output is shown.

Claims

In the high frequency signal band-pass filter circuit, each of the band selection voltage (Vsw ₁ -Vsw _n) RF band-pass filter stage (F ₁ -F _n) composed of the plurality, and wherein the band pass filter stage is selected by the RF input The signal is connected to the output through the coupling capacitor (C ₁₁ ), the forward switching diode (D ₁₁ ) bandpass filter (BPF ₁ ), the reverse switching diode (D ₁₄ ) and the coupling capacitor (C ₁₄ ) in turn, and A band selection voltage Vsw ₁ is connected to the anode side of each switching diode D ₁₁ and D ₁₄ , and a power supply voltage B ⁺ is applied to each anode side of the band pass filter BPF ₁ . RF bandpass filter selection switching circuit, characterized in that configured to connect each switching diode (D ₁₂ , D ₁₃ ) and each bypass capacitor (C ₁₁ , C ₁₃ ) in series.