KR930001882Y1 - Current eliminating circuit for input bias - Google Patents

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KR930001882Y1
KR930001882Y1 KR2019900012152U KR900012152U KR930001882Y1 KR 930001882 Y1 KR930001882 Y1 KR 930001882Y1 KR 2019900012152 U KR2019900012152 U KR 2019900012152U KR 900012152 U KR900012152 U KR 900012152U KR 930001882 Y1 KR930001882 Y1 KR 930001882Y1
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소명진
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Abstract

내용 없음.No content.

Description

입력 바이어스 전류 제거회로Input bias current cancellation circuit

제1도는 종래 입력 바이어스 전류 제거 회로도.1 is a conventional input bias current cancellation circuit diagram.

제2도는 본 고안에 따른 바이어스 전류 제거 회로도.2 is a bias current cancellation circuit according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

11 : 바이어스부 12 : 차동증폭부11: bias part 12: differential amplifier

13 : 바이어스전류검지부13: bias current detector

Q11,Q12,Q23,Q24 : 엔피엔트랜지스터Q11, Q12, Q23, Q24: Enfine Transistor

Q13,Q14,Q19,Q20 : 쇼트기트랜지스터Q13, Q14, Q19, Q20: Short Transistor

Q15-Q18,Q25 : 피엔피트랜지스터Q15-Q18, Q25: PNP Transistor

Q21,Q22 : 멀티콜레터피엔피트랜지스터Q21, Q22: Multicollective NP Transistor

본 고안은 입력 ㅏ이어스 전류 제거회로에 관한 것으로, 특히 바이어스 전류를 보다 완전히 제거함으로써 정밀 비교기회로등에 적합하도록 한 입력 바이어스 전류 제거회로에 관한 것이다.The present invention relates to an input bias current cancellation circuit, and more particularly, to an input bias current cancellation circuit suitable for a precision comparator circuit by removing the bias current more completely.

종래의 입력 바이어스 전류 제거회로는 제1도에 도시한 바와 같이, 입력신호(Vin1), (Vin2)를 베이스에 인가받는 차동증폭부(1) 트랜지스터(Q1),(Q2)의 의 에미터를 공통으로 전류원(IE)에 연결함과 아울러 전류원(IB)을 통한 후 다이오드(D1),(D2)를 통해 에미터에 전원전압(Vcc)을 인가받는 그 바이어스부(4)의 피엔피트랜지스터(Q9)의 베이스에 연결하며, 상기 트랜지스터(Q1),(Q2)의 각 콜렉터와 종속(cascade)연결되어 있는 트랜지스터(Q3),(Q4)의 콜렉터에서 차동증폭출력(Vout)을 하고, 상기 바이어스부(4)의 전류원(IB)을 통한 바아어스를 공급받는 바이어스전류부(2)의 전류원 피엔피트랜지스터(Q5),(Q6)를 각기 통해 상기 차동증폭부(1)의 트랜지스터(Q3)및 입력신호(Vin1)의 바이어스전류(IB3),(I1)를 제어하며, 상기 전류원(IB)을 통한 바어어스를 공급받는 바이어스전류부(3)의 전류원 피엔피트랜지스터(Q7),(Q8)를 통해 상기 차동증폭부(1)의 트랜지스터(Q4) 및 입력신호(Vin2)의 바이어스전류(IB4), (I2)를 제어하도록 구성되었다.In the conventional input bias current removing circuit, as shown in FIG. 1, the emitters of the transistors (Q1) and (Q2) of the differential amplifier (1) that receive the input signals (Vin1, (Vin2)) are applied to the base. It is commonly connected to the current source I E and the P and P of the bias part 4 which receives the power supply voltage Vcc to the emitter through the diodes D1 and D2 through the current source I B. A differential amplification output (Vout) at the collector of transistors Q3 and Q4 connected to the base of transistor Q9 and cascaded to each collector of transistors Q1 and Q2, Transistors of the differential amplification unit 1 through the current source PNP transistors Q5 and Q6 of the bias current unit 2 receiving the bias through the current source I B of the bias unit 4, respectively. Q3) and the input signal (Vin1) bias current (I B3), (I 1 ) the control and bias before receiving the baeo ground through the current source (I B) of Section 3, the current source P & P transistor (Q7), (Q8) for controlling a bias current (I B4), (I 2) of the transistor (Q4) and the input signal (Vin2) of said differential amplifier section (1) through the It is configured to.

