KR930001833Y1 - Lcd - Google Patents

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장규정
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삼성전자 주식회사
김광호
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Abstract

내용 없음.No content.

Description

액정 표시소자Liquid crystal display

제1도는 종래 액정 표시소자의 개략적 단면도.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional liquid crystal display device.

제2도는 본 고안의 한 실시예에 따른 액정 표시소자의 부분 발췌단면도.2 is a partial cross-sectional view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10, 20 : 기판 Q : 박막트랜지스터10, 20: substrate Q: thin film transistor

I : 절연층 S : 소오스전극I: insulating layer S: source electrode

G : 게이트전극 D : 드레인전극G: gate electrode D: drain electrode

SC : 반도체층 P : 화소전극SC: semiconductor layer P: pixel electrode

24 : 배향막 25 : 스페이서24 alignment film 25 spacer

본 고안은 액정 표시소자에 관한 것으로서, 특히 단층 구조형 셀갭(Cell agp) 유지 스페이서가 형성된 액티브 매트릭스형 액정 표시소소자에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to an active matrix liquid crystal display device in which a single-layer structure cell gap spacer is formed.

일반적인 액티브 매트릭스형 액정 표시소자는 액정이 개입된 양기판의 각 내면에 소정형태의 전극이 형성된 것인 바, 일측 기판의 전극은 매트릭스상의 소오스 라인과 게이트 라인에 대해 박막 트랜지스터를 통하여 전기적으로 접속되는 화소 전극을 일컫는다. 이러한 액정 표시기는 제1도에 도시된 바와 같이, 상부측 기판(10)에는 블랙 매트릭스(1), 칼라필터(12), 공통전극(13) 및 배향막(14)이 형성되고, 하부측 기판(20)에는 X-Y 매트릭스상으로 배열된 소오스 라인(미도시)과 게이트 라인(미도시)의 각 교차 부위에 박막 트랜지스터(Q)와 화소전극(P)이 형성되는 구조를 갖는다. 그리고 상기 각 단층구조의 최상위 표면인 양배향막(12) (24)들의 사이에는 액정이 개입된다. 한편 액정이 개입되는 양 양배향막(12) (24)의 사이에는 셀갭 유지용 스페이서(30)가 개재되는 바, 이는 투명한 글래스 분말 등으로 이루어진 것으로서, 일종의 분사 장치에 의해서 점착제등에 분산된 상태에서 무작위하게 분사 도포되는 것이다.In general, active matrix type liquid crystal display devices have a predetermined type of electrode formed on each inner surface of both substrates through which liquid crystals are interposed. The pixel electrode is called. As shown in FIG. 1, the liquid crystal display includes a black matrix 1, a color filter 12, a common electrode 13, and an alignment layer 14 formed on an upper substrate 10, and a lower substrate ( 20 has a structure in which a thin film transistor Q and a pixel electrode P are formed at each intersection of a source line (not shown) and a gate line (not shown) arranged in an XY matrix. The liquid crystal is interposed between the bi-orientation films 12 and 24 which are the top surfaces of the monolayer structures. Meanwhile, a cell gap maintaining spacer 30 is interposed between the bidirectional alignment films 12 and 24 through which the liquid crystal is interposed, which is made of transparent glass powder, etc. Will be spray applied.

이와같은 종래의 액정 표시기는 상기한 바와 같이 분말상의 스페이서를 채용함으로써, 무작위하게 산재되는 입자들에 의한 화질의 저하가 우려된다. 그리고 점착제등에 분산된 입자상의 스페이서를 분사 도포하기 위한 부착 공정과 분사장치등을 별도로 요구하여, 제조가공상의 번거로움과 시설비의 부담을 수반한다.Such a conventional liquid crystal display employs powdery spacers as described above, which may cause degradation of image quality due to randomly scattered particles. In addition, an attachment process for spraying and applying the particulate spacer dispersed in the pressure-sensitive adhesive or the like and an injection device are separately required, which entails the inconvenience of manufacturing process and burden of facility cost.

본 고안은 상기한 문제점들을 개선할 수 있도록 개량된 액정 표시소자를 제공함에 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide an improved liquid crystal display device to improve the above problems.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 고안은, 다수의 스페이서들에 의해 일정간격을 양 기판을 구비하며, 그 일측 기판에는 X-Y 매트릭스상의 소오스라인과 게이트라인, 그리고 이들 각 라인의 교차부에 박막 트랜지스터와 화수 전극이 배치형성된 액정 표시소자에 있어서, 상기 스페이서가 다겹의 단층구조로 되어 상기 일측 기판의 임의 위치에 다수의 분산 형성하여서 된 점에 그 특징이 있다.In order to achieve the above object, the present invention includes both substrates having a predetermined interval by a plurality of spacers, and one substrate includes a source line and a gate line on an XY matrix, and a thin film transistor at an intersection of these lines. In the liquid crystal display device in which the Hwasu electrode is formed, the spacer has a feature of having a multi-layered single layer structure in which a plurality of dispersions are formed at arbitrary positions on the one substrate.