입력신호(Vin1),(Vin2)가 차동증폭부(1)의 트랜지스터(Q1),(Q2)베이스에 인가되면, 이 입력신호(Vin1),(Vin2)에 따라 입력전류(Iin1),(Iin2)가 각기 트랜지스터(Q1),(Q2)의 베이스에 인가된다. 그런데, 차동증폭부(1)의 트랜지스터(Q1),(Q2)와 종속연결된 트랜지스터(Q3),(Q4)가 각기 동일크기의 트랜지스터라고 한다며, 트랜지스터(Q1),(Q3)에 흐르는 전류는 IE/2가 되고, 트랜지스터(Q2),(Q4)에 흐르는 전류도 IE/2가 된다.When the input signals Vin1 and Vin2 are applied to the bases of the transistors Q1 and Q2 of the differential amplifier 1, the input currents Vin1 and Vin2 are applied according to the input signals Vin1 and Vin2. Are applied to the bases of transistors Q1 and Q2, respectively. However, the transistors Q1 and Q2 of the differential amplifier 1 are referred to as transistors Q3 and Q4 that are cascaded, respectively, and the current flowing through the transistors Q1 and Q3 is I. It becomes E / 2, and the electric current which flows through transistors Q2 and Q4 also becomes IE / 2.

트랜지스터(Q1)의 베이스 전류를 IB1이라 하고, 트랜지스터(Q3)의베이스 전류를 IB3이라 하면, 이 트랜지스터(Q1),(Q3)는 동일크기 및 특성을 가지므로 베이스전류는 같다(IB1=IB3), 한편 입력전류(IB1)는 트랜지스터(Q1)의 베이스전류(IB1)에서 바이어스전류(2)의 트랜지스터(2)의 트랜지스터(Q6)를 통한 전류(I1)를 뺀 값 즉, Iin1=IB1-I1이 된다.If the base current of transistor Q1 is referred to as I B1 and the base current of transistor Q3 is referred to as I B3 , since the transistors Q1 and Q3 have the same size and characteristics, the base currents are the same (I B1). = I B3 ), while the input current I B1 is obtained by subtracting the current I1 through the transistor Q6 of the transistor 2 of the bias current 2 from the base current I B1 of the transistor Q1. , Iin1 = I B1 -I1.

마찬가지로 트랜지스터(Q2)의 입력전류(Iin2)는 Iin2=IB2-I2가 된다. 이때 바이어스전류부(2),(3)의각 피엔피트랜지스터(Q6과 Q5), (Q7과 Q8)는 각기 전류미러 이므로 IB3=I1, IB4=I2가 된다. 즉, Iin1=IB-I1=IB1-IB3-식(1), Iin2=IB2-I2=IB2-IB4-식(2)가 된다.Similarly, the input current Iin2 of the transistor Q2 becomes Iin2 = I B2 -I2. At this time, each of the PNP transistors Q6 and Q5 and Q7 and Q8 of the bias current units 2 and 3 is a current mirror, so that I B3 = I1 and I B4 = I2. That is, Iin1 = I B -I1 = I B1 -I B3 -Expression (1), and Iin2 = I B2 -I2 = I B2 -I B4 -Expression (2).

따라서, 트랜지스터(Q1과 Q3), (Q2와 Q4)가 동일크기 및 특성이므로 베이스전류가 같아서 Iin10, Iin2가 되어 입력 바이어스전류(Iin1),(Iin2)는 제거된다.Therefore, since the transistors Q1 and Q3 and Q2 and Q4 are the same size and characteristics, the base current is the same, so that Iin1 is the same. 0, Iin2 The input bias currents Iin1 and Iin2 are removed.

그러나, 피엔피트랜지스터(Q5),(Q7)을 통해 트랜지스터(Q3),(Q4)의 베이스 바이어스전류(IB3),(IB4)를 공급하고, 이 피엔피트랜지스터(Q5),(Q7)와 각기 전류미러인 피엔피트랜지스터(Q6),(Q8)를 통해 제어전류(Q5,Q6)(Q7,Q8)로 구성하므로 IB3과 I1및 IB4/β정도의의 차이가 난다(β는 피엔피트랜지스터의 전류이득).However, the base bias currents I B3 and I B4 of the transistors Q3 and Q4 are supplied through the PNP transistors Q5 and Q7, and the PNP transistors Q5 and Q7 are supplied. And each of the control currents (Q5, Q6) and (Q7, Q8) through PNP transistors (Q6) and (Q8), which are current mirrors, respectively, so there is a difference between I B3 and I1 and I B4 / β (β is Current gain of PNP transistor).

본 고안은 이와같은 문제점을 감안하여 차동증폭부에 공급되는 바이어스 전류를 정확히 검지하여 이에따라 입력 바이어스 전류를 제거하는 정확성을 휠씬 개선시킨 회로를 안출한 것으로, 이를 첨부한 도면을 참조해 상세히 설명하면 다음과 같다.In view of such a problem, the present invention provides a circuit that accurately detects the bias current supplied to the differential amplifier and improves the accuracy of eliminating the input bias current accordingly. Same as

제2도는 본 고안에 따른 입력 바이어스 전류 제거회로도로서, 이에 도시한 바와같이 입력신호(Iin1),(Iin2)를 베이스에 인가받는 트랜지스터(Q11),(Q12)의 에미터를 공통으로 전류원(IE)에 접속하고, 그들의 콜렉터를 쇼트키트랜지스터(Q13),(Q14)와 각기 종속연결하며, 그 쇼트키트랜지스터(Q13),(Q14)의 공통베이스를 다이오드(D1를 통해, 상기 트랜지스터(Q11),(Q12)의 고통에미터를 베이스에 연결한 전류원 피엔피트랜지스터(Q25)의 에미터에 연결하고 저항(R1),(R2)을 통해 전원전압(Vcc)을 에미터에 각기 인가받고, 베이스에 공통 바이어스(VBias)를 인가받는 피엔피트랜지스터(Q15),(Q16)의 각 콜렉터와 상기 쇼트키트랜지스터(Q13),(Q14)의 각 콜렉터 접속점을 통해 차동증폭출력(Vo)을 하는 차동증폭부(12)와, 전류미러를 이루는 피엔피트랜지스터(Q17),(Q18)의 공통 베이스와 상기 피엔피트랜지스터(Q17)의 콜렉터를 전류원(IE1)에 연결하고, 상기 피엔피트랜지스터(Q18)의 콜렉터를 상기 차동증폭부(12)의 쇼트키트랜지스터(Q13),(Q14)의 공통 베이스에 접속하여 바이어스 전류를 공급하는 바이어스부(11)와, 상기 차동증폭부(12)의 쇼트키트랜지스터(Q13),(Q14) 베이스 공통 접속점을 콜렉터가 공통 접속되고, 에미터가 공통 접속되어 이중 구성을 갖는 쇼트키트랜지스터(Q19),(Q20)의 베이스에 공통 접속함과 아울러 멀티콜렉터 피엔피트랜지스터(Q21)의 에미터에 접속하고, 그의 일측 콜렉터를 그의 베이스에 접속함과 아울러 멀티콜렉터 피엔피트랜지스터(Q22)의 에미터에 접속하며, 상기 멀티콜렉터피엔피트랜지스터(Q21)의 타측콜렉터를 상기 멀티콜렉터피엔피트랜지스터(Q22)의 베이스에 접속함과 아울러 콜렉터가 공통으로 상기 쇼트키트랜지스터(Q19),(Q20)의 공통에미터에 접속되고 에미터가 공통으로 전류원(IE2)에 접속되어 이중구성인 트랜지스터(Q23),(Q24)의 베이스에 공통 접속하며 상기 멀티콜렉터피엔피트랜지스터(Q22)의 멀티콜렉터를 상기 차동증폭부(12)의 트랜지스터(Q11),(Q12)의 베이스에 각기 접속하여 전류미러를 이루게 하고, 상기 차동증폭부(12)의 쇼트키트랜지스터(Q13),(Q14)의 베이스 바이어스 전류를 감지하여 그에따른 트랜지스터(Q11),(Q12)의 베이스 바이어스를 공급하는 바이어스전류검지부(13)로 구성하였다.FIG. 2 is a circuit diagram of an input bias current cancellation circuit according to the present invention. As shown therein, the emitters of transistors Q11 and Q12 to which input signals Iin1 and Iin2 are applied to a base are commonly used as current sources I. E ), and their collectors are cascaded with Schottky transistors Q13 and Q14, respectively, and the common base of the Schottky transistors Q13 and Q14 is connected via a diode D1 to the transistor Q11. ), (12) and (12) to the emitter of the current source PNP transistor (Q25) connected to the base, and the power supply voltage (Vcc) is applied to the emitter through the resistors (R1) and (R2), respectively. The differential amplification output Vo is applied through each collector of the PNP transistors Q15 and Q16 to which the common bias V Bias is applied to the base and the collector connection points of the Schottky transistors Q13 and Q14. A common base of the differential amplifier 12 and the PNP transistors Q17 and Q18 forming the current mirror; A common base of the group P & P transistor (Q17) connected to the collector of the current source (I E1) and Schottky transistor (Q13) of the differential amplifying section 12 to the collector of the P & P transistor (Q18), (Q14) The collector is commonly connected to the bias section 11 for supplying a bias current and to the Schottky transistors Q13 and Q14 base common connection point of the differential amplifier 12, and the emitter is commonly connected. It is connected to the bases of the Schottky transistors Q19 and Q20 having the configuration, and connected to the emitter of the multi-collector PNP transistor Q21, and the one collector thereof is connected to its base, and the multi-collector P is connected. The emitter is connected to the emitter of the N-P transistor Q22, the other collector of the multi-collector P-P transistor Q21 is connected to the base of the multi-collector P-P transistor Q22, and the collector is commonly used for the Schottky. Transistor (Q19), connected in common to the meter on and the emitter is connected to common with the current source (I E2) connected in common, and wherein the multi-collector to the base of the dual configuration of the transistor (Q23), (Q24) of blood (Q20) The multi-collector of the N-pit transistor Q22 is connected to the bases of the transistors Q11 and Q12 of the differential amplifier 12 to form a current mirror, and the schottky transistor Q13 of the differential amplifier 12 is connected. And a bias current detection unit 13 for sensing the base bias currents of Q14 and Q14 and supplying the base biases of the transistors Q11 and Q12.