이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 고안의 한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제2도는 본 고안의 액정 표시소자에 있어서, X-Y 매트릭스상의 소오스라인(미소시)과 게이트라인(미도시), 그리고 이들 교차 부위에 위치되는 박막 트랜지스터(Q)와 화소전극(P)들이 형성되는 일측의 기판(20)중, 그 일부분이 발췌도시되어 있다. 여기에서 상기 박막 트랜지스터(Q)는 게이트전극(G), 절연층(I), 반도체층(SC), 소오스전극(S), 드레인전극(D)을 구비하는 바, 상기의 드레인전극(D)은 상기 화소전극(P)에 접속된다. 그리고 화소전극(P)의 저부에는 절연층(I)을 사이에 두고 커페시터 전극(26)이 형성되어 도시되지 않은 공통의 케페시터라인에 접속된다. 그리고 상기 박막 트랜지스터(Q)와 화소전극(P)의 단층 구조중 최상위 층에는 종래와 같이 배향막(24)이 형성된다. 이때에 도면에서 화소전극(P)의 오른편에는 본 고안의 특징적 요소인 단층구조의 스페이서(25)가 위치된다. 이 스페이서(25)는 박막 트랜지스터(Q)와 화소전극(P) 및 케페시터 전극(26)의 형성과정을 통하여 형성되는 것으로서, 그 높이는 상기 박막 트랜지스터(Q)의 높이 보다 높게 형성되는 바, 결과적으로 박막 트랜지스터 보다도 많은 층수를 가진다. 그리고 이의 각층은 박막 트랜지스터등의 전체 박막 처리공정중 매 공정마다 별도로 형성된 스페이서 패턴에 의해 형성되는 것이어서 각 소재를 달리하고 있다.2 illustrates a source line (not shown) and a gate line (not shown) on the XY matrix, and thin film transistors Q and pixel electrodes P positioned at intersections thereof. A portion of the substrate 20 on one side is shown as an excerpt. The thin film transistor Q includes a gate electrode G, an insulating layer I, a semiconductor layer SC, a source electrode S, and a drain electrode D. The drain electrode D Is connected to the pixel electrode (P). At the bottom of the pixel electrode P, a capacitor electrode 26 is formed with an insulating layer I interposed therebetween and connected to a common capacitor line (not shown). An alignment layer 24 is formed on the uppermost layer of the single layer structure of the thin film transistor Q and the pixel electrode P. At this time, the spacer 25 having a single layer structure, which is a characteristic element of the present invention, is positioned on the right side of the pixel electrode P in the drawing. The spacer 25 is formed through the formation of the thin film transistor Q, the pixel electrode P, and the capacitor electrode 26, and the height thereof is higher than that of the thin film transistor Q. Thus, the number of layers is larger than that of the thin film transistor. Each layer thereof is formed by a spacer pattern formed separately for every step of the entire thin film processing step such as a thin film transistor, and thus each material is different.

또한 상기한 스페이서는 부분적으로, 상기한 박막 트랜지스터 등 기타 기능요소의 형성공정과는 독립적으로 수행되는 박막공정에 의해 독립된 층을 가지므로 보다 높은 층을 가지게 된다.In addition, the spacer has a higher layer, in part, because the spacer has an independent layer by a thin film process performed independently of the process of forming other functional elements such as the thin film transistor.

이와 같은 구조를 가지는 본 고안의 액정 표시소자는 미세입자를 스페이서를 사용하여 이를 무작위하게 분사 도포하였던 종래의 액정 표시소자에 비해 그 제조과정이 단순화되는 바, 제품의 품질관리가 용이하여 질 뿐 아니라 종래와 같은 스페이서 분사공정, 이를 위한 분사장치가 불요하게 된다. 더우기 셀갭을 유지하는 스페이서가 임의의 설계에 의해 형성되는 것이므로 화질면에 있어서도 종래의 액정 표시소자에 비해 우수하고 제조단가도 낮은 장점을 가진다.The liquid crystal display device of the present invention having such a structure has a simplified manufacturing process compared to the conventional liquid crystal display device in which fine particles are randomly spray-coated by using a spacer. Spacer injection process as in the prior art, the injection device for this is unnecessary. In addition, since the spacer holding the cell gap is formed by an arbitrary design, the spacer has an advantage compared to the conventional liquid crystal display in terms of image quality and also has a low manufacturing cost.

Claims (1)

다수의 스페이서들에 의해 일장간격을 유지하는 양 기판을 구비하며, 그 일측에 기판에는, X-Y 매트릭스상의 소오스라인과 게이트라인, 그리고 이들 각 라인의 교차부에 박막 트랜지스터와 화소전극이 배치형성된 액정 표시소자에 있어서, 상기 스페이서(25)가 다겹의 단층구조로 이루어지며, 이 스페이서(25)는 상기 일측기판(20)의 임의위치에 다수의 분산 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자.Both substrates are provided with a plurality of substrates to be spaced apart by a plurality of spacers, on one side of which a source line and a gate line on an XY matrix, and a thin film transistor and a pixel electrode are formed at an intersection of these lines. In the device, the spacer (25) is made of a multi-layer single layer structure, the spacer (25) is characterized in that a plurality of dispersion is formed in any position of the one side substrate (20).
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