이와같이 구성한 본 고안의 작용 및 효과를 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation and effects of the present invention configured as described above are as follows.

입력신호(Vin1),(Vin2)가 입력되면, 차동증폭부(12)의 트랜지스터(12)의 트랜지스터(Q11),(Q12)를 통해 차동증폭후 쇼트키트랜지스터(Q13),(Q14)를 통해 출력(Vo)한다.When the input signals Vin1 and Vin2 are input, the differential amplifier 12 through the transistors Q11 and Q12 of the transistors 12 through the Schottky transistors Q13 and Q14. Output (Vo).

이때 바이어스부(11)는 전류원(IE1에 의해 턴온되는 피엔피트랜지스터(Q17)와 전류미러를 이루는 피엔피트랜지스터(Q18)를 통해 상기 쇼트키트랜지스터(Q13),(Q14)의 베이스 바이어스 전류를 공급하고, 이 베이스 바이어서 전류는 전류감지부(13)의 쇼트키트랜지스터(Q19),(Q20)의 베이스 및 멀티콜렉터 피엔피트랜지스터(Q21)의 에미터 인가된다.At this time, the bias unit 11 receives the base bias currents of the Schottky transistors Q13 and Q14 through the PN transistor Q18 forming a current mirror with the PN transistor Q17 turned on by the current source I E1 . The base bias current is applied to the bases of the Schottky transistors Q19 and Q20 of the current sensing unit 13 and the emitters of the multi-collector PNP transistor Q21.

이 멀티콜렉터피엔피트랜지스터(Q22)의 베이스 및 트랜지스터(Q23),(Q24)를 통해 전류원(IE2)에 흐르는 전류는 상기 바이어스부(11)와 전류미러를 이룸과 아울러 상기 멀티콜렉터 피엔피트랜지스터(Q21),(Q22)와 전류미러를 이루게 되므로, 차동증폭부(12)의 트랜지스터(Q11),(Q12)의 베이스측에 인가하는 바이어스전류(I1),(I2)와, 쇼트키트랜지스터(Q13),(Q14)의 베이스 바이어스는 같게 된다.The current flowing through the base of the multi-collector PNP transistor Q22 and the current sources I E2 through the transistors Q23 and Q24 forms a current mirror with the bias unit 11 and the multi-collector PNP transistor Since a current mirror is formed with Q21 and Q22, the bias currents I1 and I2 applied to the base side of the transistors Q11 and Q12 of the differential amplifier 12 and the Schottky transistor ( The base biases of Q13) and Q14 are equal.

즉, 바이어스부(11)의 피엔피트랜지스터(Q18)의 콜렉터출력전류를 IB3이라 하면, 이 전류 IB3은 쇼트키트랜지스터(Q13),(Q14)의 베이스에 인가됨과 아울러 바이어스전류검지부(13)의 쇼트키트랜지스터(Q19),(Q20)에 인가되고, 이 바이어스전류(IB3)는 다이오드 작용의 멀티콜렉터 피엔피트랜지스터(Q21)의 에미터에 인가되어 그의 타측콜렉터를 통해 멀티콜렉터 피엔피트랜지스터(Q22)의 베이스에 인가되어, 그 멀티콜렉터 피엔피트랜지스터(Q22)의 콜렉터 2개를 통해 균등하게 나누어 흐르게 된다.That is, if the collector output current of the PNP transistor Q18 of the bias unit 11 is I B3 , this current I B3 is applied to the bases of the Schottky transistors Q13 and Q14 and the bias current detection unit 13 Is applied to the Schottky transistors Q19 and Q20, and this bias current I B3 is applied to the emitter of the multi-collector PNP transistor Q21 acting as a diode and through the other collector thereof. It is applied to the base of the transistor Q22 and flows evenly through the two collectors of the multi-collector PNP transistor Q22.

따라서, 트랜지스터(Q11),(Q12)의 베이스측에 인가하는 바이어스전류(I1),(I2)는 동일크기가 되고, 이때 트랜지스터(Q11),(Q12)의 콜렉터 전류가 각기 IE/2이며, 피엔피트랜지스터(Q17),(Q18)의 콜렉터 전류는 바이어스부(11)의 전류원(IE1)전류이다.Accordingly, the bias currents I1 and I2 applied to the base side of the transistors Q11 and Q12 are equal in magnitude, and the collector currents of the transistors Q11 and Q12 are I E / 2, respectively. The collector currents of the PNP transistors Q17 and Q18 are current source I E1 currents of the bias unit 11.

그러므로 IE1=IE=IE2로 설계하면, 쇼트키트랜지스터(Q13),(Q14)의 베이스바이어스전류(IB3)는 트랜지스터(Q11),(Q12)의 베이스바이어스전류(IB1,(IB2)의 2배이다.Therefore, if I E1 = I E = I E2 , the base bias currents I B3 of the Schottky transistors Q13 and Q14 are the base bias currents I B1 and I of transistors Q11 and Q12. B2 ) twice.

이를 식으로 살펴보면 다음과 같다.This is as follows.

입력전류(Iin1),(Iin2)는 Iin1=IB1-I1-식(3), Iin2=IB2-I2-식(4) 그리고, IE1=IB3=IB1+IB2=IE-식(5) 그러므로 상기 식(3),(4),(5)에서 IB3=IB1+IB2=(Iin1+I1)+(Iin2+I2)=I1+I2+Iin2-식(6) 그런데, 상기 멀티콜렉터 피엔피트랜지스터(Q22)의 콜렉터 2개를 통해 균등하게 나누어 흐르게 되는 전류(I1),(I2)는 상기 피엔피트랜지스터(Q18)의 콜렉터전류(IB3)이므로 즉, IB3=I1+I2-식(7)이다.The input currents Iin1 and Iin2 are represented by Iin1 = I B1- I1- (3), Iin2 = I B2- I2- (4), and I E1 = I B3 = I B1 + I B2 = I E- (5) Therefore, I B3 = I B1 + I B2 = (Iin1 + I1) + (Iin2 + I2) = I1 + I2 + Iin2- in the above formulas (3), (4) and (5) However, the currents I1 and I2 that are equally divided and flow through the two collectors of the multi-collector PNP transistor Q22 are the collector currents I B3 of the PNP transistor Q18, that is, I B3. = I1 + I2- Equation (7).

상기 식(6), (7)에서 IB3=IB1+IB2=I1+I2-식(8)가 되어 Iin1=0, Iin2=0가 된다.In formulas (6) and (7), I B3 = I B1 + I B2 = I 1 + I 2 -Equation (8), where Iin1 = 0 and Iin2 = 0.

이와같이 입력전류(Iin1),(Iin2)는 바이어스전류검지부(13)를 통해 공급되는 전류(I1),(I2)에 의해 제거된다.In this way, the input currents Iin1 and Iin2 are removed by the currents I1 and I2 supplied through the bias current detection unit 13.

여기서, 차동증폭부(12)의 쇼트키트랜지스터(Q13),(Q14)를 쇼트키트랜지스터의 특성에 따라 그들의 콜렉터가 세튜레이션(saturation)되는 것을 방지하여 주며, 그 쇼트키트랜지스터(Q13),(Q14)의 베이스를 공통으로 다이오드(D1)를 통한 후 피엔피트랜지스터(Q25)에 접속하고, 그 피엔피트랜지스터(Q25)의 베이스를 상기 트랜지스터(Q11),(Q12)의 공통에미터에 접속하여 트랜지스터(Q11,Q13), (Q12,Q14)의 베이스 콜렉터 전압을 일정하게 해주며, 바이어스전류검지부(13)의 전류미러 구성을 위한 쇼트키트랜지스터(Q19),(Q20)와 트랜지스터(Q23),(Q24)를 각기 두개씩 이중구성으로 한 것은 차동증폭부(12)의 쇼트키트랜지스터(Q13),(Q14) 및 트랜지스터(Q11),(Q12)와 동일구성으로 동일조건을 주기 위함이다.Here, the schottky transistors Q13 and Q14 of the differential amplifier 12 prevent their collectors from being saturated according to the characteristics of the schottky transistor, and the schottky transistors Q13 and ( The base of Q14) is commonly connected to the PNP transistor Q25 through the diode D1, and the base of the PNP transistor Q25 is connected to the common emitter of the transistors Q11 and Q12. The base collector voltages of the transistors Q11, Q13, and Q12 and Q14 are made constant, and Schottky transistors Q19, Q20, Q20, and the transistor Q23, for the current mirror configuration of the bias current detector 13, The dual configuration of each of Q24 is to give the same condition as the Schottky transistors Q13, Q14, and transistors Q11, Q12 of the differential amplifier 12.

이와같이 본 고안은 차동증폭부(12)의 트랜지스터(Q11,Q13), (Q12,Q14)의 베이스전류(IB3=2IB1), (IB3=2IB2)가 동일하도록 바이어스전류검지부(13)를 통해 전류(I1),(I2)를 정확하게 맞추어 공급하므로, 종래의 피엔피형 전류미러에서 발생되는 2IB3/β만큼의 차이를정도의 크리고 정밀화시킨다. 즉, 약정도의 차이가 나므로 종래의 회로에서보다 입력전류(Iin1),(Iin2)의 차단을 휠씬 정확하게 개선 할 수 있는 효과가 있다.As such, the present invention provides the bias current detection unit 13 such that the base currents I B3 = 2I B1 and (I B3 = 2I B2 ) of the transistors Q11 and Q13 and Q12 and Q14 of the differential amplifier 12 are the same. By supplying the current (I1) and (I2) accurately through the through, the difference as much as 2I B3 / β generated in the conventional PNP-type current mirror Cree and refine the degree. That is, about Since there is a difference in degree, it is possible to improve the blocking of the input currents Iin1 and Iin2 much more accurately than in the conventional circuit.

Claims (2)

차동증폭회로의 입력 바이어스 전류 제거회로에 있어서, 입력신호(Vin1),(Vin2)를 베이스에 인가받는 트랜지스터(Q11),(Q12)와 그의 콜렉터에 종속연결된 쇼트키트랜지스터(Q13),(Q14)를 통해 차동증폭하는 차동증폭부(12), 전류원(IE1)에 따라 제어되는 피엔피트랜지스터(Q17)와 전류미러인 피엔피트랜지스터(Q18)를 통해 차동증폭부(12)의 쇼트키트랜지스터(Q13),(Q14) 베이스 바이어스 전류를 공통으로 공급하는 바이어스부(11)와, 상기 쇼트키트랜지스터(Q13),(Q14) 베이스 바이어스 전류를 검지한 후 전류미러로 균등분할한 전류(I1),(I2)를 상기 차동증폭부(12)의 트랜지스터(Q11),(Q12)에 공급하여 입력전류(Iin1),(Iin2)를 제거하기 위한 바이어스전류검지부(13)로 구성한 것을 특징으로 하는 입력 바이어스 전류 제거회로.In the input bias current cancellation circuit of the differential amplification circuit, a schottky transistor (Q13) (Q13) (Q14) connected to the transistors (Q11) (Q12) and (Q12) and its collector to which the input signals (Vin1) (Vin2) are applied to the base. Through the differential amplifier 12, the PNP transistor Q17 controlled according to the current source I E1 and the PNP transistor Q18 which is the current mirror, the Schottky transistor of the differential amplifier 12 Q13) and (Q14) the bias unit 11 which supplies the base bias current in common, and the Schottky transistors Q13 and (Q14) the base bias current is detected and the current I1 equally divided by the current mirror, And a bias current detection unit 13 for supplying (I2) to the transistors Q11 and Q12 of the differential amplifier 12 to remove the input currents Iin1 and Iin2. Current elimination circuit. 제1항에 있어서, 상기 쇼트키트랜지스터(Q13),(Q14)의 베이스 접속점을 공통콜렉터 및 공통에미터 구성인 쇼트키 트랜지스터(Q19),(Q20)의 베이스 및 멀티콜렉터 피엔피트랜지스터(Q21)의 에미터에 연결하고, 그의 일측 콜렉터를 그의 베이스 및 멀티콜렉터 피엔피트랜지스터(Q22)의 에미터에 연결하며, 타측 콜렉터는 상기 멀티콜렉터 피엔피트랜지스터(Q22)의 베이스에 연결함과 아울러 상기 쇼트키트랜지스터(Q19),(Q20)의 공통에미터에 콜렉터를 공통연결한 후 에미터를 공통으로 전류원(IE2)에 연결한 트랜지스터(Q23),(Q24)의 베이스에 연결하고, 상기 멀티콜렉터 피엔피트랜지스터(Q22)의 2개의 멀티콜렉터를 각기 상기 차동증폭부(12)의 트랜지스터(Q11),(Q12)베이스에 연결하여 바이어스 전류검지부(13)를 구성한 것을 특징으로 하는 바이어스 전류 제어회로.The base and multi-collector PNP transistors Q21 according to claim 1, wherein the base connection points of the Schottky transistors Q13 and Q14 are configured as a common collector and a common emitter. To the emitter of < RTI ID = 0.0 > and < / RTI > After the collector is commonly connected to the common emitters of the kit transistors Q19 and Q20, the emitter is connected to the base of the transistors Q23 and Q24 which are commonly connected to the current source I E2 , and the multi-collector And a bias current detector (13) by connecting two multi-collectors of the P & P transistor (Q22) to the transistors (Q11) and (Q12) base of the differential amplifier (12), respectively.
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